「Volatile memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To increase the number of arbitrarily available physical blocks in the physical blocks of a non-volatile memory device by using information of an FAT, and to facilitate averaging the number of erasures of the physical blocks.例文帳に追加

ＦＡＴの情報を用い不揮発性メモリデバイスの物理ブロックの中の任意使用可能な物理ブロックの数を多くし、また物理ブロック消去回数の平均化処理を容易に行える。 - 特許庁

To provide an electronic control device and a recording medium that data stored in a non-volatile memory can be made a value of a safety side by judging a voltage state backing up a RAM.例文帳に追加

ＲＡＭをバックアップする電圧状態を判断して、不揮発性メモリに記憶されるデータを安全側の値とすることができる電子制御装置及び記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The controller comprises a position monitor 8 connected to a driving device 9 for moving a door 2 for monitoring the position of the door 2 and a non-volatile memory 14 for storing the reference position.例文帳に追加

コントローラは、ドア２を動かすための駆動装置９に接続され、ドア２の位置を監視するための位置監視手段８と、基準位置を記憶するための不揮発性メモリ１４とを備える。 - 特許庁

A flow rate is calculated by a data processing personal computer 5 based on the transmitted data, and a correction value calculated from a difference between the calculated flow rate and the real flow rate is written through the data bus line 4 in a non-volatile memory 6.例文帳に追加

送出されたデータをもとにデータ処理パソコン５が流量演算を行い、実流量との差から求めた補正値をデータバスライン４を通じて不揮発メモリ６に書き込む。 - 特許庁

To reduce the capacity of a volatile memory which stores an address that is used at the time of correcting a signal of a defective pixel of a CCD image pickup device based on the defective pixel address.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子の欠陥画素の信号をその欠陥画素アドレスに基づいて補正する際に用いる上記アドレスを格納する揮発性メモリの容量を減らす。 - 特許庁

An agent 110 prepares a virtual mapping table by mapping real storage position on the plural storage containers 160 and positions inside a virtual disk 150 and stores it in a volatile memory 111.例文帳に追加

エージェント１１０は、複数のストレージ・コンテナ１６０上の実際の記憶箇所と仮想ディスク１５０内の位置とをマッピングして仮想マッピング・テーブルを作成し、揮発性メモリ１１１に記憶する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device wherein leakage current is reduced in an inter-electrode insulation film, especially one having a silicon nitride film at the upper and lower interfaces.例文帳に追加

電極間絶縁膜、特に上下界面にシリコン窒化膜を有する電極間絶縁膜に流れるリーク電流を低減した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A storage medium containing the first digital content is disposed within an enclosure along with non-volatile memory hardware containing the second digital content preferably related to the first digital content.例文帳に追加

第１のデジタル・コンテンツを含む記憶媒体は、好ましくは第１のデジタル・コンテンツに関連した第２のデジタル・コンテンツを含む不揮発性メモリ・ハードウェアとともに筺体内に配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having a row decoder which is suitable for increasing the capacity of a non-volatile semiconductor memory and reducing the operation voltage, and which can reduce the power consumption.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリにおける大容量化、低電圧化に適しており、消費電力も低減することができるローデコーダを有する半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To obtain a memory element having high affinity with a converntional semiconductor process, having a switching function for completely mechanically disconnecting an electric conduction path and enabling non-volatile information recording.例文帳に追加

従来の半導体プロセスとの親和性が高く、機械的に電気的導通路を完全遮断するスイッチング機能を有し、かつ不揮発性の情報記録を可能とするメモリ素子を実現する。 - 特許庁

To provide a memory device for suppressing consumption of a non-volatile storage region, and for handling data read/write from a host device which manages files by using multiplexed file management information.例文帳に追加

不揮発性記憶領域の消費を抑制でき、多重化されたファイル管理情報を用いてファイル管理を行うホスト装置からのデータのリード／ライトに対処できるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A refresh prohibition part of the control board prohibits refresh of all areas, except at least the work area, of the first volatile memory in the power-saving operation mode (step S25).例文帳に追加

制御基板のリフレッシュ禁止部は、省電力動作モードにおいて、第１揮発性メモリの全領域のうち、少なくともワーク領域を除いてリフレッシュを禁止する（ステップＳ２５）。 - 特許庁

TCP/IP communication software 404, application software 405 for displaying, and password authenticating application software 406, etc., are recorded in the system area 401 of a non-volatile memory 102.例文帳に追加

不揮発性メモリ１０２のシステム領域４０１に、ＴＣＰ／ＩＰ通信ソフト４０４と表示用アプリケーションソフト４０５とパスワード認証アプリケーションソフト４０６等を記録しておく。 - 特許庁

To provide a non-volatile ferroelectric memory device and its driving circuit in which drive capability of elements can be made the maximum by performing efficiently layout and minimizing chip size.例文帳に追加

レイアウトを効率よくしてチップサイズを最小化し、素子の駆動能力を極大化させることができる不揮発性強誘電体メモリ装置並びにその駆動回路を提供すること。 - 特許庁

This navigation system 1 transfers the audio data to the volatile memory 26 when the vehicle enters to a high highland area, and the reproduction of a music piece is continued according to the transferred data.例文帳に追加

このナビゲーションシステム１は、車両が高高地地域に進入すると、揮発性メモリ２６にオーディオデータを転送し、その転送されたデータに基づいて楽曲の再生を継続する。 - 特許庁

A volatile memory element manufacturing method includes a process to form a tunneling insulating film on a substrate, and a process to form a crystalline charge trap layer on the tunneling insulating membrane.例文帳に追加

基板上にトンネリング絶縁膜を形成する工程と、トンネリング絶縁膜上に結晶質電荷トラップ層を形成する工程と、を含む不揮発性メモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

To improve the performance of elements by suppressing punch-through between the elements adjacent to each other with STI in-between without increasing a manufacturing cost of a non-volatile memory including a floating gate and a control gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲートを有する不揮発性メモリの製造コストを上昇させずに、ＳＴＩを挟んで隣り合う素子間のパンチスルーを抑え、素子の性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a non-volatile ferroelectric memory device in which a reference level is stabilized and quick response speed can be obtained, while a reference level can be kept without being affected by a noise.例文帳に追加

参照レベルを安定化させて速い応答速度が得られると同時に、ノイズの影響を受けずに参照レベルを維持することのできる不揮発性強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Further, learning item data are obtained from the reply of user and is temporarily memorized in a non-volatile memory.例文帳に追加

シナリオの実行過程でエージェントとユーザとの双方の対話（質問と回答）により運転者情報を取得し、また、ユーザの回答から学習項目データを取得し、不揮発性のメモリに一時記憶させる。 - 特許庁

When the cartridge is the one which is not the operation guarantee object and concerning which the valid maintenance contract is made, log information including information about the cartridge is recorded in the non-volatile memory (S507).例文帳に追加

動作保証対象外のカートリッジで、かつ有効な保守契約がなされている場合には、カートリッジに関する情報を含むログ情報を不揮発性メモリへ記録する（Ｓ５０７）。 - 特許庁

A first modal information table 1321 in which a modal G code required when an axial movement instruction of a machine tool is issued is set is stored in a non-volatile memory of a numerical control device.例文帳に追加

数値制御装置の不揮発メモリには、工作機械の軸移動命令があった時に必要とされるモーダルＧコードが設定された第１モーダル情報テーブル１３２１が記憶されている。 - 特許庁

To improve the security of stored information while keeping satisfactory rewriting operability for an electrically erasable and writable non-volatile memory on-chipped in a data processor.例文帳に追加

データプロセッサにオンチップされた電気的に消去及び書込み可能な不揮発性メモリに対する書き換えの使い勝手を良好に保ちつつ記憶情報のセキュリティーを向上させる。 - 特許庁

A memory protecting circuit 10 is provided with a flag control circuit 12 for deciding whether access from a processor 2 is normal or abnormal, a permission flag 11 for instructing the permission or non-permission to a non- volatile memory 1, and a memory control circuit 9 for controlling access according to the status of the permission flag 11.例文帳に追加

メモリ保護回路１０は、プロセッサ２からのアクセスが正常であるか、あるいは非正常であるかを判定するフラグ制御回路１２と、不揮発性メモリ１に対するアクセスの許可あるいは不許可を指示する許可フラグ１１と、許可フラグ１１の状態によってアクセスを制御するメモリ制御回路９と、を備える。 - 特許庁

A storage device sets part of nonvolatile cache memory as a cache residency area, and in an emergency such as an unexpected power outage, backs up dirty data out of data cached in volatile cache memory to an area other than the cache residency area in nonvolatile cache memory, together with relevant cache management information.例文帳に追加

本発明のストレージ装置は、不揮発性キャッシュメモリの一部をキャッシュ常駐化領域に設定し、不意の電源遮断等の緊急時には、揮発性キャッシュメモリにキャッシュされているデータのうち、ダーティなデータをそのキャッシュ管理情報とともに不揮発性キャッシュメモリのキャッシュ常駐化領域以外の領域にバックアップする。 - 特許庁

To provide a technique for achieving a memory cell structure in which the temperature of a diode does not easily rise even when the temperature of phase change materials rises in a non-volatile storage device having a phase change memory configured of cross point type memory cells obtained by combining storage elements made of phase change materials with selection elements made of diodes.例文帳に追加

相変化材料からなる記憶素子とダイオードからなる選択素子とを組み合わせたクロスポイント型のメモリセルによって構成される相変化メモリを備えた不揮発性記憶装置において、相変化材料を高温にしてもダイオードが高温になりにくいメモリセル構造を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device having a memory cell transistor and the peripheral transistor on the same semiconductor substrate 11, metallic silicide layers 28 are formed on both diffusion layers of the memory cell transistor and the peripheral transistor and on the gate electrode of the peripheral transistor, and the contact of the memory cell transistor has a self-alignment contact structure.例文帳に追加

同一半導体基板１１上にメモリセルトランジスタと周辺トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルトランジスタと周辺トランジスタの両拡散層及び周辺トランジスタのゲート電極上に、金属シリサイド層２８が形成され、メモリセルトランジスタのコンタクトがセルフアラインコンタクト構造を有する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a control signal generating unit 16 for accumulating a charge in the charge accumulation layer 46b of the non-selection drain side selection transistor SDTr (n-sel) connected to the non-selection memory string MS (n-sel) before data are read out from the selected memory string MS.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、選択されたメモリストリングＭＳからデータを読み出す前に、非選択メモリストリングＭＳ（ｎ−ｓｅｌ）に接続された非選択ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒ（ｎ−ｓｅｌ）の電荷蓄積層４６ｂに電荷を蓄積させる制御信号生成部１６を備える。 - 特許庁

In a method for controlling a non-volatile semiconductor memory, program pulses P1, P2,...Pn whose magnitude of voltage is gradually increased are inputted to the control terminal of a memory cell, the total of pulse width tpp of the program pulses Pn at the maximum voltage is made half the time tpgm required for programming a memory cell by using only the maximum voltage (-Vgend).例文帳に追加

この不揮発性半導体メモリの制御方法は、漸次電圧の大きさが増加する複数のプログラムパルスＰ_1,Ｐ_2,…Ｐｎをメモリセルの制御端子に入力し、最大電圧時のプログラムパルスＰｎのパルス幅ｔppの合計を、その最大電圧(−Ｖｇend)のみでメモリセルをプログラムするのに必要な時間ｔpgmの２分の１にする。 - 特許庁

A re-programmable non-volatile memory system, such as a flash EEPROM (R) system, having its memory cells grouped into blocks of cells that are simultaneously erasable is operated to perform memory system housekeeping operations in the foreground during execution of a host command, wherein the housekeeping operations are unrelated to execution of the host command.例文帳に追加

メモリセルが同時に消去可能なセルのブロックをなすようにグループ分けされているフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）システムのような再プログラム可能な不揮発性メモリシステムはホストコマンドの実行中にメモリシステムのハウスキーピング操作をフォアグラウンドで行うように操作され、そのハウスキーピング操作はホストコマンドの実行とは関連しない。 - 特許庁

A pixel unit 1 is structured with a non-volatile memory transistor MT formed in a p-type well 12 of a silicon substrate 10 to include a floating gate 14 and a control gate 16 and selection gate transistors ST1, ST2 formed in both sides of each memory transistor MT through common use of such memory transistor MT and diffusion layer 17.例文帳に追加

画素ユニット１は、シリコン基板１０のｐ型ウェル１２に形成された、浮遊ゲート１４と制御ゲート１６を持つ不揮発性メモリトランジスタＭＴと、このメモリトランジスタＭＴと拡散層１７を共有して各メモリトランジスタＭＴの両側に形成された選択ゲートトランジスタＳＴ１，ＳＴ２とから構成される。 - 特許庁

This is a method for rewriting a non-volatile memory which is constituted of a CPU 1 for operating prescribed processing, a non-volatile memory 2 in which at least the processing program of the CPU 1 is stored and the contents are rewritable, and a logical device 4 having plural rewritable logical modules and a wiring area between them being a peripheral circuit such as the input and output part of the CPU 1.例文帳に追加

所定の処理を行うＣＰＵ１と、少なくとも同ＣＰＵ１の処理プログラムが格納された内容の書き換え可能な不揮発メモリ２、及びそのＣＰＵ１の入出力部等の周辺回路となる、書き換え可能な、多数の論理モジュール及びその間の配線領域を有する論理デバイス４とを備えた不揮発メモリの書き換え方法である。 - 特許庁

The storage subsystem is provided with: a RAID array including a plurality of disks for recording a plurality of stripe data and their parity values; a non-volatile memory for storing immediately preceding stripe data to be updated by a write processing; and a RAID controller configured to store an existing immediately preceding stripe data stored in the non-volatile memory before the write processing is performed.例文帳に追加

記憶サブシステムは、複数のストライプのデータおよびそのパリティ値を記録する複数のディスクを含むＲＡＩＤアレイと、書き込み処理により更新しようとするストライプの直前データを記憶するための不揮発性メモリと、不揮発性メモリに記憶された該ストライプの既存の直前データを書き込み処理の実行前に記憶するように構成されたＲＡＩＤコントローラを備える。 - 特許庁

The optical apparatus enabling an accessory to be attached thereto and detached therefrom includes an accessory attachment detection means for detecting that the accessory is attached to the optical apparatus, a non-volatile memory, and an attachment number storage control means for counting the number of times at which the accessory is attached to the optical apparatus and stores the attachment number in the non-volatile memory.例文帳に追加

アクセサリを着脱可能な光学機器であって、前記アクセサリが前記光学機器に装着されたことを検出するアクセサリ装着検出手段と、不揮発性メモリとを備え、前記アクセサリの前記光学機器への装着回数をカウントし、該装着回数を前記不揮発性メモリに記憶する装着回数記憶制御手段を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This recording apparatus is provided with: a non-volatile memory 7 for storing data; a detecting means for detecting whether or not data can be recorded in the recording medium 6 which is fitted freely removably; and a write means for writing in the non-volatile memory 7 data to be recorded in the recording medium 6 when the detecting means detects that the data cannot be recorded.例文帳に追加

データを記憶する不揮発性メモリ７と、着脱自在に装着された記録媒体６にデータの記録を行える状態にあるか否かを検出する検出手段と、データの記録を行えない状態にあることを検出手段が検出した場合、記録媒体６に記録すべきデータを不揮発性メモリ７に書込む書込手段とを記録装置に備える。 - 特許庁

The optical printer head includes a light emitting element array, in which a plurality of light emitting elements are arranged and divided into a plurality of light emitting element groups, a plurality of emission control units each having a volatile memory provided in correspondence with the plurality of light emitting element groups, and the volatile memory storing the correction data of the plurality of light emitting elements, respectively.例文帳に追加

光プリンタヘッドは、複数の発光素子が配列された発光素子アレイであって、複数の発光素子が複数の発光素子群に分けられている発光素子アレイと、複数の発光素子群に対応して設けられ、揮発性メモリをそれぞれ有する複数の発光制御部と、複数の発光素子それぞれの補正データが記憶された不揮発性メモリと、を有する。 - 特許庁

The storage subsystem is provided with: a RAID array including a plurality of disks for recording a plurality of stripe data and parity information; a non-volatile memory independent from the disks; and a RAID controller for responding to a write processing request by storing stripe information including information for specifying a stripe in the RAID array in the non-volatile memory.例文帳に追加

この記憶サブシステムは、複数のストライプのデータおよびパリティ情報を記録する複数のディスクを含むＲＡＩＤアレイと、このディスクから独立した不揮発性メモリと、書き込み処理の要求に対し、ＲＡＩＤアレイ内のストライプを特定する情報を含むストライプ情報を、不揮発性メモリに記憶させることにより応答するＲＡＩＤコントローラとを備える。 - 特許庁

This fire sensor for making an electrically rewritable non-volatile memory store individual information is provided with an input means for enabling an operation input, a display means for displaying personal information, and a control means for making the display means display individual information inputted based on the operation of the input means, and for writing it in a non-volatile memory.例文帳に追加

電気的に書き換え可能な不揮発性メモリに個別情報を記憶させる火災感知器において、操作入力可能な入力手段と、前記個別情報を表示する表示手段と、前記入力手段の操作に基づく入力された個別情報を前記表示手段に表示させるとともに、前記不揮発性メモリに書き込む制御手段と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a non-volatile semiconductor memory and its erasing verifying method that can judge threshold voltage of a memory cell required for making a memory cell after erasing data a desired threshold voltage, at the time of erasing and verifying operation, with the same judging current as the judging current used for judging threshold voltage of a memory cell at the time of writing and verifying operation.例文帳に追加

消去ベリファイ動作時に、データ消去後のメモリセルを所望のしきい値電圧にするために必要なメモリセルのしきい値電圧の判定を、書き込みベリファイ動作時にメモリセルのしきい値電圧を判定する際に用いる判定電流と同一の判定電流で行うことができる不揮発性半導体記憶装置およびその消去ベリファイ方法を提供する。 - 特許庁

The memory is managed in each block unit (page unit) consisting of several bytes and a memory allocation table(MAT) for uniforming the rewriting frequency of each page by accumulating the rewriting frequency in each page and relating a virtual page number to be dynamically allocated to a real address is generated in the non-volatile memory (RAM), so that the concentration of rewriting into the memory storing the MAT can be evaded.例文帳に追加

メモリを数バイト毎のブロック単位（ページ単位）で管理し、ページ毎に書き換え回数を累積することで各ページの書き換え回数を均一化し、動的に割り振る仮想ページ番号と実アドレスとを関連付けるメモリ・アロケーション・テーブル（ＭＡＴ）を揮発性メモリ（ＲＡＭ）上に生成することで、ＭＡＴを格納したメモリへの書き換えが集中するのを避けるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory apparatus that is highly reliable, and wherein a diffused layer and a contact of a select transistor are electrically and appropriately connected and the surface of the diffused layer of a memory cell transistor are protected from etching; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層とコンタクトとが電気的に良好に接続され、かつ、メモリセルトランジスタの拡散層の表面がエッチングから保護された、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an air-conditioning system, storing a recycle information necessary upon recycling and an operational history information into a memory means consisting of a non-volatile memory or the like and capable of reading them out simply by a personal computer or the like upon dismantling work in a recycling factory.例文帳に追加

不揮発性のメモリ等からなる記憶手段にリサイクル時に必要なリサイクル情報と運転履歴情報を保存し、前記記憶情報をリサイクル工場における解体作業時にパソコン等により、簡単に読み出しできるエアコンシステムの提供を目的とする。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor storage device of a MONOS structure, a memory cell 42 for storing information, and a peripheral circuit 43 for writing and reading information to the memory cell 42, are formed in the surface region of a silicon substrate 41.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ構造の不揮発性半導体記憶装置では、シリコン基板４１の表面領域に、情報格納用のメモリセル部４２と、このメモリセル部４２に対して情報の書き込みや読み出しを行うための周辺回路部４３とが形成されている。 - 特許庁

A memory board MB including a memory for storing waveform data representing a musical sound waveform so as to be rewritable in a nonvolatile manner, a waveform RAM 17 for storing the waveform data so as to be rewritable in a volatile manner, and a sound source circuit 14 are connected together through a waveform data bus 31.例文帳に追加

楽音波形を表す波形データを書き換え可能かつ不揮発に記憶するメモリを備えたメモリボードＭＢ、波形データを書き換え可能かつ揮発に記憶する波形ＲＡＭ１７及び音源回路１４を、波形データバス３１を介して接続する。 - 特許庁

When reading access is performed to predetermined different memory blocks A1, A2, A3, ..., An, a controller 203 shifts to a state 1, through the use of a control program constituted of firmware stored in a non-volatile memory area 202, so as to transmit an affirmative response to an electronic apparatus.例文帳に追加

コントローラ２０３は不揮発性メモリ領域２０２に記憶されたファームウェアからなる制御プログラムは、予め定められた異なるメモリブロックＡ１、Ａ２、Ａ３、・・・Ａｎの読み出しアクセスがあったときに、状態１に遷移して、肯定応答を電子機器に送出する。 - 特許庁