「Sputtering Rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a DC or DC-pulse sputtering system capable of increasing the film deposition rate and enhancing the uniformity of the film thickness distribution.例文帳に追加

成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

Since the presence ratio of the (111) plane is small, a work function and an etching rate of the electrode are small, and electric discharge property and sputtering resistance are enhanced.例文帳に追加

(111)面の存在割合が少ないことで、この電極は、仕事関数やエッチングレートが小さく、放電性及び耐スパッタリング性を高められる。 - 特許庁

To provide an ECR sputtering system capable of improving a deposition rate and of preventing the contamination of a microwave introducing window by sputter particles.例文帳に追加

成膜速度が向上し、かつ、スパッタ粒子によるマイクロ波導入窓の汚染を防止することができるＥＣＲスパッタリング装置の提供。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

W-Ti DIFFUSION-PREVENTING FILM HAVING HIGH ETCHING RATE, AND W-Ti TARGET FOR SPUTTERING FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

エッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜およびそのＷ−Ｔｉ拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲット - 特許庁

To provide an ITO target in which the generation of nodules in the process of sputtering can be evaded, the plane dispersion of the film forming rate is small, the change of the film forming rate is small from the initial stage to the last stage in the use, and the high film forming rate can be obtained and to provide a method for producing it.例文帳に追加

スパッタリング中のノジュールの生成が避けられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初期から使用末期まで成膜速度の変化が小さく、高い成膜速度が得られるＩＴＯターゲットおよびその製造方法。 - 特許庁

To provide an indium target which has a high film formation rate with low initial discharge voltage, and furthermore, which has a stable film formation rate and stable discharge voltage from a start to completion of sputtering, and a method for producing the same.例文帳に追加

成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film.例文帳に追加

スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。 - 特許庁

This alumina type grinding wheel or diamond type grinding wheel for removing the bonding material adhering to the spent sputtering target has 30-48% abrasive grain rate, 7-15% binder rate, and 45-63% porosity.例文帳に追加

砥粒率が３０〜４８％、結合剤率が７〜１５％、気孔率が４５〜６３％であるアルミナ系砥石またはダイヤモンド系砥石で、使用済みスパッタリングターゲットに付着する接合材を除去する。 - 特許庁

Power of microwaves, RF power applied to the target, gas pressure in sputtering, the flow rate of argon, and the flow rate of O, are set at 800 W, 500 W, 0.13 Pa, 20 sccm (97.6 vol.%), and 0.5 sccm (2.4 vol.%), respectively.例文帳に追加

また、マイクロ波のパワーは８００Ｗ、ターゲットに印加するＲＦパワーは５００Ｗ、スパッタ時のガス圧は０．１３Ｐａ、アルゴンの流量は２０sccm（９７．６ｖｏｌ％）、Ｏの流量は０．５sccm（２．４ｖｏｌ％）とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of titanium dioxide and having a high index of reflection is formed by DC (Direct Current) sputtering process, which solves the conventional defect that a film deposition rate is extremely slow and productivity is extremely inferior.例文帳に追加

二酸化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようとするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The support structure comprises an element 20, provided with a material with a small sputter rate, a material with a large sputter threshold energy, or a material with a large ion implantation yield, in order to suppress the sputtering and the generation of sputtering product.例文帳に追加

支持構造は、スパッタリングおよびスパッタリング生成物の生成を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を備えたエレメント２０を備えている。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of raising an operation rate of the apparatus, by arranging a means for removing a film forming material deposited on a deposition shield and a substrate mask, and by extending a repairing cycle for the sputtering apparatus, and to provide a method.例文帳に追加

防着板や基板マスクへ付着する成膜材料を除去する手段を設け、スパッタリング装置の補修周期を高めることで、前記装置の稼働率を上げることが可能なスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

By this, an insulating film excellent in insulation characteristic can be formed at a high film forming rate by a sputtering method.例文帳に追加

したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 - 特許庁

To provide an indium target having stable sputterring characteristics in film formation rate, discharge voltage or the like from start to completion of sputtering and to provide a method for producing the indium target.例文帳に追加

スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize the initial stabilization of a film forming rate in such a manner that it is made stable from an extremely initial stage of the start of the use of a sputtering target.例文帳に追加

成膜速度の早期安定化を実現したもので、スパッタリングターゲットの使用開始のごく初期の段階から安定した成膜速度となるようにする。 - 特許庁

The pulse-width of the first pulse-width power signal is then decreased to thereby increase the sputtering rate and decrease the ion density around the cathode.例文帳に追加

次に、この第１のパルス幅の電力信号のパルス幅を減少させて、それによってスパッタ率を増加させ、かつカソード周辺でのイオン密度を減少させる。 - 特許庁

(2)The sputtering device is equipped with two or more targets with different composition in a concentric state and a means for adjusting the sputter rate of each target.例文帳に追加

（２）組成が異なるターゲットを同心円状に２個以上設け、各ターゲットのスパッタ率を調整する手段を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 特許庁

To provide an ITO (Indium Tin Oxide) target which can avoid the generation of nodules during sputtering, has little distribution of a film-forming rate within the surface, has little change in the film-forming rate from an early stage to the final stage in service, and can provide the high film-forming rate, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリング中のノジュールの生成が避けられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初期から使用末期まで成膜速度の変化が小さく、高い成膜速度が得られるＩＴＯターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provides a method for manufacturing a dielectric film, which reduces a leak current value while suppressing the reduction in a relative permittivity, suppresses the reduction in a deposition rate caused by the reduction in a sputtering rate, and also provides excellent planar uniformity.例文帳に追加

比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress variability in film thickness in a process of depositing e.g. an antireflection coating by stabilizing film deposition rate from the initial stage of the use of a target to the end of its life in a sputtering deposition process using an Nb sputtering target.例文帳に追加

Ｎｂスパッタリングターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、ターゲットの使用初期からライフエンドまで成膜速度を安定化させることによって、例えば反射防止膜の形成工程における膜厚のばらつきの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering method capable of performing athin film formation while keeping a high sputter rate without being affected by an insulating film formed on the peripheral area of a target.例文帳に追加

ターゲットの周縁領域に形成される絶縁膜の影響を受けずに、高いスパッタレートを維持したまま薄膜形成ができる反応性スパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method improving a film formation rate without using a special manufacturing apparatus in a method for forming a copper thin film on a base material by a sputtering method.例文帳に追加

特別な製造装置を用いることなく、スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において成膜速度を向上せる成膜方法を提案する。 - 特許庁

To provide sputtering system and method which can form a thin film with good coverage even in a through-hole having a high aspect ratio without reducing the deposition rate.例文帳に追加

高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the deposition of foreign matter due to, e.g. formation of particles onto a substrate, to improve product yield by maintaining sputtering deposition rate at fixed and high rate, and to obtain a target suitable for production of a dielectric protective film of an optical disk.例文帳に追加

パーティクルの発生等に起因する基板への異物堆積を抑制し、またスパッタリング成膜速度を一定かつ高速に維持して製品歩留りを向上させ、光ディスクの誘電体保護膜の作成に好適なターゲットを得る。 - 特許庁

To provide a target for magnetron sputtering in which the sputtering rate in the corner part can be made equal to that in the straight line part even when the conventional magnetron sputtering system is used, and which can effectively be consumed at least in the truck-shaped elliptical part, and allows to widen an effective range where film is deposited so as to have a uniform film thickness.例文帳に追加

従来のマグネトロンスパッタリング装置を用いても、ターゲットのコーナー部のスパッタリングレートを直線部のスパッタリングレートと同等のものとし、少なくともトラック状の長円形部分においてはターゲットを有効に消耗させることのできる、また、均一な膜厚に成膜される有効範囲を広くすることのできるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target with which the production efficiency of an Nb oxide film and eventually an optical thin film etc., can be enhanced by improving the deposition rate of the Nb oxide film when the Nb oxide film appropriate for the optical thin film is deposited by sputtering.例文帳に追加

光学薄膜に好適なＮｂ酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、Ｎｂ酸化膜の成膜速度を向上させることによって、Ｎｂ酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The process of ashing is carried out in or after the etching to prevent the etching rate from decreasing owing to sputtering of the reaction products deposited on the surface of the target material, thereby obtaining the stable etching rate.例文帳に追加

本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target for depositing an oxide film capable of enhancing the production efficiency of a metal oxide film and thus an optical thin film or the like by suppressing reduction of the film deposition rate of the metal oxide film when performing the sputtering film deposition of the metal oxide film suitable for the optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Furthermore, a film formation rate on a surface of the substrate is raised due to an improvement of the sputtering efficiency resulting from an increase of sputtering particles around the target, and the rise of the substrate temperature can be controlled in minimum due to the inhibition of plasma scattering toward the vicinity of the substrate.例文帳に追加

そして、ターゲット近傍におけるスパッタ粒子が増加して、スパッタの効率を向上するため基板表面における成膜速度を高めることができ、且つ、基板近傍へのプラズマの拡散を抑止することにより、基板温度の上昇を最小限に抑えることが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 is a GaN based semiconductor laser element having an optical film 30 formed on the end face of a resonator by sputtering an Al target under sputtering conditions of high film deposition rate in an atmosphere containing Ar gas and oxygen gas by ECR plasma method.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ＧａＮ系半導体レーザ素子であって、ＥＣＲプラズマ法を用いて、Ａｒガスと酸素ガスを含む雰囲気中で、速い成膜速度のスパッタ条件でＡｌターゲットをスパッタすることによって成膜された光学被膜３０を共振器端面に有する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which changes little with time and is suitable for arbitrarily forming a protective layer having a stable film quality, and to provide a high-density optical recording medium superior in reliability, reflectivity, recording sensitivity and recording characteristics (such as SDR, jitter, PRSNR, and error rate) with the use of the sputtering target.例文帳に追加

経時変化が少なく、安定した膜質を有する保護層を任意に形成するのに適したスパッタリングターゲット、及び、そのスパッタリングターゲットを用いた信頼性、反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた高密度光記録媒体の提供。 - 特許庁

To stabilize a sputtering rate by preventing abnormal discharge, to suppress the formation of particles caused by abnormal discharge, and to prevent the transition of stable thin films of metal oxide into metal films.例文帳に追加

異常放電を防止してスパッタレートを安定させ、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、安定した金属酸化物の薄膜からメタル膜への遷移を防止すること。 - 特許庁

Further, a sputtering method, especially, an InGaSnO_5 target is used as the manufacturing method to make an oxygen flow rate 2-4%, and thus, mobility of about 1 cm^2/Vs can be stably obtained.例文帳に追加

また、製造方法としてスパッタ法、特にＩｎＧａＳｎＯ_５ターゲットを用い、酸素流量比を２〜４％とすることで、１ｃｍ^２／Ｖ・ｓ程度の移動度を安定して得られる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the present invention, the flow rate ratio of noble gas and reactive gas used for the reactive sputtering method is adjusted according to a target threshold voltage of the MOSFET.例文帳に追加

本発明の製造方法では、反応性スパッタリング法で用いる希ガスと反応性ガスの流量比率を、目標とするＭＯＳＦＥＴの閾値電圧に応じて調整する。 - 特許庁

To provide a plasma-assisted sputter deposition system which provides the fixed sputtering rate of a target with the lapse of time, and also can make process conditions which are not varied.例文帳に追加

時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。 - 特許庁

The deposit rate of particles that are generated in a sputtering device by heating and deposited on the titanium film 1 is increased, and pinholes 2 opening up due to the separation of the particles are decreased in number.例文帳に追加

また加熱によりスパッタ装置内で発生するパーティクルとの熔着率が増加して、その後のパーティクルの脱落によるチタン膜１におけるピンホール２の発生数が減少する。 - 特許庁

To improve deposition rate without degrading the film thickness and characteristics of Ti film, Ti compound film, or the like, at the time of performing the sputter deposition of these films by using a Ti sputtering target.例文帳に追加

Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて、Ｔｉ膜やＴｉ化合物膜などをスパッタ成膜する際に、これらの膜の膜厚や特性などを劣化させることなく、堆積速度を向上させる。 - 特許庁

In this sputtering process, the flow rate of gaseous oxygen is set to be smaller than the upper limit at which a state where metal Ti is exposed to the surface of the target is regularly held.例文帳に追加

このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, which allows oxygen to be properly contained in the film without lowering a deposition rate, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an alumina sputtering target of high purity for accelerating the film forming rate of an alumina film on a substrate by sputter discharge and moreover hard to be cracked even in the case high electric power is applied.例文帳に追加

スパッタ放電による基板上へのアルミナ膜の成膜速度を高めると共に、高電力を投入しても割れにくい性質を持つ高純度のアルミナ・スパッタリング・ターゲットを提供する。 - 特許庁

Helium is introduced into the atmosphere at the film deposition of transparent electrode by DC sputtering using indium oxide and tin oxide as a target while varying the flow rate of helium.例文帳に追加

インジウムとスズの酸化物をターゲットに用いた直流スパッタによる透明電極の成膜時の雰囲気中に、ヘリウムの流量を変化させて導入することを特徴とする。 - 特許庁