「Sputtering Rate」に関連した英語例文の一覧と使い方

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Sputtering Rateの部分一致の例文一覧と使い方

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例文

STANDARD SAMPLE FOR SPUTTERING RATE CORRECTION, AND METHOD OF CALCULATING SPUTTERING RATE RATIO BY USING THE SAME例文帳に追加

スパッタ率補正用標準試料およびその試料を用いたスパッタ率比の算出方法 - 特許庁

To provide a sputtering target having excellent target strength, and a high sputtering rate.例文帳に追加

ターゲット強度に優れ、スパッタ速度が速いスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of constantly controlling the film deposition rate without controlling the sputtering power, the sputtering gas partial pressure, the sputtering gas flow rate or the like.例文帳に追加

スパッタ電力、スパッタガス分圧、スパッタガス流量等の制御を行うことなく成膜速度を一定に制御することを可能にしたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling ion density and sputtering rate in a sputtering system.例文帳に追加

スパッタリングシステムにおいてイオン密度とスパッタ率を制御する方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide an ECR sputtering system enhanced in sputtering efficiency and high in film deposition rate.例文帳に追加

スパッタ効率を高め、成膜レートが大きいＥＣＲスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

例文

To improve the utilizing efficiency of a target, the sputtering rate and the precision of film deposition thickness in a sputtering system.例文帳に追加

スパッタリング装置における、ターゲット利用効率及びスパッタ速度と、成膜厚の精度を向上する。 - 特許庁

To provide a facing target sputtering apparatus and a facing target sputtering method in each of which a film deposition rate is improved.例文帳に追加

成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide sputtering device and method high in productivity and working rate.例文帳に追加

生産性が高く、稼働率の高いスパッタ装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Further, the respective sputtering surfaces of the adjacent tiles are connected, and the thickness of the tiles in a position where sputtering rate is high is increased.例文帳に追加

さらに、隣接するタイルのスパッタリング面は連続し、スパッタリングされる速度が速い位置のタイルの厚みを厚くする。 - 特許庁

例文

To provide a sputtering system which can secure a satisfactory film deposition rate in a reactive sputtering system where sputtering particles are fed from the oblique direction of a substrate.例文帳に追加

基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide an Al-based alloy sputtering target capable of increasing a deposition rate (sputter rate) when a sputtering target is used, and preferably capable of preventing the occurrence of splashes.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering device improved in the film forming rate and the uniformity of the film forming rate and excellent in mass-producibility in a sputtering device provided with plural cylindrical targets.例文帳に追加

複数の円筒形ターゲットを備えたスパッタリング装置において、成膜速度および成膜速度均一性を向上させ、量産性に優れたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

In that case, deposition of an Al layer 143 is attained in a short time by sputtering power which gave priority to sputtering rate over coverage of the hole 13 (fig (a)).例文帳に追加

ここではＡｌ層１４３の成膜は、ホール１３のカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで短時間に達成する（図１（ａ））。 - 特許庁

On sputtering, the preliminarily heated target material 5 is further heated by plasma, so that the sputtering efficiency improves, and the film deposition rate improves.例文帳に追加

スパッタリング時には、予備加熱されたターゲット材料５がプラズマによって、さらに加熱され、スパッタ効率が向上し、成膜レートが向上する。 - 特許庁

To improve a film deposition rate and productivity and further to stabilize quality in sputtering.例文帳に追加

スパッタリングにおける成膜レートおよび生産性を向上すると共に、品質の安定化を図る。 - 特許庁

As the film deposition in this method is carried out by sputtering, the film deposition rate is higher than that of a vapor deposition method.例文帳に追加

しかも、成膜はスパッタによるものであるため蒸着法に比べると成膜レートが早い。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a film made from a metal fluoride, which absorbs no light, at a constant film-forming rate, and to provide a sputtering method therefor.例文帳に追加

光吸収のない金属フッ化物膜を一定の成膜速度で形成することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

Sputtering particles are made to fly from a helicon sputtering source 52 by setting a film deposition rate of a gold thin film 12 to the range from 0.01 nm/s to 0.6 nm/s.例文帳に追加

金薄膜１２の成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓ以上、０．６ｎｍ／ｓ以下の範囲に設定し、ヘリコンスパッタ源５２からスパッタ粒子を飛翔させる。 - 特許庁

The scan film deposition is carried out while the gas flow rate of the first gas with a low sputtering rate is always increased, and the gas flow rate of the second gas with a high sputtering rate is always reduced correspondingly to the secular change of the target shape caused by the erosion of the target 5, thus a film thickness change is prevented.例文帳に追加

ターゲット５のエロージョンに起因するターゲット形状の経時変化に対応させて、スパッタレートの小さい第１のガスのガス流量を常に増加させ、スパッタレートの大きい第２のガスのガス流量を常に減少させながらスキャン成膜を行うことで、膜厚変化を防ぐ。 - 特許庁

When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b.例文帳に追加

第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of preventing degradation of the film deposition rate even when a target is continuously used, a PDP (plasma display panel) manufacturing device using the sputtering apparatus, a sputtering method, and a method for manufacturing a plasma display panel.例文帳に追加

ターゲットを継続して使用しても、成膜速度が低下することがないスパッタリング装置、このスパッタリング装置を利用したＰＤＰの製造装置、スパッタリング方法及びＰＤＰの製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering apparatus 10 is operated in a transition area mode for performing the sputtering at high speed in an atmosphere containing gaseous oxygen by changing the introduction ratio of a sputtering gas to the gaseous oxygen by a flow rate controller 13.例文帳に追加

スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。 - 特許庁

A method in one embodiment includes conducting reactive sputtering while adjusting a flow rate of a reactive gas according to the temperature of a structural member which faces to a sputtering space.例文帳に追加

本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。 - 特許庁

Sputtering power of nickel sputtering is specified to ≥1.2 KW, the flow rate of argon to <0.5 Pa and the film thickness of a conductive film 6 to be formed to a range from 50 to 150 nm.例文帳に追加

ニッケルスパッタのスパッタパワーを１.２ＫＷ以上、アルゴン流量を０．５Ｐａ未満とし、形成される導電皮膜６の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とする。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system and a method of thin film deposition by magnetron sputtering by which film deposition rate can be increased and a thin film having excellent characteristics can be deposited.例文帳に追加

成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することのできるマグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the generation of nodules and prevent abnormal discharge and the reduction of the film forming rate caused by sputtering and to realize carbon sputtering for a long time.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制してカーボン系材料のスパッタリングに伴う異常放電や成膜速度の低下を防止し、長時間のカーボンスパッタリングを可能にすること。 - 特許庁

The formation of the upper electrode 6 by sputtering is carried out at a deposition rate of 50 nm/min or lower.例文帳に追加

また、スパッタ法による上部電極６の形成は、５０ｎｍ／ｍｉｎ以下の成膜速度で行われることとする。 - 特許庁

The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件はスパッタリング圧力０．５〜２Ｐａ，ｒｆ電力１００Ｗ，基板温度３６０〜４００℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は１．２〜１０％の範囲であることが好適である。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of providing high moisture barrier properties and high flexibility to a sputtering film, ensuring the high film deposition rate in the sputtering, and reducing damages on an object for film deposition as much as possible.例文帳に追加

スパッタリング膜に高い水分バリア性と高い柔軟性を付与でき、合わせて、スパッタリングにおいて高い成膜レートを確保できると共に、成膜対象物へのダメージを可及的に軽減できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

When the ITO film of the pixel electrode 9a is formed, the target is not changed between in a first sputtering step ST1 and in a second sputtering step ST2 but the oxygen gas flow rate ratio in the second sputtering step ST2 is set high.例文帳に追加

かかる画素電極９ａは、ＩＴＯ膜を成膜する際、第１スパッタ工程ＳＴ１と第２スパッタ工程ＳＴ２との間でターゲットを変えず、第２スパッタ工程ＳＴ２での酸素ガス流量比を大に設定する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering system by which sputtering particles are less liable to be diffused to the region other than a substrate, thus a film deposition rate can be improved, and further, the utilization efficiency of a target material can be improved.例文帳に追加

スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The AlN piezoelectric film 10 is formed by sputtering through use of a mixture gas of Ar and nitrogen having a nitrogen flow rate ratio (nitrogen flow rate/(Ar flow rate + nitrogen flow rate)) in the range of 10-75%.例文帳に追加

この場合、ＡｌＮ圧電薄膜１０は、Ａｒと窒素との混合ガスであって窒素流量比（窒素流量／（Ａｒ流量＋窒素流量））が１０％〜７５％である混合ガスを用いるスパッタリング法で形成される。 - 特許庁

In the sputtering process of the manufacturing method, sputtering is carried out within a substrate temperature range of 5-450°C, and within a range of 0.5-50 atom% of a scandium content rate.例文帳に追加

本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を５〜４５０℃の範囲で、スカンジウムの含有率が０．５〜５０原子％の範囲となるようにスパッタリングする。 - 特許庁

To provide a sputtering target assembly with which impurities are hard to be intruded into a sputtering film to be obtained, which can easily be reproduced after use and further increases the utilization rate of a target.例文帳に追加

得られるスパッタリング膜中に不純物が混入し難く、使用済み後の再生が簡便にでき、かつターゲット利用率をより一層高めるスパッタリングターゲット組立体を提供する。 - 特許庁

By the correction magnetic field MF, larger ions in the plasma flow P are made incident on the target 21, so as to increase a sputtering rate.例文帳に追加

補正磁場ＭＦにより、プラズマ流Ｐ中のより多くのイオンがターゲット２１に入射しスパッタ率を高める。 - 特許庁

To provide a sputtering thin film deposition system capable of depositing a thin film of high quality at high film deposition rate.例文帳に追加

製膜速度が高く、品質が高い薄膜を形成することができるスパッタリング薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film.例文帳に追加

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of forming a film of uniform thickness at a high rate within a surface of a work.例文帳に追加