「block erase」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When trying to erase the next block in response to the current recording destination block becoming full (step 150), the device determines whether the erase failed or not (step 160), determines that the next block is broken based on the determination that the erase failed, and excludes the next block from target blocks (step 175).例文帳に追加

現在の記録先のブロックが満杯状態になって次のブロックの消去を試みたときに（ステップ１５０）、消去が失敗したか否かを判定し（ステップ１６０）、消去に失敗したと判定したことに基づいて、次のブロックが故障したと判定し、使用対象から除外する（ステップ１７５）。 - 特許庁

When the result of the over-program verify read shows Pass, the sub-block erase operation is repeated (S2).例文帳に追加

オーバープログラムベリファイリードの結果がパスであれば、サブブロック消去動作を繰り返す（Ｓ２）。 - 特許庁

ELECTRONIC APPARATUS, METHOD FOR CALCULATING SIZE OF ERASE BLOCK IN RECORDING MEDIUM, AND PROGRAM THEREFOR例文帳に追加

電子機器、及び記録媒体が有するイレースブロックのサイズを算出する方法及びそのプログラム - 特許庁

The flash memory device includes a plurality of memory cell blocks including memory cells 310 connected to a plurality of word lines, and an operating voltage generating section 330 for applying an erase operation voltage to a memory cell block selected for an erase operation, and changing the level of the erase operation voltage according to the result of the erase operation.例文帳に追加

複数のワードラインに接続されたメモリセル３１０含む複数のメモリセルブロックを有し、消去動作時に選択されたメモリセルブロックに消去動作電圧を印加し、その消去動作の結果に応じて消去動作電圧のレベルを変更する動作電圧生成部３３０を有する。 - 特許庁

When the sub-block erase is not been completed, an over-program verify read (S6) is carried out to decide whether the Fail resulting from the sub-block erase verify is caused by the unerased state or the existence of an over program cell.例文帳に追加

サブブロック消去が未完了であれば、オーバープログラムベリファイリード（Ｓ６）を行い、サブブロック消去ベリファイ結果がＦａｉｌになった原因が、未消去かオーバープログラムセルの存在かを判定する。 - 特許庁

An automatic erasure sequence control circuit 254 in an automatic erasure sequencer 208 for controlling an erasure operation of a memory block of the nonvolatile semiconductor memory controls a prior-to-erase write control circuit 256 and an erase/erase verification control circuit 257 at the time of an erase operation and sets a status that automatic erase is now being performed in a status register 207.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリのメモリブロックの消去動作を制御する自動消去シーケンサ２０８内の自動消去シーケンス制御回路２５４は、消去動作時には消去前書き込み制御回路２５６および消去／消去ベリファイ制御回路２５７を制御するとともに、自動消去実行中であることをステータスレジスタ２０７に設定する。 - 特許庁

The clean block pointer (1-4a) stores an erase block address and a write enable pointer.例文帳に追加

このクリーンブロックポインタ（１−４ａ）は、イレースブロックアドレスとライトイネーブルポインタとを格納する。 - 特許庁

Data is written in a partial physical block unit, and erase blocks are secured in a physical block unit, so that the write speed is increased.例文帳に追加

部分物理ブロック単位でデータを書き込み、物理ブロック単位で消去ブロックを確保することにより書き込みの高速化を図ることができる。 - 特許庁

The data erase command 30 to a specific block area "G" is encrypted and stored in a block area "A".例文帳に追加

特定のブロック領域“Ｇ”に対するデータ消去コマンド３０が暗号化されてブロック領域“Ａ”に格納されている。 - 特許庁

When a write-in error is caused during writing of a data block, an erase-pattern of the prescribed standard length setting interval of blocks is set to block length of a data block in which a write-in error is caused, after the erase-pattern is written, the data block is written again.例文帳に追加

データブロックの書き込み中に書込エラーが発生した場合、ブロックの空き間隔を設定する所定規格長のイレーズパターンを書込エラーを起こしたデータブロックのブロック長に設定してイレーズパターンを書き込んだ後に、データブロックを再度書き込む。 - 特許庁

The block indicated by a table K of a logical-physical conversion table is updated from a block L to the block M (step S3), and the physical block L is registered in an erase waiting block list (step S4).例文帳に追加

その後、論理物理変換テーブルのテーブルＫの指すブロックをＬからＭに更新（ステップＳ３）して、物理ブロックＬを消去待ちブロックリストに登録する（ステップＳ４）という処理を行う。 - 特許庁

A controller is configured: to write data into the plurality of blocks; to designate erasure priority, which correlates with the erasure priority of the data, to each block; and when receiving an emergency erase command, to immediately erase the data in each block according to the erasure priority of each block.例文帳に追加

コントローラは、複数のブロック内へデータを書き込むよう、各ブロックへ、データの消去優先度と相互に関連する消去優先度を指定するよう、そして緊急消去コマンドを受信すると即座に、各ブロックの消去優先度に従って各ブロック内のデータを消去するよう構成される。 - 特許庁

When data of a memory block is erased, operation S3 in which an erase pulse is applied en bloc to the memory block and operation S6 in which the erase pulse is applied en bloc to a limited one part of region of the memory block are used jointly.例文帳に追加

メモリブロックのデータを消去する際に、メモリブロックに対して一括して消去パルスを印加する動作Ｓ３と、メモリブロックの一部の領域に限定して一括して消去パルスを印加する動作Ｓ６とを併用する。 - 特許庁

A verification operation after the data erase operation is performed regarding an erased block after erase blocks are retrieved simultaneously in parallel regarding the left cell array 1L and the right cell array 1R.例文帳に追加

データ消去後のベリファイ動作は、左右セルアレイ１Ｌ，１Ｒについて同時並行的に消去ブロックの検索を行って、消去されたブロックについて行われる。 - 特許庁

To provide an EEPROM which shortens the time required for the retrieval of a selection block used for a verification operation after a data erase operation and which shortens the time required for the data erase operation as a whole.例文帳に追加

データ消去後のベリファイ動作のための選択ブロック検索に要する時間を短縮し、もって全体のデータ消去に要する時間を短縮することを可能としたＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁

To optimize easily page size and block size with which write, read, and erase of a semiconductor memory are performed simultaneously.例文帳に追加

半導体記憶装置の書き込み、読み出し、及び消去を同時に行うページサイズ、ブロックサイズを、用途に応じて容易に最適化可能とする。 - 特許庁

The controller 21 decodes the erase command 30 and performs data erasure processing to the block area "G".例文帳に追加

コントローラ２１は、消去コマンド３０を復号し、ブロック領域“Ｇ”に対するデータ消去処理を実行する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device preventing an erroneous erase operation of data held by a memory cell in a non-selective block.例文帳に追加

非選択ブロックにおいて、メモリセルに保持されたデータの誤った消去動作を防ぐことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND-type flash memory device having multi-page program operation, multi-page read operation, and multi-block erase operation.例文帳に追加

マルチページプログラム動作、マルチページ読み取り動作、及び、マルチブロック消去動作を有するＮＡＮＤフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Each block ease flag is a flag holding whether the memory block corresponding thereto is in an erasable or writable state and a boot block erase control circuit 12 allows the block including the boot area of the single-chip microcomputer 1 to be erased only when the memory blocks which does not include the boot area are all in the erase state.例文帳に追加

ブロック消去フラグは、それに対応するメモリブロックが消去状態であるか書き込み状態であるかを保持するフラグであり、シングルチップマイコン１のブート領域を含まないメモリブロックがすべて消去状態であるときにのみブート領域を含むブロックの消去を許可するブートブロック消去制御回路１２を備える。 - 特許庁

When the error position of the physical block is acquired, the calculation is made that in which logical block of the physical block the error is detected, then the logical block prior to the failed logical block and the logical block subsequent to the failed logical block are respectively connected again as the physical block, and the Erase Gap is inserted to execute the write-in again to the magnetic tape 31.例文帳に追加

物理ブロックのエラー位置を取得すると、物理ブロックのどの論理ブロックでエラーを検出したか計算し、エラーした論理ブロックより前までの論理ブロックとエラーした論理ブロック以降の論理ブロックを物理ブロックとしてそれぞれ再連結を行い、イレーズギャップを挿入し再度磁気テープ３１に書き込みを行う。 - 特許庁

When write-in erasing the number of times is increased and a memory cell block in which erase is insufficient for the initial value Vera0 occurs; thereafter, erase start voltage Verast is updated not to Vera0 but to a higher voltage (Vera0+nΔV:(n) is natural number) than this.例文帳に追加

書き込み／消去回数が増加して、初期値Ｖｅｒａ０では消去不十分なメモリセルブロックが発生した場合には、その後所定のタイミングで、消去開始電圧ＶｅｒａｓｔをＶｅｒａ０でなく、これよりも大きい電圧（Ｖｅｒａ０＋ｎ・ΔＶ、ただしｎは自然数）に更新する。 - 特許庁

To solve the problem in a magnetic tape device, such that the data capacity writable into the magnetic tape is remarkably reduced and a lot of time is required to complete the write-in to the magnetic tape in the case plural Erase Gaps are written when the writing operation of one physical block is retried.例文帳に追加

磁気テープ装置で、１つの物理ブロックの書き込み動作のリトライ時に、複数のErase Gapを書き込んだ場合、磁気テープに書き込みできるデータ容量を非常に多く減少させ、磁気テープに書き込みを完了する時間が大幅にかかる。 - 特許庁

Then, if a response time of a corresponding sector is equal to or more than a threshold, the apparatus determines that the plurality of erase blocks are accessed, and calculates a size of an erase block of the recording medium on the basis of the number of sectors from the corresponding sector to the head sector.例文帳に追加

そして当該応答時間が閾値以上である場合に複数のイレースブロックへのアクセスが行われたと判断して、当該セクタから先頭セクタまでのセクタ数に基づき、セクタ数を記録媒体のイレースブロックのサイズを算出する。 - 特許庁

It is equipped with a core selection means for selection of arbitrary number of cores to perform data writing/erasing, performs writing data to a selected memory cell in a selected core based on a write command, and performs data erase of the selected block in the selected core based on an erase command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

An erase function (14) is activated for a given data sample block (17) when the number of saturated data samples that are detected within the block exceeds a threshold value.例文帳に追加

ブロック（１７）内で検出された飽和データサンプルの数が閾値を超える場合、消去機能（１４）が所与のデータサンプルブロックに対してアクティブにされる。 - 特許庁

Batch write in is carried out for each block of a memory cell array which is to be erased (S11), and thereafter soft erase is carried out for each block with a predetermined voltage as a start voltage (S12).例文帳に追加

処理Ｓ11のように消去するメモリセルアレイの各ブロック毎に一括書き込みをし、その後、Ｓ12のように、所定電圧をスタート電圧とし各ブロック毎にソフト消去して行く。 - 特許庁

At that time, the address of the block B is automatically generated with internal logic, and on completion of the write operation, data in the block A being a copy source are automatically erased without receiving an erase command from an outside.例文帳に追加

この時、ブロックＢのアドレスは内部ロジックで自動生成する、また、この書き込み動作が完了すると、外部からの消去コマンドを受領しなくても、自動的に複写元であるブロックＡのデータは消去される。 - 特許庁

The CPU 12 also erase, when a block all clusters of which are zero-cleared is present in reference to the status information, all data in the block concerned.例文帳に追加

ＣＰＵ１２は、また、ステータス情報を参照し、全クラスタがゼロクリア済みになったブロックがある場合は、そのブロック内の全データの消去を行う。 - 特許庁

Since the reset means 136 is composed of two nMOS transistors, a defective block information and the selection block information of a multi-block erase can be alternately held in accordance with the operation without increasing complexity of the circuit constitution or a chip size.例文帳に追加

リセット手段１３６は、二つのｎＭＯＳトランジスタで構成されるので、回路構成の複雑化やチップサイズの増大をもたらすことなく、不良ブロック情報とマルチブロック消去の選択ブロック情報を、動作に応じて交互に保持させることができる。 - 特許庁

The failure block detection circuit 10 is activated in the initial stage of test control sequence when batch write test is performed in units of batch erase or write for unit erase of the memory cell array 1 and a control circuit 7 controls interruption of drive voltage supply to a failure memory cell based on the output from the failure block detection circuit 10 in the test sequence thereof.例文帳に追加

不良ブロック検出回路１０は、メモリセルアレイ１の消去単位での一括消去又は書き込み単位での一括書き込みのテストを行う際にそのテスト制御シーケンスの初期に活性化され、制御回路７はそのテストシーケンスにおいて、不良ブロック検出回路１０の検出出力に基づいて不良メモリセルへの駆動電圧供給の停止を制御する。 - 特許庁

The method of controlling a memory system 1 including a non-volatile memory 10 having a plurality of blocks as a unit of data erasure includes steps of: measuring erase time when data is erased for each block; and writing at least data to be supplied from the outside into a first block that is empty and has the oldest erase time.例文帳に追加

データ消去の単位であるブロックを複数個有する不揮発性メモリ１０を含むメモリシステム１の制御方法であって、各ブロックのデータが消去された消去時期を計測する工程と、少なくとも外部から供給されるデータを、空き状態でありかつ消去時期が最も古い第１のブロックに書き込む工程とを含む。 - 特許庁

When a drive controller 7 performs the writing of data by dividing the track of an optical disk 1 into plural packets, the controller writes erase blocks of a prescribed number continuously with the final block of the final packet in which data are written and it recognizes a packet in which next blocks of the final block of the disk 1 are erase blocks of the prescribed number as the final packet of the track.例文帳に追加

ドライブコントローラ７は、光ディスク１のトラックを複数のパケットに分割してデータを書き込むとき、データを書き込んだ最終パケットの最終ブロックに続けて所定数の消去ブロックを書き込み、光ディスク１の最終ブロックの次ブロックが所定数の消去ブロックであるパケットをトラックの最終パケットと認識する。 - 特許庁

An erasing sequence detection part 22 outputs a detection signal, when address data in the input signal and erase command to the block specified by the address data are continued.例文帳に追加

消去シーケンス検出部２２は、入力信号中のアドレスデータとアドレスデータにより特定されるブロックに対する消去コマンドとが連続した際に検出信号を出力する。 - 特許庁

To provide a memory apparatus in which suppressing operation of electron injection using a block oxide film is improved as compared with the conventional art, and a data erasure speed is improved and a data erase operation is securely performed.例文帳に追加

従来に比べてブロック酸化膜の電子注入の抑制作用を向上させることができ、データ消去速度の向上とデータ消去動作の確実性の向上を図ることのできるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To erase files at high speed sequentially by reducing an overhead used when overwrite-erasing the files for the unit of a block by utilizing a file system.例文帳に追加

ファイルシステムを利用してファイルをブロック単位で上書き消去する際のオーバーヘッドを減少させて、高速に逐次消去できるようにする。 - 特許庁

To provide a memory system having longer life or higher reliability of the whole system as compared with conventional practice by taking account of a variance in consistency of write and erase frequency between lot, individual, chip, block, etc.例文帳に追加

ロット・個体・チップ・ブロック間などの書き込み・消去回数の耐性のばらつきを考慮して、従来に比べてシステム全体の寿命が長い、或いは信頼性の高いメモリシステムを提供すること。 - 特許庁

Using a large size BSZ1 set by a block size setting unit 5, a data shredder 3 writes shredding data to a storage area of a disk drive 2, so as to erase data stored therein.例文帳に追加

データシュレッダ３は、ブロックサイズ設定部５により設定される大きいサイズBSZ１を用いて、ディスクドライブ２の記憶領域にシュレッディングデータを書込み、そこに記憶されているデータを消去する。 - 特許庁

To provide methods of designing and producing memory cells with source side erase equipped with an acute edge facing to a block of conductive material of a source line.例文帳に追加

ソース線の導電材料のブロックに面する鋭角縁部を備えたソース側消去メモリセルの設計及びその形成方法を提供すること - 特許庁

Whenever a data state is changed in the data write/erase process of the flash memory section 11, the data state/block state of the section 12 are successively changed.例文帳に追加

フラッシュメモリ部１１のデータ書き込み／消去処理においてデータ状態が変化する毎に、ブロック状態保持部１２のデータ状態／ブロック状態を順次変化させる。 - 特許庁

A memory management device is constructed of a limited memory allowed to erase and rewrite the data only by a block unit and a free memory consisting of a data maintaining area allowed to process the data freely.例文帳に追加

メモリ管理装置は、ブロック単位でしかデータの消去や書換えを行うことができない制限メモリと、データを自由に加工することができるデータ保持領域からなる自由メモリとで構成される。 - 特許庁

Then, the write/read/erase control unit of the controller 2 refers to a selected bit value set by an MPU to write data in a selected optional block.例文帳に追加

続いて、コントローラ２の書き込み／読み込み／消去制御部は、ＭＰＵが設定した選択ビット値を参照して選択された任意のブロックにデータの書き込みを行う。 - 特許庁

Then, file configuration information is updated, file information on a file 1 is erased (invalidated), and blocks included therein so far are inserted into the erase block list, in the order of file IDs.例文帳に追加

次にファイル構成情報を更新、ファイル１のファイル情報を消去（無効化）し、それまで含まれていたブロックをイレースブロックリストにファイルＩＤの順に挿入する。 - 特許庁

When DC erase processing is started, a system controller 111 controls each part of an optical head part 116, or the like, so as to write a predetermined pattern in a processing target RUB (recording unit block) with predetermined peak power in step S131.例文帳に追加

DCイレース処理を開始すると、システムコントローラ１１１は、ステップＳ１３１において、光学ヘッド部１１６等の各部を制御して、処理対象RUBに所定のパターンを所定のピークパワーで書き込み（ライト）させる。 - 特許庁

In a step, whether an old file exists is determined (S113); if there is one, an old file configuration block is released and is added to an erase block list (S114); and the old file is deleted (S115) from the file configuration information to finish the writing.例文帳に追加

ステップにおいて、旧ファイルが存在するか否かを判定（Ｓ１１３）し、存在すれば旧ファイル構成ブロックを解放、イレーズブロックリストに追加し（Ｓ１１４）、ファイル構成情報から旧ファイルを削除（Ｓ１１５）して、書き込みを終了する。 - 特許庁