claddingを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1491件
There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).例文帳に追加
ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁
On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.例文帳に追加
ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁
An epitaxy structure (200) established on the surface of a substrate (100) includes, from bottom to top, a bottom cladding layer (210), a bottom waveguide layer (220), a light-emitting layer (230), an upper waveguide layer (240), an upper cladding layer (250), and an electrode contact layer (260).例文帳に追加
基板(100)表面に構築されたエピタキシー構造体(200)は、下部クラッド層(210)、下部導光層(220)、発光層(230)、上部導光層(240)、上部クラッド層(250)および電極接触層(260)を含み、これらの層は下から上に積み上げられる。 - 特許庁
For example, when the impurity layer (8) is disposed between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6), the impurity concentration of the impurity layer (8) is ≥1/10 to ≤1/2 of the impurity concentration of the p-type cladding layer (18).例文帳に追加
不純物層（８）は、例えば、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間に設けられる場合に、その不純物濃度が、ｐ型クラッド層（１８）の不純物濃度の１０分の１以上かつ２分の１以下である。 - 特許庁
In the repair method in which cladding by welding is applied on a rotor material to form a repair part, this cladding by welding is thin build-up welding with a high deposition rate, forming the repair part by laminating beads of the thin build-up welding.例文帳に追加
ロータ材に肉盛溶接を施し、補修部を形成する補修方法において、前記肉盛溶接は溶着速度の速い薄盛溶接であり、その薄盛溶接のビードを積層することにより前記補修部を形成する。 - 特許庁
The terminal block 2 is provided with a conductor guide projection 21a which clips the conductor 41 of the electric wire 4 for guiding it to the terminals 3, and a cladding guide groove 23a for guiding a portion where an insulating cladding 42 is never peeled off on the electric wire 4.例文帳に追加
端子台２には、電線４の心線４１を挟んで端子３へガイドする心線ガイド突起２１ａと、電線４において絶縁被覆４２が剥かれていない部位をガイドする被覆ガイド溝２３ａとが設けられている。 - 特許庁
For the optical fiber made of a core and a cladding section, two or more slits are machined in the core and the optical fiber with members fixed on the both sides of the axis direction of the slits and around the cladding section is arranged on the surface of the structure made of the resin.例文帳に追加
次に、コアとクラッドからなる光ファイバにおいて、コアにスリットを２個以上加工しておき、これらのスリットの軸方向両側にクラッドの周囲に部材を固定した光ファイバを樹脂製構造体表面に配置する。 - 特許庁
The optical waveguide layer 10 is disposed on the cladding layer 9, includes a pair of optical waveguides 2, 3 having optical coupling sections 4 and extending with a distance between each other, and has a refractive index larger than that of the cladding layer 9.例文帳に追加
光導波路層１０は、クラッド層９上に設けられ、互いに間隔を空けて並走する光結合部４を有する１対の光導波路２、３を含み、クラッド層９の屈折率よりも大きい屈折率を有している。 - 特許庁
A semiconductor layer laminate ST including a first cladding layer 11, an active layer 12, and a second cladding layer 13 is formed on a substrate 10; and an irregularity formation layer 16 is formed with the light output surface on the laminate.例文帳に追加
基板１０上に、第１クラッド層１１、活性層１２及び第２クラッド層１３を含む半導体積層体ＳＴが形成されており、その上に、光取り出し面を有する凹凸形成層１６が形成されている。 - 特許庁
The red laser element 1 has a double hetero structure wherein an InGaP system or AlGaInP system active layer 13 is sandwiched between a first conductive type cladding layer 12 and a second conductive type cladding layer 14 containing a ridge 14a.例文帳に追加
赤色レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１２と、リッジ１４ａを有する第２導電型クラッド層１４とによりＩｎＧａＰ系又はＡｌＧａＩｎＰ系活性層１３が挟まれたダブルへテロ構造を備える。 - 特許庁
An exemplary optical back plane has a first cladding layer disposed over the top surface of a substrate and at least a first core part disposed over the first cladding layer, with the first core part having a first end and a second end.例文帳に追加
一例の光バックプレーンは基板の上面上に設けられた第１のクラッディング層と、第１のクラッディング層上に設けられた少なくとも第１のコア部とを有し、第１のコア部は第１端部及び第２端部を有する。 - 特許庁
When a reverse electrostatic discharge voltage is applied between the second cladding layer 27 and a first cladding layer 21, a depletion layer is formed in the III-V compound semiconductor layer 25, thereby reducing the maximum electric field in the semiconductor ridge 15.例文帳に追加
第１のクラッド層２１と第２のクラッド層２７との間に逆方向の静電放電電圧が印加されるとき、III−Ｖ化合物半導体層２５に空乏層が生成されて、半導体リッジ１５における最大電界を低減できる。 - 特許庁
A corrosion potential is kept low by the excitation current effect even in a condition wherein hydrogen is not injected, and the fuel clad 3 remains on the surface of the fuel cladding tube 1, to thereby suppress radiation emission from the fuel cladding tube 1.例文帳に追加
この励起電流効果により、腐食電位は、水素を注入しない条件でも低く維持され、燃料クラッド３は燃料被覆管１の表面にとどまり、燃料被覆管１からの放射能放出は抑制される。 - 特許庁
A mold M for forming an over-cladding layer is integrally made by molding with a model 40 of identical shape with the over-cladding layer, using a translucent resin 20A and a translucent supporting plate G as forming materials.例文帳に追加
オーバークラッド層形成用の成形型Ｍを、透光性樹脂２０Ａと透光性支持板Ｇとを形成材料とし、オーバークラッド層の形状と同一形状の型部材４０を用いて型成形することにより、一体的に作製する。 - 特許庁
The combinations of the webs and the gaps act as the internal thin claddings to support the cladding mode fewer than the conventional glass claddings and considerably provide the increase of the wavelength intervals between the Bragg resonance and the first cladding mode resonance.例文帳に追加
ウェブとギャップの組み合わせは、従来のガラスクラッディングより少ないクラッディングモードをサポートする内部の薄いクラッディングとして働き、ブラッグ共振と第１のクラッディングモード共振間の波長間隔の増加をかなり提供する。 - 特許庁
Then, a second laminate ST2 in which at least a first conductive type third cladding layer 37, a second active layer 38, and a second conductive type fourth cladding layer 39 are laminated is formed on the substrate 30 by the epitaxial growth method.例文帳に追加
次に、基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層３７、第２活性層３８および第２導電型第４クラッド層３９を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。 - 特許庁
The use efficiency of the cladding pump light in the cladding pumped optical device is improved by converting a higher-order mode traveling in the clad to a lower mode more effectively engaging with the energy conversion step when entering the core region.例文帳に追加
クラッド励起型光学素子内のクラッド励起光の利用効率は、クラッド内を進行する高次モードを、コア領域に入ってより効果的にエネルギー交換工程に関与する低次モードに変換することによって改善される。 - 特許庁
An InP:Mn/InGaAsP core layer 12 wherein an InP:Mn layer 12a is interposed between InGaAsP layers 12b is formed on an InP cladding layer 11 and an InP:Mn cladding layer 13 is formed thereon to form the waveguide type Faraday rotation element 10.例文帳に追加
ＩｎＰクラッド層１１上に、ＩｎＰ：Ｍｎ層１２ａがＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂで挟まれたＩｎＰ：Ｍｎ／ＩｎＧａＡｓＰコア層１２を形成し、その上にＩｎＰ：Ｍｎクラッド層１３を形成して、導波路型ファラデー回転素子１０を形成する。 - 特許庁
A group III nitride semiconductor light-emitting element has a structure in which an n-type contact layer 11, an ESD layer 12, an n-type cladding layer 13, a light-emitting layer 14, a p-type cladding layer 15, and a p-type contact layer 16 are stacked on a sapphire substrate 10.例文帳に追加
III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。 - 特許庁
Next, a first cladding layer 40, a waveguide layer 50, and a second cladding layer 60 are sequentially formed on the GaAs layer in such a way that the spontaneous polarization direction of the second region is the reverse of that of the first region.例文帳に追加
次に、ＧａＡｓ層上に、第２領域の自発分極の方向が、第１領域の自発分極の方向に対して反転するように、第１クラッド層４０、導波路層５０、及び第２クラッド層６０を順に形成する。 - 特許庁
The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加
基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁
According to the cladding material mounting structure, a metal plate 4 having a plurality of energy absorbing holes 5 dispersively formed therein, serves as a bearing element of a bearing wall, and mounting of the cladding material 2 is achieved by using the energy absorbing holes 5 formed in the metal plate 4.例文帳に追加
エネルギー吸収用の孔５を複数、分散状態に具備する金属板４が耐力壁の耐力要素として備えられ、外装材２が、該金属板４のエネルギー吸収用の孔５を利用して取り付けられている。 - 特許庁
The unit fiber 4 has a core 5 for propagating the light which is made incident from the input end surface 2, a cladding 6 for covering the external periphery of the core 5, and a light absorbing body 7 for absorbing the incident light while covering the external periphery of the cladding 6.例文帳に追加
単位ファイバ４は、入力端面２から入射した光を伝搬するコア５と、コア５の外周部を覆うクラッド６と、クラッド６の外周部を覆い且つ入射する光を吸収する光吸収体７とを備える。 - 特許庁
A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method.例文帳に追加
基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成する。 - 特許庁
In an elliptic core optical fiber 1 which consists of an elliptic core 3 and a cladding 2 which includes the elliptic core 3, the optical fiber 1 is constituted by providing holes 4 which are extended in the longitudinal direction in the cladding 2 so as to be opposed at both sides of the core 3.例文帳に追加
楕円コア３と該楕円コアを包含するクラッド２からなる楕円コア光ファイバ１において、前記楕円コア３の両側に対向するように、前記クラッド２中に長手方向に伸びる孔４を設けた構造とする。 - 特許庁
Hydrogen concentration (1.5e18 cm^-3) of the fourth cladding layer 110 of the infrared semiconductor laser is higher than hydrogen concentration (1e18 cm^-3) of the second cladding layer 105 in the first semiconductor laser red semiconductor laser.例文帳に追加
赤外半導体レーザの第４クラッド層１１０の水素濃度（１．５ｅ１８ｃｍ^−３）が、第１半導体レーザ赤色半導体レーザの第２クラッド層１０５の水素濃度（１ｅ１８ｃｍ^−３）よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁
The waveguide type semiconductor element (2) is provided with an impurity layer (8) in contact with the waveguide layer (6) in at least a gap out of gaps between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6) and between the n-type cladding layer (4) and the waveguide layer (6).例文帳に追加
この導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間およびｎ型クラッド層（４）と導波層（６）との間の少なくとも一方に、導波層（６）に接する不純物層（８）を備える。 - 特許庁
To provide a processing method of wood capable of preventing a current leak from an electronic member which cuts off an electromagnetic wave, is arranged near and also suitable as a cladding material of an electronic device, and a cladding material of the electronic device.例文帳に追加
電磁波を遮蔽するとともに近くに配置された電子部材からの電流漏れを防止することができ、電子機器の外装材としても好適な木材の加工方法および電子機器用外装材を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method consists of a casting process, a grinding process, a cladding process and a valve seat forming process.例文帳に追加
本発明に係る製造方法は、鋳造工程と、研削工程と、肉盛工程と、バルブシート形成工程を有する。 - 特許庁
A first abrasion resistant hardened metal 14a is filled for cladding between the adjacent ribs 13 and 13 to bury the undercut part.例文帳に追加
隣接するリブ１３，１３間に第１の耐磨耗性硬化金属１４ａを肉盛り充填し、アンダーカット部１２を埋める。 - 特許庁
The welding material has ability to directly perform cladding welding on a casting surface of cast iron.例文帳に追加
本発明の肉盛り用溶接材料は、鋳鉄の鋳肌面に直接肉盛り溶接することができる効果を有する。 - 特許庁
Less residual oil content and water content are found in proximity to the groove 16, therefor, the occurrence of defective cladding can be suppressed.例文帳に追加
従って、溝１６の近傍には残存油分や水分が少なく、肉盛欠陥の発生を抑制することができる。 - 特許庁
The connector 10 for removing the cladding 30 surrounds at least a part of the light transmitting center 28 of the optical fiber cable 20.例文帳に追加
クラッド３０を除去するコネクタ１０は最低でも部分的に光ファイバケーブル２０の光伝送中心２８を囲む。 - 特許庁
An opening reaching the mesa substrate through the contact layer, second cladding layer, and current block section is formed by wet etching.例文帳に追加
ウェットエッチングにより、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。 - 特許庁
The buried trench has an outer radius r_3, a width _W3, and a negative refractive index difference Dn 3 with respect to the outer cladding.例文帳に追加
埋め込み溝は、外半径ｒ_３、幅ｗ_３、および外側クラッドに対する負の屈折率差Ｄｎ_３を有する。 - 特許庁
The laminated sheet A is obtained by cladding a metal foil 4 at least on one surface side of the resin-impregnated sheet 1, and curing the resin.例文帳に追加
積層板Ａは、樹脂含浸シート１の少なくとも一方の面側に金属箔４を重ねて硬化してなる。 - 特許庁
To provide a clad structural material manufacturing method of high cladding strength and excellent productivity, and a clad structural material.例文帳に追加
接合強度が高く、生産性に優れたクラッド構造材の製造方法及びこのクラッド構造材を提供する。 - 特許庁
The cut cladding material (positive electrode terminal 6) is sent to a terminal supply/positioning unit 7 through a delivery unit 5.例文帳に追加
切断されたクラッド材（正極端子６）を、受け渡しユニット５を介して端子供給／位置出しユニット７へ送る。 - 特許庁
A upper cladding layer 17 consisting of a plane glass 12 is fixed thereon, by which the optical waveguide substrate is manufactured.例文帳に追加
そしてその上に平面ガラス基板１２からなる上部クラッド層１７を固定し、光導波路基板を製作する。 - 特許庁
A ferrite coating is formed on the outside face of a cladding tube used for each fuel rod included in the fuel assemblies 5.例文帳に追加
燃料集合体５に含まれる各燃料棒に用いられる被覆管の外面に、フェライト皮膜が形成されている。 - 特許庁
The chirped pulse amplifying action of cladding-pumped fiber allows the chirped pulse amplification of high output to be performed while it is miniaturized and inexpensive.例文帳に追加
クラッドポンプファイバーのチャープパルス増幅作用で、小型低廉でありながら高出力のチャープパルス増幅ができる。 - 特許庁
The external cladding part 14 can be fixed on the cylindrical part 12 by inserting the tongue 22 into the slit part 20.例文帳に追加
切込部２０に舌片２２を挿入することにより、外装部１４を筒状部１２上に固定することができる。 - 特許庁
The insulator 3 with the metal material is formed by cladding the metal material 1 with its surface roughened to the insulator 2.例文帳に追加
表面を粗化した金属体１を絶縁体２に張り合わせて形成される金属体付き絶縁体３に関する。 - 特許庁
Accordingly, the core 111a can be covered up to the tip thereof only by distributing a small quantity of the cladding resin 115.例文帳に追加
これにより、少ない量のクラッド用樹脂１１５でコア１１１ａの先端まで覆うように分布させることができる。 - 特許庁
In general, the fiber comprises a hollow-core region surrounded by a cladding region, which includes a localized hollow-waveguide region.例文帳に追加
一般に、このファイバは、局在中空導波路領域を含むクラッド領域で取り囲まれた中空領域を備える。 - 特許庁
A III-V compound semiconductor layer 25 forms a junction with an active layer 23 and forms a junction with a second cladding layer 27.例文帳に追加
III−Ｖ化合物半導体層２５は活性層２３と接合を成すと共に第２のクラッド層２９と接合を成す。 - 特許庁
To provide a seal plate (70) for repairing a damaged area (116) in a cladding (68) of a pressure vessel.例文帳に追加
本発明は、圧力容器クラッディング（６８）の損傷区域（１１６）を補修するためのシールプレート（７０）を提供する。 - 特許庁
The third cladding layer 7 is subjected to epitaxial growth to form a contact layer 13, thus manufacturing a semiconductor light-emitting device 20.例文帳に追加
第三クラッド層７をエピタキシャル成長させてコンタクト層１３を形成して、半導体発光素子２０が製造される。 - 特許庁
PRODUCTION OF CEMENT ROOFING AND CLADDING PRODUCT CONTAINING FIBROUS MATERIAL CONTAINING MICRO SILICA AND CONTAINING NO ASBESTOS例文帳に追加
マイクロシリカを混和したアスベストを含有しない繊維質物質を含有するセメントルーフィング及びクラッディング製品の製造法 - 特許庁
A waveguide structure having a core region and an attenuation region is formed on the bottom cladding by photolithography.例文帳に追加
フォトリソグラフィにより、下部クラッド層上にコア領域および減衰領域を有する導波路構造が形成される。 - 特許庁
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