「THIN FILM TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

This transducer is provided with a transparent front electrode film 12, a silicon-based thin-film photoelectric conversion unit 13 which contains are conductivity type layer 131, a photoelectric conversion layer 132 composed of crystalline silicon-based thin-film, and an opposite conductivity type layer 133, a transparent rear conducting film 14, and a rear metal electrode film 15.例文帳に追加

透明前面電極膜（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明裏面導電膜（１４）と、裏面金属電極膜（１５）とを備える。 - 特許庁

To provide a phosphor for a collision excitation type EL realizing novel full color light emission using as the base material a chemically extremely stable compound or composite oxide, a manufacturing method of a thin film of the phosphor, a thin film EL device using a thin film of the phosphor for a light emitting layer, a thin film EL display using the thin film EL device, and an EL lamp.例文帳に追加

化学的に極めて安定な化合物もしくは複合酸化物を母体材料とする新規なフルカラーの発光が実現できる衝突励起型ＥＬ用蛍光体、該蛍光体薄膜の製造方法、該蛍光体薄膜を発光層に用いる薄膜ＥＬ素子及び該薄膜ＥＬ素子を用いる薄膜ＥＬディスプレイ、ＥＬランプを提供することを課題とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor in which the oxide semiconductor layer is formed by forming a thin film of the oxide semiconductor or its precursor and then forming a resist pattern on the thin film, and patterning the thin film by removing the thin film outside than the resist pattern, the resist pattern is formed by using an electrostatic attraction type liquid discharging device.例文帳に追加

酸化物半導体またはその前駆体の薄膜を形成したのち、薄膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターン外の薄膜を除去することにより、薄膜のパターニングを行って酸化物半導体層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、前記レジストパターンを、静電吸引方式の液体吐出装置を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

Oxides 3, 4 forming the oxide pn junction consist of a perovskite-type oxide thin film, and more preferably, the electrode 2 consists of the perovskite-type oxide thin film.例文帳に追加

酸化物ｐｎ接合を形成する酸化物３，４がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極２がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。 - 特許庁

The superconductive thin film coil is capacitor-coupled to the superconductive thin film wire to constitute all of the shape of the solenoid type probe coil and the solenoid type probe coil of a superconductive material.例文帳に追加

超電導薄膜コイルと超電導薄膜配線とはキャパシタ結合とすることで、ソレノイド型コイルの形状と、ソレノイド型プローブコイルを全部超電導材料で構成する。 - 特許庁

To provide an organic thin film solar cell of bulk hetero type, capable of improving photoelectric transfer efficiency for a conventional organic thin film solar cell of bulk hetero type.例文帳に追加

従来のバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池に対して、より光電変換効率を向上できるバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

A metal catalyst layer is introduced on a zinc oxide thin film having electrical characteristic of an n-type semiconductor and is subjected to heat treatment to be reformed to a zinc oxide thin film having electrical characteristic of a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tandem-type thin-film photoelectric conversion device that can manufacture a tandem-type thin-film photoelectric conversion device with improved performance and quality using a simple device at low costs and with improved productivity.例文帳に追加

良好な性能および品質を有するタンデム型の薄膜光電変換装置を簡単な装置により、低コストかつ優れた生産性で製造できるタンデム型の薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a centrifugal thin film type evaporation apparatus which requires no complicated structure, efficiently exerting features of the centrifugal thin film type evaporation apparatus, and is made large-sized while suppressing an increase in the cost thereof.例文帳に追加

複雑な構造を必要とすることなく、遠心薄膜式蒸発装置の有する特徴を効率よく発揮することが可能で、コストの増大を抑制しつつ、大型化を図ることが可能な遠心薄膜式蒸発装置を提供する。 - 特許庁

THIN-FILM MICRO-MACHINE TYPE RESONATOR, THIN-FILM MICRO- MACHINE TYPE RESONATOR GYROSCOPE, NAVIGATION SYSTEM AND AUTOMOBILE USING THE RESONATOR GYROSCOPE例文帳に追加

薄膜微小機械式共振子、薄膜微小機械式共振子ジャイロ、この薄膜微小機械式共振子ジャイロを用いたナビゲーションシステム及び自動車 - 特許庁

To provide a structure satisfying required characteristics in a configuration having a P-channel type thin film transistor and an N-channel type thin film transistor.例文帳に追加

Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタを有する構成において、要求される特性を満足する構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-quality p-type Si thin film of major orientation to (111) and to provide a method of manufacturing a TFT using that p-type Si thin film.例文帳に追加

本発明は、ｐ−Ｓｉ薄膜の形成方法及びそれを用いたＴＦＴの製造方法に関し、高品質な（１１１）優先配向ｐ−Ｓｉ薄膜の形成方法及びそれを用いたＴＦＴの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Metal wirings connecting the source wiring and the reverse stagger type thin film transistor, and a pixel electrode and the reverse stagger type thin film transistor are formed in the same process.例文帳に追加

また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element 1 has a structure in which a thin film shaped n-type thermoelectric member 11 with a thickness of 5μm and a thin film shaped p-type thermoelectric member 12 with a thickness of 5μm are formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加

熱電変換素子１は、基板１０の表面上に、厚さ５μｍの薄膜状のｎ型熱電材料部１１と厚さ５μｍの薄膜状のｐ型熱電材料部１２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter containing a two-dimensional Schottky type sensor and a thin-film transistor, or a two-dimensional PIN type photodiode sensor and a thin-film transistor.例文帳に追加

２次元ショットキー型センサと薄膜トランジスタや、２次元ＰＩＮ型ホトダイオードセンサと薄膜トランジスタとを有する光電変換装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Since deviation of crystal orientation in the surface of the metal substrate 1 is within 5 degrees, deviation of crystal orientation of the n-type polycrystalline Si thin film 3 and the p-type polycrystalline Si thin film 4 is also extremely small.例文帳に追加

金属基板１の表面における結晶方位のずれが５度以内であるため、ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４の結晶方位のずれも極めて小さくなる。 - 特許庁

An n-type polycrystalline silicon thin-film layer 13, a genuine- type polycrystalline silicon thin-film layer 14, and a p-type polycrystalline silicon thin-film layer 15 are formed as a photoconductive conversion layer on a transparent conductive film 12 in a glass substrate 11 with the transparent conductive film 12 by the plasma CVD method using 81.36 MHz as a plasma excitation frequency.例文帳に追加

透明導電膜１２を備えたガラス基板１１における透明導電膜１２上に、プラズマ励起周波数として８１.３６ＭＨzを用いたプラズマＣＶＤ法によって、ｎ型多結晶シリコン薄膜層１３,真性型多結晶シリコン薄膜層１４,ｐ型多結晶シリコン薄膜層１５を形成して光電変換層とする。 - 特許庁

To provide a thin film forming method by a capacity coupling type RF plasma CVD method capable of forming a thin film of homogeneous film quality on the inside face of a cylindrical object to be treated composed of an electrically conductive material and capable of forming a thin film only on a specified part in the inside face.例文帳に追加

導電性材料からなる円筒状の被処理物の内側面に、均質な膜質で薄膜形成可能で、前記内側面の特定部分のみに薄膜形成可能な容量結合型のＲＦプラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate.例文帳に追加

また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。 - 特許庁

When polysilicon is used in the thin-film resistor, the film thickness of the polysilicon thin-film resistor is made small, and by making the impurities introduced into the polysilicon thin film resistor as P-type, variations in the resistance value are suppressed and the dependence of the resistance value on temperature is decreased.例文帳に追加

および、薄膜抵抗体にポリシリコンを用いる場合、ポリシリコン薄膜抵抗体の膜厚を薄くし、ポリシリコン薄膜抵抗体に導入した不純物をＰ型にしたことにより抵抗値バラツキを抑え、かつ抵抗値の温度依存性を小さくしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a production method of a positive stagger-type thin film transistor which can form a gate insulating film having good dielectric strength on an active layer composed of a polysilicon thin film by leveling the surface of the polysilicon thin film featuring high mobility of a carrier.例文帳に追加

キャリアのモビリティの高いポリシリコン薄膜表面を平坦化することにより、このポリシリコン薄膜からなる活性層上に良好な絶縁耐圧を有するゲート絶縁膜を形成することが可能な正スタガ型の薄膜トランジスタの製造方法を提供しようとものである。 - 特許庁

That is, the n-type zinc oxide thin film is reformed to a p-type zinc oxide semiconductor of high concentration.例文帳に追加

すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 - 特許庁

A p-type diamond thin film formed by a CVD method from a carbon source is subjected to an inert gas, thereby converting it into an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

炭素源からのＣＶＤ法により形成されたｐ型ダイヤモンド薄膜を不活性ガスに曝すことでｎ型ダイヤモンド半導体に変換する。 - 特許庁

To provide a plane type electroacoustic transducer of a moving magnet type formed by a vibrating membrane having a thin film magnet magnet-landed to a thickness direction.例文帳に追加

厚み方向に着磁された薄膜磁石を有する振動膜によるムービングマグネット型の平面型電気音響変換器を提供する。 - 特許庁

The n-type semiconductor thin film (11) is in contact with the p-type semiconductor substrate (3) in p-n manner, thus forming a protective diode.例文帳に追加

ｎ型半導体薄膜（１１）はｐ型半導体基板（３）にｐｎ接触して保護ダイオードを形成している。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.例文帳に追加

ｐ型熱電素子層５は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｂを添加することによりｐ型半導体としたものである。 - 特許庁

The n-type thermoelectric element layer is a thin film layer and turned to an n-type semiconductor by adding Se to Bi-Te.例文帳に追加

一方、ｎ型熱電素子層は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｅを添加することによりｎ型半導体としたものである。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF N-TYPE AND P-TYPE CHALCOGENIDE MATERIALS, CHALCOGENIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｎ型およびＰ型カルコゲニド素材の製造方法、カルコゲニド薄膜型トランジスタおよびその製作方法 - 特許庁

The C60 fullerene derivative is used for a charge transfer material, an n-type semiconductor material and an n-type semiconductor thin film and the like.例文帳に追加

該Ｃ６０フラーレン誘導体は、電荷移動材料、ｎ型半導体材料、ｎ型半導体薄膜等に利用できる。 - 特許庁

Each optical element filter 120 has a film type and thin-plate type effect filter 121 which is formed into one sheet.例文帳に追加

光学要素フィルタ１２０は、一枚のシート状にされており膜状乃至薄板状の効果フィルタ１２１を備えている。 - 特許庁

A p-type or n-type element to be added in the thin-film formation of an active layer is changed for every cell in correspondence with the change of the desorbed gas.例文帳に追加

脱離ガスの変化に対応して活性層製膜中に添加するｐ型あるいはｎ型の元素をセル毎に変化させる。 - 特許庁

To improve the resonance characteristic of an SMR type thin film bulk wave resonator by improving an acoustic multilayer film.例文帳に追加

音響多層膜を改良することによってＳＭＲ型の薄膜バルク波共振器の共振特性を向上させる。 - 特許庁

The support film 14 is a SiO_2 thin film formed by thermal oxidation on an upper portion of an n-type substrate 10a (Si monocrystal).例文帳に追加

支持膜１４は、ｎ基板１０ａ（Ｓｉ単結晶）の上方に熱酸化により形成されたＳｉＯ_2薄膜である。 - 特許庁

A uni-morph type thin film piezoelectric actuator formed of monocrystalline piezoelectric film 2 is disposed to each of at least both side faces of a pressurizing chamber 1.例文帳に追加

圧力室１の少なくとも両側面に単結晶圧電体膜２からなるユニモルフ型薄膜圧電アクチュエータを配置する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor in which a barrier film and an n-type Si semiconductor layer have a high adhesion strength.例文帳に追加

バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA TYPE BOTTLE FILM FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC BOTTLE COATED WITH GAS BARRIER THIN FILM例文帳に追加

大気圧プラズマ型ボトル成膜装置及びガスバリア性薄膜コーティングプラスチックボトルの製造方法 - 特許庁

To provide a magnesium oxide thin film which can be used to an advantage as a protective film in a dielectric layer of AC-type PDP.例文帳に追加

ＡＣ型ＰＤＰの誘電体層の保護膜として有利に用いることができる酸化マグネシウム薄膜を提供する。 - 特許庁

In this case, the thin-film transistor 61B is of coplanar type, and the gate electrode 62b is provided on an overcoat film 70.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ６１Ｂはコプラナー型であり、オーバーコート膜７０上にゲート電極６２ｂが設けられている。 - 特許庁

To improve reliability of a gate insulating film in a MOS-type transistor having a gate electrode and an extremely thin gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極と極薄のゲート絶縁膜とを有するＭＯＳ型のトランジスタにおけるゲート絶縁膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To permit preparation of a miniaturized magnetic assembly having lightweight and high accuracy, by stably obtaining a magnetoresistive effect type thin film on a resin film base member.例文帳に追加

樹脂フィルム基材上に磁気抵抗効果薄膜を安定して得ることによって、小型、軽量、高精度な磁性組立体の作製を可能とする。 - 特許庁

The high dielectric element 5 is easily reduced in mounting area by employing a thin film type film adhesive tape or the like.例文帳に追加

高誘電体素子５は、薄膜状のフィルム粘着テープ等を用いることで、実装面積を小さくすることが容易である。 - 特許庁

To provide a base film suitable for a ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium used in a perpendicular magnetization recording system.例文帳に追加

垂直磁化記録方式に使用される強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に好適なベースフィルムを提供すること。 - 特許庁

A transparent conductive layer 14 made of n-type zinc oxide is provided via an overcoat film 13 on the photoelectric conversion thin film transistor 12.例文帳に追加

光電変換薄膜トランジスタ１２上にはオーバーコート膜１３を介してｎ型酸化亜鉛からなる透明導電層１４が設けられている。 - 特許庁

CRYSTAL OSCILLATION-TYPE FILM THICKNESS MONITORING DEVICE AND EVAPORATION SOURCE DEVICE AND THIN FILM DEPOSITION SYSTEM OF EL MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

水晶発振式膜厚モニタ装置、及び、これを用いたＥＬ材料の蒸発源装置と薄膜形成装置 - 特許庁

Then, a semiconductor layer to which an impurity element imparting one conduction type is added is formed, and a conductive film is formed, and thus, a thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁