| 意味 | 例文 |
X-junctionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 32件
An intrinsic Josephson superconducting tunnel junction element is provided comprising an oxide superconductor represented by a general expression (I); Bi2-zPbzSr2Can(1-x)RnxCun+1O2n+6 (n≥1, 0<x≤0.2, 0≤z≤1, R is rare earth element).例文帳に追加
一般式(I);Bi2-zPbzSr2Can(1-x)RnxCun+1O2n+6 (n≧1, 0<x≦0.2 , 0 ≦z≦1 R;希土類元素)で示される酸化物超伝導体を含有する固有ジョセフセン型超伝導トンネル接合素子。 - 特許庁
A barrier layer 13 formed of Al_xGa_(1-x)N (0<x≤1) is laminated on an operating layer 12 composed of GaN formed on a substrate 11, and a hetero-junction interface is formed of the operating layer 12 and the barrier layer 13.例文帳に追加
基板11上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、Al_xGa_(1-x)N(0<x≦1)からなる障壁層13が積層されており、動作層12と障壁層13とからヘテロ接合界面が形成されている。 - 特許庁
A composition of the junction 7 is preferably represented by Si_1-xC_x (0<x<1).例文帳に追加
上記接合部7の組成はSi_1−xC_x(0<x<1)で表わされることが好ましい。 - 特許庁
To set an energy discrete value of a junction interface over a relatively wide range in an In_xAl_yGa_1-x-yP/GaAs heterojunction.例文帳に追加
In_x Al_y Ga_1-x-y P/GaAsヘテロ接合において比較的広範囲に接合界面のエネルギー不連続値を設定できるようにすること。 - 特許庁
The X-ray photoconductive film 5 pinched by the lead excess layer 25 and the iodine excess layer 23 becomes in pn junction.例文帳に追加
鉛過剰層25およびヨウ素過剰層23に挟まれたX線光導電膜5がpn接合状態となる。 - 特許庁
By the above, since an upper face of a pn-junction area 51, namely, an exposed face of the pn-junction is covered by the electron shielding member 60, incidence of electron and X-ray on the exposed face of the pn-junction area 51 can be prevented.例文帳に追加
よって、pn接合領域51の上面、すなわちpn接合領域の露出面は電子遮蔽部材60により覆われることとなるため、pn接合領域51の露出面への電子及びX線の入射を防止することができる。 - 特許庁
A first signal path X (X-) piercing a Josephson junction JJ in series is connected to a superconducting closed loop being constitution elements of an AC magnetic fluxes quantum interference device including an inductor Lo and a Josephson junction JJ in series, such relation is made that the inductor Lo and the Josephson junction JJ are connected in parallel and they are connected to the first signal line in series.例文帳に追加
インダクタLoとジョセフソン接合JJを直列に含み、交流磁束量子干渉デバイスの構成要素となる超伝導閉ループに対し、ジョセフソン接合JJを直列に貫く第一の信号線路X(X−)を接続し、インダクタLoとジョセフソン接合JJとが互いに並列になって第一の信号線路X(X−)に直列に入った関係となるようにする。 - 特許庁
A magnetoresistance tunnel junction element is formed, which represented by a chemical equation L2(A1-wRw)2An-1MnnO2n+4+x, comprises a laminar perovskite type manganese oxide 14 comprising (L-O)2 layer in a crystal structure.例文帳に追加
化学式L_2(A_1-wR_w)_2A_n-1Mn_nO_2n+4+xにより表され、結晶構造内に(L−O)_2層を有する層状ペロブスカイト型マンガン酸化物14を含む磁気抵抗トンネル接合素子を形成した。 - 特許庁
The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加
GaAs_xP_1−x(0≦x≦1)基板上に、少なくともGaAs_xP_1−x(0≦x≦1)層および内部にpn接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁
The power terminal 21 of the semiconductor module 2 has a junction surface 211 which parallels the direction X of stacking between the plurality of semiconductor modules 2 and the plurality of cooling tubes 3, and also it is joined with the bus bar 4, at the junction surface 211.例文帳に追加
半導体モジュール2のパワー端子21は、複数の半導体モジュール2と複数の冷却管3との積層方向Xに沿った接合面211を有すると共に、接合面211において、バスバー4と接合されている。 - 特許庁
To provide a top plate for an X-ray fluoroscopic radiography table having a structure without a gap or a step difference in junction parts between a metal frame in both end parts of the top plate and a central plate.例文帳に追加
天板両端部の金属枠と中央の板との接合部に隙間や段差を作らない構造のX線透視撮影台用天板を提供する。 - 特許庁
To provide a nondestructive inspection method for easily and reliably detecting inconvenient defects at a junction, without using any X-rays or gumma-rays poorly affecting human bodies.例文帳に追加
人体に悪影響を与え得るX線やガンマ線を使用せず、接合部における不都合な欠陥を容易かつ確実に検出できる非破壊検査方法を提供する。 - 特許庁
A package substrate 30 mounted with a semiconductor chip seals the semiconductor chip inside therein and has first junction electrodes 32 arranged on the backside 30a and second junction electrodes 33 arranged on a pair of side faces 30b opposite to each other in the X direction.例文帳に追加
半導体チップを搭載するパッケージ基板30は、半導体チップを内部に封止するとともに、裏面30aに第1接合電極32が配置され、X方向に対向する一対の側面30bに第2接合電極33がそれぞれ配置されている。 - 特許庁
Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加
また、n形III−V族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ga_XIn_1-XP(0≦X≦1)でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Xを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁
The organic luminous layer is composed of a combination of organic media which are mixed and continuous, and does not generate a hetero junction phenomenon, and the sum of x, y and z is 100%, and x has a maximum value at a portion close to the anode, and y and z develop maximum values at the cathode portion.例文帳に追加
該有機発光層は混合され且つ連続する有機媒体が組み合わされてなり、ヘテロ接合現象の発生がなく、且つx、y、zの和が100%とされ、xはアノードに接近する部分が最大値とされ、yとzはカソード部分にあって最大値を現出する。 - 特許庁
The semiconductor element has the polarization junction formed of an In_aGa_1-aN channel layer 9, an Al_xIn_yGa_1-x-yN barrier layer 10, and an In_bGa_1-bN cap layer 11 (0≤a, b, c<0.02).例文帳に追加
In_aGa_1−aNチャネル層9、Al_xIn_yGa_1−x−yNバリア層10、およびIn_bGa_1−bNキャップ層11により分極接合を形成する(0≦a、b、c<0.02)。 - 特許庁
A junction face S is formed along a perpendicular to an electrode axis X, i.e. an anode cross-section radial direction, by joining the truncated cone shaped metal member 40 to the columnar metal member 50.例文帳に追加
円錐台形状の金属部材40と円柱形状の金属部材50とを接合することにより、接合面Sを、電極軸Xに対して垂直な方向、すなわち陽極断面径方向に沿って形成する。 - 特許庁
The system is constituted so that the second air current Y generated by the air suction fan 202 and the air discharge fan 203 and the first air current X which already run into the circuit elements may join together, and also, the flow velocity of the first air current X may become higher than the flow velocity of the second air current Y at the junction.例文帳に追加
そして、吸気ファン202及び排気ファン203が発生させた第2気流Yと上記回路素子に当たった後の第1気流Xとが互いに合流するように構成され、かつ、その合流地点において第1気流Xの流速よりも第2気流Yの流速の方が速くなるように構成されている。 - 特許庁
A magnetoresistance tunnel junction element, wherein represented by a chemical equation (RxA1-x)m+1MnmO3m+1, a barrier layer 13 of the oxide of at least one kind of element selected from among Bi, Tl, and Pb is jointed to a perovskite type composite oxide 12 and 14 which has magnetoresistance effect provides a magnetoresistance tunnel effect via the barrier layer 13.例文帳に追加
化学式(R_xA_1-x)_m+1Mn_mO_3m+1により表示され、磁気抵抗効果を有するペロブスカイト型複合酸化物12、14に、Bi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物からなるバリア層13を接合した磁気抵抗トンネル接合素子として、このバリア層13を介して磁気抵抗トンネル効果を得る。 - 特許庁
In particular, Fukuchiyama Station of JR West plays a key role in the North Kinki Big X Network promoted by JR-West, and since it is a junction of Sanin Main Line, Fukuchiyama Line, and Miyafuku Line of Kitakinki Tango Railway; people can travel to Kyoto Station, Osaka Station, Miyazu Station, Amanohashidate Station, Wadayama Station, Toyooka Station (Hyogo Prefecture) and Kinosaki Station by limited express train without transferring. 例文帳に追加
特にJR西日本の福知山駅はJR西日本が掲げる北近畿ビッグXネットワークの中心部を担い、山陰本線、福知山線、北近畿タンゴ鉄道宮福線の合流点でもあり京都駅、大阪駅、宮津駅、天橋立駅、和田山駅、豊岡駅(兵庫県)、城崎温泉駅へは特別急行列車で乗り換えなしに行くことができる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A plurality of magnetic tunnel junction elements is subjected to a first heat treatment, in a strong magnetic field toward the direction of reference axis (X), then they are patterned, such that each of elements has a high aspect ratio and its pinned-synthetic composite layer has a high shape anisotropy.例文帳に追加
複数の磁気トンネル接合素子は、リファレンス軸(X)方向への強磁場中において第1の熱処理が施されたのち、各素子が高アスペクト比を有し、そのピンドシンセティック複合層が高い形状異方性を有するようにパターニングされる。 - 特許庁
A concave sphere 4a is arranged on the junction 50 and engaged with a convex sphere 2a provided under a projecting section 2 to form the projecting section 2 capable of tilting in the X-Y axial plane relative to the base section 4.例文帳に追加
連結部50の上方には凹状の球面体4aが設けられ、投射部2の下方に設けられている凸状の球面体2aと係合して、X軸−Y軸面内において、投射部2が台部4に対して傾動可能に構成されている。 - 特許庁
The MP paper feeding roller 51 for feeding paper is arranged to be left near a tray 41, and the MP separating roller 52 is arranged on rear side so that the opposite position Y of the MP separating roller 52 to a MP separating pad 53 is arranged between a junction X and the front part Z.例文帳に追加
給紙を行うMP給紙ローラ51MPをトレイ41近傍に残しつつ、MP分離ローラ52を後側に配して、MP分離ローラ52とMP分離パッド53との対向位置Yを合流点Xと最前部分Zとの間に配した。 - 特許庁
In the method for forming an SiGe layer of a solar energy cell, in order to promote the growth of the Ge of high quality on an Si substrate, Si^+ is poured on the Si substrate to reinforce the softening of distortion at the junction between the transformed Ge_xSi_1-x buffer layer 103 and the Si substrate 101.例文帳に追加
Si基板上での高品質Ge成長を促進するため、変成Ge_xSi_1−x緩衝層103とSi基板101との間の接合部における歪緩和を強化するため、Si^+をSi基板上へ注入する。 - 特許庁
A middle mold 18 is transferred accompanied with a transporting of a foamed molded article 2 in the extracting direction X by a junction force between a non-gradient part 10 of the foamed molded article 2 pushed by an ejecting pin 22 and a face 19 for forming the non-gradient part at mold releasing [cf. Fig.(a)].例文帳に追加
離型時に、エジェクトピン22により押された発泡成形品2の無勾配部10と無勾配部形成用面19との接合力により、発泡成形品2の抜き方向Xへの移動に同伴して中間型18が移動する〔図2(a)参照〕。 - 特許庁
An auxiliary circuit part 1 added to a step-up/down converter is equipped with capacitors C1 and C2 which are connected between the collectors and the emitters of transistors Q1 and Q2, and upper and lower auxiliary current paths are constituted between a junction X and a high-voltage power terminal T2 and a reference voltage terminal TS.例文帳に追加
昇降圧コンバータに付加される補助回路部1は、トランジスタQ1、Q2のコレクタ・エミッタ間に接続されるコンデンサC1、C2を備え、接続点Xと高圧電源端子T2及び基準電圧端子TSとの間に上方及び下方補助電流径路が構成される。 - 特許庁
To provide a radiation detector for discriminating gamma rays, X-rays or electron beam and particle radiation in the radiation detector for detecting phonons generated on a base by radiation absorption by a superconducting tunnel junction element manufactured on a single crystal base.例文帳に追加
単結晶基盤上に製作された超伝導トンネル接合素子により放射線吸収により基盤で発生したフォノンを検出する放射線検出器において、ガンマ線またはX線または電子線と、粒子線との弁別を可能とした放射線検出器を提供する。 - 特許庁
In the radiation detector for detecting phonons generated on a base by radiation absorption by a superconducting tunnel junction element manufactured on a single-crystal base, the radiation detector enabling radiation species discrimination is realized, by utilizing the rise time of charged pulse signal of the superconducting tunnel junction element being different between gamma ray, X ray or electron beam and particle radiation enabling discrimination of signals.例文帳に追加
単結晶基盤上に製作された超伝導トンネル接合素子により放射線吸収により基盤で発生したフォノンを検出する放射線検出器において、超伝導トンネル接合素子の電荷パルス信号の立ち上がり時間がガンマ線またはX線または電子線と、粒子線との間において異なることを利用して信号弁別を行うことにより、放射線種弁別を可能とした放射線検出器を実現する。 - 特許庁
The elastic wheel 10 has first springs 22a and 22b and capable of elongating and shrinking at least in the X-axis direction and second springs 24a and 24b provided between the junction member 14 and the hub member 14 and capable of elongating and shrinking at least in the Y-axis direction.例文帳に追加
また、弾性車輪10は、外輪部材12と中継部材14との間に設けられ、少なくともX軸方向に伸縮可能な第1ばね22a、22bと、中継部材14とハブ部材16との間に設けられ、少なくともY軸方向に伸縮可能な第2ばね24a、24bとを有する。 - 特許庁
Located near the center of the former Kuse-gun in the southwestern part of Uji City, with Joyo City and Kumiyama-cho of Kuse-gun also at walking distance, JR West Nara Line and Kintetsu Kyoto Line tracks come close together and then sharply separate in an X configuration near Okubo Station; a network of routed buses is available at the bus terminal, a number of rental car dealers have established offices nearby and, as the junction of the southern regions of Kyoto Prefecture (population approximately 600,000) and an economic center, further improvements and development of the neighborhood can be anticipated in the days to come. 例文帳に追加
旧久世郡の中心部付近、宇治市の南西部に位置し、城陽市、久世郡久御山町も徒歩圏で、近鉄京都線と大久保駅付近でX(エックス字)型に接し、バスターミナルから各方面へバス路線が張り巡らせられ、また駅のすぐそばにはレンタカーの店舗も数店あり、一帯は京都府南部地域(人口約60万人)の交通連接点、経済の中心地として今後の整備と発展が期待される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The sub-electric current i flowing from the distal end 26a of the sub-electrode 26 to the first plate member 51 raises the potential of a part surrounding the weld part 50a, suppresses an ineffective branching current flowing in the first plate member 51 from the welding electrode 16, the welding current is made to flow concentratedly on a welding energization route X, and a nugget N is efficiently formed in the junction (a).例文帳に追加
サブ電極26の先端26aから第1板部材51に流れるサブ電流iによって溶接部を50aを囲む部分の電位が高められ、溶接電極16から第1板部材51を流れる無効分流が抑制されて、溶接通電経路Xに集中して溶接電流が流れ、接合点aに効率的にナゲットNが形成される。 - 特許庁
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