「c layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In reinforcement work for an inner peripheral surface of a tunnel, a cement layer C is provided on the inner peripheral surface of the tunnel, and the anchor part 12 is embedded in the cement layer C before hardening thereof.例文帳に追加

トンネル内周面の補強工事の場合であれば、トンネル内周面にセメント層Ｃを設け、その硬化前に、セメント層Ｃにアンカー部１２を埋む。 - 特許庁

In this case, since the first base metal layer 7 is deposited on an upper surface of the alteration layer C of the network structure, the adhesion strength at an interface between the layers 7 and C is high.例文帳に追加

この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive layer 12b has an elastic coefficient of 0.05 to 0.6 MPa at 80°C, and the adhesive layer 13 has an elastic coefficient of 0.1 to 1 MPa at 80°C.例文帳に追加

粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂが０．０５〜０．６ＭＰa、接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａが０．１〜１ＭＰａである。 - 特許庁

An Al layer 17 is formed on the surface of the Ti oxide 16 (c).例文帳に追加

Ｔｉ酸化物１６の表面にＡｌ層１７を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

An airlift pipe 7 is arranged to vertically pass through an activated carbon layer C.例文帳に追加

活性炭層Ｃを縦通するようにエアリフト管７が設けられている。 - 特許庁

It is desirable that the glass transition temperature of the surface layer 3 is 100°C or less.例文帳に追加

表層３のガラス転移温度が１００℃以下であることが好ましい。 - 特許庁

A Young's modulus of the adhesive layer at a temperature of 250°C is about 1 MPa or more.例文帳に追加

接着層の２５０℃におけるヤング率は、約１ＭＰａ以上である。 - 特許庁

In addition, the breaking elongation of the silicone rubber layer 1 at 160°C is not less than 300% and the breaking elongation of the silicone rubber layer at 180°C is not less than 200%.例文帳に追加

シリコーンゴム層１の１６０℃での破断伸びが３００％以上であり、シリコーンゴム層の１８０℃での破断伸びが２００％以上である。 - 特許庁

The tear strength of the primary layer 12 at 0°C is 1.0 to 7.0 kg/mm.例文帳に追加

プライマリ層１２の０℃での引裂強度は１．０〜７．０ｋｇ／ｍｍである。 - 特許庁

The low-temperature seal layer (12) is sealable at a temperature below 100-160°C, and the high-temperature seal layer (13) is sealable at the temperature ≥160°C.例文帳に追加

低温シール層（１２）は１００〜１６０°Ｃ未満の温度でシール可能な層であり、高温シール層（１３）は１６０°Ｃ以上の温度でシール可能な層である。 - 特許庁

Further, the oxide layer 4 contains about 10 to about 30 atomic % C.例文帳に追加

また、酸化層４は、約１０〜約３０ａｔｍ％のＣを含有する。 - 特許庁

The outer layer 28 is made of a resin with the heat resistant temperature of about 160°C and a resin coat layer 29 employs a resin with the heat resistant temperature of about 200°C.例文帳に追加

外皮層２８は耐熱温度が約１６０℃程度の樹脂で形成され、樹脂コート層２９は耐熱温度が約２００℃程度の樹脂を用いている。 - 特許庁

Further, the JIS-C hardness of the first layer 18 is set at <75 and the JIS-C hardness of the second layer 20 is set at ≥75.例文帳に追加

さらに、第１層１８のＪＩＳ−Ｃ硬度は７５未満に設定されており、かつ第２層２０のＪＩＳ−Ｃ硬度は７５以上に設定されている。 - 特許庁

Further, the SiO_2 layer 22 is dry-etched using a gas containing a fluorocarbon-based gas having a high C/F ratio, so that the through via 31 penetrates the SiO_2 layer 22.例文帳に追加

さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO_2層２２をエッチングし、それによって貫通ビア３１がSiO_2層２２を貫通する。 - 特許庁

The semiconductor layer 12 comprises a zinc oxide nanodisk which is oriented so that the c-axis of a lattice constant c is vertical to the dielectric layer 14 or to a substrate 16.例文帳に追加

半導体層１２は、格子定数ｃのｃ軸が誘電体層１４又は基板１４に垂直になるように配向した酸化亜鉛ナノディスクを含む。 - 特許庁

Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature change of the positive electrode layer 1 is controlled within ±30°C.例文帳に追加

そして、正極層１の正極活物質層１２上に固体電解質層（ＳＥ層３）を気相法により形成する際、正極層１の温度変化を±３０℃以内に制御する。 - 特許庁

Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature of the positive electrode layer 1 is controlled at 0-90°C.例文帳に追加

そして、正極層１の正極活物質層１２上に固体電解質層（ＳＥ層３）を気相法により形成する際、正極層１の温度を０〜９０℃に制御する。 - 特許庁

The resin sealing sheet includes a surface layer and an inner layer laminated on the surface layer, wherein the melting point of the surface layer is lower than that of the inner layer by ≥10°C.例文帳に追加

表面層と、前記表面層に積層された内層と、を含む樹脂封止シートであって、 前記表面層の融点は、前記内層の融点よりも１０℃以上低い、樹脂封止シート。 - 特許庁

Then an amorphous silicon layer 5a, having a thickness of 1 μm, is formed on the Ni layer (step 203), and the silicon layer 5a is crystallized into a crystalline silicon layer 5b by heat-treating the layer 5a for six hours in a nitrogen atmosphere, maintained at 600°C (204).例文帳に追加

次に、６００℃の窒素雰囲気中で６時間熱処理を行い、非晶質シリコン層５ａを結晶化して結晶シリコン層５ｂに変換する（ステップ２０４）。 - 特許庁

The objective electrophotographic photoreceptor has a curable resin layer having a torque ratio Tr [(torque value at 50°C)/(torque value at 40°C)] of 1.0-2.0 to urethane cleaning blades at 40°C and 50°C surface temperatures as a protective layer.例文帳に追加

表面温度が４０℃と５０℃のウレタンクリーニングブレードに対するトルク比Ｔｒ（５０℃のトルク値／４０℃のトルク値）が１．０以上２．０以下である硬化型樹脂層の保護層を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The referable copolymer comprises a core layer composed of (a) a copolymer having -90°C to 10°C of glass transition temperature, and (b) a shell layer composed of a copolymer having 50°C to 180°C of the glass transition point.例文帳に追加

上記共重合体としては、（α）ガラス転移温度が−９０〜１０℃の範囲にある共重合体（イ）からなるコア層及びガラス転移温度が５０〜１８０℃の範囲にある共重合体（ロ）からなるシェル層を有するものが好ましい。 - 特許庁

The tread rubber layer 2 adjacent to the partition layer 4 is separated by drawing the cord C of the partition layer 4 in the planar direction of the partition layer 4, and sequentially cutting the rubber part interposed between the cords C.例文帳に追加

仕切り層４のコードＣを該仕切り層４の面方向に引き抜き、そのコードＣの相互間に介在するゴム部分を順次切断することにより、仕切り層４に隣接するトレッドゴム層２を分離する。 - 特許庁

Such a separation is caused by a result that since the temperature of the layer A decomposition is that of film formation (about 650°C) of the layer B or higher but not higher than the film formation temperature (about 1,000°C) of a semiconductor crystal layer C, the layer A is dissipated (vaporized) by a pyrolysis.例文帳に追加

この分離は、この分離層Ａの分解温度が、保護層Ｂの成膜温度（約６５０℃）以上であり、かつ、半導体結晶層Ｃの成膜温度（約１０００℃）以下であるために、分離層Ａが熱分解により消失（気化）することにより起る。 - 特許庁

Furthermore, the fixing belt 45 is provided with an elastic layer inside a releasing layer and the heat conductivity of the elastic layer is ≥ 0.3 W/m°C.例文帳に追加

さらに、定着ベルト４５が離型層の内側に弾性層を有し、該弾性層の熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ℃以上である。 - 特許庁

A layer of an all proportional solid solution Ti (C, N) of TiN and TiC is formed between the titanium-containing layer and the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

チタン含有層と窒化物半導体層との間にＴｉＮとＴｉＣの全率固溶体Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）の層が形成される。 - 特許庁

Exit angle EA of the color thermal recording sheet 18 is set such that, EA=0° for Y layer, EA=2° for M layer, and EA=6° for C layer.例文帳に追加

また、カラー感熱記録紙１８の出射角度ＥＡを、Ｙ層はＥＡ＝０度、Ｍ層はＥＡ＝２度、Ｃ層はＥＡ＝６度とする。 - 特許庁

The toner contains toner particles each having an inner layer and an outer layer at the rim of the inner layer and satisfies the following conditions (a) (b) and (c).例文帳に追加

内層とその外縁に外層を有し、下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の条件を満たすトナー粒子を含有することを特徴とするトナー。 - 特許庁

In the laminate, a fluororesin layer (A), a fluororesin non-containing resin layer (B) and an elastomer layer (C) are bonded in this order.例文帳に追加

本発明は、フッ素樹脂層（Ａ）、フッ素非含有樹脂層（Ｂ）及びエラストマー層（Ｃ）がこの順に接着された積層体に関する。 - 特許庁

In the reception side device 101, the instruction for plotting the character string is sent to the processing layer B and sent to processing layer C which is other than the layer B.例文帳に追加

受信側装置１０１においては、文字列の描画命令が処理層Ｂに送られ、それ以外の処理層Ｃに送られる。 - 特許庁

This roll is made by joining the outer layer made of a sintered hard alloy to the outer periphery of the inner layer made of a steel based or an iron based material and the average coefficient of linear thermal expansion of the inner layer from 20°C to 200°C is ≤8×10^-6/°C.例文帳に追加

鋼系または鉄系材料からなる内層の外周に超硬合金からなる外層が接合してなり、内層の２０〜２００℃間の平均線熱膨張係数が、８×１０^−６／℃以下であることを特徴とする。 - 特許庁

This cutting tool is composed of sintered carbide alloy (a) provided with a coating (b) comprising a Ti (C, N) layer by MTCVD, and a plural layered coatings (c) composed of a κ-Al2O3 layer and a TiN or Ti (C, N) layer.例文帳に追加

ＭＴＣＶＤによるＴｉ（Ｃ，Ｎ）層からなるコーティング（ｂ）、及びκ−Ａｌ_2Ｏ_3層とＴｉＮ又はＴｉ（Ｃ，Ｎ）の層とで構成される複数層コーティング（ｃ）を有する焼結炭化物合金（ａ）で構成される切削工具とする。 - 特許庁

The peelable laminate has an adhesive and/or a layer D of an adhesive between at least one side of a layer A and the peelable layer C of a layer B having the layer C of 5-150 gf/10 mm in peel strength.例文帳に追加

層Ａの少なくとも片面と、剥離強度が５〜１５０ｇｆ／１０ｍｍである剥離性層Ｃを有する層Ｂの剥離性層Ｃとの間に、粘着剤及び／又は接着剤よりなる層Ｄを有することを特徴とする剥離性積層体。 - 特許庁

In the laminated polyolefin film in which an adhesive layer B, a uniaxially oriented layer C, and a heat seal layer D are laminated in turn at least on one side of a biaxially oriented layer A, the thickness of the uniaxially oriented layer C is 15-40% of the total thickness.例文帳に追加

二軸延伸層（Ａ）の少なくとも片面に接着層（Ｂ）、一軸延伸層（Ｃ）、ヒートシール層（Ｄ）の順に積層されたフィルムであって、（Ｃ）層の厚みが全体の１５〜４０％である事を特徴とするポリオレフィン系積層フィルム。 - 特許庁

The loss compliance of the reinforcing layer 30 at 100°C is higher than the loss compliance of the body 28 at 100°C.例文帳に追加

この補強層３０の１００℃におけるロスコンプライアンスは、この本体２８の１００℃におけるロスコンプライアンスよりも大きい。 - 特許庁

A pressure sensitive adhesive layer 31 of width d is formed on a 2nd step film 12 of width c (c ≥ d, a ≥ d > b).例文帳に追加

別途、幅ｃの第二の工程フィルム１２に幅ｄで感圧接着剤層３１を形成する（ｃ≧ｄ、ａ≧ｄ＞ｂ）。 - 特許庁

The thermosetting resin used as the cushion layer 4 shows a transformation ratio of 3,000 to 30,000 μm/m°C at 120°C.例文帳に追加

該クッション層４として用いられる熱可塑性樹脂が１２０℃において３０００〜３００００μm／m℃の変形率を示す。 - 特許庁

An InAlN layer 101 is grown at about 500°C on a GaN layer 100 using an MOCVD method, and an AlGaN layer 102 as a cap layer for covering the InAlN layer 101 is grown at about 500°C, so that the InAlN layer 101 can be formed as an incomplete crystal body.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法を用いてＧａＮ層１００上にＩｎＡｌＮ層１０１を約５００℃で成長させた後、ＩｎＡｌＮ層１０１を覆うキャップ層としてのＡｌＧａＮ層１０２を約５００℃で成長させてＩｎＡｌＮ層１０１を不完全結晶体とする。 - 特許庁

The touch screen comprises a transparent multi-layer composition including: (a) a first conductive layer containing an intrinsically conductive polymer and film forming binder; (b) a second conductive layer; and (c) a spacer element separating the first conductive layer and second conductive layer, wherein the first conductive layer further includes an actinic radiation absorbing compound.例文帳に追加

(a)真性伝導性ポリマーと皮膜形成性バインダーとを含有する第１導電層、(b)第２導電層、及び(c)該第１導電層と該第２導電層を隔離するスペーサ要素を含んで成り、さらに該第１導電層が化学線吸収化合物を含むことを特徴とする透明多層体。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then removing the layer 108 and a cap layer 106 on the flat surface of the upper part of the ridge [(b)], and then forming a metal layer 111 having a thinner layer thickness than the layer thickness of the layer 106 [(c)].例文帳に追加

次に、リッジ上部の平坦面上の絶縁体層１０８とキャップ層１０６とを除去した〔（ｂ）〕後、キャップ層１０６の層厚よりも薄い層厚の金属層１１１を全面に形成する〔（ｃ）〕。 - 特許庁

Difference of the foaming temperature Tu of the under layer 30 and the foaming temperature Tb of the base layer 32 is 10°C or higher.例文帳に追加

アンダー層３０の発泡温度Ｔｕとベース層３２の発泡温度Ｔｂとの差は、１０℃以上である。 - 特許庁

A step (b) laminates a reflection film 24 on the recording layer 23, and a step (c) forms a light transmission layer 25 on the reflection film 24.例文帳に追加

（ｂ）で記録層２３に反射膜２４を積層し、（ｃ）で反射膜２４に光透過層２５を形成する。 - 特許庁

Then, the GaN single crystal layer is epitaxially grown on the AiN foundation layer at a temperature of ≤1100°C.例文帳に追加

次いで、このAlN下地層上に、１１００℃以下の温度でGaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁

Next, a printed layer 13D is formed to cover the first wiring layer 12 using a printing method (Fig.6(C)).例文帳に追加

次に、印刷法を用いて第１配線層１２を覆うように印刷層１３Ｄを形成する（図６（Ｃ））。 - 特許庁

Thermally conductive silicone rubber is applied onto this primer layer and is cured for 45 minutes at 150°C, to obtain a base layer (3).例文帳に追加

そのプライマー層の上に熱伝導性シリコーンゴムを適用し、１５０℃で４５分間硬化させて基層（３）を得る。 - 特許庁

Especially, at least one layer excluding the outermost layer is preferably made of a polyethylene resin 130°C or below in melting point.例文帳に追加

特に、最外層を除く少なくとも１層が、融点１３０℃以下のポリエチレン樹脂からなることが好ましい。 - 特許庁