「Volatile memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

According to instructions from the control part 11, a liquid crystal controller 16 displays image data 133 stored in the nonvolatile memory 13 in a fixed mode and condensed data 122 stored in a volatile memory 12 in a condensed mode, respectively on a stationary part 152 of the liquid crystal display 15.例文帳に追加

また、液晶コントローラ１６は、制御部１１からの指示で、固定モードでは、不揮発性メモリ１３に記憶される画像データ１３３、そして、縮小モードでは、揮発性メモリ１２に記憶される縮小データ１２２を液晶表示器１５の固定部１５２に表示する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device in which the organic substance of a gate oxide film in a memory transistor is prevented from being contaminated even if film thickness differs in a gate insulating film in the memory transistor and a transistor in a peripheral circuit region, and also to provide the manufacturing method of the device.例文帳に追加

メモリトランジスタと周辺回路領域のトランジスタとでゲート絶縁膜の膜厚が異なる場合でも、メモリトランジスタにおけるゲート酸化膜の有機物汚染を防止できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Based on an output signal from the operation switching circuit 21, an operation control circuit 22 controls a period of voltage application to a plate line to obtain volatile mode operation of a first memory area 11 and a nonvolatile mode operation of a second memory area 12, for example.例文帳に追加

動作切換回路２１からの出力信号に基づき、動作制御回路２２にてプレート線への電圧印加時間を制御することで、例えば第１のメモリ領域１１の揮発モード動作と、第２のメモリ領域１２の不揮発モード動作とを実現する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage is provided with a cell bias circuit 1 (constant voltage output section), a memory cell array 3, a column switch group 4, a non-selection source line equalizing transistor group 5, a detecting circuit 6, a sub-memory cell array selecting circuit 7, a word line selecting circuit 8, and a column address decoder 9.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は，セルバイアス回路１（定電圧出力部），メモリセルアレイ３，カラムスイッチ群４，非選択ソースラインイコライズトランジスタ群５，検出回路６，サブメモリセルアレイ選択回路７，ワードライン選択回路８，カラムアドレスデコーダ９を備えている。 - 特許庁

To prevent the occurrence of junction leakage in a drain contact hole and hence to prevent element malfunction, and to reduce the size of a unit cell in an SONOS-type non-volatile memory element and hence to improve an integration degree.例文帳に追加

ドレインコンタクトホールでのジャンクションリーケージの発生を予防して、素子誤動作を防止することができ、ＳＯＮＯＳ型不揮発性メモリ素子の単位セルのサイズを減らして集積度を向上させる。 - 特許庁

And, by storing the input/output data of the interface in a non-volatile memory, an improved characteristic enhancement effect can be obtained for example for enabling resume operation for returning to a state before power is turned on.例文帳に追加

また、インターフェース部の入出力データを不揮発性メモリに記憶することで、電源投入時に以前の状態に戻すレジューム動作が可能となるなどの優れた特性改善効果が得られる。 - 特許庁

Device-type information in which the correspondence between each light source unit and a limit resistance that decides the amount of current to be supplied to each light source unit is acquired for every device-type is recorded in a non-volatile memory 4044.例文帳に追加

不揮発性メモリ４０４４には、これらの光源ユニットと光源ユニットへ供給する電流量を決定する制限抵抗とを当該機種毎に対応付けた機種情報が記録されている。 - 特許庁

This device is provided with a timer 17 which is controlled by a CPU 12 so that time measurement is started as write-in of data is started in a non-volatile memory 16 and which restricts a write-in period of data.例文帳に追加

不揮発性メモリ１６におけるデータの書き込み開始に伴って時間計測を開始するようにＣＰＵ１２によって制御され、データの書き込み期間を限定するためのタイマー１７を備えている。 - 特許庁

A service period monitoring part 64 stores a passage time 68, from the start of usage in a non-volatile memory 60 so as to output the warning, when determining that the passage time 68 becomes the predetermined service period.例文帳に追加

使用期間監視部６４は使用開始からの経過期間６８を不揮発メモリ６０に記憶し、経過期間６８が予め設定した所定の使用期間に達したことを判定して警報する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device having an equal time period as before in receiving a drain disturbance, having no disadvantage about layout, and varying a sector capacitance in keeping the capacitance as a chip.例文帳に追加

ドレインディスターブを受ける時間が従来と同等で、かつレイアウト的に不利が無く、さらにチップとしての容量を維持しながらセクタ容量が可変である不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The communication terminal equipment reads the storage contents of the non-volatile memory at the time of power supply, and initializes corresponding various functions, for example, an ASB function and an off-line response function or the like corresponding to the storage contents.例文帳に追加

通信端末装置は、電源投入時に不揮発性メモリーの記憶内容を読み出して、記憶内容に応じて対応する各種機能、例えば、ＡＳＢ、オフラインレスポンス等の機能を初期設定する。 - 特許庁

A normal memory array 10 for performing non-volatile data storage is divided into sectors of (m) pieces (m: natural number) corresponding to an object unit in data write or data erasure of one time respectively.例文帳に追加

不揮発的なデータ記憶を実行するためノーマルメモリアレイ１０は、それぞれが１回のデータ書込もしくはデータ消去における対象単位に相当するｍ個（ｍ：自然数）のセクタに分割される。 - 特許庁

To significantly reduce cell area per bit, without narrowing a margin for improving the scaling property and characteristics of a non-volatile memory transistor which has a charge storage function inside a gate dielectric film.例文帳に追加

ゲート誘電体膜内部に電荷蓄積機能を持たせた不揮発性メモリトランジスタのスケーリング性および特性の向上の余地を狭めることなく、そのビット当たりのセル面積を大幅に低減する。 - 特許庁

When the information processor is terminated abnormally and then started up, the initialization means writes dirty data stored in the cache area in the volatile memory onto the first external storage.例文帳に追加

初期化手段は前記情報処理装置が異常終了した後に起動されたとき、前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納されたダーティデータを前記第１外部記憶装置に書き込む。 - 特許庁

A non-volatile memory 39 provided in a control device 31 of the image forming apparatus 1 has an address book in which a facsimile number is registered correspondingly to the name of a transmission partner upon facsimile transmission.例文帳に追加

画像形成装置１の制御装置３１に設けた不揮発性メモリ３９はファクシミリ送信するときの送信相手先の名称にファクシミリ番号を対応させて登録したアドレス帳を有する。 - 特許庁

The broadcasting data of reserved programs are automatically subjected to picture recording to the fresh tracks of a disk in accordance with the reserved programs written in the UTOC area of the disk or the non-volatile memory in the device (ST17 to ST22).例文帳に追加

ディスクのＵＴＯＣエリア、あるいは装置内の不揮発性メモリに書き込まれている予約情報に基づいて、予約番組の放送データを、ディスクの新規トラックに自動的に録画する(ST17〜ST22）。 - 特許庁

When an MPU issues a write instruction to an HDC, the HDC obtains the written data (b) from the volatile memory and writes the data to a magnetic storage medium 5 through a read/write control circuit.例文帳に追加

ＭＰＵはＨＤＣに対して書き込み命令を発行すると、ＨＤＣは揮発性メモリーから書き込みデータｂを得て、リード／ライト制御回路を介して磁気記憶媒体５へ書き込みを行う。 - 特許庁

A control gate electrode 22 of a non-volatile memory is formed in a hole formed in an inter-layer insulating film, and a hole 22a formed in the inter-layer insulating film on source/drain areas is made shallow.例文帳に追加

不揮発性メモリの制御ゲート電極２２を、層間絶縁膜に形成される孔に形成する構造をとり、ソース及びドレイン領域上の層間絶縁膜に形成される孔２２ａを浅くする。 - 特許庁

To provide a reference voltage generating circuit for a non-volatile ferroelectric memory device in which sensing margin is improved by elevating a reference level as the temperature rises.例文帳に追加

温度が上昇したときそれに伴って参照レベルを高くすることによって、センシングマージンを改善させるようにした不揮発性強誘電体メモリ装置の参照電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

Also, the main control unit 18 transmits a mail attached with the image data in the prescribed format from an LAN I/F part 15 through an LAN 20 to the address of address information read from a non-volatile memory 17.例文帳に追加

また、主制御部１８は、不揮発性メモリ１７から読み出した宛先情報のアドレスに、所定方式の画像データを添付したメールをＬＡＮＩ／Ｆ部１５からＬＡＮ２０を介して送信する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device, which stably operates while securing sufficient current capacity in a crosspoint type configuration that is constituted by combining non-ohmic elements and a variable resistance layer.例文帳に追加

非オーミック性素子と抵抗変化層とを組み合わせたクロスポイント型構成において充分な電流容量を確保し、安定な作動が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device for increasing the moving speed of charge, and for quickening writing and deletion by increasing the strength of an electric field by devising the structure of a tunnel insulating layer.例文帳に追加

トンネル絶縁層の構造を工夫することにより電界強度を大きくでき、電荷の移動速度が大きく、書き込み，消去の高速化を可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device into which charge can be injected by source side injection having a high injection efficiency, and which can be mounted onto a substrate in a standard CMOS process.例文帳に追加

注入効率が高いソースサイドインジェクションによる電荷注入が可能で、標準的なＣＭＯＳプロセス工程内で基板上に実装可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses non-volatile memory elements and is capable of optimizing its device characteristics and improving its manufacturing yield after a diffusion process is performed, and to provide a voltage transformation method and an inspection method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子を用い、拡散工程後にデバイス特性の最適化と歩留りの向上を実現することができる半導体装置、電圧変換方法および検査方法を提供する。 - 特許庁

This system comprises the vehicle control device for rewriting the data stored in a non-volatile memory by data received from an outside rewriting device and a monitoring device for determining whether there is a failure in the control device or not.例文帳に追加

外部の書換装置から受信したデータで、不揮発性メモリに格納されたデータを書き換える車両制御装置と、制御装置に故障が生じたかどうかを判定する監視装置とを備える。 - 特許庁

The warranty management method includes: providing a warranty for the compressor, receiving request under the warranty, inspects data stored in the non-volatile memory; and responding to request based on the inspection.例文帳に追加

保証管理方法は、圧縮機のために保証を提供し、該保証のもとに請求を受け取り、非揮発性メモリに格納したデータを検査し、および該検査に基づいて請求に応答することを包含する。 - 特許庁

Information items for backup as information items showing the file size and update date of a management file are updated each time the management file is updated, and stored in a non-volatile memory 12a.例文帳に追加

管理ファイルのファイルサイズと更新日時を示す情報項目であるバックアップ用情報項目を、管理ファイルの更新ごとに更新して不揮発性メモリ１２ａに記憶保持させておくようにする。 - 特許庁

To provide an onboard electronic control device capable of performing, in abnormality detection related to a volatile backup memory backed up by an onboard battery, various abnormality detections while reducing the control load of a microprocessor.例文帳に追加

車載バッテリでバックアップされた揮発性のバックアップメモリに関する異常検出において、マイクロプロセッサの制御負担を軽減しながら多様な異常検出が可能な車載電子制御装置を得る。 - 特許庁

When the camera head 1a is attached on the camera body 1b and power is turned on, the configuration information in the non-volatile memory is transmitted to the camera head, and is set on the PLD 103b of the camera body.例文帳に追加

カメラヘッド１ａがカメラ本体１ｂに装着され電源が投入されたらその不揮発性メモリ内にあるコンフィギュレーション情報がカメラヘッドに送信されカメラ本体のＰＬＤ１０３ｂにセットされる。 - 特許庁

To provide an angular velocity sensor capable of outputting accurate output signals at all times by recognizing a faulty state, when a volatile memory for output is at fault.例文帳に追加

出力用揮発性メモリが故障している場合には、故障状態を認識することにより、常に正確な出力信号を出力可能な角速度センサを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a high accuracy and high speed distance measuring device by correcting offset generated in a light-receiving sensor, when performing active mode integration, without using a large capacity non-volatile memory in a hybrid type distance measuring device.例文帳に追加

ハイブリットタイプの測距装置において、大容量の不揮発性メモリを用いることなく、アクティブモード積分を行った場合、受光センサに発生するオフセットを補正し、高速で高精度な測距装置を得る。 - 特許庁

A gate insulation film 18 of the pixel TFT is composed of a tunnel insulation film (a first insulation film) 35 of the non-volatile memory and a second insulation film 37 having larger film thickness than that of the tunnel insulation film 35.例文帳に追加

画素ＴＦＴのゲート絶縁膜１８を不揮発性メモリのトンネル絶縁膜（第１の絶縁膜）３５と、トンネル絶縁膜３５よりも膜厚の大きい第２の絶縁膜３７によって構成する。 - 特許庁

To provide a sound simulator or a music simulator including a reverberation simulator having a substantially reduced volatile storage, random access memory, or buffer size in comparison to conventional reverberation simulators.例文帳に追加

従来技術のリバーブシミュレータと比較して、揮発性記憶装置、ランダムアクセスメモリ、またはバッファのサイズが実質的に低減されたリバーブシミュレータを含むサウンドシミュレータまたはミュージックシミュレータを提供すること。 - 特許庁

To improve punch-through resistance between a source and a drain with the reduction of a cell area in a non-volatile semiconductor memory device, without causing deterioration in bonding pressure resistance between a diffusing layer and a well.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のセル面積の縮小に伴うソースとドレインの間のパンチスルー耐性を、拡散層とウェルの間の接合耐圧の劣化を生じさせることなく向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of minimizing ununiformity in EFH (Effective Field oxide Height) in an entire wafer region, and capable of ensuring uniformity in a threshold voltage.例文帳に追加

ウエハ全域において、ＥＦＨ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ Ｈｅｉｇｈｔ）の不均一性を最小化し、しきい値電圧均一性を確保可能な不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A solvenoid valve 58 is connected to a CPU 51 through an I/O port 52, a keyboard 53, a non-volatile memory 54, a D/A converter 55, an electropneumatic regulator 56 and a driver circuit 57.例文帳に追加

ＣＰＵ５１にＩ／Ｏポート５２を介してキーボード５３と不揮発性メモリ５４、さらにＤ／Ａ変換器５５を介して電空レギュレータ５６、ドライバ回路５７を介してソレノイドバルブ５８を接続する。 - 特許庁

To provide a storage device capable of reducing the charge trap of a non-volatile memory cell while inhibiting the increases of a chip area and a load capacity, and to provide an integrated circuit device and electronic apparatus including the same.例文帳に追加

チップ面積や負荷容量の増加を抑止しながら、不揮発性メモリーセルのチャージトラップを低減することができる記憶装置、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。 - 特許庁

Accordingly, the digital camera 1 can synthesize various shot images by a simple circuit configuration including only the non-volatile memory 12 without including a plurality of calculation circuits like a conventional one.例文帳に追加

従って、従来のように複数の演算回路を備えることなく、不揮発性メモリ１２だけを備えるという簡単な回路構成で、多様な撮影画像の合成を行えるデジタルカメラ１が提供される。 - 特許庁

A memory system 20 comprises an RAM 22, a block-addressable non-volatile storage device (NVS) 24, and a logic 26 that is configured so as to copy a block of data between the RAM 22 and the NVS 24.例文帳に追加

メモリシステム２０は、ＲＡＭ２２と、ブロックアドレス指定可能な不揮発性記憶装置（ＮＶＳ）２４と、ＲＡＭ２２とＮＶＳ２４との間でデータのブロックをコピーするように構成されるロジック２６とを具備する。 - 特許庁

After the driving of this system stops, the binary data for analyzing the factor of abnormality are read from the non-volatile memory 23, and the cause of abnormality of the DC/DC converter whose output voltage shows abnormality is analyzed.例文帳に追加

システムの駆動停止後に、不揮発性メモリ２３から異常原因を解析するため２値化データを読出し、出力電圧が異常を示したＤＣ／ＤＣコンバータの異常原因を解析する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory capable of realizing erase/write operations in sufficiently small division units while suppressing an increase in chip area to the minimum, and shortening an erase time.例文帳に追加

チップ面積の増加を最小限に抑制しつつ消去／書込動作を十分小さな分割単位で実現するとともに、消去時間を短縮することのできる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a word line boosting circuit of which boosting voltage is adjusted in a range of the upper limit value and the lower limit value of distribution of threshold voltage of a semiconductor non-volatile memory element independently of a value of power source voltage.例文帳に追加

電源電圧の値にかかわらず、昇圧電圧が半導体不揮発性メモリ素子の閾値電圧の分布の上限値および下限値の範囲内に収まるようなワード線昇圧回路を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which the erasion of blocks is normally realized and the influence of disturbance is suppressed as much as possible even if there exists a dispersion of erasion characteristics per sector.例文帳に追加

セクタ毎の消去特性にばらつきがあっても、ブロック消去を正常に実現し、かつディスターブの影響をできるだけ小さくすることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a method of manufacturing the same, where an electric field is restrained from concentrating locally on the isolating region of a floating gate so as to keep an intermediate insulating film high in withstand voltage.例文帳に追加

フローティングゲートの分離領域における電界集中を緩和し、中間絶縁膜の耐圧を確保できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The other mobile code reader 1 reads a communication setting information from the non-volatile memory 14d, and makes a data communication with a connecting object unit based on the communication setting information through the bluetooth.例文帳に追加

他の携帯型コードリーダ１は、電池パック３の不揮発性メモリ１４ｄから通信設定情報を読込み、当該通信設定情報に基づいてBluetoothにより接続対象機器とデータ通信する。 - 特許庁