「Volatile memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The non-volatile storage memory 100 comprises a memory cell including n (n is even number equal to or larger than 4) control gates 114 to 117 allocated in parallel between the first and second impurity diffusing domains 160a and 160b, provided in separation from a silicon substrate 102 and memory domains 106a to 106d respectively forming pairs with these control gates.例文帳に追加

不揮発性記憶素子１００は、シリコン基板１０２に離間して設けられた第１および第２の不純物拡散領域１６０ａおよび１６０ｂの間に並行配置されたｎ個（ｎは４以上の偶数）のコントロールゲート１１４〜１１７、およびそれらのコントロールゲートとそれぞれ対を成すメモリ領域１０６ａ〜１０６ｄを含むメモリセルを含む。 - 特許庁

In a backup method for storing backup data temporarily stored in a volatile memory in a flash memory by using the establishment of a prescribed condition as a trigger, an erased area is always secured in a storage area of the flash memory, and when storing the backup data, the backup data are written in the erased area sequentially from the top address of the erased area.例文帳に追加

揮発性メモリに一時的に記憶したバックアップデータを、所定条件の成立をトリガとしてフラッシュメモリに記憶するバックアップ方法であって、前記フラッシュメモリの記憶領域において常に消去済み領域を確保しておき、前記バックアップデータを記憶する際には前記消去済み領域の先頭アドレスから順番にバックアップデータの書込みを行う。 - 特許庁

To enlarge a range of a memory operation temperature and to improve a lifetime of a ferroelectric capacity element by operating a memory with a non-volatile memory mode at high temperature and operating it with a DRAM operation mode in which polarization inversion is not performed other than at high temperature, in order to suppress fatigue deterioration of a ferroelectric capacity element caused by repetition of polarization inversion.例文帳に追加

分極反転の繰り返しによる強誘電体容量素子の疲労劣化を抑制するため、高温時には不揮発性メモリモードで動作させ、高温時以外には分極反転を伴わないＤＲＡＭ動作モードを行い、メモリ動作温度範囲を拡大すると共に、強誘電体容量素子の寿命の改善を図る。 - 特許庁

The IC card module 1 includes a plurality of first external connection terminals 11 and a plurality of second external connection terminals 12, both of which are exposed to a surface of a card base 10; a microcomputer connected to the first external connection terminals; a memory card controller connected to the second external connection terminals; and a volatile memory connected to the memory card controller.例文帳に追加

ＩＣカードモジュール（１）は、カード基板（１０）の一表面に、複数の第１の外部接続端子（１１）と複数の第２の外部接続端子（１２）とを露出し、第１の外部接続端子に接続するマイクロコンピュータ、第２の外部接続端子に接続するメモリカードコントローラ、及びメモリカードコントローラに接続する揮発性メモリを有する。 - 特許庁

To provide a memory data destructive/nondestructive determination method that can precisely determine whether or not the data stored in the backup area (memory area that retention of stored data using an auxiliary power source is required while the power distribution is stopped) of a volatile memory device are destroyed due to the power distribution stop.例文帳に追加

揮発性の記憶装置のバックアップ領域（通電が停止している間は、記憶されているデータが補助電源により保持されることが要求される記憶領域）に記憶されているデータが通電の停止により破壊されたか否かを精度良く判定することができるようにした記憶データ破壊／非破壊判定方法を提供する。 - 特許庁

An information processor is provided with a communication device 4 for performing parallel data communication with a host computer H, a volatile memory 7 installed for storing communication data, and a controller 3 for controlling communication processing of the communication device 4 and information processing for communication data to be stored in the volatility memory 7.例文帳に追加

ホストコンピュータＨとの間でパラレルデータ通信を行う通信器４と、通信データの格納用に設けられた揮発性メモリ７と、通信器４の通信処理、および揮発性メモリ７に格納される通信データの情報処理を制御する制御器３とを備える。 - 特許庁

When the data reference requirement related to the engine part is given from the external host device 20 during the power-saving mode, the controller part reads copy data VM' stored in the volatile memory of the controller part instead of reading data (an operation parameter VM) of the nonvolatile memory of the engine part, and notifies the host device.例文帳に追加

省電力モード中に外部のホスト装置２０からエンジン部に関するデータ参照要求があると、コントローラ部はエンジン部の不揮発性メモリのデータ（動作パラメータＶＭ）を読み出す代わりに、コントローラ部の揮発性メモリに記憶されているコピーデータＶＭ'を読み出してホスト装置に通知する。 - 特許庁

When the information processor 1 and the docking station 2 are mutually connected, a memory bus 106 is connected to a memory bus 206 through the use of connectors 105 and 205 so that the programs stored in non-volatile memories 104 and 204 are performed at high speed.例文帳に追加

情報処理装置１およびドッキングステーション２を互いに接続する際に、コネクタ１０５および２０５を用いてメモリバス１０６とメモリバス２０６とを互いに接続することによって、不揮発性メモリ１０４および２０４に記憶されているプログラムを高速に実行することができる。 - 特許庁

To prevent the decrease of substantial storage capacity due to the increase of blocks which are unused although the blocks include no defective bits in a memory system which uses a non-volatile semiconductor storage device such as a flash memory having a plurality of banks where data can be electrically written or erased.例文帳に追加

フラッシュメモリのような電気的に書込み、消去可能であって複数のバンクを有する不揮発性半導体記憶装置を用いたメモリシステムにおいて、不良ビットを含まないにもかかわらず未使用になるブロックが多くなり実質的な記憶容量が減少するのを防止する。 - 特許庁

To store image data analogized or estimated to be most importance among image data stored in each storage area of a volatile memory for circulatingly storing image data to an image data saving nonvolatile memory.例文帳に追加

画像データ循環記録用の揮発性メモリの各記録領域に記録された各画像データのうち、最も重要だと類推ないし推測される画像データを画像データ退避用の不揮発性メモリへ保存しておくことができる画像メモリボードにおける画像データ待避方式を提供する。 - 特許庁

To enable the write and erasure of a memory by forming a write pulse or erase pulse having an exact pulse width even when an oscillation frequency is dispersed by a process dispersion in the semiconductor integrated circuit of a microcomputer or the like with built-in non-volatile memory circuit and oscillator.例文帳に追加

不揮発性メモリ回路および発振器を内蔵したマイクロコンピュータ等の半導体集積回路において、プロセスばらつきにより発振周波数がばらついても正確なパルス幅を有する書込みパルスや消去パルスを形成してメモリの書込み、消去を行なうことができるようにする。 - 特許庁

The toner cartridge 9 is provided with a non-volatile memory 17 in which data on the new one is written, and the toner storage part is replenished with toner T1 in the new toner cartridge 9 by reading the data on the new one stored in the memory 17 when the new toner cartridge 9 is attached to the unit main body 8.例文帳に追加

トナーカートリッジ９に、新品データが書き込まれる不揮発性メモリ１７を設け、新品のトナーカートリッジ９をユニット本体８に装着したとき、不揮発性メモリ１７に記憶された新品データを読み取ることにより、トナーカートリッジ９内のトナーＴ１をトナー貯留部に補給する。 - 特許庁

A non-volatile memory 10 is constituted of plural flip-flop connected to each other end of each bit line other than a first register 11 consisting of plural flip-flop connected to each one end of each bit line 2 of a memory cell array 1, and is provided with a second register 12 for testing the discontinuity of each bit line 2.例文帳に追加

不揮発性メモリ１０は、メモリセル・アレイ１の各ビット線２の各一端と接続される複数のフリップ・フロップからなる第１レジスタ１１の他に、各ビット線２の各他端と接続される複数のフリップ・フロップからなり、各ビット線２の断線検査用の第２レジスタ１２を備えている。 - 特許庁

The control board has a general operation mode and a power-saving operation mode, and comprises a control part which reads a program from a nonvolatile memory and performs predetermined processing; and a first volatile memory having a work area to be used when the control part performs the predetermined processing.例文帳に追加

制御基板は、通常動作モードと省電力動作モードとを有し、プログラムを不揮発性メモリから読み出して所定の処理を実行する制御部と、制御部が所定の処理を実行する際に使用するワーク領域を有する第１揮発性メモリとを備える。 - 特許庁

As the low power source voltage control circuit makes memory control signal switching operation a stop state when the drop of power source voltage of very short period is expected, a stop of write-in of data and the like is not performed unnecessarily, and operation efficiency of a non-volatile memory is improved.例文帳に追加

低電源電圧制御回路は、ごく短期間の電源電圧低下が予想されるときにメモリ制御信号切替動作を中止状態とするので、データ書き込みなどの中止が必要以上に行われなくなり、不揮発性メモリの動作効率が向上する。 - 特許庁

In the device, a program transferring circuit 4 is provided, operation is started in the program transferring circuit 4 by starting of a timer 3 or a device load measuring circuit 42, and an actually moving program in an involatile memory 5 is transferred to volatile memory by periodically breaking up an area.例文帳に追加

プログラム転送回路４を備え、プログラム転送回路４はタイマ３または装置負荷測定回路４２からの起動により動作を開始し、不揮発性メモリ５にある実動作プログラムを揮発性メモリに周期的にエリアを分割して転送することにより実現できる。 - 特許庁

To prevent characteristics of a memory cell transistor and a selection gate transistor from being deteriorated due to short channel effect or to prevent a contact plug, which is formed in a self-aligned state for a gate electrode of the selection gate transistor, and a gate electrode of the selection gate transistor from causing a short circuit, in an NAND type non-volatile memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリにおいて、メモリセルトランジスタおよび選択ゲートトランジスタの特性がショートチャネル効果により悪化したり、選択ゲートトランジスタのゲート電極に対して自己整合的に形成されたコンタクトプラグと選択ゲートトランジスタのゲート電極がショートすることを防止する。 - 特許庁

This system is equipped with the nonvolatile memory 108 as the single body in which an A/D converter and D/A converter 101, a DSP 102, a CPU 109, and high-speed writable volatile memories SRAMs 106 and 107 are incorporated, and the SRAM 107 and a Flash memory 105 have independent buses.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器とＤ／Ａ変換器１０１、ＤＳＰ１０２、ＣＰＵ１０９、および高速書き込み可能な揮発性メモリＳＲＡＭ１０６、１０７を内蔵した単体の不揮発性メモリ１０８を備え、ＳＲＡＭ１０７とＦｌａｓｈメモリ１０５に各々独立したバスを有する。 - 特許庁

To quicken the reading of a sector management table to be used for the management of a defective sector, and to suppress the increase of the capacity of an RAM in which the read sector management table is temporarily stored in an outside storage device using a non-volatile semiconductor memory such as a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを用いた外部記憶装置において、不良セクタの管理のために用いられるセクタ管理テーブルの読み出しを高速化し、かつ読み出したセクタ管理テーブルを一時的に格納するＲＡＭの容量の増大を抑止する。 - 特許庁

Interface circuits 131a and 132a for direct input and an interface circuit 134a for direct output are connected to the data bus 118 of a microprocessor 111 having a non-volatile memory 112 in which a control program or the like is stored and an RAM memory 113 for arithmetic processing.例文帳に追加

制御プログラム等が格納された不揮発メモリ１１２と演算処理用ＲＡＭメモリ１１３を有するマイクロプロセッサ１１１のデ−タバス１１８には、直接入力用インタフェ−ス回路１３１ａ、１３２ａ、直接出力用インタフェ−ス回路１３４ａが接続される。 - 特許庁

In the buffer cache management method for managing data transfer between a non-volatile memory 1 and a buffer cache 8 prepared in a random access memory 2 by an operating system, flashing operation for reflecting update contents on a secondary recording medium in the cache 8 is executed in each user's writing operation.例文帳に追加

不揮発性メモリ１とランダムアクセスメモリ２上に用意されたバッファキャッシュ８との間のデータ転送をオペレーティングシステムで管理するバッファキャッシュ管理方法において、バッファキャッシュ８の二次記録媒体への更新内容を反映するフラッシュ動作をユーザの書き込み動作ごとに行う。 - 特許庁

The non-volatile memory element has a plurality of memory transistors disposed on a semiconductor substrate with a NAND string, string selection transistors disposed at one-side ends of the plurality of memory transistors on the semiconductor substrate, ground selecting transistors disposed in other ends of the plurality of memory transistors on the semiconductor substrate, and a bit line electrically connected to the semiconductor substrate and to the gate electrode of the ground selecting transistor.例文帳に追加

本発明は、半導体基板上にＮＡＮＤストリングで配置された複数のメモリトランジスタと、複数のメモリトランジスタ一端の半導体基板上に配置されたストリング選択トランジスタと、複数のメモリトランジスタ他端の半導体基板上に配置された接地選択トランジスタと、半導体基板及び接地選択トランジスタのゲート電極に電気的に連結されたビットラインと、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

In an access information retrieval table 30, a first identification number imparted to control information stored in a non-volatile memory, the classification of the control information and access information to the control information are stored so as to be associated with each other.例文帳に追加

アクセス情報検索テーブル３０には、不揮発性メモリに記憶された制御情報に付与された第１の識別番号、制御情報の種別、制御情報へのアクセス情報が関連付けて記憶されている。 - 特許庁

The display driver IC is provided with an initialization table 11 which is used to correct the variations of element parts 11 to 17 from a prescribed value and the variation of the display panel from a prescribed value and is constituted of a non-volatile memory.例文帳に追加

各要素部品１１〜１７の規定値からのばらつき、及び表示パネルの規定値からのばらつきをそれぞれ補正する為の不揮発性メモリからなる初期設定テーブル１１を、表示ドライバＩＣに設ける。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of giving higher convenience to a user by using non-volatile memory information loaded on a cartridge type recording material supply container.例文帳に追加

カートリッジ状に加工されている記録材供給用容器に搭載された不揮発性メモリの情報を利用してユーザにより高い利便性を与えることのできる画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The device 1 allows a file name setting part 22 to create a file name of the image data based on the document information to set the file name, and stores the file name with the image data in a volatile memory 21.例文帳に追加

ファイル名設定部２２において、文書情報に基づいて、画像データのファイル名を生成して設定し、ファイル名設定部２２で設定されたファイル名と画像データとを揮発性メモリ２１に記憶する。 - 特許庁

An RAM 14 backed-up by a secondary battery 16 is provided with a user data storage area 14A and a flag 14B, and the flag is set as '1' during user data writing in a non-volatile memory 15, and the flag is set as '0' after the end of the user data writing.例文帳に追加

二次電池１６でバックアップされたＲＡＭ１４にユーザデータ記憶エリア１４Ａとフラグ１４Ｂを設け、不揮発性メモリ１５へユーザデータ書き込み中は上記フラグを“１”とし、完了後は“０”としておく。 - 特許庁

Data corresponding to information which is reproduced by a reproducing means in accordance with the judgement result of the recording medium 2 to be loaded on the disk drive part 10 is read from a non-volatile memory which is arranged so as to be attachable/detachable.例文帳に追加

ディスクドライブ部１０に装填される記録媒体２の判別結果に応じて再生手段により再生される情報に対応するデータを、着脱自在に設けられる不揮発性メモリ６９から読み出す。 - 特許庁

An electric power supply means supplies electric power from the power source to the volatile memory, and a non-operation state request reception means receives a non-operation state request for transferring the device body to the non-operation state.例文帳に追加

電力供給手段は、揮発性メモリに電源からの電力を供給し、非作動状態要求受付手段は、機器本体を非作動状態に移行させるための非作動状態要求を受け付ける。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and its control method in which a desired data erasion state can be obtained by solving problems caused by convergence operation for dissolving an over erasion state.例文帳に追加

過消去状態を解消するための収束動作に伴う不都合を解決して、所望のデータ消去状態を得ることができるようにした不揮発性半導体メモリとその制御方法を提供する。 - 特許庁

When the identification number is designated, the classification is acquired from the access information retrieval table 30, and when the classification is a non-volatile memory, a second identification number is acquired from the access information retrieval table 30.例文帳に追加

第１の識別番号が指定されると、アクセス情報検索テーブル３０から種別を取得し、種別が不揮発性メモリである場合には、第２の識別番号をアクセス情報検索テーブル３０から取得する。 - 特許庁

To provide a reference voltage generating circuit of a non-volatile memory in which temperature characteristics in accordance with each mode can be realized while reducing layout area by a regulator circuit for level compensation and one band gap circuit.例文帳に追加

レベル補正用レギュレータ回路と１つのバンドギャップ回路によってレイアウト面積を小さくしながら、各モードに応じた温度特性が実現できる不揮発性メモリの基準電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

To provide a control system for an internal combustion engine quickly restarting a control of a state quantity of the internal combustion engine, after restoring from a state of a temporary stop of power feeding to a volatile memory.例文帳に追加

揮発性メモリに対する給電が一時的に停止される状態から復帰した後に、速やかに内燃機関の状態量の制御を再開することができる内燃機関の制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device where fluctuation of threshold voltage of respective memory cell transistors can be suppressed and thickness of a tunnel insulating film can be set to desired one; and to provide the manufacturing method of the device.例文帳に追加

各メモリセルトランジスタのしきい値電圧のばらつきを抑えることができ、また、トンネル絶縁膜の厚みを所望の厚みに設定することができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, setting information 122 necessary for the execution of the application software 202 is read from the non-volatile memory 120, and set it in application software 202, so that the peripheral equipment 110 can be automatically put in a controllable state.例文帳に追加

さらに、アプリケーションソフト２０２の実行に必要な設定情報１２２を不揮発メモリ１２０から読み込んでアプリケーションソフト２０２に設定することで、周辺機器１１０を自動的に制御可能な状態にする。 - 特許庁

To provide an non-volatile semiconductor storage provided with a test circuit which can test a memory cell for discriminating current and which can perform leak current screening of a bit line in a state in which data is not written.例文帳に追加

電流判定用メモリセルの試験が可能であり，かつ，データの書き込みが行われていない状態からのビットラインのリーク電流スクリーニングが可能なテスト回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

According to one embodiment of the present invention, an information processor accessible to a first external storage includes a host system, a second external storage, a volatile memory, first cache control means, termination processing means, and initialization means.例文帳に追加

実施形態によれば、第１外部記憶装置をアクセス可能な情報処理装置は、ホストシステム、第２外部記憶装置、揮発性メモリ、第１キャッシュ制御手段、終了処理手段及び初期化手段を具備する。 - 特許庁

The floating gate 27 of a non-volatile memory element is formed on the main surface of a semiconductor substrate 21, and then a nitride silicon film 60 is formed on the main surface of the semiconductor substrate 21 in a manner to cover the floating gate 27.例文帳に追加

半導体基板２１の主面上に不揮発性記憶素子のフローティングゲート２７を形成した後、フローティングゲート２７を覆うように、半導体基板２１の主面上に窒化シリコン膜６０を形成する。 - 特許庁

Then, correction data 35 over the whole area of the rotation angle θis generated by setting the offset values as correction values Δθ in the respective detection points, and stored (written) in (a non-volatile storage region 34 of) a memory 33.例文帳に追加

そして、その各オフセット値を各検出点における補正値Δθとすることにより回転角θの全域に亘る補正データ３５を生成し、メモリ３３（の不揮発性記憶領域３４）に記憶（書込）する。 - 特許庁

A reference-voltage generating circuit 71 for a D/A converter includes: an insulating substrate; non-volatile memory elements 131, 132, 133, ..., formed on the insulating substrate, and TFT elements 141, 142, 143, ..., and 151, 152, 153, ....例文帳に追加

Ｄ／Ａコンバータの基準電圧発生回路７１は、絶縁性基板と、この絶縁基板上に形成された不揮発性メモリ素子１３１，１３２，１３３，…およびＴＦＴ素子１４１，１４２，１４３，…，１５１，１５２，１５３，…を有する。 - 特許庁

The IC card 11 is provided with a descendant key generation means 111 which stores the master key 110, shared with a terminal 12 in a non-volatile memory and generates a descendant key, used for the session from the master key 110.例文帳に追加

ＩＣカード１１は、ターミナル１２と共有するマスター鍵１１０を不揮発性メモリに記憶し、セッションで利用する派生鍵をマスター鍵１１０から生成する派生鍵生成手段１１１を備えている。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which quick access can be performed at the time of read-out and write-in preventing that data is disturbed in a cell of a non-selection sector at the time of programming in a selection cell or the time of erasure.例文帳に追加

選択セルでのプログラム又は消去時に非選択セクタのセルにてデータがディスターブされることを回避しながら、読み出し・書き込み時に高速アクセス可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A destination setting history management part 33 processes the stored destination setting history information with pattern and extracts a group having a specific pattern and stores the common parameter in the group in a non-volatile memory 14.例文帳に追加

目的地設定履歴管理部３３は、記憶された目的地設定履歴情報をパターン化処理して一定のパターンを有するグループを抽出し、グループ内で共通のパラメータを不揮発メモリ１４に記憶する。 - 特許庁

A non-volatile memory cell comprises a substrate, a source, a drain having a channel region, and a gate insulated on the channel region by a nonconductive charge trap material interposed in between a first and a second silicon dioxide layers.例文帳に追加

非揮発性メモリセルは、基板と、ソースと、チャネル領域を備えるドレインと、第１および第２二酸化シリコン層に挟まれた非導電性チャージトラップ材によりチャネル領域上で絶縁されたゲートと、からなる。 - 特許庁

Prior to the formation of the gradation pattern, referring to the former detection results stored in a non-volatile memory area, the density value of the gradation pattern is determined based on the reference value, then, the gradation pattern is formed on a transfer belt 18.例文帳に追加

階調パターンの形成に先立ち、不揮発メモリ領域に保存された過去の検知結果を参照し、その参照値に基づき階調パターンの濃度値を決定し、階調パターンを転写ベルト１８上に作成する。 - 特許庁