「THIN FILM TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In the thin film thermoelectric element which is formed by laminating two or more p-type semiconductor thin films arranged in a reed screen shape and two or more n-type semiconductor thin films arranged in the reed screen shape, the p-type and n-type semiconductor thin films are connected in series and in zigzags at separated terminals in the longitudinal direction of the reed screen.例文帳に追加

本発明は、簾状に配された２以上のＰ型半導体薄膜と、簾状に配された２以上のＮ型半導体薄膜とが積層された薄膜熱電素子であって、Ｐ型及びＮ型半導体薄膜は、簾の長手方向に離間した端子部においてジグザク状に直列接続されている薄膜熱電素子である。 - 特許庁

To provide a flat, thin film type diaphragm for a speaker and its manufacture in which the thickness of a conductive thin film, its pattern and impedance, and the heat resistant capacity can be set to desired values in a flat diaphragm in which a patterned thin film-like coil is formed on an insulation thin film.例文帳に追加

絶縁性薄膜上にパターン化された薄膜状のコイルを形成した平面振動板に於いて、導体薄膜の厚さと共にそのパターンとインピーダンス及び耐熱容量とを所望する形状に設定する事ができる、薄膜平面状のスピーカ用振動板とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a molded thin film of resin having an accurately shaped fine shape, excellent in thermal resistance, and to provide a resin composition capable of forming the thin film, a method of production for the thin film of the resin, and to provide a light diffusive and reflective sheet made from the thin film and a reflection type liquid crystal display device installing the light diffusive and reflective sheet.例文帳に追加

微細な形状を精度よく賦形された耐熱性に優れた樹脂薄膜成形物、該樹脂薄膜成形物を形成可能な樹脂組成物、該樹脂組成物を用いた上記樹脂薄膜成形物の製造方法、上記樹脂薄膜成形物より作製された光拡散性反射板および該光拡散性反射板を搭載した反射型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The solar cell includes a first electrode and a second electrode, and in between these electrodes, the organic thin film in which p-type or n-type mesoporous organic silica and an n-type or p-type material are subjected to bulk-heterojunction.例文帳に追加

第１の電極および第２の電極と、該電極間に、ｐ型またはｎ型のメソポーラス有機シリカとｎ型またはｐ型の材料とがバルクヘテロ接合している有機薄膜とを備えることを特徴とする太陽電池。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an n-type chalcogenide material and a p-type chalcogenide material, and a method of manufacturing a chalcogenide thin-film transistor using the n-type chalcogenide material and the p-type chalcogenide material.例文帳に追加

ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を製造する方法、ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を用いてカルコゲニド薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the optical element 1 having this sort of configuration, the high refractive index film made of a titanium oxide-based thin film in a thin film for composing the optical multilayer film 3 is formed by titanium oxide containing at least one type selected from zirconium oxide, yttrium oxide, and hafnium oxide.例文帳に追加

このような構成を有する光学素子１において、光学多層膜３を構成する薄膜のうち、酸化チタン系薄膜からなる高屈折率膜は酸化ジルコニウム、酸化イットリウムおよび酸化ハフニウムから選ばれる少なくとも1種を含有する酸化チタンにより形成されている。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor polycrystalline thin film having a high hole mobility and capable of forming the film on a plastic substrate at low film forming temperature for a material of a semiconductor layer for a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すｐ形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるｐ形半導体多結晶薄膜を、提供する。 - 特許庁

To uniformize a piezoelectric characteristic of a thin film actuator and a characteristic of the film thickness, to prevent occurrence of a crack of the film, to raise a yield in manufacturing, to downsize a manufacturing equipment, and to reduce a cost, in terms of a line type ink-jet head having the thin film actuator of high density.例文帳に追加

高密度の薄膜アクチュエータを備えるライン型のインクジェットヘッドにおいて、薄膜アクチュエータの圧電特性および膜厚等の特性の均一化、膜の割れの防止、製造の歩留まりの向上、製造設備の小型化、低価格化を図る。 - 特許庁

At least two kinds of gas where at least one type of gas is subjected to ionization decomposition by discharge is mixed in a film-formed chamber 1, thus allowing an element for forming the thin film contained in the gas, to react in the film-formed chamber 1, and forming the thin film on the substrate 6 to be treated.例文帳に追加

少なくとも１種類が放電により電離分解された２種類以上のガスが成膜チャンバー１内で混合されることにより、それらのガス中に含まれる薄膜を形成する元素が成膜チャンバー１内で反応し、被処理基板６上への薄膜の形成が行われる。 - 特許庁

To make piezoelectric characteristics of a thin film actuator and characteristics of film thickness, etc., uniform, to prevent rapture of a film, to improve a yield rate in production, to miniaturize manufacturing equipment and to reduce cost in a line type ink jet head equipped with a high density thin film actuator.例文帳に追加

高密度の薄膜アクチュエータを備えるライン型のインクジェットヘッドにおいて、薄膜アクチュエータの圧電特性および膜厚等の特性の均一化、膜の割れの防止、製造の歩留まりの向上、製造設備の小型化、低価格化を図る。 - 特許庁

A channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor has a process of forming an insulation film on a thin film, a process of forming an additional insulation film for the insulation film, and a process of implanting first conductive type impurities into a part near an interface between a semiconductor thin film and the insulation film.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、薄膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に対し追加絶縁膜を形成する工程と半導体薄膜と絶縁膜との界面近傍に第１導電型の不純物の注入を行う工程を有するようにした。 - 特許庁

To provide a film roll of a laminated thermoplastic resin film which is excellent in electromagnetic conversion properties and traveling durability and has reduced drop out when used as the base film of a metal-deposition thin film type magnetic recording medium.例文帳に追加

金属蒸着薄膜型磁気記録媒体のベースフィルムとして用いたときに、電磁変換特性、走行耐久性に優れ、かつ極めてドロップアウトの少ない積層熱可塑性樹脂フィルムのフィルムロールを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a double-gate type thin film transistor which will not give unnecessary plasma damages to a semiconductor film at or near the boundary of a channel-protective film and the semiconductor film at etching.例文帳に追加

エッチング時にチャネル保護膜と半導体膜との界面及びその近傍の半導体膜に不必要なプラズマダメージを与えることのないダブルゲート型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a roll-to-roll type thin film production apparatus which performs film deposition while conveying a flexible film substrate and is capable of preventing the mixing of gas among a plurality of film deposition chambers.例文帳に追加

可撓性フィルム基板を搬送しながら成膜を行うロールツーロール方式の薄膜製造装置にあって、複数の成膜室の間でガスの混入を防止することが可能な薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁

To accurately measure the thickness of a thin film smaller than 1 μm with high throughput using an optical interference type film thickness measuring method, without significantly changing device constitution, concerning a film thickness measuring method and a film thickness measuring device.例文帳に追加

膜厚測定方法及び膜厚測定装置に関し、装置構成を大幅に変更することなく、光干渉式膜厚測定方法を用いて１μｍ以下の薄膜の膜厚を精度良く且つ高スループットで測定する。 - 特許庁

A memory cell comprises a ferroelectric gate type dual-gate thin-film transistor, wherein a thin transistor is provided on both surfaces of a ferroelectric thin film 1, a plurality of the memory cells are connected in series to constitute a memory block, and a plurality of memory blocks are arranged to form a memory cell array.例文帳に追加

強誘電体薄膜１の両面に薄膜トランジスタを設けた強誘電体ゲート型デュアルゲート薄膜トランジスタによりメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個直列接続してメモリブロックを構成し、このメモリブロックを複数個配置してメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

In general, the relationship between the recording power and the linear speed is linear. Depending upon the type of thin film, the amount of tilting differs. 例文帳に追加

一般に、記録パワーと線速との間には、直線関係があるが、薄膜の種類によって、その傾きの程度が違ってくる。 - 特許庁

The active semiconductor layer 34 is an n^--type semiconductor consisting of the zinc oxide thin film which is formed by ion plating.例文帳に追加

活性半導体層３４は、イオンプレーティング法で形成される酸化亜鉛薄膜からなるｎ^−型半導体である。 - 特許庁

The use of reactor-type TPO (thermoplastic polyolefin) as the olefin-based thermoplastic elastomer 12 makes the film 10 uniform and thin.例文帳に追加

そして、オレフィン系熱可塑性エラストマー12としてリアクター型ＴＰＯを用いることにより、均質で且つ薄いフィルム10を製造することができる。 - 特許庁

A nonmagnetic metal layer 2 is formed between a nonmagnetic supporting body 1 and a metal magnetic layer 3 of the metal thin film type magnetic recording medium 100.例文帳に追加

金属薄膜型磁気記録媒体100の非磁性支持体１と金属磁性層３の間に非磁性の金属層２を設置する。 - 特許庁

To provide a crystal evaluation method and a crystal evaluation device, capable of evaluating an internal structure of a crystalline thin film of perovskite type oxide.例文帳に追加

ペロブスカイト型酸化物の結晶性薄膜の内部構造を評価することのできる結晶評価方法および結晶評価装置を提供する。 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD, CRYSTAL GROWTH APPARATUS, STACKING TYPE CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CRYSTAL THIN FILM PRODUCED BY THESE METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

結晶成長方法、結晶成長装置、積層型結晶成長装置およびこれらによって製造された結晶薄膜を有する半導体デバイス。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC THIN-FILM ELEMENT AND ITS AGING TREATMENT METHOD, INK JET HEAD AND INK JET TYPE RECORDER例文帳に追加

圧電体薄膜素子及びそのエージング処理方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット式記録装置 - 特許庁

(1) The thin-film magnetic sensor includes a diode substrate including a Zener diode type p-n junction, and a TMR element formed on its surface.例文帳に追加

（１）薄膜磁気センサは、ツェナーダイオード型のｐｎ接合を備えたダイオード基板と、その表面に形成されたＴＭＲ素子とを備えている。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT, INK JET HEAD, INK JET TYPE RECORDER, ANGULAR VELOCITY SENSOR, AND PIEZOELECTRIC ACTUATOR FOR DISK UNIT例文帳に追加

圧電体薄膜素子、インクジェットヘッド、インクジェット式記録装置、角速度センサ及びディスク装置用圧電アクチュエータ - 特許庁

In the solenoid type thin-film coil 14, the cross sections of a lower coil section 14A and an upper coil section 14B are formed in a hexagonal shape.例文帳に追加

ソレノイド型の薄膜コイル１４において、下部コイル部分１４Ａおよび上部コイル部分１４Ｂの断面が六角形状を有している。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR COPPER PARTICULATE SINTERED BODY TYPE MICRO PROFILE CONDUCTIVE BODY AND FORMING METHOD FOR COPPER MICRO PROFILE WIRING AND COPPER THIN FILM USING SAME METHOD例文帳に追加

銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法 - 特許庁

In the method for the formation of the perovskite type or Bi sheet perovskite oxide thin film, the source solution is applied to a substrate and then baked.例文帳に追加

この原料溶液を基板に塗布した後、焼成するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide toner with sharp distribution of the grain size by using a thin film revolution type high-speed stirring machine in the granulation process in the method for manufacturing a suspension polymerization toner.例文帳に追加

懸濁重合トナー製造法の造粒工程において薄膜旋回型高速攪拌機を用いることによりシャープな粒度のトナーを得る。 - 特許庁

To control the position of a crystal grain at a high degree in a crystalline thin film obtained by scanning type melting recrystallization.例文帳に追加

走査型溶融再結晶によって得られる結晶性薄膜において、結晶粒位置を高度に制御する。 - 特許庁

To provide a tandem type thin film solar cell using a CIS solar cell which improves efficiency of power generation.例文帳に追加

発電効率を高効率化した、ＣＩＳ太陽電池を用いたタンデム型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

FORMATION OF METALLIC COMPOUND THIN FILM SMALL IN COARSE DROPLET NUMBER BY ARC TYPE ION PLATING METHOD例文帳に追加

アーク式イオンプレーティング法により粗大ドロップレットの少ない金属化合物薄膜を形成する方法 - 特許庁

To form a perovskite-type PLZT ferroelectric thin film having a uniform surface form and excellent in electrical characteristics.例文帳に追加

表面形態が均一で電気的特性の均質性にも優れたペロブスカイト型ＰＬＺＴ強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY USING THE SAME AND RADIO IDENTIFICATION TAG例文帳に追加

有機薄膜トランジスタとその製造方法、及びそれを用いたアクティブマトリクス型のディスプレイと無線識別タグ - 特許庁

PIEZOELECTRIC THIN-FILM ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, INK JET HEAD, AND INK JET TYPE RECORDING DEVICE例文帳に追加

圧電体薄膜素子、圧電体薄膜素子の製造方法、インクジェットヘッド、およびインクジェット式記録装置 - 特許庁

An n-side electrode is a thin-film electrode 3 of the n-type semiconductor layer 21 formed on a surface positioned on the side of the support layer 1.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層２１の、支持層１の側に位置する面に形成された薄膜電極３である。 - 特許庁

As a material of an upper electrode of this thin film type electron source, a material having a forbidden band width larger than Si, and having electroconductivity is used.例文帳に追加

薄膜型電子源の上部電極の材料として、Ｓｉよりも大きな禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を用いる。 - 特許庁

To provide the structure of a solenoid-type probe coil using a superconductive thin film, having a high Q value, having satisfactory magnetic uniformity, and occupying small space.例文帳に追加

Ｑ値が高く、磁場均一性が良く、占有空間の小さい、超電導薄膜を用いたソレノイド型プローブコイルの構成を提供すること。 - 特許庁

In a thin-film structure 10, a semiconductor layer 22 has a channel region 30 in which only p-type impurity ion is doped.例文帳に追加

薄膜トランジスタ構造１０において、半導体層２２は、ｐ型不純物イオンのみドープされたチャネル領域３０を備えている。 - 特許庁

The pixel electrode covers at least a part of a channel layer and is electrically connected to the drain of the bottom gate type thin film transistor.例文帳に追加

画素電極は少なくともチャネル層の一部を覆っており、しかもボトムゲート型薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続されている。 - 特許庁

SHAPE MEMORY ALLOY MADE THIN FILM ACTUATOR UNIT BODY OF OMNIDIRECTIONAL BENDING TYPE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL FIBER例文帳に追加

全方位屈曲型の形状記憶合金薄膜アクチュエータ単位体とその製造方法および光ファイバー - 特許庁

The reverse stagger type thin film transistor has a source wiring and a gate electrode formed on the same plane.例文帳に追加

その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。 - 特許庁

To attain a thin film type electron source in which gas adsorption, in particular, adsorption of sulfur component is little, and attain an image display device with a long life.例文帳に追加

ガス吸着、特に硫黄成分の吸着の少ない薄膜型電子源を実現し、長寿命の画像表示装置を実現する。 - 特許庁

A p-type Mg_xZn_1-xO-based thin film 1 is formed on a substrate 2 formed of a ZnO-based semiconductor.例文帳に追加

ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１は、ＺｎＯ系半導体からなる基板２上に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tandem type thin film solar cell without breakage of a pn junction of a lower cell.例文帳に追加

下部セルのｐｎ接合が破壊されることなくタンデム型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁