「c layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The difference in asker C hardness between the first elastic layer 58a and second elastic layer 58b is ≤20°.例文帳に追加

第１の弾性体層５８ａと第２の弾性体層５８ｂのアスカーＣ硬度の差は２０度以内である。 - 特許庁

Difference of the foaming temperature Tb of the base layer 32 and the foaming temperature Tc of the cap layer 34 is 10°C or higher.例文帳に追加

ベース層３２の発泡温度Ｔｂとキャップ層３４の発泡温度Ｔｃとの差は、１０℃以上である。 - 特許庁

The first layer H and the second layer L each include foamed cells C formed by foaming of the foaming agent.例文帳に追加

第一層Ｈおよび第二層Ｌは、発泡剤の発泡により形成された発泡セルＣをそれぞれ有する。 - 特許庁

The photosensitive resin transfer material has an intermediate layer containing a resin having a melting point of 50-120°C between the photosensitive resin layer and the cover film.例文帳に追加

前記感光性樹脂層とカバーフィルムの間に融点５０〜１２０℃の樹脂を含む中間層を有する。 - 特許庁

Then, an image of a rewrite layer of a card C is deleted by the deleting head 50.例文帳に追加

そして、消去ヘッド５０によりカードＣのリライト層の画像を消去する。 - 特許庁

As shown in (c), the amorphous aluminum layer 14 is subjected to reflow treatment.例文帳に追加

（ｃ）に示すように、非晶質のアルミニウム層１４に対しリフロー処理を行なう。 - 特許庁

The coating is thereafter dried for 30 minutes at 80°C, by which a lower layer 2 is formed.例文帳に追加

その後、８０°Ｃにおいて３０分間乾燥させ下層２を形成する。 - 特許庁

The C-plate type retardation layer 14 has a spiral pitch of the structure adjusted.例文帳に追加

Ｃプレート型位相差層１４は、その構造の螺旋ピッチが調整されている。 - 特許庁

In the condition (c), the thickness of the surface transparent layer 106 is 50-200 μm.例文帳に追加

（ｃ）前記表面透明層１０６の厚みが５０μｍ〜２００μｍである。 - 特許庁

A carrier having a resin coating layer on a core material surface is used as a carrier C.例文帳に追加

キャリアＣとして、芯材表面に樹脂被覆層を有したものを用いる。 - 特許庁

In this case, the film forming temperature for the first layer thin film 4 is preferably ≤20°C.例文帳に追加

この時、第１層目の薄膜４の成膜温度は、２００℃以下が好ましい。 - 特許庁

To enhance the C-V characteristics by planarizing a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層を平坦化して、Ｃ−Ｖ特性を向上させることを課題とする。 - 特許庁

The surrender point of the layer 3 can be 700°C or over.例文帳に追加

また、層3を構成するガラスの屈伏点は７００℃以上とすることができる。 - 特許庁

A transparent conducting film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3 (c).例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン層３上に、透明導電膜４を形成する（ｃ）。 - 特許庁

DEPLETION LAYER CAPACITANCE CALCULATION APPARATUS AND C-V CHARACTERISTIC MEASURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体の空乏層容量算出装置及びＣ−Ｖ特性測定装置 - 特許庁

A P type epitaxial layer 12 is formed in the trench 11 (FIG.2(c)).例文帳に追加

そして、当該トレンチ１１内にＰ型エピタキシャル層１２を形成する（図２（ｃ））。 - 特許庁

A covering layer 5 of two-layers structure comprising an insulator layer 6 of ceramics and a metallic layer 7 covering the insulator layer 6 is applied to planes a to c of an outer ring 2 to which a housing is attached.例文帳に追加

外輪２のハウジングに取付けられる面ａ〜ｃに、セラミックスの絶縁層６と、この絶縁層６を覆う金属層７との２層構造の被覆層５を設ける。 - 特許庁

The ratio of the thickness of the substrate layer to that of the layer C is 5:1 to 200:1, and the ratio of the thickness of the substrate layer to that of the layer D is 2:1 to 200:1.例文帳に追加

前記基材層の厚みと前記Ｃ層の厚みの比は５：１〜２００：１であり、前記基材層の厚みと前記Ｄ層の厚みの比は２：１〜２００：１である。 - 特許庁

The dicing sheet includes a base material, an intermediate layer formed thereon, and an adhesive layer formed on the intermediate layer, wherein the adhesive layer has an elasticity at 23°C of 5.0×104 to 1.0×107 Pa and the elasticity at 23°C of the intermediate layer is not more than the elasticity at 23°C of the adhesive layer.例文帳に追加

本発明に係るダイシングシートは、基材と、その上に形成された中間層と、該中間層の上に形成された粘着剤層とからなり、該粘着剤層の２３℃における弾性率が5.0×10^4〜1.0×10^7Paの範囲にあり、該中間層の２３℃における弾性率が粘着剤層の２３℃における弾性率以下となることを特徴としている。 - 特許庁

The conductor layer 3 is composed of a first sputtered layer 31 formed by sputtering copper on the upper surface of the film 2 at a temperature of 150-280°C and a second sputtered layer 32 formed by sputtering copper on the upper surface of the first sputtered layer 31 at a temperature of -20°C to 150°C.例文帳に追加

導体層３は，ポリイミドフィルム２の上面に，１５０〜２８０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第１スパッタ層３１と，第１スパッタ層３１の上面に，−２０〜１５０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第２スパッタ層３２とからなる。 - 特許庁

The magnetic head further includes a stopper layer 61 for suppressing protrusion of the front end face of the first layer 13B1, the stopper layer being disposed adjacent to the first layer 13B1 and made of a nonmagnetic material having a linear thermal expansion coefficient of 5×10^-6/°C or smaller at a temperature of 25°C to 100°C.例文帳に追加

磁気ヘッドは、更に、２５〜１００℃における線熱膨張係数が５×１０^−６／℃以下の非磁性材料よりなり、第１層１３Ｂ１に隣接するように配置された、第１層１３Ｂ１の前端面の突出を抑えるためのストッパ層６１を備えている。 - 特許庁

In the vane pump 10, a high-hardness main coating layer C is provided on a tip end portion of each vane 17, and an intermediate coating layer B having an intermediate hardness between a hardness of a base material A of the vane 17 and a hardness of the main coating layer C is provided between the base material A of the vane 17 and the main coating layer C.例文帳に追加

ベーンポンプ１０において、ベーン１７の先端部に高硬度の主コーティング層Ｃを設けるとき、ベーン１７の母材Ａと主コーティング層Ｃの間に、該母材Ａの硬度と主コーティング層Ｃの硬度の中間の硬度をもつ中間コーティング層Ｂを設けてなるもの。 - 特許庁

The intermediate layer 4 shows in-surface magnetization at 140°C or lower and cuts off the exchange coupling of the recording layer 5 and the reproduction layer 3.例文帳に追加

中間層４は１４０℃以上で面内磁化を示すので再生時に記録層５と再生層３の交換結合力を遮断する。 - 特許庁

Coating layers 5A of a two layer structure of the ceramics insulating layer 6 and a metal layer 8 are provided on faces a-c attached to a housing of an outer ring 2.例文帳に追加

外輪２のハウジングに取付けられる面ａ〜ｃに、セラミックスの絶縁層６と金属層８との２層構造の被覆層５Ａを設ける。 - 特許庁

The pattern forming transfer film comprises (A) a resist layer, (B) a metallic layer and (C) an adhesive layer, which are successively laminated on a support film.例文帳に追加

支持フィルム上に、（Ａ）レジスト層、（Ｂ）金属層、および（Ｃ）粘着層が積層されていることを特徴とするパターン形成用転写フィルム。 - 特許庁

In this case, the semi-permeable membrane 13 is made to be lamination structure in which a high refractive index layer (a), a low refractive index layer (b) and a metallic layer (c) are successively laminated.例文帳に追加

半透過膜１３は高屈折率層ａ、低屈折率層ｂおよび金属層ｃとを順次積層した積層構造である。 - 特許庁

The glass transition temperature of the core layer is set to the glass transition temperature or lower of the surface layer and the glass transition temperature of the core layer is set to 115°C or lower.例文帳に追加

すなわち、芯層のガラス転移温度を表面層のガラス転移温度より低くし、かつ、芯層のガラス転移温度を１１５℃以下にする。 - 特許庁

In order to weaken the adhesion strength of the boundary surface (thermoplastic resin) between a carpet layer (fiber layer) and a backing layer of a carpet, the carpet is warmed to ≥40°C.例文帳に追加

カーペットのカーペット層（繊維層）と裏打ち層の境界面の張り付き強度（熱可塑性樹脂）を弱めるために４０℃以上に暖める。 - 特許庁

However, the intermediate layer 130 is fixed to the lower layer 150 in an outer peripheral area O, and the intermediate layer 130 is not fixed thereto in a central area C.例文帳に追加

ただし、中間層１３０と下層１５０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。 - 特許庁

By forming the facial pressure reducing layer 3 and the intermediate layer 4 at ≤250°C, the thermal softening of the surface hardened layer 2 can be suppressed.例文帳に追加

前記面圧低減層３、中間層４は２５０℃以下で形成することにより、表面硬化層２の熱軟化を抑制することができる。 - 特許庁

In this period, the liquid layer L is parted in a thin-layer region by centrifugal force, and a dry core C is formed at the center of the liquid layer L.例文帳に追加

この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。 - 特許庁

Preferably two or more metal film layers B and three or more conductive film layers C are laminated on the transparent polymer film A, and at least the C, B, C, B, C layer constitution unit is contained in the conductive layer.例文帳に追加

好適には、透明高分子フィルム（Ａ）上に、金属薄膜層（Ｂ）が２層以上、および導電性薄膜層（Ｃ）が３層以上それぞれ積層されてなり、かつ少なくとも（Ｃ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｂ）（Ｃ）の層構成単位を含む導電性フィルムである。 - 特許庁

The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁

Then, in a state held at 800-850°C, the silicide layer is burned by wet oxidation method in the mixed atmosphere of the oxygen and the hydrogen in the state held at 800-850°C, and an oxide film is formed in the interface between the glass layer and the diffused layer.例文帳に追加

その後、８００〜８５０℃に保持した状態で酸素と水素の混合雰囲気中のウェット酸化法により、シリサイド層を燃焼させ、ガラス層と拡散層との界面に酸化膜を形成する。 - 特許庁

An adhesive b between the semiconductor device C of a first layer and the semiconductor F of a second layer is different in material from an adhesive c between the semiconductor device F of the second layer and the semiconductor device G of a third layer.例文帳に追加

第１層目の半導体装置Ｃと第２層目の半導体装置Ｆとの間の接着剤ｂと、第２層目の半導体装置Ｆと第３層目の半導体装置Ｇとの間の接着剤ｃとは、材質が異なる。 - 特許庁

The flexible printed board with a shield includes a signal line C, positioned at an insulating base material layer 1, a coverlay 5 positioned between a layer of the signal line C and a layer of a shielding portion S, and a reinforcing layer 7 positioned between the coverlay 5 and the shielding portion S.例文帳に追加

絶縁基材層１上に位置する信号線Ｃと、信号線Ｃの層とシールド部Ｓの層との間に位置するカバーレイ５と、カバーレイ５とシールド部Ｓとの間に位置する補強層７とを備えることを特徴とする、 - 特許庁

Exfoliation force between the belt reinforcing layer and the adjacent belt layer 9 at 150°C is 80% or more in the end part belt reinforcing layer 10A and 60% or more in the central part belt reinforcing layer 10B to the exfoliation force at 20°C.例文帳に追加

隣接するベルト層９との間の１５０℃における剥離力が、２０℃の剥離力に対して、端部ベルト補強層１０Ａでは８０％以上、中央部ベルト補強層１０Ｂでは６０％以上になっている。 - 特許庁

The primer layer principally consists of a chlorinated polyolefin resin wherein a glass transition temperature obtained by the DSC measurement performed while elevating the temperature from -10°C to 200°C at a rate of 10°C/min is ≥10°C.例文帳に追加

上記下塗剤層は、−１０℃から２００℃まで１０℃／分の条件で昇温するＤＳＣ測定により求められるガラス転移温度が１０℃以上の塩素化ポリオレフィン系樹脂を主成分とする。 - 特許庁

The multi-sensor touchpad C sequentially includes a protective layer 20, a first trace layer 21, an insulation layer 22, a multi-sensor layer 23, a space dot layer 24, a conductive film 25 and a substrate 26.例文帳に追加

本発明はマルチセンサタッチパッドＣを提供するものであり、順番に、保護層２０、第１のトレース層２１、絶縁層２２、マルチセンサ層２３、スペースドット層２４、導電膜２５および基板２６が設けられる。 - 特許庁

This thin-film capacitor has a dielectric layer between a first electrode layer and a second electrode layer, and the dielectric layer has a Ta oxide film layer containing C.例文帳に追加

第１の電極層と第２の電極層の間に誘電体層が形成されてなる薄膜キャパシタであって、前記誘電体層は、Ｃを含むＴａ酸化膜層を有することを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 特許庁

The decorative film comprises a polyester film (A) which has a hard coating layer (B) on its one side, a layer containing a photoluminescent pigment (C) on the other side of the hard coating layer (B), and a sticky adhesive layer (D) on the layer (C).例文帳に追加

ポリエステルフィルム（Ａ）の片面にハードコート層（Ｂ）を有し、該ポリエステルフィルム（Ａ）の、ハードコート層（Ｂ）を有する面とは反対の面に、光輝性顔料を含有する層（Ｃ）を、および該層（Ｃ）の上に粘着剤層（Ｄ）を有することを特徴とする装飾用フィルム。 - 特許庁

Also, the rubber-reinforcing fiber cord C is used as the reinforcing cord of the carcass layer 4.例文帳に追加

また、カーカス層４のの補強コードとしてゴム補強用繊維コードＣを用いる。 - 特許庁

The upper layer wiring and the lower layer wiring are designed so as to have identical resistance in the object shape between the terminals A-C, C-B, A-D and D-B.例文帳に追加

端子Ａ−Ｃ間、端子Ｃ−Ｂ間、端子Ａ−Ｄ間、端子Ｄ−Ｂ間で上層配線、下層配線の抵抗は同一となるように対象形状に設計する。 - 特許庁

The burying semiconductor layer is grown in temperatures of 520-760°C, for example.例文帳に追加

埋め込み半導体層は例えば５２０〜７６０℃の成長温度で成長させる。 - 特許庁

(C) An opening 20a is formed at the first layer 20D by sandblasting.例文帳に追加

（Ｃ）サンドブラスト加工処理により、第一の層２０Ｄに開口部２０ａを形成する。 - 特許庁