「THIN FILM TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目)

基体上に形成された下地膜に対して酸素過剰雰囲気下でスパッタ処理した後、反応スパッタすることによって前記下地膜上にマグネタイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を形成し、次いで、当該マグネタイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を酸化してマグヘマイト薄膜に変態させる磁気記録媒体の製造法である。 - 特許庁

As a photovoltaic element used is a photovoltaic element including as a component a laminate wherein an n-type impurity semiconductor silicon thin film and a p-type impurity semiconductor silicon thin film are bonded via an intrinsic semiconductor silicon thin film, and at least one of those silicon thin films is a silicon thin film containing chlorine atoms at a concentration of, for example, 0.005 to 5 atom.%.例文帳に追加

光起電力素子として、ｎ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とｐ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも１つが例えば０．００５原子％〜５原子％の濃度の塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とする光起電力素子を使用する。 - 特許庁

Since the pressing timing of the thin film against a substrate W is decided based on the film thickness information in this way, the transfer can be executed at optimum timing and an excellent thin film can be formed on the substrate W irrespective of the peripheral environment of the sheet film 8 and the type of the thin film.例文帳に追加

このように膜厚情報に基づき基板Ｗへの薄膜の押付タイミングを決定しているので、最適なタイミングで転写処理を実行することができ、シートフィルム８の周辺環境や薄膜の種類などを問わず、基板Ｗ上に良好な薄膜を形成することができる。 - 特許庁

A third opposite conductivity type semiconductor region is provided in contact with the semiconductor thin film and opposite conductivity type carriers are fed from the semiconductor region to the semiconductor thin film or opposite conductivity type carriers are extracted from the semiconductor thin film to the third semiconductor region thus controlling the quantity of carriers in the semiconductor thin film.例文帳に追加

前記半導体薄膜に接して逆導電形の第３の半導体領域を設け、該半導体領域から逆導電形のキャリアを前記半導体薄膜へ供給する、ないしは前記半導体薄膜から逆導電形のキャリアを前記第３の半導体領域へ引き抜くことにより前記半導体薄膜中のキャリア量を制御する。 - 特許庁

A photoelectric conversion type thin-film transistor 3 having a semiconductor thin film 41 made of an amorphous silicon is provided at an upper layer side rather than CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁

A photoelectric conversion type thin film transistor 3 having a semiconductor thin film 42 made of an amorphous silicon is provided on the upper layer side, rather than an CMOS thin-film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁

The thin film formation device 1 for forming a plurality of thin films in a substrate 10 in the same chamber 2 by an antenna type plasma CVD method (chemical vapor deposition) has a residue removal means for removing residue which affects property of a second thin film formed next to a first thin film of a plurality of thin films and is caused in a first thin film formation process.例文帳に追加

アンテナ式プラズマＣＶＤ法（化学的気相成長法）により基板１０に複数の薄膜を同一チャンバ２内で形成する薄膜形成装置１であって、複数の薄膜のうち第１薄膜の次に形成する第２薄膜の特性に影響を与え、かつ、第１薄膜形成過程に起因した残留物質をチャンバ２内から除去する残留物質除去手段を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To reduce the manufacturing cost and to narrow the periphery of a picture frame with respect to a display such as a thin film diode type display, a passive type display, a digital mirror type display, or the like, and a semiconductor device such as a charge coupled device type sensor, a thin film transistor type sensor, or the like.例文帳に追加

薄膜ダイオード型ディスプレイ、パッシブ型ディスプレイ、デジタルミラーデバイス型ディスプレイなどのディスプレイや、電荷結合デバイス型センサ、薄膜トランジスタ型センサなどのセンサなどの半導体装置に対して、低コスト化や狭額縁化を図ることである。 - 特許庁

例文

The first thin film transistor 3 is provided with the p-type organic semiconductor layer (working as a p-channel) 33, and the second thin film transistor 4 is provided with the n-type thin film transistor 45 (working as an n-channel).例文帳に追加

回路基板１は、第１の薄膜トランジスタ３が、ｐ型有機半導体層（ｐチャネルとして動作する有機半導体層）３３を備え、第２の薄膜トランジスタ４が、ｎ型有機半導体層（ｎチャネルとして動作する有機半導体層）４５を備える。 - 特許庁

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