「V is」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This version of System V is described in the "Programmer's Reference Manual: Operating System API (Intel processors)" (Prentice-Hall 1992, ISBN 0-13-951294-2) 例文帳に追加

このバージョンの System V については"Programmer's Reference Manual: Operating System API (Intel processors)"(Prentice-Hall 1992, ISBN 0-13-951294-2) に記載されている。 - JM

and is considered the definitive System V release. 例文帳に追加

に記載されており、System V の最終的なリリースと考えられている。 - JM

For example, you might have a verbose flag that is turned on with "-v" and off with "-q":例文帳に追加

例えば、verbose というフラグを"-v" で有効にして、"-q" で無効にしたいとします: - Python

If v is NULL, the contents of the string are uninitialized.例文帳に追加

v がNULL の場合、文字列の中身は未初期化の状態になります。 - Python

This option is only available on wacom V devices (Intuos).To see which serial number belongs to a device, you have to set the DebugLevelto 6 and watch the output of the X server. 例文帳に追加

このオプションは Wacom V デバイス(Intuos)でしか使えない。 - XFree86

In chronological order, Yayoi V type is regarded the oldest, followed by Shonai type and later by Furu type. 例文帳に追加

土器形式の古さは弥生V期、庄内式、布留式という順序になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is intended to be a replacement for the M-V Launch Vehicle.例文帳に追加

M-V(ミューファイブ)ロケットの後継機として意図されている。 - 浜島書店 Catch a Wave

Voltage V_A geared to V_OUT is converted into digital data D_A.例文帳に追加

Ｖ_ＯＵＴに応じた電圧Ｖ_ＡはデジタルデータＤ_Ａに変換される。 - 特許庁

The potential of the common electrode is alternately set to V_r and -V_r.例文帳に追加

そして、コモン電極の電位をＶ_ｒ，−Ｖ_ｒに交互に設定する。 - 特許庁

An objective V/G' value is maintained without changing the mean rate V of pulling up.例文帳に追加

平均の引き上げ速度Ｖを変えずに、目標とするＶ／Ｇ′値を維持する。 - 特許庁

The method of displaying the digital images (50) to the viewer(V) is also provided.例文帳に追加

デジタル画像(50)を閲覧者(V)に表示するための方法も提供される。 - 特許庁

A negative DC voltage applied on the target 7 is made between ≥250 V and ≤450 V.例文帳に追加

ターゲット７に印下する負の直流電圧は250V以上、450V以下とする。 - 特許庁

(f) The barrier potential V_h of holes is in the range of 0.1≤V_h≤0.5 eV.例文帳に追加

（ｆ）正孔の障壁ポテンシャルＶ_hは、０．１≦Ｖ_h≦０．５ｅＶの範囲。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 106 is formed on the surface part 105.例文帳に追加

表面部１０５上にIII-V族の化合物半導体層１０６を成膜する。 - 特許庁

The sonic speed V in the material is calculated from the interference signal R_i.例文帳に追加

物質中の音速Vは、干渉信号R_iから算出される。 - 特許庁

The equation (1) is as follows: [a×V_k+(2-a)×V_k-1]/2=V_0, k +(d_ave-d_k)×α.例文帳に追加

［ａ・Ｖ_k＋（２−ａ）・Ｖ_k-1］／２＝Ｖ_0,k＋（ｄ_ave−ｄ_k）・α （１） - 特許庁

Discharge speed at the voltage of 1 V to 2 V is alleviated at discharge.例文帳に追加

放電時に電圧１Ｖ以上２Ｖ以下での放電速度が緩和される。 - 特許庁

A ripple cycle T of generated voltage V of a three-phase generator is measured in S11 to S14.例文帳に追加

Ｓ11〜S14で3相発電機の発電電圧Vのリプル周期Tを計測する。 - 特許庁

The lamp power at stable lighting is 30 to 150 W, and the lamp voltage V (V) satisfies an equation 2:58≤V/1≤72.例文帳に追加

（数式１）０．２≦Ｍ／Ｑ≦０．２８、（数式２）５８≦Ｖ／ｌ≦７２ - 特許庁

An open angle β of a V-shaped groove 54 of a V-shaped groove block 52 is 30 degrees.例文帳に追加

Ｖ溝ブロック５２のＶ溝５４の開き角度βは３０度である。 - 特許庁

Cuts or V shape grooves are provided in an upper part and a bottom surface is made to be adhesive.例文帳に追加

上部に切り込み及びV字溝を施し、底面を粘着性とする。 - 特許庁

In addition, the casting speed v_C (m/min) is within the range of the expression, v_C≤(0.0527×2×60×S×η)/(W×T)例文帳に追加

さらに、鋳造速度ｖ_Ｃ（ｍ／分）を下記（３）式の範囲内とする。 - 特許庁

A V-shaped spring 70 both leg parts of which expand upward in a V shape is provided.例文帳に追加

両脚部がＶ字形に上向きに広がるＶばね７０を備える。 - 特許庁

The voltage V_r+V_c is applied to the liquid crystals of the selected lines.例文帳に追加

選択された行の液晶にはＶ_ｒ＋Ｖ_ｃの電圧が印加される。 - 特許庁

An optical sensor 17 is arranged at any one of positions (I) to (V).例文帳に追加

光センサ１７は、位置（I）〜（V）のいずれかに配置可能である。 - 特許庁

The rotary shaft 3a is disposed at the V-shape opening side of the V-shape guide.例文帳に追加

回転軸３ａは、Ｖ字形ガイドのＶ字の開き側に配置されている。 - 特許庁

(The Electronic Frontier Foundation is sponsoring one of these suits, Bernstein v. Department of Justice, et al ).* 例文帳に追加

(Electronic Frontier Foundation は、こうした訴訟の一つ Bernstein v. Department of Justice, et al を資金援助している)*。 - Electronic Frontier Foundation『DESのクラック：暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』

The voltage is outputted at a ratio of 95 V to 90 V when the input voltage is below 97 V, and the voltage is outputted at a ratio of 100 V to 90 V when it is above 97 V.例文帳に追加

入力電圧が９７Ｖ未満の場合は９５Ｖ対９０Ｖの比率で電圧を出力し、９７Ｖ以上の場合は１００Ｖ対９０Ｖの比率で電圧を出力させる。 - 特許庁

An L level output potential V_OUT is controlled not by the value of the termination voltage V_T but by the value of the logic level setting resistance R_L.例文帳に追加

Lレベル出力の電位V_OUTは、終端電圧V_Tの値ではなく、論理レベル設定抵抗R_Lの値によって調整される。 - 特許庁

A current constriction layer 12 is configured by the group III-V compound semiconductor layer 11 and the group III-V compound semiconductor layer 13.例文帳に追加

III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 - 特許庁

The maximum voltage V(P) of the short pulse P (based on voltage V0) is higher than the maximum voltage V(TP) of the tailing pulse TP (based on voltage V0).例文帳に追加

短パルスＰの最大電圧V(P)（電圧V0を基準とする）は、テーリングパルスＴＰの最大電圧V(TP)（電圧V0を基準とする）より高くなっている。 - 特許庁

The averaged value of the sample value V_A at the point A and the sample value V_B at the point B, i.e., (V_A + V_B)/2 is calculated.例文帳に追加

そして、点Ａにおけるサンプル値Ｖ_Ａと、点Ｂにおけるサンプル値Ｖ_Ｂとの平均値、すなわち（Ｖ_Ａ＋Ｖ_Ｂ）／２を算出する。 - 特許庁

If a difference V_X between the charge maximum voltage V_C and the discharge minimum voltage V_D reaches a fixed value V_O or more, the uniform charging is carried out.例文帳に追加

そして、充電最高電圧（Ｖ_Ｃ）と放電最低電圧（Ｖ_Ｄ）との差（Ｖ_Ｘ）が、一定値（Ｖ_Ｏ）以上となった場合に均等充電をする。 - 特許庁

Preferably, the output of the microwave is 50-120 W, and the negative high frequency bias voltage (-V_RF) satisfies inequalities 60 V<-V_RF<120 V.例文帳に追加

マイクロ波の出力は５０−１２０Ｗで、負の高周波バイアス電圧（−Ｖ_ＲＦ）は６０Ｖ＜−Ｖ_ＲＦ＜１２０Ｖとすることが好ましい。 - 特許庁

In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加

(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁

The first voltage is in the range of 3.2 V to 1.1 V, the second voltage is in the range of 2.7 V to 0.6 V, and the voltage difference between the first voltage and the second voltage is in the range of 0.5 V to 0.8 V.例文帳に追加

第１電圧が３．２Ｖ〜１．１Ｖの範囲であり、第２電圧が２．７Ｖ〜０．６Ｖの範囲であり、かつ第１電圧および第２電圧間の電圧差が０．５Ｖ〜０．８Ｖの範囲である。 - 特許庁

When inter-parted metal back resistance in the gap Gx is represented by Rx(V) as a function of a voltage V[V] and inter-metal back resistance in the gap Gy is represented by Ry(V) as a function of the voltage V[V], Rx(100)/Rx(1) is smaller than Ry(100)/Ry(1).例文帳に追加

ギャップＧｘ間の分断メタルバック間抵抗を電圧Ｖ［Ｖ］の関数としてＲｘ（Ｖ）、前記ギャップＧｙ間のメタルバック間抵抗を電圧Ｖ［Ｖ］の関数としてＲｙ（Ｖ）としたとき、Ｒｘ（１００）／Ｒｘ（１）＜Ｒｙ（１００）／Ｒｙ（１）である。 - 特許庁

Then, when determined to be out thereof, a noise is regarded to be superimposed on the value V(i) related to the intensity of light, and the value V(i) related to the intensity of the light is replaced with a value V'(i) which is closer to a reference value T(i).例文帳に追加

続いて、外れると判定した場合は、光の強弱に関する値V(i)にノイズが重畳しているとみなして、光の強弱に関する値V(i)を基準値T(i)により近い値V'(i)に置換する。 - 特許庁

When removing a noise from spectral data V, attention is paid to a value V(i) related to intensity of one light, and it is determined whether or not a difference value V(i)-T(i) is out of a range THL-THU determined by thresholds THL, THU.例文帳に追加

分光データVからのノイズの除去にあたっては、一の光の強弱に関する値V(i)に着目し、閾値THL,THUによって決まる範囲THL〜THUから、差値V(i)-T(i)が外れるか否かを判定する。 - 特許庁

Namely, V(t) is obtained in each channel by the equation V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb, and the range where V(t) exceeds a prescribed threshold is extracted, to thereby extract a defect expectation region D.例文帳に追加

すなわち、V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb により、各チャンネルごとにＶ（ｔ）を求め、これが所定の閾値を超える範囲を抽出することにより、欠陥候補領域Ｄを抽出する。 - 特許庁

The sum L (L=L_h+L_V) of channel length L_h in the longitudinal direction of the crystal grain shape and channel length L_V in the direction orthogonal thereto in sub pixels 13R, 13G and 13B having different emitted light color is equal, and L_h/L_V is different.例文帳に追加

発光色の異なる副画素１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂにおける結晶粒形の長手方向のチャネル長Ｌ_hと、それに交差する方向のチャネル長Ｌ_Vの和Ｌ（Ｌ＝Ｌ_h＋Ｌ_v）は等しく、Ｌ_h／Ｌ_Vが異なっている。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

A rotary table 10 is fittingly attached to an annular V-V rolling guide 11 situated at a fixed body 12 and has the V-V rolling guide 11 rotatably mounted with the center of the annular V-V rolling guide 11 taken as a rotary shaft C.例文帳に追加

固定体に設けたリング状のＶ−Ｖころがり案内に嵌着され、リング状のＶ−Ｖころがり案内の中心を回転軸として回転可能に取付けられたＶ−Ｖころがり案内を有する回転テーブルとした。 - 特許庁

By bringing the measured T_SAT into check with a T_SAT-V_FUEL map for defining the relationship between T_SAT and an estimated fuel volume V_FUEL, the estimated fuel volume V_FUEL is estimated (step 106).例文帳に追加

T_ＳＡＴと推定燃料量V_ＦＵＥＬとの関係を定めたT_ＳＡＴ−V_ＦＵＥＬマップに実測されたT_ＳＡＴを照らし合わせて推定燃料量V_ＦＵＥＬを推定する（ステップ１０６）。 - 特許庁