「Volatile memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The communication device has a means for detecting that the power supply is turned off, stores a waiting state that is being executed in two waiting states during energization when the power is on into a non-volatile memory, and controls automatic line identification determination, according to the waiting state stored in the non-volatile memory when a system is activated.例文帳に追加

電源ＯＦＦが起きたことを検出する手段を持ち、電源ＯＮである通電中における２つの待機状態のうちで、実行中である待機状態を、不揮発性メモリに格納し、システム起動時に、上記不揮発性メモリに格納されている待機状態に応じて、回線自動識別判定を制御する通信装置である。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor memory 10 which can write, erase, and read information electrically, deterioration of a memory cell 11 is detected by comparing a erasing time Te required to erase information of the memory cell 11 with a reference erasing time Ti stored previously in a reference erasing time memory 15, and progress of deterioration is suppressed.例文帳に追加

本発明は、電気的に情報の書き込み、消去、読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置１０において、メモリセル１１の情報消去に要した消去時間Ｔ_eと、予め基準消去時間メモリ１５に記憶された基準消去時間Ｔ_iとを比較することでメモリセル１１の劣化を検出し、該劣化の進行を抑制する構成である。 - 特許庁

This electronic apparatus 1 provided with a processor 2 and a non-volatile memory (flash memory) 3 is provided with: a means which receives information from an external device 21 through an interface 15; and a means which directly accesses the nonvolatile memory 3 and writes the received information in the nonvolatile memory 3.例文帳に追加

プロセッサ２と不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）３とを備えた電子機器であって、インターフェース１５を介して外部機器２１からの情報を受信する受信手段と、受信した前記情報を不揮発性メモリ３に直接アクセスして、不揮発性メモリ３に前記情報を書き込む書き込み手段と、を備える不揮発性メモリを備えた電子機器１。 - 特許庁

This non-volatile semiconductor storage device (memory transistor) 400 is a non-volatile semiconductor storage device with a split gate structure and has a source 16, drain 14, gate insulating layer 26, floating gate 40, intermediate insulating layer 50 functioning as a tunnel insulating layer, and control gate 36.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置（メモリトランジスタ）４００は、スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置であって、ソース１６、ドレイン１４、ゲート絶縁層２６、フローティングゲート４０、トンネル絶縁層として機能する中間絶縁層５０およびコントロールゲート３６を有する。 - 特許庁

A first storage means 21 stores layout hint information 14 generated based on the characteristics of each data stored in at least one of non-volatile semiconductor memories 9 and 10 or a volatile semiconductor memory 8 and giving a hint for determining an area to arrange each data.例文帳に追加

第１の記憶手段２１は、不揮発性半導体メモリ９，１０と揮発性半導体メモリ８のうちの少なくとも一方に記憶される各データの特性に基づいて生成され、各データの配置領域を決定するヒントとなる配置ヒント情報１４を記憶する。 - 特許庁

To decrease the number of times of switching gate voltage by decreasing the number of required thresholds, to eliminate the need for pre-charge technology in operation reading multi-level data from a non-volatile memory, and to reduce transient difficulty of design of a non-volatile semiconductor storage device using a multi-level technology.例文帳に追加

不揮発性メモリセルから多値を読み取る動作において、必要な閾値の数を減らしてゲート電圧の切換回数を少なくすること、及び、プリチャージ技術を不要とすること、並びに、多値技術を用いる不揮発性半導体記憶装置の過渡的な設計の難易度を下げること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a non-volatile semiconductor memory, in which trenches different in depth can be formed without complicating a process and a detailed memory cell can highly precisely be formed, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを有する半導体装置において、工程の複雑化を招くことなく深さの異なるトレンチを形成しうるとともに、微細なメモリセルを高精度に形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the voltage of source power from PSU becomes lower than a specified value (S103; Y), the source power is switched to a removable battery (S104) from PSU, and operation history information is transferred from the volatile memory to the nonvolatile memory (S105).例文帳に追加

ＰＳＵからの供給電源の電圧が規定値以下になった場合（Ｓ１０３；Ｙ）、供給電源をＰＳＵから着脱可能な電池へと切り替え（Ｓ１０４）、動作履歴情報を装置内の揮発性メモリから不揮発性メモリへ転送する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

When a write-in command is written in a non-volatile memory cell array 10 (S10), an internal boosting circuit 30 immediately starts boosting (S11), at the same time as the boosting is finished (S12 to S13), write-in is performed for the memory cell array of (S14).例文帳に追加

不揮発性メモリセルアレイ１０ヘの書き込みコマンドが書き込まれると（Ｓ１０）、内部昇圧回路３０は直ちに昇圧を開始し（Ｓ１１）、昇圧完了（Ｓ１２から１３）とともに不揮発性メモリセルアレイ１０ヘの書き込みを行う（Ｓ１４）。 - 特許庁

This memory is a non-volatile memory having first and second source/drain area SD1, SD2 on the surface of a semiconductor substrate, and a non-conductive trap gate TG and a conductive floating gate CG on a channel area between SD1 and SD2 through an insulating film.例文帳に追加

半導体基板の表面に、第１及び第２のソース・ドレイン領域ＳＤ１，ＳＤ２と、その間のチャネル領域上に、絶縁膜を介して非導電性のトラップゲートＴＧと導電性のフローティングゲートＣＧとを有する不揮発性メモリである。 - 特許庁

A first IC includes an internal component section capable of being adjusted with adjustment data, a nonvolatile memory in which a beforehand acquired adjustment data about the internal component section is stored, and an interface section provided between the non volatile memory and outside.例文帳に追加

第１のＩＣは、調整データにより調整可能な内部構成部と、この内部構成部についての事前取得調整データが記憶される不揮発性メモリと、この不揮発性メモリと外部との間に設けられるインターフェース部とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reliable non-volatile semiconductor memory which has a more pointed end part of a floating gate which is beneficial for electric charge emission in a split gate-type flash memory cell and enables to increase the number of rewriting.例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリセルにおける電荷放出に有利なより尖鋭化したフローティングゲート端部を有し、書き換え可能回数をいっそう向上させる高信頼性の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An unsaved log processing part 205 temporarily saves an input log into a memory being the volatile storage element when a passage time from the last log recording time into a flash memory to the input time of the input log is less than a prescribed time interval.例文帳に追加

未保存ログ処理部２０５は、前回のフラッシュメモリへのログ記録時刻から入力されたログの入力時刻までの経過時間が所定の時間間隔未満であるとき、入力されたログを揮発性記憶素子であるメモリに一時保存する。 - 特許庁

This system has the revolver 23 which has a plurality of mounting sections to be mounted with the objective lenses 22 and a memory means (a non-volatile memory in a controller 12), which is capable of storing the lens information relating to each of the objective lenses more than the number of the mounting sections.例文帳に追加

対物レンズ２２が取り付けられる取付部を複数有するレボルバ２３と、取付部の数より多くの対物レンズ各々に関わるレンズ情報を記憶可能な記憶手段(コントローラ１２内の不揮発性メモリ)とを備えている。 - 特許庁

To attach a nonvolatile memory that conforms to T13 to a storage medium controller for controlling data read/write between a host and a storage medium through a volatile memory without causing an increase in the number of pins and an increase in size.例文帳に追加

揮発性メモリを介してホストと記憶媒体との間でのデータのリード／ライトを制御する記憶媒体コントローラに対し、Ｔ１３に準拠する不揮発性メモリを、ピン数の増加やサイズの増大を伴うことなく、付設することを課題とする。 - 特許庁

In programmable cells 110 to 115 belonging to a first area 119, configuration information 130 is stored in a volatile memory, and in programmable cells 120 to 122 belonging to a second area 119, configuration information 130 is stored in a nonvolatile memory.例文帳に追加

第１の領域１１９に属するプログラマブルセル１１０〜１１５ではコンフィギュレーション情報１３０を揮発性メモリに格納し、第２の領域１１９に属するプログラマブルセル１２０〜１２２ではコンフィギュレーション情報１３０を不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁

When detecting the signal PS, the processor 11 starts data saving from a system memory 14 to a non-volatile memory 16, and after this, when detecting the signal PD, the processor 11 continues the data saving and also performs shutdown processing of the device.例文帳に追加

プロセッサ１１は、瞬断検知信号ＰＳを検知したとき、システムメモリ１４から不揮発メモリ１６へのデータ退避を開始し、その後、停電検知信号ＰＤを検知した場合は、データ退避を継続すると共に、装置のシャットダウン処理を行なう。 - 特許庁

A CPU 5 of the processing part 17 sets a voltage at which the command of a user program is executed and a voltage at which the instruction of write-in to the memory is executed in different ranges, and controls write-in to the non-volatile memory 11 according to a power supply voltage.例文帳に追加

処理部１７のＣＰＵ５がユーザプログラムの命令を実行する電圧と、メモリへの書き込みの命令を実行する電圧とを異なる範囲に設定し、電源電圧に応じて、不揮発性メモリ１１への書き込みを制御する。 - 特許庁

To provide a method for controlling a non-volatile semiconductor memory having a floating gate by which the dispersion of the threshold values of each cell in a memory cell array can be suppressed, the controllability of threshold distribution can be improved, and program speed can be improved.例文帳に追加

浮遊ゲートを有する不揮発性半導体メモリにおいて、メモリセルアレイ内の各セルの閾値のばらつきの抑制と、閾値分布の制御性の向上と、プログラム速度の向上を図れる不揮発性半導体メモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

To enable rewriting simultaneously many memory cells of plural banks and suppress power consumption at the time of read-out small, in a non-volatile memory cell in which boosted voltage generated in an internal power source circuit is used at the time of write-in, erasure, and read-out.例文帳に追加

内部の電源回路で発生した昇圧電圧を、書き込み消去時にも、読み出し時にも用いる不揮発性メモリ装置において、同時に複数バンクの多数のメモリセルの書き換えを可能とし、かつ、読出し時の消費電力を小さく抑える。 - 特許庁

In a non-volatile memory cell including a MONOS-type transistor Q_1 for memory and a MIS-type transistor Q_2 for cell selection, the length B of a charge accumulation film 16 is made shorter than that A of the gate electrode 20 of the MONOS-type transistor Q_1.例文帳に追加

メモリ用のＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1とセル選択用のＭＩＳ型トランジスタＱ_2とを含む不揮発性メモリセルにおいて、ＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1のゲート電極２０の長さＡに比べて、電荷蓄積膜１６の長さＢを短くする。 - 特許庁

To enable performing write-in, verifying, or the like for a storage element storing trimming information, replacement information, or the like without providing an exclusive circuit, in a non-volatile semiconductor memory in which electrical write-in and erasure can be performed like a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのような電気的に書込み、消去可能な不揮発性記憶装置において、専用の回路を設けることなくトリミング情報や置換情報等を記憶する記憶素子への書込みやベリファイなどを行なうことができるようにする。 - 特許庁

The navigation system according to the invention includes: a memory (101) that is non-volatile and writable for storing digital navigation data; and means for checking an access code to access the digital navigation data stored in the memory.例文帳に追加

本発明は、デジタルナビゲーションデータを格納するための不揮発性で書き込み可能なメモリ（１０１）と、該メモリ中に格納されたデジタルナビゲーションデータのアクセスを可能にするためにアクセスコードをチェックするための手段とを備えたナビゲーションシステムに向けられる。 - 特許庁

The non-volatile memory device of the present invention includes first and second impurity diffusion regions formed on a semiconductor substrate and a memory cell formed over a channel region between the first and second impurity diffusion regions of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、半導体基板に形成された第１及び第２不純物拡散領域、前記第１及び第２不純物拡散領域の間の半導体基板のチャンネル領域上に形成されたメモリセルを含む。 - 特許庁

A memory area (222) for parameter blocks, which are used to change register configuration, is formed on a non-volatile semiconductor memory (22) to perform configuration processing for the register on the basis of the parameter blocks in reset exception processing of a microprocessor (24).例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ（２２）に、レジスタの設定の変更を可能とするパラメータブロックの記憶エリア（２２２）を形成し、マイクロプロセッサ（２４）のリセット例外処理において上記パラメータブロックに基づいて上記レジスタの設定処理が行われるようにする。 - 特許庁

The maximum current value (maximum emitted light quantity) of the LED is calculated by an LED maximum current arithmetic part 57 from a power source voltage value acquired by a power source control circuit 80 and data read out from a memory 52 or a non-volatile memory 56.例文帳に追加

電源制御回路８０により取得した電源電圧値とメモリ５２または不揮発性メモリ５６から読み出したデータから、ＬＥＤの最大電流値（最大発光量）がＬＥＤ最大電流演算部５７によって算出される。 - 特許庁

This memory data holding system includes a semiconductor switch for disconnecting a power supply path from a secondary battery to a holding power source circuit for holding storage data to a volatile memory even when a main power source is OFF and a holding power source disconnection switch for artificially turning off the semiconductor switch.例文帳に追加

揮発性メモリへの格納データを主電源OFF時にも保持する保持電源回路への２次電池からの電力供給経路を切断する半導体スイッチと、該半導体スイッチを人為的にOFFするための保持電源切断スイッチを設けた。 - 特許庁

The receiver is provided with a means for recording reception log information in a non-volatile memory and displaying the recorded log information to a screen when contract information on EMM regarding limited reception is received.例文帳に追加

限定受信に関する契約情報のＥＭＭを受信した際に受信ログ情報を不揮発性メモリに記録し、記録したログ情報を画面に表示する手段を設ける。 - 特許庁

When an event occurs, the preliminary registration condition in the non-volatile memory is retrieved and looks up the module information table to compare it therewith so that the updating of the module can be executed.例文帳に追加

イベント発生時には不揮発性記憶媒体中の仮登録状態を検索しモジュール情報テーブルを参照、比較することによりモジュールの更新が行えるようにしておく。 - 特許庁

A non-volatile storage 1 comprises a data storage section 2, a reference memory cell section 3, a state detection section 4, and a control circuit section 5 and the configurations and functions of each section are as follows.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１を、データ記憶部２と、参照メモリセル部３と、状態検出部４と、制御回路部５とを備える構成とし、各部の構成及び機能を次のようにする。 - 特許庁

This hybrid storage device is provided with two storage regions such as a disk and a non-volatile solid memory, which are respectively provided with a disk cache region CA, a system region SA and a user region UA.例文帳に追加

ハイブリッド記憶装置は、ディスク及び不揮発性固体メモリの２つの記憶領域を有し、いずれもディスクキャッシュ領域ＣＡ、システム領域ＳＡ、ユーザ領域ＵＡを有する。 - 特許庁

In a microcomputer 100, a comparator 160 compares a value in a correct address storage means 140 which stores an address to be corrected for the built-in non-volatile memory 120 with an address that a CPU 110 accesses.例文帳に追加

マイクロコンピュータ100において、比較部160は内蔵不揮発性メモリ120の訂正したいアドレスを記憶する訂正アドレス記憶手段140の値とＣＰＵ110がアクセス中のアドレスとを比較する。 - 特許庁

To provide a semiconductor non-volatile memory device and a semiconductor device, where a capacitive coupling can be prevented from occurring between the surface of a semiconductor substrate and the side of a gate electrode, and cells can be lessened in area.例文帳に追加

半導体基板表面とゲート電極側面の容量結合を防止でき、セル面積を縮小可能な半導体不揮発性記憶装置および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of patterning a non-volatile memory gate capable of forming a gate-stack of NVM on a semiconductor substrate having the NVM region and a non-NVM region arranged so as not to overlap with the NVM region.例文帳に追加

不揮発性メモリ（ＮＶＭ）領域及び前記ＮＶＭ領域と重ならないよう非ＮＶＭ領域を有する半導体基板の上にＮＶＭのゲートスタックを形成する。 - 特許庁

To provide a dialogue data management system for an automobile for surely and efficiently storing dialogue data necessary for searching the factor of failure even in a non-volatile memory whose capacity is limited.例文帳に追加

限られた容量の不揮発性メモリであっても、不具合原因究明に必要なダイアグデータを確実かつ効率的に保存できる自動車用ダイアグ管理システムを提供する。 - 特許庁

In addition to a volatile memory storing temporary data, an unwritable storage media is used for storing a minimum resource such as a BIOS.例文帳に追加

更に、テンポラリなデータを記憶する揮発性メモリの他に、ＢＩＯＳなどのような必要最小限の資源を記憶するための記憶媒体については、書込不可能な記憶媒体を使って記憶する。 - 特許庁

Update data to a non-volatile memory may be recorded in at least two interleaving streams such as either into an update block or a scratch pad block depending on a predetermined condition.例文帳に追加

不揮発性メモリへの更新データは、所定の条件によって更新ブロックまたはスクラッチパッドブロックのいずれかといった、少なくとも２つのインターリーブするストリームに記録されてもよい。 - 特許庁

To provide an image formation device and a program update history management method for it, capable of storing and managing an update history of program data stored in a rewritable non-volatile memory.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリに格納されるプログラムデータの更新履歴を記憶して管理することが可能な画像形成装置およびそのプログラム更新履歴管理方法を提供する。 - 特許庁

The data protection/deprotection state of the nonvolatile memory is specified by volatile protection state specifying sections, and the state of the protection states specifying sections is stored by nonvolatile initial state storage sections.例文帳に追加

揮発性の保護状態指定部により、不揮発性メモリのデータ保護／非保護状態を指定し、不揮発性の初期状態記憶部により、保護状態指定部の状態を記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which verify-test time or the like are shortened and increment of the number of exclusive terminals for test is suppressed, in a semiconductor device provided with a non-volatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置を備えた半導体装置において、ベリファイ試験等の短縮を図るとともにテスト専用端子数の増大を抑止する半導体装置の提供。 - 特許庁

A data storage part 21A is connected to the data bus 14, and configured to fetch and store the plurality of data output by the non-volatile memory 12 to the data bus 14 in response to the output command 19.例文帳に追加

データ保持部２１Ａは、データバス１４と接続され、出力指令１９に応答して不揮発性メモリ１２がデータバス１４に出力した複数のデータを取り込んで保持する。 - 特許庁

When the developing cartridge 6Y is brought to a position facing a photoreceptor drum 1, communication can be carried out between a wireless transmitter 14 and the non-volatile memory unit 13C of the developing cartridge 6C.例文帳に追加

現像カートリッジ６Ｙが感光体ドラム１に対向する位置に来ると、無線送受信器１４と現像カートリッジ６Ｃの不揮発性メモリユニット１３Ｃと通信可能となる。 - 特許庁

To provide a polycrystalline metal oxide thin film of a uniform film thickness having a desired film thickness to be used for electronic devices or the like and its manufacturing method, and a non-volatile memory which uses the polycrystalline metal oxide thin film.例文帳に追加

電子デバイス等に用いられる所望膜厚を有する均一な膜厚の多結晶金属酸化物薄膜とその製造方法及びそれを用いた不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device which prevents a malfunction occurring during a read-out operation, and can enhance reliability of the operation.例文帳に追加

本発明の実施形態は、非揮発性メモリ装置に関するものであって、読出し動作で発生し得る誤動作を防止し、動作の信頼性を高めることができるようにする技術を開示する。 - 特許庁

To prevent bird's beaks from being generated in the tunnel insulation film of a non-volatile semiconductor memory, and to obtain improved film quality and a predetermined film thickness of its capacitor insulation film.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置におけるトンネル絶縁膜にバーズビークが発生すること防止すると共に容量絶縁膜の膜質の向上と所定の膜厚とを得られるようにする。 - 特許庁