「c layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A layer containing a semiconductor layer is formed on a substrate with a coefficient of thermal expansion of more than 6×10^-7/°C and no more than 38×10^-7/°C, and then the layer is heated.例文帳に追加

熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。 - 特許庁

Then, the gallium nitride layer 51 formed on the substrate 50 is subjected to a heat treatment comprising heating the gallium nitride layer 51 at a temperature of ≥800°C for at least 5 min and cooling the layer 51 at a temperature lowering rate of ≤50°C/min.例文帳に追加

次に、基板５０上に形成された窒化ガリウム層５１を８００℃以上で５分以上加熱し、降温速度を５０℃／分以下とする熱処理を行なう。 - 特許庁

This biaxially stretched laminated EVOH film is constituted by laminating a polypropylene layer (A) containing a hydrocarbon resin, an adhesive resin layer (B) and an EVOH layer (C) in the order of (A)/(B)/(C)/(B)/(A).例文帳に追加

炭化水素樹脂を含むポリプロピレン層（Ａ）と接着性樹脂層（Ｂ）とＥＶＯＨ層（Ｃ）とが（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｂ）／（Ａ）の順に積層された２軸延伸積層ＥＶＯＨフィルムとする。 - 特許庁

The ratio of an in-plane pulling elasticity modulus at 250°C and that at 30°C of the build-up layer 2 (250°C elasticity modulus/30°C elasticity modulus) is made to be ≥50%.例文帳に追加

ビルドアップ層２の２５０℃における面内引っ張り弾性率と３０℃における面内引っ張り弾性率との比（２５０℃弾性率／３０℃弾性率）を５０％以上とする。 - 特許庁

An n type ZnO layer (low resistance layer) 140- a ZnO layer (piezoelectric conductive film) 150- an n type ZnO layer (low resistance layer) 160 is formed as a piezoelectric element (c, d).例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１４０−ＺｎＯ層（圧電導膜）１５０−ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１６０を圧電素子として形成する（ｃ，ｄ）。 - 特許庁

The catalyst for cleaning diesel exhaust gas is characterized by comprising (A) a honeycomb monolith substrate layer, (B) a layer containing a platinum group metal carried on a metal oxide, and (C) a gas diffusion layer comprising a metal oxide, wherein the layers are laminated in order of the above (A), (B), and (C).例文帳に追加

(A)ハニカムモノリス基材層と、(B)金属酸化物に担持された白金族金属を含む層と、(C)金属酸化物からなるガス拡散層とを、前記(A)-(B)-(C)の順に積層して有してなることを特徴とするディーゼル排ガス浄化用触媒。 - 特許庁

A manufacturing method for semiconductor device comprises a process for forming a cobalt layer 11 on the surface of a silicon layer 4, a process for heat-treating silicon layer and cobalt layer 11 at temperature range of 150°C to 300°C, and a process for heat treating the silicon and the cobalt layer 11 at 500°C to 800°C to be carried out in this order.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン層４の表面にコバルト層１１を形成する工程と、１５０℃〜３００℃の温度下でシリコン層及びコバルト層１１を熱処理する工程と、５００℃〜８００℃の温度下でシリコン層及びコバルト層１１を熱処理する工程とをこの順に含んでいる。 - 特許庁

The charging roller is provided with an elastic layer B on an outer circumference of a conductive substrate A and a coated layer C provided on the elastic layer B and having a single or a plurality of layers, wherein at least the topmost layer E in the coated layer C contains hydrocarbon-based wax with a melting point of 110°C or higher and 170°C or lower.例文帳に追加

導電性基体Ａの外周上に、弾性層Ｂと、該弾性層Ｂ上に、単一又は複数の層からなる被覆層Ｃと、を有する帯電ローラにおいて、該被覆層Ｃの少なくとも最表面層Ｅが、融点が１１０℃以上、１７０℃以下である炭化水素系ワックスを含有する帯電ローラ。 - 特許庁

R, G, and B color filter layers 41, 42, and 43 are formed by a layered structure of a Y color layer 41Y and a M color layer 41M, a layered structure of a Y color layer 42Y and a C color layer 42C, a layered structure of a C color layer 45C and a M color layer 45M respectively.例文帳に追加

Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ層４１，４２，４５を、それぞれ、Ｙのカラー層４１ＹとＭのカラー層４１Ｍ、Ｙのカラー層４２ＹとＣのカラー層４２Ｃ、Ｃのカラー層４５ＣとＭのカラー層４５Ｍの積層構造によって形成する。 - 特許庁

Then, a sub-epitaxial layer 2 is formed at a lower temperature than the growth temperature of a main epitaxial layer 3 (step S8), and the main epitaxial layer 3 is formed on the sub-epitaxial layer 2 at ≥900°C and ≤1,200°C (step S9).例文帳に追加

そして主エピタキシャル層3の成長温度よりも低温で副エピタキシャル層2を形成し（ステップS8）、900℃以上1200℃以下の温度で副エピタキシャル層2上に主エピタキシャル層3を形成する（ステップS9）。 - 特許庁

The laminate thus obtained has (a) the protective layer, (b) the medicine and (c) the insoluble layer and the medicine is packed so that a space enclosed by the protective layer and the insoluble layer has substantially no voids.例文帳に追加

このようにして得られた本発明積層体は、（a）保護層、（b）薬剤及び（c）不溶層を有し、薬剤が、保護層及び不溶層で囲まれた空間に実質的に空隙を有さないように充填されている。 - 特許庁

A substrate 10 includes a dielectric layer 15 and forms a capacitor C.例文帳に追加

基体１０は、誘電体層１５を含み、コンデンサＣを形成している。 - 特許庁

The temperature (base material temperature) of the positive electrode active material layer 1b is retained within a range of >200°C and ≤300°C to form a solid electrolyte layer 3.例文帳に追加

正極活物質層１ｂの温度（基材温度）を２００℃を超え３００℃以下の範囲内に保持し、固体電解質層３を形成する。 - 特許庁

The core layer 20 comprises an acrylic polymer (A), microparticles (B) and air bubbles (C).例文帳に追加

芯層２０は、アクリル系ポリマー（Ａ）と微粒子（Ｂ）と気泡（Ｃ）とを含む。 - 特許庁

A shape of the anchor member 12 prevents the anchor member 12 from slipping off the hardened cement layer C.例文帳に追加

アンカー部１２の形状は、硬化したセメント層から抜け出さない。 - 特許庁

The coefficient of thermal expansion of the CrN layer 34 is 7.5[×10^-6/°C], and close to the coefficient of thermal expansion (=6.0[×10^-6/°C]) of the cBN layer 54.例文帳に追加

ここで、ＣｒＮ層３４の熱膨張率は、７．５［×１０^−６／℃］であり、ｃＢＮ層５４の熱膨張率（＝６．０［×１０^−６／℃］）に近い。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on the etching stopper film 6es ((C)step).例文帳に追加

エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。 - 特許庁

In the case of heating of 200°C, the intermediate layer 2 is in danger of thermal decomposition.例文帳に追加

２００℃の加熱では、中間層２が熱分解される恐れがある。 - 特許庁

As an active layer 15, a semiconductor layer of In1-xGaxN1-y-zAsyPz (where, 0≤x,y,z<1) is formed, while as clad layers 14 and 16 for sandwiching the active layer, a semiconductor layer comprising AlaInbGa1-a-bN1-c-dAscPd (where 0≤a,b,c,d≤1) is formed.例文帳に追加

活性層１５としてＩn_1-xＧa_xＮ_1-y-zＡs_yＰ_z［但し、０≦ｘ,ｙ,ｚ＜１］からなる半導体層を形成し、この活性層を挟むクラッド層１４,１６としてＡl_aＩn_bＧa_1-a-bＮ_1-c-dＡs_cＰ_d［但し、０≦ａ,ｂ,ｃ,ｄ≦１］からなる半導体層を形成する。 - 特許庁

Further, a single-layer soft magnetic backing layer made of a Ni-Fe film, Co-Zr-Nb film or Fe-Ta-C film, or an alternately laminated soft magnetic backing layer composed of Fe-Ta-C films and C films is formed between the nonmagnetic medium and the base layer.例文帳に追加

さらに、非磁性媒体と下地層の間にＮｉ−Ｆｅ膜、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ膜、またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜の単層軟磁性裏打ち層またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜とＣ膜とからなる交互積層の軟磁性裏打ち層等を設ける。 - 特許庁

The adhesive material comprises a laminate sheet comprising an adhesive layer, a substrate layer on the adhesive layer and a provisory substrate layer on the substrate layer, wherein the adhesive layer comprises a layer which comprises a resin having ≤80°C melting point and has hot-melt adhesiveness, and the provisory substrate layer comprises an adhesive layer and a nonadhesive layer.例文帳に追加

接着層、接着層の上の基材層、および基材層の上の仮基材層を有する積層シートからなる接着性材料において、接着層を、融点が８０℃以下の樹脂からなり、ホットメルト接着性を有する層とし、仮基材層を、接着層と接着しない層とする。 - 特許庁

A laminated packaging material has laminated constitution of surface layer (C)/adhesive resin layer (D)/layer (A) comprising saponified ethylene/vinyl acetate copolymer or compsn. thereof/polyamide resin layer (B)/ layer (A) comprising saponified ethylene/vinyl acetate copolymer or compsn. thereof/adhesive resin layer (D)/surface layer (C).例文帳に追加

表面層（Ｃ）／接着性樹脂層（Ｄ）／エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物またはその組成物層（Ａ）／ポリアミド系樹脂層（Ｂ）／エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物またはその組成物層（Ａ）／接着性樹脂層（Ｄ）／表面層（Ｃ）の積層構成を有してなる。 - 特許庁

In the laminated film in which a layer A and a layer C are the surface layers and a layer B exists between both layers, each layer is constituted of each of the below described composition.例文帳に追加

Ａ層及びＣ層を表面層とし、両層の間にＢ層が存在する積層フィルムであって、各層が下記の組成で構成される。 - 特許庁

At the cell portion C, a P-type base layer 14 is formed on the epitaxial layer 12, and an N-type source layer 15 is formed at part on the base layer 14.例文帳に追加

セル部Ｃにおいては、エピタキシャル層１２上にＰ型のベース層１４を形成し、ベース層１４上の一部にＮ型のソース層１５を形成する。 - 特許庁

In the surface layer removing step, a part of the surface layer C2 including an upper surface layer of the surface layer C1 of the billet C in the semi-molten state is removed.例文帳に追加

表層除去工程では、半溶融状態のビレットＣの表層Ｃ１のうち上部表層を含む表層Ｃ２の一部を除去する。 - 特許庁

The loss tangent of 70°C is; loss tangent of the surface layer 2C ≥ loss tangent of the intermediate layer 2B ≥ loss tangent of the base layer 2A, and the loss tangent of the base layer 2A is 0.10 or less.例文帳に追加

（ｃ）７０℃の損失正接が、表層２Ｃの損失正接≧中間層２Ｂの同≧ベース層２Ａの同、かつベース層２Ａの損失正接が０．１０以下。 - 特許庁

Surfaces a-c of an outer ring 2 to be attached to a housing have an insulating layer 6A of single layer structure which is a sprayed layer of ceramics.例文帳に追加

外輪２のハウジングに取付けられる面ａ〜ｃに、セラミックスの溶射層である一層構造の絶縁層６Ａを設ける。 - 特許庁

Respective semiconductor layers such as an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4 are formed on a C-plane sapphire substrate 1.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にｎ型GaN層２、活性層３及びｐ型GaN層４の各半導体層を形成する。 - 特許庁

A heat storage layer supporting a heat storage medium (a) in a porous body (c), a surface heating layer and a flooring layer are laminated.例文帳に追加

多孔体（ｃ）に蓄熱材（ａ）が担持された蓄熱層、面状発熱層、床材層が積層されたことを特徴とする。 - 特許庁

A dry coating layer (P) of printing ink may be provided between the outer film layer (F1) and the dry coating layer (C) of coating resin.例文帳に追加

外装のフィルム層（Ｆ１）と、コート樹脂の乾燥皮膜層（Ｃ）の間に、印刷インキの乾燥皮膜層（Ｐ）を有してもよい。 - 特許庁

An upper layer (magnetic layer) 20 on the multi-layer coating type magnetic disk 3 contains the mixed three kinds of powders (a), (b) and (c).例文帳に追加

重層塗布型の磁気ディスク３の上層（磁性層）２０に下記（イ）、（ロ）、（ハ）の３種類の粉末が配合されていること。 - 特許庁

Metallic component ratios (a), (b) and (c) in a component of the A layer are 0.1≤a≤0.35, 0.45≤b≤0.7, 0.1≤c≤0.35, a+b+c=1 in an atomic ratio.例文帳に追加

Ａ層の組成における金属成分比ａ，ｂ，ｃは原子比で、０．１≦ａ≦０．３５、０．４５≦ｂ≦０．７、０．１≦ｃ≦０．３５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。 - 特許庁

The cap tread rubber layer 6 is lower than the under tread rubber layer 7 in rubber hardness at temperature 20°C, and the intermediate tread rubber layer 8 is lower than the under tread rubber layer 7 and higher than the cap tread rubber layer 6 in the rubber hardness at the temperature 20°C.例文帳に追加

キャップトレッドゴム層６は温度２０℃におけるゴム硬度がアンダートレッドゴム層７より低く、中間トレッドゴム層８は温度２０℃におけるゴム硬度がアンダートレッドゴム層７より低く、かつキャップトレッドゴム層６より高くなっている。 - 特許庁

The pneumatic tire 10 has a reinforcing layer 24 between each main groove 22A-C and a belt layer 16.例文帳に追加

空気入りタイヤ１０は、主溝２２Ａ〜Ｃとベルト層１６とのそれぞれの間に補強層２４を有する。 - 特許庁

The difference between a glass transition temperature Tg of the damping resin layer and the temperature Tg of the tacky resin layer is ≥10°C.例文帳に追加

制振樹脂層のガラス転移温度Ｔｇと粘着樹脂層のＴｇとの差は10℃以上である。 - 特許庁

In this case, an inter-layer material E is interposed between the surface of the winding drum C and the winding front layer part.例文帳に追加

このとき、巻胴部Ｃの表面と巻き取り前層都の層間に層間材Ｅが介装される。 - 特許庁

The sacrifice layer 2 which is the silicon oxide layer is etched to form a void V, and the diaphragm D is formed (c).例文帳に追加

酸化シリコン層である犠牲層２をエッチングして空隙Ｖを形成し、ダイヤフラムＤを形成する（ｃ）。 - 特許庁

A film having an Nb-containing layer 11 and a C-containing layer 12 is formed on the TiAl based alloy.例文帳に追加

ＴｉＡｌ系合金にＮｂを含む層１１とＣを含む層１２とを有する被膜を形成する。 - 特許庁

A polyimide resin where glass transition temperature is not less than 180°C and not more than 350°C is preferable as the adhesives layer.例文帳に追加

また、接着剤層としてはガラス転移温度が１８０℃以上３５０℃以下のポリイミド樹脂が好ましい。 - 特許庁

The modulus of elasticity of the second layer 112 at 320°C is larger than that of the first one 111 at 320°C.例文帳に追加

第２の層１１２の３２０℃での弾性率は、第１の層１１１の３２０℃での弾性率よりも大きい。 - 特許庁

The capacitance C of the electric double-layer capacitor in this case can be obtained by an expression of C=I×t/(E2-E1)(F).例文帳に追加

この場合の電気二重層コンデンサの容量Ｃは、Ｃ＝Ｉ×ｔ／（Ｅ２−Ｅ１）（Ｆ）で求めることができる。 - 特許庁

After the semiconductor layer is patterned, a gate insulating film is formed at 100°C or less and subjected to thermal treatment of 300°C.例文帳に追加

その半導体層をパターニング後、ゲート絶縁膜を１００℃以下で形成し３００℃以上の熱処理を行う。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a second substrate main face as a main face on the plus c plane side of the c plane off substrate.例文帳に追加

ｃ面オフ基板の＋ｃ面側の主面である第２基板主面上に半導体層を形成する。 - 特許庁

This bending tape consists of a first film layer (a) and a second film layer (c) with an adhesive layer (b) in between: the second film layer is surfaced with a metal layer (d), and the first film layer (a) and the adhesive layer (b) can easily be released integrally from the rear of the second film layer (c).例文帳に追加

第１のフィルム層（ａ）と、接着剤層（ｂ）を介して第２のフィルム層（ｃ）からなり、第２のフィルム層表面に金属層（ｄ）が形成され、第１のフィルム層（ａ）と接着剤層（ｂ）が一体化して第２のフィルム層（ｃ）の裏面から容易に剥離して分離できることを特徴とするフレキシブルテープである。 - 特許庁

The crucible for pulling the single crystal has the double-layer structure where the inside layer is the graphite material having a bulk specific density of 2.1 or more, a porosity of 20-25% and a thermal expansion coefficient of 1.0×10^-6 /°C (at room temperature to 400°C) or less and the outside layer is the C/C material.例文帳に追加

嵩比重が２．１以上、気孔率が２０〜２５％、熱膨張係数が１．０×１０^-6／℃（室温〜４００℃）以下の特性を有する黒鉛材を内層とし、Ｃ／Ｃ材を外層とする２層構造からなることを特徴とする単結晶引き上げ用ルツボ。 - 特許庁