「cu multilayer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To suppress a stress migration in a multilayer wiring structure having a Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンを有する多層配線構造においてストレスマイグレーションを抑制する。 - 特許庁

SOLUTION AND METHOD FOR REMOVING ASHING RESIDUE IN Cu/LOW-K MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE例文帳に追加

Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ多層配線構造のアッシング残渣の剥離液及び剥離方法 - 特許庁

To implement a multilayer interconnection using a FSG film as an insulation film between Cu wirings which is capable of reducing an influence of HF.例文帳に追加

ＨＦの影響を軽減できる、Ｃｕ配線間の絶縁膜としてＦＳＧ膜を用いた多層配線を実現すること。 - 特許庁

To form an adhesion improved layer made of oxide at the interface between a Cu wire and a cap layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, and to improve reliability of the Cu wire to migration without increasing resistance of the Cu wire.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、Ｃｕ配線とキャップ層との界面に酸化物からなる密着改善層を形成し、Ｃｕ配線の抵抗を上昇させることなく、Ｃｕ配線のマイグレーションに対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a wiring pad structure for Cu multilayer wiring which is capable of preventing the destruction of an Al cap film due to contact by a probe during a probing process, which may cause the exposure or the destruction of a Cu pad.例文帳に追加

プロービング工程時にプローブ接触によりＡｌキャップ膜が破壊され、Ｃｕパッドの露出や破壊が発生することを防止できる、Ｃｕ多層配線用の配線パッド構造を提供すること。 - 特許庁

Here, the I/O branch wiring 17 is, for example, such a wiring as being comprised of a multilayer structure where Au/Ni/Cu/Cr are laminated, and Au/Ni/Cu is etched at a part of the wiring to provide Cr resistor.例文帳に追加

この場合、例えば、Ｉ／Ｏ分岐配線１７をＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒを積層した多層構造を有する配線とし、この配線の一部においてＡｕ／Ｎｉ／ＣｕをエッチングしてＣｒ抵抗を設ける。 - 特許庁

A Cu-based Cu wiring member 12 accompanying the coating of a barrier metal 11 and a diffusion barrier layer formed in an upper part is buried in an interlaminar insulation film 10 (101, 102) in multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線における層間の絶縁膜１０（１０１，１０２）中にバリアメタル１１の被覆及び上部の拡散バリア層形成を伴うＣｕを主成分としたＣｕ配線部材１２が埋め込み形成されている。 - 特許庁

The multilayer wiring structure is provided with Cu wiring 35, 43 formed on and under an SiO_2 film 37, and a viaplug 41 which connects the wiring 35 with the wiring 43.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜３７を介して上下に設けられるＣｕ配線３５，４３と、Ｃｕ配線３５，４３間を接続するビアプラグ４１とを備える。 - 特許庁

To provide a selective W-CVD method forming an available W cap film by preventing the rupture of a selectivity and a manufacturing method for a Cu multilayer wiring.例文帳に追加

選択性の破れを防いで、有用なＷキャップ膜を形成する選択Ｗ−ＣＶＤ法及びＣｕ多層配線の製作法の提供。 - 特許庁

An interlayer dielectric 3, a diffusion barrier insulation film 4 and a Cu wiring 5 are layered in a plurality of layers on a Si substrate 2 in the multilayer wiring structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に、層間絶縁膜３、拡散バリア絶縁膜４、およびＣｕ配線５を複数層に積層して多層配線構造とする。 - 特許庁

When the multilayer metal layer comprising layers 31, 33 containing Ni and a layer 32 containing Cu are etched, a substance capable of forming an anti-corrosive coating film on the surface of the layer 32 containing Cu and an etching solution containing ferrous chloride and ferric chloride are used.例文帳に追加

Ｎｉを含む層３１，３３とＣｕを含む層３２とからなる多層金属層をエッチングするに当たり、Ｃｕを含む層３２の表面に防食性被膜を形成する物質と、塩化第１鉄と、塩化第２鉄と、からなるエッチング液を使用する。 - 特許庁

In multilayer wiring, on a second interlayer insulating film 14 formed on a substrate, a Ti film 16a, a TiN film 16b and an Al-Cu film 16c are sequentially laminated.例文帳に追加

多層配線において、第２層間絶縁膜１４の上にＴｉ膜１６ａ、ＴｉＮ膜１６ｂ、及びＡｌ−Ｃｕ膜１６ｃとを順に基板上に積層形成する。 - 特許庁

To improve the life of wiring of a multilayer wiring structure comprising a barrier film consisting of an Mn oxide film which is self-formed on the surface of a Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンの表面に自己形成されるＭｎ酸化物膜よりなるバリア膜を有する多層配線構造において、配線の寿命を向上させる。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring structure which has a good Cu diffusiveness and is excellent in a heat resistance, an electrical property, especially a dielectric constant and an adhesive property or the like, and to provide a semiconductor device which is equipped with the multilayer wiring structure and is excellent in the electrical property.例文帳に追加

Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、及びこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。 - 特許庁

To provide piezoelectric ceramic materials for use in multilayer components with Cu internal electrodes, which are excellent in a lower power loss with better deflection compared with conventional arts.例文帳に追加

従来技術に比べて良好な変位を生じさせながらも損失電力が小さい点で優れているＣｕ内部電極を備えた多層素子に適用するための圧電素子を提供する。 - 特許庁

A microwave assisted magnetic recording (MAMR) structure 20 comprises: an PMA multilayer 23 such as [CoFe/Ni]_X overlying on a composite seed layer 22 having a Ta/M1/M2 configuration where, for example, M1 is Ti and M2 is Cu.例文帳に追加

ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。 - 特許庁

To provide a method of forming multilayer interconnect structure in which wiring grooves are not exposed to prevent film peeling when a Cu layer on the outer peripheral edge of a wafer is removed.例文帳に追加

膜剥がれを防止するために、ウエハ外周縁部上のＣｕ層を除去する際、配線溝を露出させないようにした多層配線構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a highly reliable interconnection wiring structure of a fine multilayer wiring formed of a buried Cu wiring material constituting an integrated circuit and its manufacturing method.例文帳に追加

集積回路を構成する埋め込みＣｕ配線材料による微細な多層配線で高信頼性の接続配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide multilayer wiring structure which can restrain electromigration without losing an advantage that Cu wiring has a low resistance value which is an important factor for high speed operation.例文帳に追加

高速動作に重要な要素である、Ｃｕ配線が低い抵抗値を有するという利点を損なわずに、かつエレクトロマイグレーションを抑制することができる多層配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing a metal multilayer film where the upper surface of a metal film (e.g. a Cu film) at a lower layer portion is covered with a metal film (e.g. a Cr film) at an upper layer portion neither too much nor too less.例文帳に追加

下層部の金属膜（例えば、Ｃｕ膜）の上面が上層部の金属膜（例えば、Ｃｒ膜）によって過不足無く覆われた金属多層膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer ceramic capacitor, which prevents the oxidation of an electrode layer at baking by applying a Cu external electrode on the multilayer ceramic capacitor where the internal electrode is Ni and the dielectric ceramic is barium titanate, and which does not cause nonconformity in a plating process.例文帳に追加

内部電極がＮｉで誘電体セラミックがチタン酸バリウムである積層セラミックコンデンサにＣｕ外部電極を塗布し、焼き付ける際の電極層の酸化を防止するとともに、めっき工程においても不具合を生じない積層セラミックコンデンサの製造方法を得る。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device having a multilayer trench-wiring structure using Cu as the main material thereof is characterized in that there are used respectively an insulation film having a low dielectric constant, as the interlayer film of its Cu-wiring portion, and an insulation film having a high dielectric constant, as the interlayer film of its portion having such a metallic pole as a plug whereby its wirings are joined to each other.例文帳に追加

Ｃｕを主な材料とする、多層の溝配線構造を有する半導体装置において、比誘電率の低い絶縁膜を、Ｃｕ配線部分の層間膜として、また、比誘電率の高い絶縁膜を、配線間を接合するプラグなどの金属柱が存在する部分の層間膜として、それぞれ、構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection structure excellent in a Cu diffusion, a heat resistance, an electrical performance, especially, a dielectric constant, and an adhesion; and to provide a semiconductor device having the structure and excellent in the electrical performance.例文帳に追加

Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。 - 特許庁

The rolled copper alloy foil for the resistor of the multilayer substrate has a chemical composition comprising 1.5-5 mass% Ti and the balance Cu with unavoidable impurities, and has a thickness of 50 μm or thinner and a volume resistivity of 300 nΩm or higher.例文帳に追加

化学組成が１．５〜５質量％のＴｉを含有し残部がＣｕ及び不可避不純物からなり、厚さ５０μｍ以下、体積抵抗率が３００ｎΩ・ｍ以上であることを特徴とする多層基板の抵抗体用圧延銅合金箔。 - 特許庁

To provide a multilayer electronic component which can have excellent bonding between an internal electrode and an external electrode when using the internal electrode made principally of Ni, Cu or Al to make a low-resistance connection between the both, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｌを主成分とする内部電極を用いた場合に、内部電極と外部電極との良好な接合を形成でき、両者の低抵抗接続が可能な積層電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer electronic component which can have excellent bonding between an internal electrode and an external electrode when using the internal electrode made principally of Ni, Cu or Al to make a low-resistance connection between the both, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｌを主成分とする内部電極を用いた場合に、内部電極と外部電極との良好な接合を形成でき、両者の低抵抗接続を実現可能な積層電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using a mixed gas composed of CHF_3 and N_2 in forming interconnection grooves 30 on the Cu interconnections 21 by dry-etching a multilayer film including a silicon carbide/nitride film, sidewalls of the interconnection grooves 30 are worked perpendicular and the trouble allowing deposits or the insulating reaction byproducts to adhere on the surface of the Cu interconnections 21 exposed on the bottoms of the interconnection grooves 30 is suppressed.例文帳に追加

炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてＣｕ配線２１の上部に配線溝３０を形成する際、ＣＨＦ_３とＮ_２とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝３０の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝３０の底部に露出したＣｕ配線２１の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A package 10 has a multilayer structure which is comprised of a section 10a made of metal such as Al or Cu, and a section 10b made of a ceramic material (AlN or the like) with high thermal conductivity; and the metallic section 10a is arranged on the side of a recess 11 wherein an LED chip 1 is mounted.例文帳に追加

パッケージ１０は、ＡｌやＣｕのような金属製の部分１０ａと、高熱伝導率のセラミック材料（例えば、ＡｌＮなど）製の部分１０ｂとの多層構造を有し、金属製の部分１０ａがＬＥＤチップ１の実装される凹所１１側に配置されている。 - 特許庁

On the surface of a terminal connection part 10, a plating film (an Ni layer 21, a Pd layer 22 and an Au layer 23) with a multilayer structure including a metal (Ni) layer preventing diffusion of a metal (Cu) included in the terminal connection part 10 to the outermost surface layer is formed, and a silicon-containing layer 24 is formed on the surface of the plating film.例文帳に追加

端子接続部１０の表面に、端子接続部１０に含まれる金属（Ｃｕ）が最表層へ拡散するのを防止する金属（Ｎｉ）層を含む多層構造のめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）が形成され、このめっき膜の表面に、珪素を含む層２４が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an inexpensive and highly reliable high integrated circuit can be formed by suppressing an excessive facility investment, keeping a high productivity and forming physically and electrically appropriate connection in an interlayer wiring with a multilayer wiring structure using a wiring material made mainly of Cu.例文帳に追加

余剰な設備投資を抑制し、かつ高い生産性を保持して、Ｃｕを主成分とする配線材を用いた多層配線構造の配線層間において、物理的、電気的に良好な接続を形成することによって、安価で信頼性の高い高集積回路となる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a multilayer module structure of a printed circuit board, a Cu film is formed between pads on a lowermost layer, coupled with solder balls of a topmost layer and on corresponding parts of the lowermost layer to a pattern formed on an upper layer of the lowermost layer, thereby removing signal interference and noise, and matching the impedance.例文帳に追加

プリント回路板の多層モジュール構造において、最上層のソルダボール１１３に連結された最下層のパッド１６１とパッド１６１との間、及びこの最下層の上層に形成されたパターン１５２に対応する前記最下層の該当部分に銅膜１６３を形成して信号干渉及び雑音を除去し、インピーダンスを合わせるように構成した。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass ceramic multilayer wiring board calsined at a low temperature using a ceramic green sheet, which is excellent in non-binder performance and the handling at the time of row processing because of the moderate sheet strength and moderate flexibility, and especially excellent in property of forming fine via holes at a narrow pitch with a low fusion point metals such as Ag, Cu or Au as a wiring material.例文帳に追加

特にＡｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの低融点金属を配線材料とし、脱バインダー性に優れ、生加工時の取り扱い性、具体的には適度なシート強度、適度な柔軟性、特に狭ピッチの微細なビアホールの形成性に優れるセラミックグリーンシートを用いた低温焼成のガラスセラミック多層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a low temperature sintered compact having sufficient mechanical strength for a multilayer circuit board, low relative permittivity at a high frequency region, and also low and stable tangent of dielectric loss, capable of manufacturing by firing at a low temperature of 800-1000°C, and multilayering using gold (Au), silver (Ag) or copper (Cu) for wiring conductor.例文帳に追加

多層回路基板として十分な機械的強度を有し、かつ高周波領域における比誘電率が低く、誘電正接も低く安定であるという特性を併せ持ち、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）を配線導体とした多層化が可能となる８００〜１０００℃という低温での焼成によって作製することのできる高周波用の低温焼成焼結体を得る。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁