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c layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5405件
The second insulating film contains a lowermost layer (A) disposed just above the charge accumulation layer, an uppermost layer (C) disposed just under the control gate electrode and an intermediate layer (B) disposed between the lowermost layer (A) and the uppermost layer (C).例文帳に追加
第2絶縁膜は、電荷蓄積層の直上に配置される最下層(A)、制御ゲート電極の直下に配置される最上層(C)、及び、最下層(A)と最上層(C)との間に配置される中間層(B)を含む。 - 特許庁
As a result, it is avoided that only the seedling box at the upper layer of the seedling boxes C and C is sent out, and the stacked seedling boxes C and C are smoothly sent out without destroying the posture of the stacked seedling boxes C and C.例文帳に追加
送り出し爪30dで段積み苗箱C,Cの上段の苗箱だけを送り出すようなこともなく、段積み苗箱C,Cの姿勢を崩さずに円滑に送り出すことができる。 - 特許庁
The light-transmitting resin layer 7 is a resin satisfying all of the following three conditions in a film thickness of 30 μm, where saturation C* is 1≤C*≤2, a hue angle h is -135°≤h≤-45°, and lightness L* is L*≥90 in an L*C*h color model.例文帳に追加
この透光性樹脂層2は膜厚30μmにおいて、L^*C^*h表色系における彩度C^*が1≦C^*≦2、色相角度hが-135°≦h≦-45°、かつ明度L^*がL^*≧90の範囲内の3条件を同時に満たす樹脂である。 - 特許庁
Before formation of the tunnel junction layer, the active layer 47 is heat-treated at a temperature higher than 600°C and lower than 750°C to form the p-type semiconductor layer 51 and then the p-type semiconductor layer is heat-treated at a temperature higher than 500°C and lower than 600°C.例文帳に追加
この際、トンネル接合層を形成する前に活性層47を、600℃より高く750℃未満の温度で熱処理し、p型半導体層51を形成した後にp型半導体層を500℃より高く600℃未満の温度で熱処理する。 - 特許庁
It is preferable that the difference in linear expansion coefficient between the top layer and the bottom layer is ≤0.5×10^-6/°C.例文帳に追加
最上層と最下層との線膨張係数の差は0.5×10^−6/℃以下が好ましい。 - 特許庁
The light transmissivity of the composite layer comprising the layer (A), (B) and (C) is 2% or higher.例文帳に追加
(A)、(B)および(C)層からなる複合層の光線透過率を2%以上とする。 - 特許庁
The multi-layer sheet has at least three layers including a polyester resin layer (A), an adhesive resin layer (B), and a mold release layer (C), and the layers are laminated in the order of A/B/C from the surface layer side of a card.例文帳に追加
ポリエステル系樹脂層(A)、接着性樹脂層(B)、離型層(C)の少なくとも3層からなり、カードの表層側からA/B/Cの順に積層されることを特徴とする多層シート。 - 特許庁
This transistor is successively equipped with at least one sub- collector layer SC, a collector layer C, a base layer B, and a metal layer 10 that is deposited onto the base layer.例文帳に追加
本トランジスタは1つ以上のサブコレクタ層SCと、コレクタ層Cと、ベース層Bと、ベース層上に堆積した金属層10とを連続して備えている。 - 特許庁
The IC label has the laminated structure of a thermoplastic resin film layer (A), an IC circuit layer (B), an adhesive layer (I), a thermoplastic resin film layer (C) and an adhesive layer (D).例文帳に追加
熱可塑性樹脂フィルム層(A)、IC回路層(B)、接着剤層(I)、熱可塑性樹脂フィルム層(C)、粘着剤層(D)の積層構造を持つICラベル。 - 特許庁
The film has a polyester layer(A layer) of a melting point of 250°C or lower on one or both sides of a polyester layer(B layer) containing a polyester of a melting point of 250°C or lower and a laminated film layer(C layer) containing a polyester on the side opposite to the A layer or on one side of the A layer.例文帳に追加
融点が250℃以下のポリエステルを含有するポリエステルの層(B層)の片側もしくは両側に、融点が250℃以下のポリエステルの層(A層)を設け、該A層とは反対側にもしくはA層の片側に、ポリエステルを含有する積層膜層(C層)が設けられてなる積層ポリエステルフィルムである。 - 特許庁
The mid layer 6 has a JIS-C hardness H2 less than the JIS-C hardness H3 of the cover 8.例文帳に追加
中間層6のJIS−C硬度H2は、カバー8のJIS−C硬度H3よりも小さい。 - 特許庁
The CrTiAl pre-seed layer 31 improves in-plane c-axis orientation while maintaining the good orientation ratio (OR).例文帳に追加
CrTiAlプレシード層31は、良好な配向比(OR)を維持しながら、面内c-軸配向を改善する。 - 特許庁
An electrode D is fixed to the electrode C with an insulating layer 204 interposed with the electrode C.例文帳に追加
電極Dは、電極Cとの間に絶縁層204を挟んで電極Cに固定されている。 - 特許庁
The intermediate layer (B) has a barrier height higher than that of the lowermost layer (A) and the uppermost layer (C) and has a dielectric constant lower than those of them.例文帳に追加
中間層(B)は、最下層(A)及び最上層(C)のいずれよりもバリアハイトが高く、誘電率が低い。 - 特許庁
A ratio of the carbon in the middle layer F is increased from a substrate layer M side toward a surface layer C side.例文帳に追加
また、中間層F中の炭素の割合は、下地層M側から表面層C側に向かって増加している - 特許庁
It is preferable to provide a resin layer (C) for relaxing stress between the resin layer (A) and the resin layer (B).例文帳に追加
樹脂層(A)と樹脂層(B)の間に応力緩和を目的とする樹脂層(C)を設けることが好ましい。 - 特許庁
The clad layer 14 is positioned within a range from the radius (b) upto a radius (c).例文帳に追加
クラッド層14は半径bから半径cの範囲にある。 - 特許庁
The forming temperature of the porous layer 3 is controlled to 600-1200°C.例文帳に追加
多孔質層3の形成温度を、600〜1200℃とする。 - 特許庁
A (step c) solidifies the yarn-extracting layer 11 and the warp yarns 112.例文帳に追加
ステップc)は、抽糸層11と縦糸112とを固化させる。 - 特許庁
The second layer preferably has an Aska C hardness of 5-50.例文帳に追加
第2の層のアスカーC硬度は5〜50であることが好ましい。 - 特許庁
The light emitting layer is thermally treated at a temperature above 1,300°C.例文帳に追加
発光層が1300℃以上の温度で熱処理されている。 - 特許庁
Asynchronous transfer mode ATM adaptation layer AAL type 2 units 4-5, 4-6 apply AAL type 2 processing to voice-compressed common part sub-layer CPS packets (a, b, c, d or the like) to multiplex the result on an ATM cell.例文帳に追加
AALタイプ2装置4-5、4-6では、音声圧縮されたCPSパケットa, b, c, d等が、AALタイプ2処理されて、ATMセルに多重される。 - 特許庁
A light reflection layer 11 is laminated on the insulating layer 7, wherein the light reflection layer 11 includes a metallic light-reflecting surface part C higher in optical reflectance than the insulating layer 7.例文帳に追加
この絶縁層7より光反射率が高い金属製の反射面部位Cを有した反射層11を絶縁層7に積層する。 - 特許庁
A layer containing a semiconductor layer is formed on a substrate with a coefficient of thermal expansion of more than 6×10^-7/°C and no more than 38×10^-7/°C, or preferably more than 6×10^-7/°C and no more than 31.8×10^-7/°C, and then the layer is heated.例文帳に追加
熱膨張率が6×10^−7/℃より大きく38×10^−7/℃以下、好ましくは6×10^−7/℃より大きく31.8×10^−7/℃以下の基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。 - 特許庁
The surface layer is formed while being reduced in difference in the atomic % of oxygen in a top most surface and in a central section of the surface layer and the atomic % in oxygen atom, fluorine atom and carbon atoms with C-O bond and C=0 bond controlled on the top most layer of the surface layer.例文帳に追加
最表面と表面層中心部における酸素の原子%の差が小さく、表面層の最表面における酸素原子とフッ素原子とC-O結合及びC=O結合を持つ炭素原子の原子%が制御された表面層を形成する。 - 特許庁
The electron emission layer 12 is formed in a part of the C surface of the substrate 11, and the electrode 18 may be formed in a region of the C surface of the substrate 11 where the electron emission layer 12 is not formed.例文帳に追加
また、電子放出層12は、基板11のC面の一部分に形成され、電極18は、基板11のC面の電子放出層12が形成されていない領域に形成されてもよい。 - 特許庁
The pressure sensitive adhesive double coated sheet comprises a laminate comprising each layer in turn (a) an adhesive layer, (b) a silver layer, (c) a flexible base material layer, and (d) a black layer/adhesive layer or (d') a black adhesive layer.例文帳に追加
(a)粘着剤層、(b)銀層、(c)可とう性基材層及び(d)黒色層/粘着剤層又は(d′)黒色粘着剤層の順にそれぞれの層を含む積層体からなる両面粘着シート。 - 特許庁
This material has such a lamination composition as a surface layer C, an adhesive resin layer D, a resin composition layer A, a polyamide resin layer B, the adhesive resin layer D, the surface layer C, and the resin composition contains a saponified ethylene-vinyl acetate copolymer (a) and a polyamide resin (b) having a melting point of ≤160°C.例文帳に追加
表面層(C)/接着性樹脂層(D)/樹脂組成物層(A)/ポリアミド系樹脂層(B)/接着性樹脂層(D)/表面層(C)の積層構成を有し、該樹脂組成物が、エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物(a)と融点が160℃以下のポリアミド系樹脂(b)を含有してなる。 - 特許庁
The modulus of elasticity at 25°C of the first cured material layer part 3a is higher than the modulus of elasticity at 25°C of the second cured material layer part 3b.例文帳に追加
第1の硬化物層部分3aの25℃での弾性率は、第2の硬化物層部分3bの25℃での弾性率よりも高い。 - 特許庁
The semiconductor layer 102 is formed as the p-type one with the addition of carbon (C).例文帳に追加
半導体層102は、Cの添加によりp型とされている。 - 特許庁
The polyester elastomer (A) layer is disposed on a surface layer, with a glass transition temperature of 0-20°C and a crystallization rate index of 20-50°C.例文帳に追加
ポリエステル系エラストマー(A)層は、表層に配されるとともに、ガラス転移温度が0〜20℃、かつ結晶化速度指標が20〜50℃である。 - 特許庁
An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on an SiC substrate 11, the temperature is turned to 1050°C, and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加
SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成し、温度を1050℃にしてGaN層13を3μm程度成長させる。 - 特許庁
The lowest layer card C inside the card stacker is delivered by a kick roller 15.例文帳に追加
カードスタッカ内の最下層のカードCをキックローラ15で繰り出す。 - 特許庁
Preferably, an adhesive layer (C) can be provided between both layers.例文帳に追加
好ましくは両層間に接着層(C)を設けることができる。 - 特許庁
Further, an upper layer ta-c film 1 is formed on the lower layer ta-C film 2 by the FCVA method with high bias voltage.例文帳に追加
さらに、下層ta−C膜2上に高バイアス電圧でのFCVA法により上層のta−C膜1を形成するようにする。 - 特許庁
The melting point of the inorganic gas barrier layer is desirably below 1,500°C.例文帳に追加
無機ガスバリア層の融点は、1500℃未満であることが望ましい。 - 特許庁
A carrier C has a resin coating layer on a core material surface.例文帳に追加
キャリアCは、芯材表面に樹脂被覆層を有したものである。 - 特許庁
(c) A cavity 6 is formed by etching the insulating layer 2 by using the sacrificial layer 4 and the gate electrode layer 3 as a mask.例文帳に追加
(c)犠牲層4とゲート電極層3とをマスクとして絶縁層2をエッチングして空孔部6を形成する。 - 特許庁
The hBN layer 21 is an orientational hBN layer having a (c) axis parallel to the normal of a surface of the hBN layer 21.例文帳に追加
hBN層21は、hBN層21の表面の法線と平行なc軸を有する配向性hBN層である。 - 特許庁
An adhesive layer 2 is formed on a transparent substrate 1 (a, b), an organic double-refracting film 3 is placed on the layer 2 and stuck on the layer 2 (c).例文帳に追加
透明基板1に接着層2を形成し(a,b)、その上に有機複屈折膜3を載置して貼り付け(c)。 - 特許庁
A silicon oxide layer 4 is formed on a polysilicon layer 3 in a step (b), and the patterning of the silicon oxide layer 4 is carried out in a step (c).例文帳に追加
ポリシリコン層3上に酸化シリコン層4を形成し(図1(b))、酸化シリコン層4をパターニングする(図1(c))。 - 特許庁
An air- bubble protection layer (D) is laminated on the coating layer (C) to obtain higher heat insulation.例文帳に追加
該コ−テング層(C)に更に気泡保護層(D)が積層されるとより断熱性が向上する。 - 特許庁
This causes further alteration of the alteration layer A, hence formation of an alteration layer C of a network structure.例文帳に追加
この場合、変質層Aがさらに変質して網目構造の変質層Cが形成される。 - 特許庁
In the step (C), a two-layer metal plating layer of nickel and gold is formed at the plug terminal formation part.例文帳に追加
(C)接栓端子形成部に、ニッケル及び金の2層金属めっき層を形成する工程。 - 特許庁
To provide an electric double layer capacitor electrode capable of raising a double layer capacitance C.例文帳に追加
二重層容量Cを高めることが出来る電気二重層キャパシタ用電極を提供する。 - 特許庁
In the process (c), the dielectric layer is formed by performing heat treatment on the deposition layer 6.例文帳に追加
工程(c)では、成膜層6に対して熱処理を施すことにより、誘電体層を形成する。 - 特許庁
In this case, the quality-changed layer A further changes in quality to form a quality-changed layer C having a mesh structure.例文帳に追加
この場合、変質層Aがさらに変質して網目構造の変質層Cが形成される。 - 特許庁
The average thermal expansion coefficient of the outer layer at room temperature to 300°C is preferably controlled to ≤11.5×10-6/°C.例文帳に追加
この外層は、室温から300 ℃における平均熱膨張係数が11.5×10^^-6/℃以下とするのが好ましい。 - 特許庁
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