「Sputtering Rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To compose a cathodic sputtering apparatus in such a manner that the magnetic field intensity within the active zone of a target to which the target is sputtered is increased, further, the active zone is enlarged to increase the sputtering rate of a target material, and simultaneously, the density of the heat power to be introduced into the target material is reduced.例文帳に追加

冒頭に記載した装置を、ターゲットが浸食されるターゲットの活性ゾーンの領域内の磁界強度を増強し、更に、活性ゾーンの幅を大きくして、ターゲット材料のスパッタリング速度を高め、それと同時に、ターゲット材料内に導入される熱パワー密度を低減するように構成すること。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device high in a vapor deposition rate, film-forming a multi-element thin film at a high speed, flexible in the compositional control of the film, easily covering a dense multi-element thin film at a high speed and furthermore easily capable of the maintenance.例文帳に追加

蒸着速度が早く、多元素薄膜を高速で成膜し、膜の組成制御がフレキシブルで、緻密な多元素薄膜を高速で容易に被覆し、さらにはメンテナンスの容易なマグネトロンスパッタ装置を提供。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system in which a vapor deposition rate is high, a multi-element thin film is deposited at a high speed, the composition control of the film is flexible, a denser multi-element thin film is easily covered at a high speed, and, moreover, maintenance is easy.例文帳に追加

蒸着速度が早く、多元素薄膜を高速で成膜し、膜の組成制御がフレキシブルで、より緻密な多元素薄膜を高速で容易に被覆し、さらにはメンテナンスの容易なマグネトロンスパツタ装置を提供。 - 特許庁

To provide a magnetic acceleration large electric power sputtering method with which an ionization degree is increased, simultaneously, a positive charge is removed from the surface of a target, the heating of the target is prevented, and further, the utilization rate of a target material is increased.例文帳に追加

磁気促進大電力スパッタリング法において、イオン化度を高くし、同時にターゲットの表面から正の電荷を除去し、ターゲットの加熱を防止すると共に、ターゲット材料の利用率を高くすること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solid electrolyte thin film and a parallel flat-plate type magnetron sputtering device, which can improve a deposition rate and is free from damage caused by energy of plasma, and to provide a manufacturing method for a thin-film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。 - 特許庁

In the method of manufacturing a transistor including an oxide semiconductor, the percentage of oxygen flow rate to the total flow rate of sputtering gas is set to 90%-100%, an oxide semiconductor layer is formed in oxygen-excess state by sputtering a metal oxide, and the oxide semiconductor layer is sealed in a dense metal oxide thus obtaining a device configuration where impurities such as hydrogen or water is not mixed as much as possible.例文帳に追加

酸化物半導体を含むトランジスタの作製方法において、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、金属酸化物をスパッタすることで酸素過剰な状態の酸化物半導体層を形成し、該酸化物半導体層を緻密な金属酸化物で封じた構成とすることで、水素や水などの不純物を極力混入させないデバイス構成とする。 - 特許庁

On a substrate having a group pattern, magnetic films are laminated in such a laminating order as a magnetic wall movement layer comes on the front side, and this magnetic film surface is etched by sputtering accelerated ions made incident thereto from the direction perpendicular to the substrate, and the magnetic wall movement layer on the group side is selectively etched and removed by making use of ionic incident angle dependency of a sputtering rate.例文帳に追加

グルーブパターンを有する基板上に、磁壁移動層が表面側になるような積層順で磁性膜を積層し、この磁性膜表面を、基板に垂直な方向から入射する加速イオンによってスパッタエッチングし、スパタリング率のイオン入射角依存性を利用してグルーブ側部の磁壁移動層を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

The facing target sputtering method comprises the steps of: arranging a pair of facing targets 1, 2 in a vacuum vessel 6; applying a voltage between the pair of facing targets to discharge electricity; and depositing a reactive film by sputtering the target while controlling a flow rate of a reactive gas so that the quantity of the light to be emitted from the target becomes predetermined one.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

The facing-target type sputtering method comprises: applying an electric power to a pair of targets 1 and 2 arranged in a vacuum vessel 6, to discharge them; controlling a flow rate of a reactive gas so that the targets can emit a predetermined level of light; and forming a reactive film by sputtering the targets.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

An active material layer with excellent coupling property to the collector in the same way as sputtering film formation and with excellent productivity in the same way as wet plating can thereby be obtained to provide the negative electrode large in both capacity and capacity maintenance rate.例文帳に追加

これにより、スパッタ成膜同様に集電体との結合性が良好で、かつ湿式めっきと同様に生産性の良い活物質層が得られ、容量と容量維持率ともに大きな負極を提供することが出来る。 - 特許庁

To provide a sputtering method and system with which occurrence of arc discharge on a target can be suppressed over a long period of time, and also, an extremely thin film can be secured at a high film deposition rate with high in-plane uniformity.例文帳に追加

本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which uses a high-frequency power source or a direct-current power source superimposed by the high-frequency power, and has an improved use efficiency for a target material by promoting erosion in the peripheral part of the target without decreasing a film-deposition rate.例文帳に追加

高周波あるいは高周波と直流が重畳された電源を用いたスパッタリングにおいて成膜レートを低下させることなく、ターゲット外周端部の侵食を促進しターゲット材料利用効率を向上させる。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact for a sputtering target which is film-formed at a high film forming rate and a transparent oxide film having excellent surface smoothness, low refractive index with high transparency and exhibiting high gas barrier performance.例文帳に追加

高い成膜速度で成膜可能なスパッタリングターゲット用の酸化物焼結体を提供し、表面平滑性が良好で、屈折率が低くて透明性も高く、かつ、高いガスバリア性能を持つ透明酸化物膜を提供する。 - 特許庁

By performing film deposition in a state where the pressure in the discharge space is made higher than that in ordinary sputtering, while retaining a suitable film deposition rate, a porous film of high quality with the low refractive index which has been sufficiently reacted can be stably deposited.例文帳に追加

放電空間を通常のスパッタリングよりも高圧にして成膜を行うことで、適度な成膜レートを保ちながら、充分な反応を得た良質で屈折率の低い多孔質膜を安定して成膜することができる。 - 特許庁

As a result, it is possible to reduce the deposit of an etching reactant on the surface of the target 32, quickly obtain the stable sputtering rate, and efficiently form a protective film, and the productivity is improve.例文帳に追加

これにより、ターゲット３２の表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となり、生産性の向上が図れるようになる。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing an optical thin film by sputtering by which stable film deposition rate capable of enabling long-term film deposition or long-term continuous film deposition of dichroic film, etc., can be obtained by means of film thickness control by time.例文帳に追加

時間による膜厚制御により、ダイクロ等の長時間成膜、或いは長期的な連続成膜を可能とする安定した成膜レートを得るスパッタリングによる光学薄膜の製造方法、及び製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a cylindrical sputtering target in which a bonding surface of a cylindrical ceramics target material is subjected to electrolytic reduction to form a metal layer which is used as an underlayer, thereby a sufficient bonding rate and strength can be attained only by solidification through cooling without pressing the bonding part during bonding, and peeling off or cracking caused by the effects of heat during sputtering does not occur.例文帳に追加

円筒形のセラミックスのターゲット材の接合面を電解還元することによって金属層を形成させ、これを下地層とすることによって、接合の際に接合部を押圧しなくても、冷却固化させるだけで、十分な接合率および強度が得られ、かつスパッタリング中の熱の影響で剥離や割れのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond-like carbon film which is lowered in a coefficient of friction and is raised in hardness by a method of small surface roughness and little in lowering of a deposition rate by sputtering.例文帳に追加

表面粗さが小さく、自己スパッタによる成膜レートの低下が少ない方法で、摩擦係数を低下させ、且つ硬度を上昇させたダイヤモンド状炭素被膜を形成することができるダイヤモンド状炭素被膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first porous electrode is manufactured by a magnetron sputtering method at low temperature in a vacuum vessel in which an inert gas and an oxygen gas in its rate of 10 to 90% expressed in terms of patial pressure exist and which has 0.5 to 6.0 Pa total pressure.例文帳に追加

第１の多孔質電極は、不活性ガスの他に酸素ガスが分圧換算で１０％以上、９０％以下の割合で存在し、全圧が０．５Ｐａ以上、６．０Ｐａ以下である真空槽中でマグネトロンスパッタリングによって低温下で形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low resistance tantalum thin film for successively laminating and forming a seed layer and a tantalum layer on an insulating substrate, wherein the film depositing rate of sputtering is high and the low resistance tantalum thin film having satisfactory specific resistance distribution can be obtained.例文帳に追加

絶縁基板上にシード層とタンタル膜とを順次積層して形成するための、スパッタリングの成膜レートが早く、しかも比抵抗分布の良い低抵抗タンタル薄膜を得ることが可能な、低抵抗タンタル薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a material for a protective film which does not contain S, has the refractive index and transmittance of light equal to those of a material of ZnS-20 mol% SiO_2 and is suitably used for an optical disk dealing with high recording density by allowing to have a comparatively high sputtering rate.例文帳に追加

Ｓを含まず、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ_2 並みの光の屈折率と透過率を有し、比較的高いスパッタレートを有することにより、高記録密度対応の光ディスクに用いるのに好適な保護膜用材料を提供する。 - 特許庁

To provide an information recording medium for performing high- density recording and reproducing which maintains favorable recording and reproducing characteristics and is excellent in the mass-productivity by using an interfacial layer having high thermal stability and a high sputtering rate.例文帳に追加

高密度の記録・再生を行う情報記録媒体において、熱安定性が良く、かつスパッタレートが大きい界面層を用いることにより、良好な記録・再生特性を保持し、量産性に優れた情報記録用媒体を提供する。 - 特許庁

To realize a cold cathode discharge lamp which maintains its secondary electron emitting performance and has a practical long life, and is highly efficient, in a discharge lamp using for its cold cathode a diamond which has a large secondary electron emitting efficiency and a small sputtering rate.例文帳に追加

二次電子放出効率が大きくスパッタ率が小さいダイヤモンドを冷陰極に用いた放電灯において、その高い二次電子放出性能を維持し、実用的な長寿命を持つ高効率な冷陰極放電灯を実現すること。 - 特許庁

The transparent conductive thin film 4 is produced by introducing argon at a flow rate of 18.0 cm^3/min into a vacuum chamber with a glass substrate 2 and a target containing Zn as a component are arranged in the vacuum chamber and sputtering the target while introducing oxygen at a flow rate of 1.0 cm^3/min or more and 2.0 cm^3/min or less.例文帳に追加

透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 - 特許庁

In this way, sputtering particles can be deposited on a substrate in a state close to a metal mode without complicating the apparatus constitution, thus metal oxide having a stoichiometric value close to the theoretical one can be efficiently produced at a high thin film deposition rate.例文帳に追加

これによって装置構成を複雑にすることなく、金属モードに近い状態でスパッタ粒子を基板に被着させることができるために薄膜堆積速度が速く、且つ、化学量論的に理論値に近い金属酸化物を効率良く作製することが可能になる。 - 特許庁

To improve the etching rate of an oxide semiconductor film deposited by sputtering by improving the heat conductivity of a conductive oxide of a target to enable the target to increase the thickness and to prolong the life, and using the target.例文帳に追加

ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。 - 特許庁

Moreover, for forming a thin film contg. plural components in desired rations from the point directly after the start of use, as for each component in the 1st region part, setting is executed in such a manner that the content of the one lower in the sputtering rate is made relatively large compared to the desired ratio of the thin film.例文帳に追加

さらに、使用開始直後から複数の成分を上記所望の割合で含む薄膜が形成されるように、第１領域部中の各成分をスパッタ率の低いものほど上記薄膜の所望の割合に比較して多くなるように設定した。 - 特許庁

A second sputter rate of a second upper electrode 82 is smaller than a first sputter rate of a first upper electrode 81, so when a part of a protective film 100 formed on the second upper electrode 82 is removed by sputtering, the second upper electrode 82 is less sputtered than the upper electrode 80 composed of only the first upper electrode 81, thereby reducing variance in film thickness of the second upper electrode 82.例文帳に追加

第２上電極８２の第２のスパッタレートが、第１上電極８１の第１のスパッタレートと比較して小さいので、第２上電極８２上に形成された保護膜１００の一部をスパッタによって取り除く際に、第１上電極８１のみからなる上電極８０と比較して、第２上電極８２がスパッタされにくく、第２上電極８２の膜厚のバラツキを少なくできる。 - 特許庁

In a step of manufacturing the optical element having a multilayered film in which a low refractive index film and a high refractive index film are alternately laminated, by means of a sputtering film forming apparatus using a target unit 100, a porous film composed of a low refractive index material with a filling rate ≤0.84 is formed on a substrate 101.例文帳に追加

低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層した多層膜を有する光学素子の製造工程において、ターゲットユニット１００を用いたスパッタ成膜装置により、基体１０１上に充填率０．８４以下の低屈折率材料からなる多孔質膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for oxide film formation which can increase production efficiency of a metal oxide film, e.g. an optical thin film etc. by inhibiting a decrease in film-forming rate of the metal oxide film at sputter-deposition of the oxide film which is suitably used as an optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁

The method of mounting the large-size substrate on a carrier and manufacturing the transparent conductive thin film of ITO on the large-size substrate by sputtering is provided, wherein an O_2 gas flow rate is divided and adjusted independently in a direction perpendicular to a substrate conveying direction to manufacture the transparent conductive thin film.例文帳に追加

大型基板をキャリア上に載置して、ＩＴＯの透明導電性薄膜をこの大型基板上にスパッタリングにより形成する方法であって、Ｏ_２ガス流量を基板搬送方向に垂直な方向に独立に分割調整して透明導電性薄膜を製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which enables an oxide film superior in electroconductivity and transparency for visible light to be formed at a high deposition rate, and decreases transmissivity for visible light little even when a large number of such electroconductive films are stacked as are made from an oxide film, silver or the like, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

導電性および可視光透過性に優れた酸化物膜を速い成膜速度で形成でき、かつ該酸化物膜および銀等からなる導電膜の積層数を多くしても可視光透過率の低下が少ないスパッタリングターゲットおよび成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method in which the film deposition rate by the sputtering is reduced, a metal thin film with excellent coatability is formed on an inner wall surface and an inner bottom surface of a hole or a groove with the aspect ratio being ≥3 formed in a surface of a workpiece, and the self-hold discharge in a target is generated even with small power.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode in which the target has a particularly high service life or the high availability the target material to be used is made possible, moreover, the magnet is not surrounded by a cooling medium for the cathode and suitable for a coating method having a high film forming rate.例文帳に追加

スパッタリングカソードのターゲットが特に高い耐用寿命を有しもしくは使用されるターゲット材料の高い活用性を可能にし、しかもスパッタリングカソードの磁石がカソードのための冷却媒体によって取り囲まれることがなく、高い成膜速度を有する被覆法に適しているようなスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

The composition of a silicon oxynitride film can be easily controlled by changing power to be applied to a target or changing a flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas as reactive gas in sputtering using a target material 13c composed of silicon monoxide and target materials 13a, 13b composed of silicon dioxide.例文帳に追加

一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。 - 特許庁

The method for producing the thin film formed of oriented crystals of tungsten oxide on the surface of the substrate having low crystallinity includes sputtering a target containing tungsten while controlling a substrate temperature and a deposition rate to form tungsten oxide film with strongly oriented crystals on the (001) surface of monoclinic crystals.例文帳に追加

結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法であって、タングステンを含むスパッタリングターゲットを結晶性の低い基板の表面にスパッタリングすることを含み、スパッタリングを行う際の基板温度及び堆積速度を制御することにより、単斜晶（００１）面に強く結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製することを特徴とする前記方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、０．４〜２．０Å／ｓｅｃの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pure copper sheet, in which cold forging and cold rolling after hot forging and hot rolling and heat treatment after that are unnecessary, and a pure copper sheet which has fine structure obtained by the method, to which a high special intercrystalline rate is imparted by forming twin crystal structure by partial recrystallization and which is especially suitable for a copper target base stock for sputtering, a plating anode or the like.例文帳に追加

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。 - 特許庁