「Volatile memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor memory device has a double layer structure having a third insulation film selected from aluminum oxide or silicon nitride as an inter-poly insulation film between a floating gate electrode and a control gate, and a fourth insulation film selected from a rare earth metal oxide or a group IV-A metal oxide formed on the third insulation film in a non-volatile semiconductor device.例文帳に追加

不揮発性半導体装置における浮遊ゲート電極と制御ゲート電極間のインターポリ絶縁膜として、酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に形成された希土類金属の酸化物及び４Ａ族金属の酸化物から選ばれる第４の絶縁膜との二層構造を用いる半導体メモリ装置。 - 特許庁

This semiconductor memory using the flash(F) ROM being non-volatile and programmable semiconductor storage elements is provided with an interface means for forming an interface circuit between the storage elements and outside circuits by using an FPGA capable of loading of a program on a substrate and a program loading means for loading the program corresponding to the FROM to the FPGA at the time of power supply.例文帳に追加

不揮発性でありかつプログラム可能な半導体記憶素子であるフラッシュ（Ｆ）ＲＯＭを使用した半導体記憶装置において、基板上においてプログラムのロードが可能なＦＰＧＡを使用し、前記記憶素子と外部回路とのインターフェイス回路を形成するインターフェイス手段と、電源投入時に、前記ＦＲＯＭと対応したプログラムをＦＰＧＡにロードするプログラムロード手段とを備える。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory 1 having no verification function and being electrically rewritable is provided with a boosting circuit 2 for generating boosting voltage for performing erasure operation, a data storage means 5 for storing an erasure range, and a boosting adjusting circuit 6 for adjusting boosting voltage generated by the boosting circuit 2 in accordance with an erasure range stored in the data storage means 5.例文帳に追加

ベリファイ機能を有しない電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶装置１において、消去動作を行うための昇圧電圧を発生させる昇圧回路２と、消去範囲を格納するデータ記憶手段５と、昇圧回路２で発生した昇圧電圧をデータ記憶手段５に格納された消去範囲に応じて調整する昇圧調整回路６とを設ける。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

The non-volatile memory device includes at least one pair of first electrode lines, at least one second electrode line interposed between the at least one pair of first electrode lines, and at least one data storage layer interposed between at least one pair of first electrode lines and at least one second electrode line, which may locally store a resistance change.例文帳に追加

少なくとも一対の第１電極ラインと、少なくとも一対の第１電極ラインの間に介在された少なくとも１本の第２電極ラインと、少なくとも一対の第１電極ラインと少なくとも１本の第２電極ラインとの間に介在され、局部的に抵抗変化を保存しうる少なくとも１層のデータ保存層と、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

When a volatile memory circuit (RAM) 1 having an electric circuit 4 is backed up by normally charging it from a power supply circuit 5 through a capacitor 2 and discharging the capacitor 2 upon turning the power supply circuit 5 off, a PNP transistor 6 and an NPN transistor 7 are employed in a reverse current preventing circuit 8 thus reducing voltage loss at the time of charging.例文帳に追加

電気回路４を有する揮発性記憶回路（ＲＡＭ）１に電源回路５からコンデンサ２を介して通常時に充電し、電源回路５がオフされた時にコンデンサ２に充電された電圧を放電して揮発性記憶回路１をバックアップする際の逆流防止回路８にＰＮＰトランジスタ６およびＮＰＮトランジスタ７を用いて、充電時の電圧ロスを減少させる。 - 特許庁

When a cursor stays (the cursor is focused) on the same program in a fixed time or more according to the cursor operation of a user from a remote controller, the division character string data stored in the non-volatile memory 120 are read by an OSD processing part 110, and superimposed on a video signal so that the plurality of divided character data can be displayed at a liquid crystal display panel.例文帳に追加

リモコン装置からのユーザのカーソル操作などによって、一定時間以上同じ番組名上にカーソルがとどまっている場合には（フォーカスがあたっている場合には）、不揮発性メモリ１２０に保存された分割文字列データを ＯＳＤ処理部１１０において読み込み、映像信号に重畳するなどして、分割された複数の文字列データを交互に液晶表示パネルに表示する。 - 特許庁

This control device is provided with general versatility as the shared component corresponding to the similar model in production, distribution or service by writing the control data in the outdoor-side non-volatile memory from an indoor controller disposed at an indoor side by wired or wireless communication after installation work, and a function as a specific model is exerted by writing each model-specific control data after the installation work.例文帳に追加

据え付け設置作業後に、室内側に設置される、室内コントローラから制御用データを室外側の不揮発性メモリーに有線または無線の通信により書込むことで、生産あるいは流通、サービスにおいては類似機種に対応した共用部品として汎用性を持ち、据え付け設置作業後に各機種固有の制御データを書込むことで、特定機種としての機能を発揮する。 - 特許庁

This circuit is a semiconductor integrated circuit having a load circuit 8 including a volatile memory, in a standby state of a semiconductor integrated circuit, supplying electric power to the load circuit 8 is stopped for the prescribed period, while data stored in the load circuit 8 is held by supplying refresh-voltage to the load circuit 8 after elapsing the prescribed period.例文帳に追加

揮発性のメモリを含む負荷回路８を有する半導体集積回路であって、半導体集積回路の待機状態においては、負荷回路８への電力供給を所定期間中止すると共に、該所定期間経過後に負荷回路８へリフレッシュ電圧を供給することにより負荷回路８に記憶されているデータを保持することを特徴とする半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

This control device for the air bag system is provided with a data acquiring means for periodically acquiring the acting status data of the air bag system; a data encoding means for encoding the acting status data acquired by the data acquiring means; and a data recording means for recording the latest acting status data encoded by the data encoding means, in a non- volatile memory when detecting the failure of the air bag system.例文帳に追加

このエアバッグシステムの制御装置は、エアバッグシステムの動作状況データを周期的に取得するデータ取得手段と、そのデータ取得手段によって取得された動作状況データを符号化するデータ符号化手段と、エアバッグシステムの故障を検出した時点で、データ符号化手段によって符号化された最新の動作状況データを不揮発性メモリに記録するデータ記録手段と、を具備する。 - 特許庁

A connection processing node selected from a plurality of nodes 1 reads at least a part of area including an area, which stores the failure information 12b in the respective main storage devices 11 of a plurality of nodes 1, and writes the read failure information 12b in a non-volatile memory 12 included in one node via a bridge circuit 14 included in one node selected from a plurality of nodes 1.例文帳に追加

更に，複数のノード１のうちから選択された結合処理ノードは，複数のノード１の主記憶装置１１それぞれの，障害情報１２ｂが記憶された領域を含む少なくとも一部の領域を読み出し，読み出された障害情報１２ｂを複数のノード１から選択された一のノードに含まれるブリッジ回路１４を介して該一のノードに含まれる不揮発性メモリ１２に書き込む。 - 特許庁

So as to prevent the image data of the finished job from being left in the hard disk when using the hard disk, an operation mode not using the hard disk is prepared with regard to the secure print operation for security to process the job completely in the volatile memory.例文帳に追加

複合機では高速にデータの入出力を行なうことが出来るハードディスクあるいは揮発性のメモリを使用すればコピーやプリント動作時間を短縮することが可能となるが、ハードディスクを使用した際に該ハードディスク内部に終了したジョブの画像データを残留させない様にするために、機密保持を実現するセキュアプリント動作については、ハードディスクを使用しない動作モードを用意しておき完全に揮発メモリ上だけで処理を行う。 - 特許庁

In the error correcting method for the data storage device to repeatedly perform the error correction of SEU of a volatile memory 2 with a prescribed cycle, error rate is enhanced while enabling follow-up to changes in intensity of the radioactive rays by statistically measuring error generation quantity, shortening the prescribed cycle when the measured error generation quantity is increased and setting the prescribed cycle longer when the measured error generation quantity is reduced.例文帳に追加

揮発性メモリ２のＳＥＵ誤り・訂正を所定の周期で繰り返し行なうデータ記憶装置の誤り訂正方法であり、誤り発生量を統計的に測定し、測定された誤り発生量が増加する場合には所定の周期を短縮し、測定された誤り発生量が減少する場合には所定の周期を長く設定することにより、放射線強度の変化に追従を可能としつつ誤り率を向上させている。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate 1 on which a first diffusion region 2 and a second diffusion region 3 are formed separately from each other, a first insulating layer 4 formed on the semiconductor substrate 1, a charge storage layer 5 formed on the first insulating layer 4, a second insulating layer 6 formed on the charge storage layer 5, and a gate electrode 7 formed on the second insulating layer 6.例文帳に追加

本発明に用いられる不揮発性半導体記憶装置は、第１の拡散領域２および第２の拡散領域３が離間して形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の絶縁層４と、第１の絶縁層４上に形成された電荷蓄積層５と、電荷蓄積層５上に形成された第２の絶縁層６と、第２の絶縁層６上に形成されたゲート電極７と、を有する。 - 特許庁