「ashing」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

PLASMA ASHING PROCESS FOR INCREASING PHOTORESIST REMOVAL RATE例文帳に追加

フォトレジストの除去速度を増加するプラズマアッシング方法 - 特許庁

To shorten the ashing time of an ion implanted resist and make the ashing efficient, by a new lift pin of a wafer stage.例文帳に追加

ウェーハステージの新規なリフトピン動作により、イオン注入レジストのアッシング時間を短縮、効率化できる。 - 特許庁

RESIST ASHING METHOD AFTER ETCHING WITH ORGANIC INTERLAYER INSULATING FILM例文帳に追加

有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法 - 特許庁

To provide a parallel/flat type dry ashing apparatus wherein the in-plane uniformity of ashing effect relative to a wafer is satisfactory.例文帳に追加

ウエハに対するアッシング効果の面内均一性が良好な平行平板型ドライアッシング装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the residues are removed by oxygen plasma ashing next.例文帳に追加

そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。 - 特許庁

An ashing chamber 11 includes gas supply systems 12 for O_2, N_2 and H_2O, respectively, related to an ashing process.例文帳に追加

アッシングチャンバ１１においてアッシング処理に関係するＯ_２、Ｎ_２、Ｈ_２Ｏそれぞれのガス供給系１２が設けられている。 - 特許庁

To provide an batch ashing device which can reduce temperature variation on wafer plane, which is essential to make ashing speed constant.例文帳に追加

アッシング速度の均一化の要因であるウエハ面内の温度ばらつきを低減できるバッチ式アッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma ashing which can improve the efficiency of a plasma ashing process.例文帳に追加

プラズマアッシング処理の効率を向上させることのできるプラズマアッシング方法及びそのプラズマアッシング装置を提供する。 - 特許庁

HYDROGEN ASHING IMPROVED BY WATER VAPOR AND DILUTION GAS例文帳に追加

水蒸気及び希釈ガスにより改善された水素アッシング - 特許庁

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁

ASHING TREATMENT APPARATUS AND ASSEMBLING METHOD OF PART IN APPARATUS例文帳に追加

アッシング処理装置及び該処理装置用部品の製作方法 - 特許庁

Consequently, the residue is removed by oxygen plasma ashing in the next place.例文帳に追加

そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。 - 特許庁

ASHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

アッシング方法とそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

TREATING SOLUTION COMPOSITION AFTER ASHING AND TREATMENT METHOD USING SAME例文帳に追加

アッシング後の処理液組成物およびこれを用いた処理方法 - 特許庁

When ashing of the resist 301 is performed, lower RF electric power is used, so that generation of "burnt deposits" of the resist 301 is prevented, and ashing is performed.例文帳に追加

レジスト３０１の灰化時には低めのＲＦ電力を用いることで、レジスト３０１の「焦げ」の発生を防いで灰化する。 - 特許庁

To improve an ashing speed in a damascene working procedure without oxidizing a copper wire in the ashing of resist.例文帳に追加

ダマシン加工工程において、レジストのアッシング時に銅配線を酸化させること無く、アッシング速度を向上することを目的とする。 - 特許庁

DRY PROCESSING DEVICE SUCH AS ETCHING DEVICE AND ASHING DEVICE例文帳に追加

エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 - 特許庁

PORTABLE TOILET FOR URINATION (EXCLUSIVELY FOR URINATION) HAVING EVAPORATING/ASHING APPARATUS例文帳に追加

移動式蒸発、灰化装置をもつ小用（排尿専用）便器 - 特許庁

Thus, it is possible to realize the ashing of a resist at a high ashing rate while suppressing film damage even in a device using a low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜を用いたデバイスにおいても、膜ダメージを抑制した高いアッシングレートでのレジストのアッシングが実現できる。 - 特許庁

Additionally, the plasma ashing treatment is performed in a separate treatment chamber.例文帳に追加

また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 - 特許庁

METHOD OF WASHING DECK GLASS WITH SPACER AND BARREL TYPE ASHING DEVICE例文帳に追加

スペーサ付カバーガラスの洗浄方法及びバレル型アッシング装置 - 特許庁

ASHING APPARATUS/METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

アッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

First and second plasma ashing devices 1, 2 supply microwaves oscillated from the microwave oscillator 25 to other ashing devices by performing switching control of a distributor 26 when its own ashing device is under pause and other ashing devices are under treatment.例文帳に追加

第１及び第２プラズマアッシング装置１，２は、それぞれマイクロ波発振器２５から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、分配器２６を切換制御して、他のアッシング装置に供給するようにした。 - 特許庁

To provide an ashing method wherein, even if Ru is used for the electrode material of a semiconductor device, Ru is not adversely affected during ashing, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device using the ashing method.例文帳に追加

半導体装置の電極材料にＲｕを用いても、アッシングの際にＲｕが悪影響を受けないアッシング方法とそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In order to make the ashing rate constant, the reduction is indirectly monitored on the number of oxygen atoms in the ashing gas inside a process chamber 101, and the ashing gas is fed in volume equivalent to the reduced number of the oxygen atom.例文帳に追加

アッシングレートを一定にするために、プロセスチャンバ１０１内のアッシングガス中の酸素原子の数の減少を間接的にモニタして、減少した酸素原子の数に相当するアッシングガスを供給する。 - 特許庁

To provide an ashing method capable of suppressing a popping phenomenon, to provide an ashing apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ポッピング現象を抑制することができるアッシング方法、アッシング装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Subsequently suitable heating, ashing, etching or additional developing are carried out.例文帳に追加

その後、適度の加熱、アッシング、エッチングもしくは追加現像を行う。 - 特許庁

ASHING DEVICE, CLEANING METHOD THEREOF AND CONTROLLING METHOD THEREFOR例文帳に追加

アッシング装置のクリーニング方法、アッシング装置およびその制御方法 - 特許庁

ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE ASHING DEVICE FOR TREATING GLASS SUBSTRATE OR WAFER例文帳に追加

ガラス基板またはウエハー処理用電子サイクロトロン共鳴アッシング装置 - 特許庁

In addition, the substrate conveyance robot CR conveys to a cooling plate CP the substrate W to which specified ashing is applied in the ashing part ASH.例文帳に追加

また、基板搬送ロボットＣＲは、アッシング部ＡＳＨで所定のアッシング処理を施された基板Ｗをクーリングプレート部ＣＰに搬送する。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY OF ASH RATE IN PHOTORESIST-ASHING PROCESS DEVICE例文帳に追加

ホトレジスト灰化処理装置での灰レート均一性を改良する方法 - 特許庁

METHOD FOR ASHING ORGANOSILICON FILM AND PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

シリコン有機膜のアッシング処理方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

The ashing device and the ashing method are characterized in that a pulse or rectangular wave modulated high-frequency power is supplied into a discharge space, and ashing treatment is performed on the surface of the substrate with a reaction gas introduced into the discharge space.例文帳に追加

放電空間にパルスもしくは矩形波変調された高周波電力が供給され、前記放電空間に導入した反応ガスにより基体の表面にアッシング処理をすることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, an ashing condition suppressing the growth of the foreign matter becomes possible.例文帳に追加

これにより、異物の成長を抑えるアッシング条件が可能になる。 - 特許庁

To suppress the change of a relative permittivity by ashing in a low permittivity film.例文帳に追加

アッシングによる低誘電率膜の比誘電率の変化を抑制する。 - 特許庁

Then the resist mask 26 is removed by full-ashing in an oxygen plasma process.例文帳に追加

次に、レジストマスク２６を酸素プラズマ処理によるフルアッシングにより除去する。 - 特許庁

Then, a process gas for ashing is brought into contact with the resist layer 93 by being expelled through a discharge space 13 at near atmospheric pressure (atmospheric pressure remote plasma ashing process).例文帳に追加

次に、アッシング用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間１３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマアッシング工程）。 - 特許庁

When a material, for example SOG, having strong resistance to the O_2 ashing is used as the intermediate layer, adherence properties with the electrode are not reduced so much due to the O_2 ashing.例文帳に追加

Ｏ_２アッシング耐性の強い材料（例えば、ＳＯＧ）を中間層に使用すれば、Ｏ_２アッシングによって電極との付着性はそれほど低下しない。 - 特許庁

To make it possible to decrease the variations in ashing rates in a resist ashing treatment of a batch type in a production process for semiconductor products.例文帳に追加

半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジストアッシング処理において、アッシングレートのばらつきを低減させることが可能なアッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a simple and practical means by which to decrease resist residue and shorten the ashing time in the ashing process for removing photoresist.例文帳に追加

フォトレジストを除去するアッシング工程において、レジスト残渣を低減し、アッシング時間を短縮することのできる簡便かつ実用的な手段を提供する。 - 特許庁

To provide the new ashing device and method of a semiconductor wafer for surely suppressing the residual peeling of a resist film, and for economically carrying out ashing processing.例文帳に追加

レジスト膜の剥離残りを確実に抑制し、かつ経済的にアッシング処理を行える新規な半導体ウェハのアッシング装置及びアッシング方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a high ashing rate while suppressing film damages at the time of ashing a resist used at the time of etching a low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜をエッチングする際に用いたレジストをアッシングする際の膜ダメージを抑制する一方で高いアッシングレートを得る方法を提供する。 - 特許庁

After that, the resist pattern is removed by using a resist stripper or oxygen plasma ashing.例文帳に追加

その後、レジストパターンを剥離液又は酸素プラズマアッシングにより除去する。 - 特許庁

At this point, the plasma ashing treatment is made so that temperature on the main surface of a wafer becomes relatively low in the ashing removal treatment of a photoresist pattern 17a or the like, and the plasma ashing treatment is carried out so that the temperature on the main surface of the wafer becomes relatively high in the removal treatment of the chlorine constituent.例文帳に追加

この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。 - 特許庁

The ashing apparatus is provided with an ashing processing chamber 1 for ashing, and a conveyance chamber 2 connected with the ashing chamber 1 through a gas cutoff mechanism 3, and it is also provided with a substrate cooling mechanism wherein the ashed substrate 6 is cooled at 130°C or lower without being exposed in an atmosphere, while the following substrate to be processed is being ashed.例文帳に追加

アッシング処理を行うアッシング処理室１とアッシング処理室１にガス遮断機構３を介して連結する搬送室２とを備えるとともに、アッシング処理後の被処理基板６を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を備える。 - 特許庁