「Volatile memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, the alternative area is to be used for the memory area on the non-volatile memory 14, in which data write errors occur.例文帳に追加

不揮発性メモリ１４に対するデータの書込み異常が発生した場合、データの書込み異常となった不揮発性メモリ１４上の記憶領域（ブロック）を放棄し、不揮発性メモリ１４上の空き領域（未使用ブロック）を代替領域として割り当て、以後、データの書込み異常となった不揮発性メモリ１４上の記憶領域については代替領域を使用するようにしたものである。 - 特許庁

The liquid crystal display comprises a liquid crystal panel 210; a DA (digital-to-analogue) converter 222 which generates a counter electrode signal Vcom to be applied to the counter electrode of the panel 210; and a non-volatile memory 221 which memorizes the optimum value of the counter electrode signal Vcom as an ID code.例文帳に追加

液晶パネル２１０と、液晶２１０の対向電極に印加される対向電極信号Ｖｃｏｍを発生するＤＡ変換器２２２と、対向電極信号Ｖｃｏｍの最適値をＩＤコード化して記憶する不揮発性メモリ２２１と、を備える。 - 特許庁

A salvage marker detecting part detects a final salvage marker LSM being a salvage marker recorded in an optical disk finally in processing of recording in a recording region which is recorded in the optical disk but is not reflected to a file system, and stores it in a volatile memory.例文帳に追加

サルベージマーカ検出部は、光ディスクに記録されてはいるがファイルシステムに反映されていない記録領域において、記録の処理で光ディスクに最後に記録されたサルベージマーカである最終サルベージマーカＬＳＭを検出し、揮発メモリに記憶させる。 - 特許庁

The operating instrument operation judging means 2 allows the operation of the operating instrument by forming the authorizing information when a collation result between the first ID code and a second ID code indicates the coincidence, and at the same time, makes the non-volatile memory 200 store the authorizing information.例文帳に追加

操作機器作動判定手段２は、第１のＩＤコードと第２のＩＤコードとの照合結果が一致を示す場合には、許可情報を生成して操作機器の作動を可能にするとともに、許可情報を不揮発性メモリ２００に記憶させる。 - 特許庁

When journal data in the non-volatile memory is erased, a storage area wherein journal data is stored is specified on the basis of the volume of journal data counted by the counting means (step S13), and data stored in the specified storage area is erased (step S15).例文帳に追加

不揮発性メモリ内のジャーナルデータを消去する際には、計数手段により計数したジャーナルデータの量に基づいてジャーナルデータを記憶している記憶領域を特定し（ステップＳ１３）、その特定した記憶領域に記憶されているデータを消去する（ステップＳ１５）。 - 特許庁

A CPU creates, on the basis of the detection result of one or more extension devices connected to an interface section, a device management table in which one or more device identification information necessary for performing access to one or more extension devices is registered, and stores the device management table in a non-volatile memory.例文帳に追加

ＣＰＵは、インタフェース部に接続された１以上の拡張デバイスの検出結果をもとに、１以上の拡張デバイスをアクセスするために必要な１以上のデバイス識別情報が登録されたデバイス管理テーブルを作成して不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁

In response to a starting instruction of the engine 11, stored information in the non-volatile memory is read, and if the abnormal condition is recognized, engine starting and release of the parallel off is prevented for maintaining the abnormal condition stopping condition until an abnormal condition releasing operation is carried out by an operator.例文帳に追加

エンジン１１の始動指示に応答して不揮発性メモリの記憶情報が読み出され、異常を認識した場合は、人による異常解除操作があるまでエンジンの始動および前記解列の解除を禁止して異常時停止状態を維持する。 - 特許庁

This bus tracer is mounted so as to be interposed between an MPU and an MPU socket, and the state of a signal on a bus connected to the MPU is monitored, and the value of the bus signal is held when any failure is detected, and the value is recorded in a non-volatile memory by a prescribed data format as failure information.例文帳に追加

ＭＰＵとＭＰＵソケットの間に挟んで実装し、ＭＰＵに接続されるバス上の信号の状態を監視し、障害検出時にバス信号の値を保持し、この値を障害情報として所定のデータフォーマットで不揮発性メモリに記録する。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage device is provided with at least the memory cell array composed of a plurality of element separation areas 16, a plurality of element areas 12 surrounded on the element separation area 16, a plurality of floating gate electrodes 18, and a control gate electrode 22.例文帳に追加

複数の素子分離領域１６と、素子分離領域１６に囲まれた複数の素子領域１２と、複数の浮遊ゲート電極１８と、制御ゲート電極２２と、から構成されたメモリセルアレイを少なくとも具備する不揮発性半導体記憶装置である。 - 特許庁

To provide a controller, control system and starting method for the same, allowing consecutive resumption of execution of a program during execution before a power failure immediately after power restoration when power restoration is performed in a period wherein data of a volatile memory are guaranteed.例文帳に追加

揮発性メモリのデータが保証されている期間に復電した場合に、停電前の実行中のプログラムの実行を復電後直ちに継続再開できるようにした制御装置、制御システム、及びその起動方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The volatile memory includes: a cell transistor having a lower gate dielectric, an intermediate gate dielectric for charge trapping, and an upper gate dielectric, all laminated in order as a gate dielectric; and a transistor for logic, having a single layer of an oxide film as a gate dielectric.例文帳に追加

ゲート誘電体として順次積層された下部ゲート誘電体、電荷トラップのための中間ゲート誘電体、及び上部ゲート誘電体を備えたセルトランジスタと、ゲート誘電体として単一層の酸化膜を備えたロジック用トランジスタとで、揮発性メモリを構成する。 - 特許庁

The receiver has a function to record, for example, a receiving level, diversity antenna selection, control information, a transmitter number or the like from various control information from the transmitter in an internal storage device 20 or an external storage device 30 of a volatile memory or the like.例文帳に追加

この受信機は、送信機からの各種の制御情報のうち、たとえば受信レベル、ダイバシティアンテナ選択、制御情報、送信機番号等を、不揮発性メモリ等の内部記憶装置２０または外部記憶装置３０に記録する機能を備えている。 - 特許庁

In the camera body 2a of a digital camera 2, first information showing the spectral characteristic of the auxiliary light is read out from a non-volatile memory 53 and is transmitted to the serial driver 107 of a lens unit 11 through a serial driver 68 under control by a CPU 50.例文帳に追加

デジタルカメラ２のカメラ本体２ａでは、ＣＰＵ５０の制御の下に、不揮発性メモリ５３から補助光の分光特性を表す第１の情報が読み出され、シリアルドライバ６８を介して第１の情報がレンズユニット１１のシリアルドライバ１０７に送信される。 - 特許庁

To provide a crystallization equipment which carries out an initial crystallization which will not cause the breakage of peeling etc. near a phase-change material in an element preparing process, concerning the phase-change material for a phase-change non-volatile memory cell, and stabilizes its characteristics since the initiation of rewriting.例文帳に追加

相変化不揮発性メモリセル用の相変化材料に関し、素子作成プロセス中に前記相変化材料近傍において剥離などの破壊を生じさせない初期結晶化を行い、書き換えの初期から特性を安定させる結晶化装置を提供する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage has a semiconductor substrate 1, having a principal surface and has on the principal surface a plurality of memory-cell transistors, in each of which the set of a source 2 and a drain 3a or the set of the source 2 and a drain 3b is formed respectively via a tunnel oxide film 4 between its source and drain.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、主表面を有する半導体基板１と、該主表面上にトンネル酸化膜４を介して形成されソース２およびドレイン３ａ，３ｂを有する複数のメモリセルトランジスタとを備える。 - 特許庁

To provide an electrophotographic device in which a non-volatile memory built in a developing machine or a toner hopper is efficiently used by increasing rewriting frequency of the consumption of consumable goods or specific control values for the developing machine or the toner hopper.例文帳に追加

本発明は、現像機やトナーホッパに関わる消耗品の使用量や特有の制御用調整値の書換え回数を増やし、効率良く現像機もしくはトナーホッパが所有する不揮発性メモリを使用した電子写真装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The magnetoresistive random access memory architecture 10 includes a plurality of data columns each including a first plurality of non-volatile magnetoresistive elements 13, and a reference column 12 arranged adjacent to the plurality of data columns and including a second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements 12.例文帳に追加

磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ１０は、各々第１の複数の不揮発性磁気抵抗エレメント１３を含む複数のデータ列と、複数のデータ列に隣接して配置され、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントを含む基準列１２とを含む。 - 特許庁

A camera 11 displays a second display object on a display screen TFT12 that is closer to an eyepiece detection sensor 14 than a first display object based on data stored in a non-volatile memory under at least conditions that the eyepiece detection sensor 14 is effective.例文帳に追加

カメラ１１は、少なくとも接眼検知センサ１４が有効な状態においては、不揮発性メモリに記憶されているデータに基づき、第２の表示オブジェクトを、第１の表示オブジェクトよりも、接眼検知センサ１４に近い側のＴＦＴ１２の画面に表示させる。 - 特許庁

Storing the abnormal code into the non-volatile memory is constantly possible, therefore, the abnormal code can be stored when an abnormal code is detected in the market even when an error of work regarding the abnormal code occurs during inspection, thus completely alarming the abnormality to a user.例文帳に追加

本発明では、不揮発性メモリへの異常コードの保存を常時可能としているので、検査時の異常コードに関する作業の間違いが発生しても、市場における異常検出時の異常コードの保存ができ、ユーザへの異常報知が確実に行われる。 - 特許庁

The setting pattern of a function switch 62 having the function setting bit of a plurality of digit and the function setting content set based upon combined condition with the operation status of operation switches S1 to S6 are written and stored in a writable non-volatile memory 10.例文帳に追加

書き込み可能な不揮発メモリ１０に、複数桁の機能設定ビットを有する機能設定スイッチ６２の設定パターンと前記操作用スイッチＳ１〜Ｓ６の操作状態との組合せ条件に基づいて設定される機能設定内容を書き込み記憶させる。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

Information stored in a non-volatile memory 22 is read by a timing, such as the timing of a transfer operation from a power source off state to a power source on state, or a timing for starting contents, and, then, stored in a hard disk drive 18 being a temporary storage means, or a SRAM 29.例文帳に追加

不揮発性メモリ２２に記憶されている情報を例えば電源オフ状態から電源オン状態への移行操作のタイミングやコンテンツの開始タイミングで読み出して、一時記憶手段であるハード・ディスク・ドライブ１８あるいはＳＲＡＭ２９に記憶させる。 - 特許庁

An image processing unit housing chamber 9 is formed behind the film surface under the optical system 67, and an image processing unit 22 equipped with an LCD monitor 33 together with a circuit board 76 and a non-volatile memory 59 is housed in the chamber 9.例文帳に追加

ファインダ光学系６７の下方であってフィルム面の後方に画像処理ユニット収容室９を形成し、この画像処理ユニット収容室９に、回路基板７６、不揮発性メモリ５９とともにＬＣＤモニタ３３を備えた画像処理ユニット２２を収容する。 - 特許庁

The non-volatile memory device in which the inter-polysilicon/blocking dielectric 41, 42 comprises a layer in the silicon oxide consuming material, DyScO, on top of the upper layer of the layer 3 where charge is stored, and the silicon oxide consuming material consumes at least a part of the upper layer, is disclosed.例文帳に追加

また、ポリシリコン間／ブロッキング誘電体４１，４２が、電荷が蓄積される層３の上部層の上に、ＤｙＳｃＯのシリコン酸化物消費材料の層を含み、シリコン酸化物消費材料が上部層の少なくとも一部を消費した不揮発性メモリデバイス。 - 特許庁

A PDCM (operation end drive module) 200 belonging to a controlling controller 100 is provided with a CPU 202, a non-volatile memory 203, and a serial I/F 204 and transmits and receives serial signals to and from a relevant apparatus as an object auxiliary machine through a serial signal line 300 and an RTB 400.例文帳に追加

制御用コントローラ１００に付属したＰＤＣＭ（操作端ドライブモジュール）２００にＣＰＵ２０２、不揮発性メモリ２０３、シリアルＩ／Ｆ２０４を設け、シリアル信号線３００とＲＴＢ４００を介して、対象補機の関連機器とシリアル信号で送受信する。 - 特許庁

At an arbitrary point of time after the file management information is stored in the prescribed region of the non- volatile memory, the file management information is copied from the prescribed region of the hard disk to the freely attachable/detachable and portable storage medium for storing the management information.例文帳に追加

そして、前記不揮発性メモリの所定の領域に前記ファイル管理情報が格納された後の任意の時点で、前記ファイル管理情報を、前記ハードディスクの所定の領域から、着脱自在で可搬性の管理情報格納用の記憶媒体にコピーする。 - 特許庁

To provide a control device of an internal combustion engine capable of putting an engine operation state in a proper state, even when a voltage drop is caused to a volatile memory storing a displacement quantity of a variable valve mechanism capable of varying a valve characteristic of an engine valve.例文帳に追加

機関バルブのバルブ特性を可変とする可変動弁機構の変位量を記憶する揮発性メモリに対して電圧低下が発生した場合でも、機関運転状態を適切な状態にすることができる内燃機関の制御装置を提供する。 - 特許庁

A non-volatile memory, namely FeRAM, that is made of a ferroelectric, is used as the information accumulation means 17, and the information acquisition means 15, decision means 16, information accumulation means 17, and information transmission means 18 are started by power obtained by the energy conversion means 14.例文帳に追加

情報蓄積手段１７として、強誘電体からなる不揮発性メモリであるFeRAMが用いられ、情報入手手段１５、判断手段１６、情報蓄積手段１７、情報伝達手段１８はエネルギー変換手段１４で得た電力により起動する。 - 特許庁

In a virtual server 200 lent out from a data center, each time an application 210 generates a log showing a usage state of the virtual server 200, a log recording part 230 records a log duplicated by a log duplicating part 220 into log data 250 on a volatile memory.例文帳に追加

データセンタから貸し出される仮想サーバ２００において、アプリケーション２１０により仮想サーバ２００の利用状況を示すログが生成されるごとに、ログ記録部２３０が、ログ複製部２２０により複製されたログを揮発性メモリ上のログデータ２５０に記録する。 - 特許庁

To provide an electronic apparatus, wherein the power is saved by supplying a current to a predetermined region which is a part of the regions of a volatile memory and in which a program to be executed is stored, and by not supplying current to other regions.例文帳に追加

本発明は、揮発性メモリにおける一部の領域であって実行されるプログラムが記憶された所定領域に電流を供給し、他の領域には電流を供給しないことで省電力化された電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, the commodity label printer comprises a CPU 41 for recording that the printing data and the actual gate are different when the printing date and the actual data are different as a result of comparing the printing date stored in the non-volatile memory 45 with the actual date.例文帳に追加

さらに、商品ラベル印字装置には、不揮発性メモリ４５に記憶されている印字日付と、実際の日付とを比較し、印字日付と実際の日付とが相違する場合に、印字日付と実際の日付とが相違することを記録するＣＰＵ４１が設けられている。 - 特許庁

In starting, when the set of the state flag is under the writing of the data after the updating, it is determined whether restarting the updating using the data before the updating stored in the non-volatile memory and the data for the updating, or resetting the original data.例文帳に追加

そして、起動の際に、状態フラグの設定が更新後データの書き込み途中であることが検出されると、不揮発性メモリに記憶された更新される前のデータ及び更新用データを用いて更新の再開を行うか元のデータを復帰するかが決定される。 - 特許庁

In this processing system, if instructions to perform a hot shutdown processing is input, I/O information about each end device 201 in the standby state of processing chambers 1a-1d is written in an non-volatile memory part 407 serving as the I/O information storage portion of a MC 401.例文帳に追加

ホットシャットダウン処理を行うように指令が入力されると、処理チャンバ１ａ〜１ｄの待機状態における各エンドデバイス２０１に関するＩ／Ｏ情報がＭＣ４０１のＩ／Ｏ情報記憶部としての不揮発性メモリ部４０７に書き込まれる。 - 特許庁

A non-volatile DRAM includes two or more word lines WL1,..., WLi, at least one plate line PL, at least one pair of bit lines BLn and BLnB arranged so as to intersect the word lines WLi, and two or more memory cells MCi.例文帳に追加

本発明の不揮発性ＤＲＡＭ装置は、複数のワードラインＷＬ１，．．．，ＷＬｉと、少なくとも一つのプレートラインＰＬと、ワードラインＷＬｉと交差するように配列された少なくとも一対のビットラインＢＬｎ，ＢＬｎＢと、そして複数のメモリセルＭＣｉとを含む。 - 特許庁

Image forming processing is performed based on time obtained by subtracting an adjusted value stored in a non-volatile memory from sheet processing time designated from the finisher 80 to the main body side of the digital copying machine 1 to which the finisher 80 is connected.例文帳に追加

この発明は、フィニッシャ８０が接続されるデジタル複写機１本体側がフィニッシャ８０から指定されたシート処理時間から不揮発性メモリに記憶されている調整値を削減した時間に基づいて画像形成処理を実行するようにしたものである。 - 特許庁

The manufacturing method comprising the steps of forming a control gate electrode of non-volatile memory, wiring, and the polycrystalline silicon thin film resistive element with a relatively thin polycrystalline silicon film and performing a highly doped implantation for forming an ESD protective element on a control gate wiring also.例文帳に追加

不揮発性メモリのコントロールゲート電極と配線、多結晶シリコン薄膜抵抗素子を比較的薄い多結晶シリコン膜で形成し、ＥＳＤ保護素子形成のための高濃度不純物注入をコントロールゲート配線にも行うことを特徴とする製造方法。 - 特許庁

The internal data of the remote control transmitter for required equipment to be controlled are acquired from a server storing the internal data in each controlled equipment to be remote-controlled by the remote control transmitter and stored in a non-volatile memory built in the transmitter.例文帳に追加

リモコン送信機によって遠隔操作されうる制御対象機器毎のリモコン送信機用内部データを保持しているサーバから、必要とする制御対象機器に対するリモコン送信機用内部データを取得して、リモコン送信機の不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁

A color laser beam printer 20 generates picture data from each print job strode in a non-volatile memory 225, and operates reduction processing to the generated image data, and generates list print data in which reduced pictures are arranged from the obtained plural reduced image data.例文帳に追加

カラーレーザビームプリンタ２０は、不揮発性メモリ２２５にストアされている各プリントジョブから画像データを生成し、生成された画像データに対して縮小処理を行い、得られた複数の縮小画像データから縮小画像を並べたリストプリントデータを生成する。 - 特許庁

When an information processing apparatus 1 is powered on, a program transfer device 12 reads out a program to be executed by a processor 14 from a storage device 17 having a non-volatile memory and writes the program in a RAM 122 capable of faster access than the storage device 17.例文帳に追加

情報処理装置１の電源が投入されると、プログラム転送装置１２が、不揮発性メモリを有する記憶デバイス１７から、プロセッサ１４が実行するためのプログラムを読み出して、記憶デバイス１７よりも高速にアクセス可能なＲＡＭ１２２に書き込んでおく。 - 特許庁

To lower a probability for data reloading to occur in the same address, and to apparently improve the number of reloadable times in the use with a lot of data reloading only in a specified block (area) concerning a reloadable non-volatile memory to which the number of times of reloading is limited.例文帳に追加

書換え回数が制限されている書換え可能な不揮発メモリに関し、同一アドレスでデータ書換えが発生する確率を低くし、特定のブロック（領域）のみデータ書換えの多い用途において、見掛け上、書換え可能回数の向上を可能とする。 - 特許庁

A DP (data processing)-RAM 2 is provided as a data write region from a CPU 1, when writing from the CPU 1 is detected by a control circuit 4 monitoring accesses to the DP-RAM 2, a data transfer part 4c transfers data automatically to a non-volatile memory 3.例文帳に追加

ＣＰＵ１からのデータ書き込み領域としてＤＰ−ＲＡＭ２を設け、そこに対するアクセスを監視する制御回路４にてＣＰＵ１からの書き込みを検知した場合、データ転送部４ｃにて自動的に不揮発性メモリ３にデータ転送を行なう。 - 特許庁

When authority as a 25CPM machine is authenticated by inserting a chip 9 and the set value for 25CPM obtained from the chip 9 is overwritten on the non-volatile memory 15 so as to switch the value of the control parameter to which the control means 12 refers, the device acts as a 25CPM machine thereafter.例文帳に追加

チップ９の挿入により２５ＣＰＭでの使用権が認証され、該チップ９から入手した２５ＣＰＭ用設定値を不揮発メモリ１５に上書きして制御手段１２の参照する制御パラメータの値を切り換えると、以後は２５ＣＰＭ機として動作する。 - 特許庁

To provide a boost voltage generating circuit for a non-volatile ferroelectric memory device in which stable operation is performed even if power source supply voltage is varied and a chip cost can be reduced by reducing a layout area for boost voltage generation and its generating method.例文帳に追加

電源供給電圧が変動しても安定的な動作を行い且つ、昇圧発生のためのレイアウト面積を小さくすることでチップコストを減らせるようにした不揮発性強誘電体メモリ装置の昇圧発生回路及びその発生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which suppresses increase in a current consumption caused by a transient current due to a potential change of a bit line and a word line when a high-integrated memory cell array is shifted among each operational mode of reading, writing, and erasure.例文帳に追加

高集積化されたメモリセルアレイにおいて、読み出し、書き込み、消去の各動作モード間の移動の際に、ビット線とワード線の電位変化に伴う過渡電流によって生じる消費電流増加を抑制する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁