「d-ch」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In addition, switches 191, 192 are provided also to rear stages (rear stages of an amplifier, an A-D converter) of an input terminal 1 (CH.1) and an input terminal 2 (CH.2).例文帳に追加

また、入力端子１（ＣＨ．１）と入力端子２（ＣＨ．２）の後段（アンプ、Ａ／Ｄコンバータの後段）にもスイッチ１９１、スイッチ１９２を設ける。 - 特許庁

A diode D, which makes the electric current pass from the side of the capacitor C to the side of the P-ch MOSFET (Pup or Pdw), is provided between the capacitor C and the P-ch MOSFET (Pup or Pdw).例文帳に追加

コンデンサＣとＰｕｐ、Ｐｄｗとの間にコンデンサＣ側からＰｕｐ、Ｐｄｗ側への電流を通すダイオードＤを設ける。 - 特許庁

A simplified FSK demodulation circuit 30 uses an I-CH modulation signal S11 and a Q-CH modulation signal S12 that are digital data before D/A conversion, to perform simplified demodulation in an FSK modulation circuit 10 which inputs a D/A converted I/Q signal to a quadrature modulator 19 and generates an FSK modulated signal FMS.例文帳に追加

簡易型のＦＳＫ復調回路３０は、直交変調器１９にＤ／Ａ変換後のＩ／Ｑ信号を入力させてＦＳＫ変調信号ＦＭＳを生成させるＦＳＫ変調回路１０において、Ｄ／Ａ変換前のディジタルデータであるI-CH変調信号Ｓ１１及びQ-CH変調信号Ｓ１２を用いて簡易復調する。 - 特許庁

On the base plate 2, the inner diameter D of the area near the opening of the through hole CH is made larger than the inner diameter d of the other area of the through hole CH, and a step 6 is formed around the through hole CH of the light incident surface, i.e., the surface the reflective layer 3 and the recording layer 4 are formed.例文帳に追加

この基板２は、貫通孔ＣＨの開口部近傍領域の内径Ｄが貫通孔ＣＨのその他の部分の内径ｄよりも大きくなっており、光入射側の面すなわち反射層３及び記録層４が形成されている面の貫通穴ＣＨの周囲に段差部６が形成されている。 - 特許庁

A PIAFS control part 12 controls the PIAFS as the standard protocol of data transmission with a PHS 104 and a D-ch control part 14 controls the call control channel D of an ISDN.例文帳に追加

さらに、ＰＩＡＦＳ制御部１２でＰＨＳ１０４とのデータ伝送の標準プロトコルであるＰＩＡＦＳを制御し、Ｄ−ｃｈ制御部１４でＩＳＤＮの呼制御チャネルＤの制御を行う。 - 特許庁

During the stay in the CH (challenge) mode with a limited prescribed frequency for possible stay, it is possible to execute an advance notice performance for the shift to the varied probability mode in which the "curtain D" is changed as shown in Fig.29 (a)-(d).例文帳に追加

滞在し得る規定回数が限られているＣＨモード滞在中、図２９（ａ）〜（ｄ）に示すように「緞帳Ｄ」を変化させる確変モード移行予告演出を実行可能にした。 - 特許庁

In a TFT, a source S, a channel Ch and a train D becoming the path of a current which is to be supplied to an OLED are formed in a semiconductor thin film 4.例文帳に追加

ＴＦＴは、ＯＬＥＤに供給される電流の通路となるソースＳ、チャネルＣｈ及びドレインＤが半導体薄膜４に形成されている。 - 特許庁

The concentration of impurities in the channel formation region CH is inhibited, thus preventing the threshold voltage of the D-MOSFET 20 from becoming higher than conventional.例文帳に追加

チャネル形成領域ＣＨの不純物濃度を抑えることで、Ｄ−ＭＯＳＦＥＴ２０のしきい値電圧が従来より高くなることを防ぐことができる。 - 特許庁

When a radius of the sack part 28 is represented by (r) while a distance from the needle valve axis CN to the intersection B between the injection hole axis CH and the sack wall face 36 is represented by (d), a relationship d≥r/2 is satisfied.例文帳に追加

サック部２８の半径をｒとし、ニードル弁中心軸線ＣＮから噴孔中心軸線ＣＨとサック壁面３６との交点Ｂまでの距離をｄとした場合に、ｄ≧ｒ／２の関係を満たすようにする。 - 特許庁

This way, at the time of switching from charge to discharge, the upper limit value a is increased by d, and again when the upper limit value a increases to a CH value, likewise it is decreased by d at switching from charge to discharge.例文帳に追加

このようにして充電から放電の切り替えの際に、ｄだけ上限値ａを増加させ、再び、ＣＨ値まで上限値ａが増加したら、同じく充電から放電の切り替えの際にｄだけ減少させる。 - 特許庁

The concentration of impurities in a channel formation region CH is inhibited to nearly the same as the conventional D-MOSFET, and at the same time a lower high-concentration region 34 where the concentration of impurities is higher than that of the channel formation region CH is provided at the lower section of a body region 36.例文帳に追加

チャネル形成領域ＣＨの不純物濃度を従来のＤ−ＭＯＳＦＥＴと同程度に抑えつつ、不純物濃度がチャネル形成領域ＣＨのそれより高い下部高濃度領域３４をボディ領域３６の下部に設けている。 - 特許庁

The channel Ch controls a current flowing through the path in accordance with a signal which is impressed on a gate electrode 2 and it suppl the controlled current is supplied from the drain D to the PLED.例文帳に追加

チャネルＣｈはゲート電極２に印加される信号に応じて通路を流れる電流を制御し、制御された電流をドレインＤからＯＬＥＤに供給する。 - 特許庁

In this way, the interposer 3c is softened, and an electrode D of the interposer 3c is connected to a bump BP of the bare chip CH while sinking downward, so that a contact characteristic can be maintained.例文帳に追加

これにより、インタポーザ３ｃが軟化し、インタポーザ３ｃの電極Ｄが沈み込みながらベアチップＣＨのバンプＢＰと接続し、接触性を維持することができる。 - 特許庁

An output voltage Vout of the voltage step down chopper circuit CH is inputted in the A/D converter of a control device 1, and a switching transistor Q is controlled so as to be switched on and off by a control signal S1 from the D/A converter of the control device 1, in order to carry out constant power control of a discharge lamp.例文帳に追加

降圧チョッパ回路ＣＨの出力電圧Ｖｏｕｔを制御装置１のＡ／Ｄ変換器に入力し、スイッチングトランジスタＱを制御装置１のＤ／Ａ変換器からの制御信号Ｓ１によりオン、オフ制御して、放電灯の定電力制御を行なう。 - 特許庁

The chiral smectic liquid crystal composition comprises a chiral smectic liquid crystal of Iso-Ch-SmC* or Iso-SmC* and has ≥0.980 d_-min/d(Tc) ratio, wherein d(Tc) is a layer spacing at Tc and d_-min is the minimum layer spacing in a smectic liquid phase, and the liquid crystal element is provided by using the composition.例文帳に追加

Ｉｓｏ−Ｃｈ−ＳｍＣ＊もしくはＩｓｏ−ＳｍＣ＊のカイラルスメクティック液晶であって、Ｔｃにおける層間隔ｄ（Ｔｃ）とスメクティック相における層間隔の最小値ｄ＿ｍｉｎとの比ｄ＿ｍｉｎ／ｄ（Ｔｃ）が０．９８０以上であることを特徴とするカイラルスメクティック液晶組成物並びにそれを用いた液晶素子。 - 特許庁

The forward direction of the diode D points to the direction of the charging current Ic flowing from the capacitor Cd for detection toward the hold capacitor Ch, and the backward direction thereof points to the direction of the charging current Id flowing from the hold capacitor Ch through the capacitor Cd for detection and stray capacitances Cp of selector switches S11-S16 and switches S21-S26 for measurement.例文帳に追加

上記ダイオードＤの順方向が、検出用コンデンサＣｄからホールドコンデンサＣｈに向かって流れる充電電流Ｉｃの方向に向いて、その逆方向がホールドコンデンサＣｈから検出用コンデンサＣｄ及び切替スイッチＳ１１〜Ｓ１６及び測定用スイッチＳ２１〜Ｓ２６の浮遊容量Ｃｐを通じて流れる放電電流Ｉｄの方向に向いている。 - 特許庁

In addition to this, sufficient impurities are injected in the TFT in order to suppress the shortening of the effective length of the channel Ch accompanying the rising of the voltage of the train D and, thus, the current to be supplied to the OLED is more stabilized.例文帳に追加

加えて、ＴＦＴは、ドレインＤの電圧上昇に伴うチャネルＣｈの実効長の短縮化を抑制する為に充分な不純物がチャネルＣｈに注入されており、これにより更にＯＬＥＤに供給される電流を安定化する。 - 特許庁

Each time an advertisement is carried out, information showing execution conditions of advertisement is transmitted to a communication provider-side server 200 through a data channel CH(d) and is stored in databases DB1 and DB2 of the communication provider-side server 200.例文帳に追加

そして、広告宣伝が行われる毎に、広告宣伝の実施状況を示す情報を、データチャネルＣＨ（ｄ）を介して通信事業者側サーバ２００に送信し、その情報を通信事業者側サーバ２００内のデータベースＤＢ１，ＤＢ２に蓄積する。 - 特許庁

A channel part CH, where the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 of the thin-film transistor constituting the gate drive circuit face each other, has such a shape as to bend on a plane substantially in parallel with the substrate SUB1, and the channel width CHW is equal to A+B+C+D.例文帳に追加

このゲート駆動回路を構成する薄膜トランジスタのソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２が対向するチャネル部ＣＨを、基板ＳＵＢ１と略平行な面上で屈曲した折れ曲がり形状とし、チャネル幅ＣＨＷをＡ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄとした。 - 特許庁

The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。 - 特許庁

The cancelling circuit further has a noise cancelling element 24 having a gate electrode E formed on a P-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulating film 32 and connected to a gate electrode B of a P-ch MOSFET 2 and an N-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

さらに、ゲート絶縁膜３２を介してＰ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電極Ｂと接続されるゲート電極Ｅと、出力配線Ｄに接続されるＮ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２４を有している。 - 特許庁

A channel region CH and a first low-concentration impurity region LDD1 that is continuous therewith are formed in the first region, and a conductive region served as a source S or a drain D is formed in the second region, while a second low-concentration impurity region LDD2 for connecting the first low-concentration impurity region LDD1 with the conductive region is formed in the intermediate region.例文帳に追加

第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 - 特許庁

A plurality of cards comprising the deck 1 includes a plurality of fighting type damage absorbing power display cards CH and M displaying an offensive power and a defensive power, a plurality of display effect exhibiting type damage absorbing power display cards I exhibiting displayed effects when being used, and simple type damage absorbing power display cards D exhibiting a function only when being placed on a card game field 7.例文帳に追加

デッキ１を構成する複数枚のカードに、攻撃力と守備力とが更に表示された複数枚の対戦タイプのダメージ吸収力表示カードＣＨ，Ｍと、使用されたときに表示されている効果を発揮する複数枚の表示効果発揮タイプのダメージ吸収力表示カードＩと、カードゲーム用フィールド７上に置かれている場合にのみ機能を発揮する単純タイプのダメージ吸収力表示カードＤとを含める。 - 特許庁