「ar」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for dispersing the fine oxides in the molten steel is performed by supplying gaseous CO_2 or mixed gas of Ar and CO_2 into the molten steel after adding Ti and Ce into the molten steel.例文帳に追加

溶鋼中にTi及びCeを添加した後にCO_2ガス、もしくはAr+ CO_2の混合ガスを溶鋼に供給することを特徴とする溶鋼中の微細酸化物分散方法。 - 特許庁

A wire 25 is covered by the Ar gas, with the further outer side covered by the CO_2 gas.例文帳に追加

ワイヤ２５はＡｒガスに覆われ、更にその外側をＣＯ_２ガスに覆われている。 - 特許庁

The Virtual Pointer is one of the first successful examples of useful Augmented Reality. 例文帳に追加

仮想ポインタは,有用な拡張現実感(augmented reality<AR>)の成功例の最初の, ひとつである． - コンピューター用語辞典

The charge transfer segment has an Ar-Het- Ar part (wherein Ar's may be the same or different and are each an aromatic unit; and Het is a heterocyclic aromatic ring).例文帳に追加

前記電荷輸送セグメントは、Ａｒ−Ｈｅｔ−Ａｒ部分を有しＡｒは互いに同一または異なる芳香族単位であり、Ｈｅｔは複素芳香族環である。 - 特許庁

The method is a method for producing an aromatic polyamide having inherent viscosity of 3.0-10 and comprising repeating units each represented by formula (I): -CO-Ar^1-CO-NH-Ar^2-NH (wherein Ar^1 and Ar^2 are each independently a 6-20C divalent aromatic group) and comprises polymerization by mixing in a planetary mixer.例文帳に追加

遊星攪拌機にて攪拌することにより重合せしめることを特徴とする、下記式（Ｉ）−ＣＯ−Ａｒ^１−ＣＯ−ＮＨ−Ａｒ^２−ＮＨ− （Ｉ）（式（Ｉ）において、Ａｒ^１，Ａｒ^２は各々独立に炭素数６〜２０の２価の芳香族基を表す）からなる、特有粘度３．０以上１０以下の芳香族ポリアミドの製造方法。 - 特許庁

When the AR found the shirt was not put into the washing machine completely, it did the task over again. 例文帳に追加

洗濯機にシャツがきちんと入っていないのを見つけ，その作業をやり直した。 - 浜島書店 Catch a Wave

Ar and at least one of Y_1 and Y_2 may join together to form a ring.例文帳に追加

ＡｒとＹ_１及びＹ_２の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。 - 特許庁

An AR model (autoregressive linear prediction model) is formed on each case under normal conditions and anomalous conditions (S3 and S4).例文帳に追加

正常状態、異常状態のそれぞれについてＡＲモデルを立てる（Ｓ３、Ｓ４）。 - 特許庁

In the formula, M+ is a monovalent cation and each Ar is an aromatic group.例文帳に追加

前記式中、Ｍ^+は１価のカチオン、Ａｒはそれぞれ独立に、芳香族基を表す。 - 特許庁

In the formula (II), M^+ is a monovalent cation and each Ar is an aromatic group.例文帳に追加

一般式（II）中、Ｍ^+は１価のカチオン、Ａｒはそれぞれ独立に、芳香族基を表す。 - 特許庁

The ZnO-based electrode layer 1 excludes an Ar component.例文帳に追加

ここで、ＺｎＯ系電極層１は、Ａｒ成分が含まれていないことを特徴とする。 - 特許庁

In the general formula (I), Ar is an aryl group or aromatic group containing a heteroatom.例文帳に追加

一般式（Ｉ）中、Ａｒは、アリール基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。 - 特許庁

The mixture ratio of nitrogen N_2 to argon Ar of sealed gas is 0.1-5%.例文帳に追加

封入ガスのアルゴンＡｒに対する窒素Ｎ_２の混合割合が、0.1％〜５％である。 - 特許庁

Ar^1 indicates a phenyl group having an alkyl group as a substituent.例文帳に追加

（一般式（１）において、Ａｒ^１はアルキル基を置換基として有するフェニル基を示す。） - 特許庁

PURE Ar GAS SHIELDED WELDING MIG FLUX-CORED WIRE AND MIG ARC WELDING METHOD例文帳に追加

純Ａｒシールドガス溶接用ＭＩＧフラックス入りワイヤ及びＭＩＧアーク溶接方法 - 特許庁

In the general formula (I), Ar^1 indicates an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic hetero ring.例文帳に追加

一般式（Ｉ）中、Ａｒ^1は芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表す。 - 特許庁

As the etching gas, the mixing gas having the mixing ratio of CF_4:BCl_3:Ar=7:3:10 is used.例文帳に追加

エッチングガスは、混合比「ＣＦ_４：ＢＣｌ_３：Ａｒ＝７：３：１０」の混合ガスを使用する。 - 特許庁

It is preferable that the second etching gas contains the gas for which the etching gas is diluted by the Ar gas.例文帳に追加

第２エッチングガスは、エッチングガスをＡｒガスで希釈したガスを含むことが好ましい。 - 特許庁

Further, Ar represents a 6 to 13C arylene group which may have a substituent.例文帳に追加

また、Ａｒは、置換基を有していてもよい炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。 - 特許庁

The fine particles in the sensing object space AR are sensed from a change of the error rate.例文帳に追加

この誤り率の変化から、感知対象空間ＡＲの微粒子が感知される。 - 特許庁

High frequency plasma (e.g. inert gas plasma of Ar+) is generated in a sputtering chamber.例文帳に追加

スパッタチャンバにおいて高周波プラズマ（例えばＡｒ+ 等の不活性ガスプラズマ）を発生させる。 - 特許庁

These mixed gases are preferably a mixed gas of Ar gas and Ne gas, a composition molar ratio of the Ar gas and the Ne gas is set within a range of Ar:Ne=5:5 to 1:9, and preferably the composition molar ratio of the Ar gas and the Ne gas is set to be Ar:Ne=7:3.例文帳に追加

この混合ガスはＡｒガスとＮｅガスの混合ガスとすればよく、前記ＡｒガスとＮｅガスの組成モル比をＡｒ：Ｎｅ＝５：５〜１：９の範囲に設定し、望ましくは前記ＡｒガスとＮｅガスの組成モル比をＡｒ：Ｎｅ＝７：３に設定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a protective panel for the display window of an electronic instrument, capable of stably molding an AR layer and capable of suppressing flash of foil or strain.例文帳に追加

本発明は、安定してAR層を成形することができ、さらにハクバリやひずみをおさえることができる電子機器表示窓の保護パネルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The air intrusion into the molten steel 2 passing through the immersion refractory 8 of the immersion tube 7, is hindered with the Ar gas, and thus the low nitrogen steel can easily be produced by using the RH-degassing apparatus.例文帳に追加

浸漬管７の浸漬き耐火物８を経路として溶鋼２中に侵入する空気が、Arガスによって阻止され、ＲＨ脱ガスによる低窒素鋼の製造を容易とする。 - 特許庁

A part wherein a leak of the outside gas is generated in evacuation is covered with an Ar gas flow from the outside of the container to make the Ar gas leak in place of the atmospheric air.例文帳に追加

真空排気時に外部気体のリークが生じる箇所を容器外部からＡｒガス流で覆うことにより、大気の代わりにＡｒガスをリークさせるようにした真空容器。 - 特許庁

The method for producing the aryl-substituted cyclic tetrasiloxane halide involves subjecting an aryl-substituted cyclic tetrasiloxane represented by the general formula: (Si(Ar)RO)_4 (wherein, Ar is an aryl group; and R is an alkyl group) to a de-aryl halogenation reaction.例文帳に追加

即ち、一般式 （Ｓｉ（Ａｒ）ＲＯ）_４ （式中、Ａｒはアリール基を表し、Ｒはアルキル基を表す。）で表されるアリール置換環状テトラシロキサンを脱アリールハロゲン化する。 - 特許庁

In an embodiment, a plasma is generated from a gas mixture containing about 100 to about 250 sccm of argon(Ar), about 100 to about 500 sccm of nitrogen(N2) and about 10 to about 80 sccm of silane(SiH4), thereby depositing silicon nitride.例文帳に追加

１つの実施態様では、約100〜約250 sccmのアルゴン（Ar）、約100〜約500 sccmの窒素（N_2）、および約10〜約80 sccmのシラン（SiH_4）を含むガス混合物からプラズマを形成することにより窒化珪素を堆積する。 - 特許庁

In the formula, Ar^1 and Ar^2 are each an aryl group or the like; R^1 is a 2C or higher alkyl group; R^2-R^6 are each a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or the like; m is 0-4; n is 1-5; and m<n.例文帳に追加

［化１］Ａｒ^1、Ａｒ^2はアリール基等、Ｒ^1は炭素数２以上のアルキル基、Ｒ^2〜Ｒ^6は、水素原子、アルキル基、アリール基等、ｍは０〜４、ｎは１〜５、ｍ＜ｎ。 - 特許庁

A gas cooling device 30 is arranged midway in a gas feeding pipe 18 between an Ar gas cylinder 17 and a workpiece holder 20 and cools the Ar gas to a temperature of -50 to -60°C.例文帳に追加

Ａｒガスボンベ１７とワーク保持治具２０の間のガス供給管１８の途中にガス冷却装置３０を配置し、Ａｒガスをそこで−５０〜−６０℃の温度に冷却する。 - 特許庁

The manual and general text domain macros are special in that most of them are parsed for callable macros for example: -tag -width "Fl s Ar filex" -offset indent 例文帳に追加

マニュアルドメインマクロと一般テキストドメインマクロとが他と異なっているのは、呼びだし可能マクロ (callable macro) の内部では、そのほとんどがパーズされるという点である。 例えば以下のように変換される:-tag -width "Fl s Ar filex" -offset indent - JM

The organoaluminum compound is a tertiary organoaluminum compound containing a chemical structure represented by the general formula: Al-O-Ar (wherein Ar is an aromatic ring) in the molecule.例文帳に追加

ここで、特定の有機アルミニウム化合物とは、一般式：Ａｌ−Ｏ−Ａｒ（Ａｒは芳香族環）で示される化学構造を分子中に含む三級有機アルミニウム化合物である。 - 特許庁

Active regions AR are selectively formed on one surface of a stainless steel substrate 1, and a trench gate 7 is provided, so as to fill up a gap between the active regions AR.例文帳に追加

ステンレス鋼基板１の一方の主面上に選択的に複数の能動領域ＡＲが配設され、複数の能動領域ＡＲの間を埋めるようにトレンチゲート７が配設されている。 - 特許庁

The transparent gel layer 23 consists of a transparent gel material such as a silicone rubber and is handled integrally with the AR film 24 in the state of being applied to the surface of the AR film 24.例文帳に追加

透明ゲル層２３は、例えばシリコンゴム等の透明ゲル状物質であり、ＡＲフィルム２４の表面に塗付された状態で、ＡＲフィルム２４と一体的に取扱われる。 - 特許庁

In the formula (I), each of Ar^1-Ar^4 represents an aromatic group, and each of R^1-R^4 represents a group selected from a halogen, alkyl, alkoxyl, and alkylthio groups.例文帳に追加

（式中、Ａｒ^１〜Ａｒ^４はそれぞれ芳香族基を表わす。Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基もしくはアルキルチオ基から選択される基を表わす。） - 特許庁

A RAM circuit 42 writes the data E generated by the circuit 40 in accordance with the signal AW and reads as display data H in accordance with the signal AR.例文帳に追加

RAM 回路42は、直交変換回路40で作成された直交変換データE を書き込みアドレス信号AWに従って書き込み、読み出しアドレス信号ARに従って表示データH として読み出す。 - 特許庁

Space evaluation points are set as indicators showing the effectiveness as "spaces" in respective areas AR set in a pitch based on reach time from respective characters to the areas AR.例文帳に追加

ピッチに設定された各領域ＡＲに、各キャラクタから該領域ＡＲまでの到達時間に基づいて、「スペース」としての有効性を示す指標値としてスペース評価ポイントを設定する。 - 特許庁

A stepped part (101) opened opposing a cut line (9) is formed by a wide heat-seal part (6a) below the cut line (9), and a bend is pulled toward a first area (Ar(1)) in a vicinity of the stepped part (101).例文帳に追加

カットライン(9)よりも下方の幅広ヒートシール部(6a)によって、カットライン(9)に臨んで開放した段部(101)が形成され、この段部(101)の近傍の第１領域(Ar(1))に屈曲が引き寄せられる。 - 特許庁

At that time, if the AR marker in the real image is a signboard or a mark for emergency, warning or the like, the AR object is transparently displayed, and a real image corresponding to the AR object is copied to be superposedly displayed on the forefront face of the real image.例文帳に追加

このとき、現実画像中におけるＡＲマーカが、緊急用や警告などを示す看板や標識である場合等には、ＡＲオブジェクトを透明表示するとともに、ＡＲオブジェクトに対応する現実画像をコピーして、現実画像の最前面に重畳表示する。 - 特許庁

A magnetic layer 3 is formed by introducing Ar and Kr gases in a process chamber and performing sputtering so as to increase the ratio of Ar gas flow against Kr gas flow (Ar gas flow/Kr gas flow) according to the increase of the integrated power of the target.例文帳に追加

ターゲットの積算電力の増加に応じてＫｒガス流量に対するＡｒガス流量の比（Ａｒガス流量／Ｋｒガス流量）が増加するようにして、ＡｒおよびＫｒガスをプロセスチャンバ内に導入してスパッタリングを行うことにより磁性層３を形成する。 - 特許庁

The resin composition comprises an epoxy compound represented by formula (1) [wherein Ar^1, Ar^2, and Ar^3 are the same or different and each a cyclohexene ring, a cyclohexadiene ring or a benzene ring (each may have an 1-8C alkyl group)] and a bisphenol type epoxy compound.例文帳に追加

式（１）（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３はそれぞれ同一又は相異なって、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、ベンゼン環（それぞれ炭素数１〜８のアルキルを有するも可））で示されるエポキシ化合物と、ビスフェノール型エポキシ化合物とが含有されていることを特徴とする樹脂組成物。 - 特許庁

The optical element holding part 5 has two inflow parts 54A, 54B through which the cooling fluid discharged from the discharge means flows into the space Ar, and outflow parts 55A, 55B through which the cooling fluid in the space Ar flows to the outside of the space Ar.例文帳に追加

光学素子保持部５には、吐出手段から吐出された冷却流体を空間Ａｒに流入させる２つの流入部５４Ａ，５４Ｂと、空間Ａｒ内部の冷却流体を空間Ａｒ外部に流出させる流出部５５Ａ，５５Ｂとが設けられている。 - 特許庁

A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３に接する第１のゲート電極膜４をＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第１のゲート電極膜４上の第２のゲート電極膜５をＡｒガス又はＡｒにＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを５０％以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。 - 特許庁

In the method for producing an aromatic nitrile of formula (1): Ar-CN (wherein Ar is a substituted or nonsubstituted aromatic ring), an aromatic compound of formula (2): Ar-CH_2-X (wherein Ar is a substituted or nonsubstituted aromatic ring and X is any of chlorine, bromine, and iodine) is reacted with ammonia water and simple substance iodine.例文帳に追加

一般式（１）：Ａｒ−ＣＮ （１）（式（１）中、Ａｒは、置換もしくは非置換の芳香環を表す）の芳香族ニトリルの製造方法において、一般式（２）：Ａｒ−ＣＨ_２−Ｘ （２）（式（２）中、Ａｒは、置換もしくは非置換の芳香環を表し、Ｘは、塩素、臭素又はヨウ素の何れかを表す）の芳香族化合物を、アンモニア水及び単体ヨウ素と反応させる。 - 特許庁

Expressions D12 and D22 of Mahalanobis distance are obtained on the basis of the AR models (S6 and S7).例文帳に追加

ＡＲモデルをもとに、それぞれマハラノビスの距離の式Ｄ１^2、Ｄ２^2を求める（Ｓ６、Ｓ７）。 - 特許庁

Before completing the blowing, a deoxidizing agent is preferably added at 0.1 kg/ton of molten metal in terms of Al.例文帳に追加

Arの吹き込み終了以前に脱酸剤を溶湯１ｔ当たり、Alで0.1kg／ｔ以下添加とするとよい。 - 特許庁