「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the semiconductor storage device comprises the steps of forming a floating gate formed via a tunnel oxide film on a semiconductor substrate between a source region and a drain region formed on the substrate in a laminated structure of a first conductive film and a second conductive film, and constituting a memory cell having a control gate formed on the floating gate via the interlayer capacitive film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域との間の前記半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートが第１導電膜と第２導電膜より積層構造に形成され、前記フローティングゲート上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えたメモリセルより構成される半導体記憶装置により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the provided method, an InGaP layer is formed on a substrate, a gate electrode with a Ti layer and an Au layer is deposited through the evaporation on the InGaP layer; a GaAs layer is formed in an area on the InGaP layer, in a region different from where the gate electrode is formed; and a source electrode and a drain electrode are further formed on the GaAs layer.例文帳に追加

基板にＩｎＧａＰ層を形成し、ＩｎＧａＰ層の上面にＴｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極を蒸着により形成し、ＩｎＧａＰ層の上面においてゲート電極が形成される領域とは異なる領域にＧａＡｓ層を更に形成し、ＧａＡｓ層の上面にソース電極及びドレイン電極を更に形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film transistor manufacturing method comprises irradiating an amorphous semiconductor film on an insulating surface with a laser beam scanned over the irradiated region to crystalline the amorphous semiconductor film and forming an active layer including a source region, a drain electric and a channel forming region, using the crystallized semiconductor film.例文帳に追加

絶縁表面上の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は、固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

This method of forming a CMOS device having improved electrostatic-discharge protection characteristics contains a step of preparing a silicon substrate, a step of forming an n-well for a pMOS active region, a step of forming a p-well for an nMOS active region, and a step of implanting ions to at least one active region to form a lightly-doped drain series resistor.例文帳に追加

改善された静電気放電保護特性を有するＣＭＯＳデバイスを製造する方法は、シリコン基板を用意する工程と、ｐＭＯＳ活性領域のためのｎウエルを形成する工程と、ｎＭＯＳ活性領域に対するｐウエルを形成する工程と、少なくとも１つの活性領域において少量ドープされたドレイン直列レジスタを形成するためにイオンを注入する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which a channel region of a high-quality oxide semiconductor and a low-resistance region applicable to a source/drain region with a lower resistivity than that of the channel region are formed and excellent electric characteristics of high ON current, carrier movability and reliability and low hysteresis property can be achieved without increasing the number of steps.例文帳に追加

本発明は、良質な酸化物半導体のチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率でソース・ドレイン領域にも適用可能な低抵抗領域とが形成され、オン電流、キャリア移動度及び信頼性が高く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を、工程数を増やすことなく実現できる半導体デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor circuit by forming a silicon nitride film and a silicon oxide film continuously on a glass substrate and then forming two or three P channel thin film transistors connected in series, the leak current of the two or three P channel thin film transistors is not larger than 10^-12 A when the drain voltage is 1V.例文帳に追加

ガラス基板上に、窒化珪素膜と前記窒化珪素膜上の酸化珪素膜とを連続的に形成し、前記酸化珪素膜上に、直列に接続された２つ又は３つのＰチャネル型薄膜トランジスタを形成する半導体回路の作製方法であって、前記２つ又は３つのＰチャネル型薄膜トランジスタは、それぞれ、ドレイン電圧が１Ｖの時、リーク電流は１０^-12Ａ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a water treatment method for medical facilities capable of suppressing the scale deposition to pipings and heat exchangers, the deposition of urinary calcululi in a toilet and the adhesion of slime to sinks, drain pipes, etc., and decreasing the malfunctions of valves, suppressing the increase of contaminants, thereby assuring the stable operation of the equipment and reducing the labor and cost for acetic acid cleaning.例文帳に追加

配管や熱交換器へのスケール堆積やトイレにおける尿石の堆積、流し、排水管等へのスライムやヌメリの付着を抑制し、人工透析機においては炭酸カルシウムの析出を抑制して、バルブの作動不良を減少させ、汚染物質の増加を抑制して装置の安定稼動、酢酸洗浄の手間と費用を軽減することのできる医療施設用水の処理方法を提供する。 - 特許庁

A spacer 20a comprising a substance having a high corrosion selection ratio for an interlayer insulation film 26 is formed on the side wall of a gate electrode 16, and the contact hole exposed between the gate electrodes 16 can be formed by a self matching method by forming the upper part of the gate electrode and the upper part of the substrate forming the source and drain areas in high melting point metal silicide films 18a, 22.例文帳に追加

層間絶縁膜２６に対して高食刻選択比を有する物質からなるスペーサ２０ａをゲート電極１６の側壁に形成し、ゲート電極１６の上部とソース及びドレイン領域が形成される基板の上部を高融点金属シリサイド膜１８ａ，２２として形成することにより、ゲート電極１６とゲート電極１６との間を露出させるコンタクトホールを自己整合方式で形成可能とする。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a dummy gate on a semiconductor substrate, a process for forming a source/drain diffusion region by introducing impurities in the semiconductor substrate using the dummy gate as a mask, a process for forming an insulating film around the dummy gate, a process for forming an opening by removing the dummy gate, and a process for forming a gate electrode in the opening via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板上にダミーゲートを形成する工程、前記ダミーゲートをマスクとして前記半導体基板に不純物を導入して、ソース・ドレイン拡散領域を形成する工程、前記ダミーゲートの周囲に絶縁膜を形成する工程、前記ダミーゲートを除去して開口部を形成する工程、及び前記開口部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を具備する方法である。 - 特許庁

The treatment apparatus and the treatment method for organic substance-containing wastewater comprise a primary treatment apparatus for primary treatment of the organic substance-containing wastewater, a fluidized bed type bioreactor containing microorganism carriers for treating primary treated wastewater, an oxygen supply device sending oxygen into the bioreactor, a denitrification device, and a mechanism circulating drain both the inside of the bioreactor and that of the denitrificaton device.例文帳に追加

有機物含有排水を一次処理する一次処理装置、一次処理排水を処理するための微生物担体が内在する流動床式バイオリアクタ、流動床式バイオリアクタ槽内に酸素を送り込むための酸素供給装置及び脱窒装置を具備し、さらに排水を該流動床式バイオリアクタ内及び脱窒装置内の両方を循環させる機構を有する、有機物含有排水の処理装置、及び処理方法 - 特許庁

This method and system comprises the step of measuring the passing flow rate in a prescribed part of a feed pipe in a system consisting of the feed pipe used for supply of the water used in an apparatus, the apparatus communicating with the feed pipe, and a drain pipe communicating with the apparatus and use to discharge the water used in the apparatus, and the step of processing the measurement result.例文帳に追加

器具にて使用する水の供給に用いられる給水管と、前記給水管に連通する器具と、前記器具と連通し、器具にて使用した水の排出に用いられる排水管からなる系において、給水管の所定部分における通過流量を計測する工程と計測結果を処理する工程とを含むことを特徴とする器具使用状況測定方法および管理システムを提供する。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。 - 特許庁

In this method for detecting a substance to be detected in a sample by a sensor including a substrate 1, and a channel having a source electrode 3 and a drain electrode 4 provided oppositely at a prescribed interval on an insulating thin film 2 formed on the upper surface of the substrate 1, the channel is constituted of ultrafine fibers, and after dropping sample solution onto the channel, a solvent in the sample solution is vaporized.例文帳に追加

基板１と、その基板１の上面に形成した絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、前記チャネルが超微細繊維で構成され、そのチャネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a stage where a source electrode 20 and a drain electrode 30 separated by a specified distance are formed on an insulating substrate 10, a stage where a metal layer 40 of several nm thickness is formed between them, and a stage where a specified voltage is applied to them so that moving of metal atom/ion of the metal layer 40 forms a quantum point between them.例文帳に追加

絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor film with large crystalline size is obtained by the method for fabricating the thin film transistor comprising applying layer beam to an island like noncrystalline semiconductor film on a insulation film, scanning the region irradiated with the laser beam to crystallize the island like noncrystalline semiconductor film, and forming an active layer including a source region, a drain region and a channel forming region.例文帳に追加

絶縁表面上の島状の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記島状の非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた島状の半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes steps of: reducing hydrogen contained in the semiconductor film 7 by heat-treating the semiconductor film 7; forming a gate insulating film 17 and a gate electrode 21; forming a source region 9 and a drain region 13 on the semiconductor film 7; and setting the hydrogen contained in the semiconductor film 7 to 0.5 to 10 atom% by heat-treating the semiconductor film 7 in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体膜７を熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を低減する工程と、ゲート絶縁膜１７およびゲート電極２１を形成する工程と、半導体膜７にソース領域９およびドレイン領域１３を形成する工程と、半導体膜７を水素雰囲気中で熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を０．５原子％以上１０原子％以下に設定する工程とを備える。 - 特許庁