「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device wherein the breakdowns of its gate insulating layer are generated hardly which are caused by the electric-field concentrations to the corners of its source and drain electrodes, to provide an electrooptic device and an electrooptic appliance which use the semiconductor device, and to provide the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置、当該半導体装置を用いた電気光学装置、電子機器及び当該半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor that dispenses with the alignment among a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and can obtain both of a high on/off ratio and high-speed operation even if finishing dimensions deviate, and to provide a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極及びドレイン電極間の位置合わせの必要がなく、また仕上がり寸法にずれが生じても、高いオン／オフ比と高速動作の双方を得ることが可能となる電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes a stage of forming the storage capacitor on the interlayer dielectric so that the storage capacitor partially overlaps with the semiconductor layer and is electrically connected to the pixel-electrode-line-side source/drain region through the contact hole, and also has an in-groove part 70t overlapping the groove.例文帳に追加

更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of lead-acid battery having superior productivity and battery performance, in the case where a solution in which granular silica and dilute sulfuric acid are dispersed is injected into the battery, and where only excess electrolyte is discharged from a drain hole.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、顆粒シリカと希硫酸を分散させた溶液を注液し、排出口から余剰電解液のみを排出する場合において、生産性と電池性能の優れた密閉形鉛蓄電池の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an active matrix substrate, and an electro-optic device, by which a variation in the LDD (lightly doped drain) length of a TFT is suppressed and displacement between a gate electrode and an LDD structure is eliminated so that deterioration due to aging can be prevented.例文帳に追加

ＴＦＴのＬＤＤ長のばらつきを抑え、ゲート電極とＬＤＤ構造との位置ずれを無くし、その結果、特性の経時劣化を招くおそれの無い半導体装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling a valve of a steam turbine, which quickly and efficiently warms a steam regulating valve through steam system piping, inhibits occurrence of erosion, enables prevention of breakdown of the piping, and eliminates the need for a structure in which a drain valve is provided on the steam regulating valve.例文帳に追加

蒸気系配管にて、蒸気加減弁を急速かつ効率良くウォーミングして、エロージョンの発生を抑え、配管の破壊を防止することが可能となり、かつ蒸気加減弁にドレン弁を設けるという構成も不要となる蒸気タービンの弁制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device provided with a source electrode or a drain electrode having high conductivity to prevent oxidation of wiring material or the like by forming an oxide covering film ensuring higher contact with a semiconductor layer or a pixel electrode, and to provide a manufacturing method of the same device.例文帳に追加

本発明は、半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高いソース電極あるいはドレイン電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a device simulation apparatus, a device simulation method and a program that accurately analyze electric characteristics of a Schottky source/drain MOSFET at a high speed by employing the effect of quantum-mechanical tunneling through a Schottky barrier for a device simulator based on a classical and a semiclassical transport equation.例文帳に追加

ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。 - 特許庁

Also, in the manufacturing method of the ferroelectric memory, after forming firstly a conductive film and an insulation film on its substrate, the ferroelectric film, the source electrode, and the drain electrode are formed secondly on the insulation film to form thereafter thirdly the gate electrode on the ferroelectric film.例文帳に追加

また、基板の上に導電膜と絶縁膜とを形成した後、前記絶縁膜の上に強誘電体膜と、ソース電極と、ドレイン電極とを形成し、その後、前記強誘電体膜の上にゲート電極を形成する強誘電体メモリ素子の製造方法とする。 - 特許庁

The method of producing the drain pipe comprises the steps of charging stiff-consistency concrete 36 into a molding space defined by an outer form 31 and an inner form 30 having an inclined molding surface, compacting the concrete by applying vibration to the same, and thereafter axially moving the forms and instantaneously stripping the same.例文帳に追加

本発明の製造方法は、外型枠３１と傾斜した成型面を有する内型枠３０で形成される成型空間に硬練りコンクリート３６を投入し、振動を加えて締め固めた後、それらの型枠を軸心方向に移動させて即時脱型する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning new plant equipment and piping, by which the plant equipment and piping can be cleaned with a small amount of washing water in a short time by using a small-diameter pipe as water feed/ drain pipes while eliminating one-through extrusion flushing and the waste water to be discharged can easily be treated.例文帳に追加

一過式の押出フラッシングを省略し、少ない洗浄水で、短期間に洗浄することができ、しかも排水処理が容易であり、給排水管として小口径のものを使用することができる新設プラント機器および配管の洗浄方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a side wall without producing a dent on the surface of a substrate at the side wall of a gate electrode so as to stabilize the formation positions of diffusion layer regions, such as a source region, a drain region, etc., and to obtain a semiconductor device uniform in element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極側壁の基板表面に掘れを発生させることなくサイドウォールを形成することが可能で、これによりソース／ドレインなどの拡散層領域の形成位置が安定化して素子特性が均一な半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory and its writing method in which an additional writing is conducted without conducting an erroneous writing even though there exists a memory cell to which data are written into its drain side while supplying a writing non-selective voltage using a local selfboost system.例文帳に追加

ローカルセルフブースト方式を用いて書き込み非選択電圧を供給する際に、ドレイン側に書き込まれている状態のメモリセルが存在しても、誤書き込みせずに追加書き込みを行うことができる不揮発性半導体メモリ及びその書き込み方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a washing method of absorber inlet portion, paying attention to water balance important in an exhaust gas desulfurizer of no drain plant, for preventing scale adhesion at the absorber inlet portion while the loss of water balance produced in the case a low load operation of plant continues is reduced.例文帳に追加

無排水プラントの排煙脱硫装置などにおいて重要となる水バランスに着目し、プラントの低負荷運用が継続する場合に発生する水バランスの崩れを低減しながら吸収塔入口部におけるスケール付着防止のための吸収塔入口部洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a characteristic evaluation device which is the characteristic evaluation device of a transistor pair, which evaluates difference of voltage to be output from the respective drain electrodes of the transistor pair making the source electrode common, and can highly accurately and simply measure characteristic difference and a characteristic evaluation method.例文帳に追加

ソース電極を共通とするトランジスタ対の、各ドレイン電極から出力される電圧の差を評価するトランジスタ対の特性評価装置であって、その特性差を高精度でかつ簡便に測定できる特性評価装置および特性評価方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method forms a relief embossing pattern and a contact hole on a surface of an organic protective film by pressuring a mold having an intaglio embossing pattern and a projection on the surface of the organic protective film to expose a drain electrode through the contact hole.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置の製造方法は、陰刻エンボシングパターンと突出部とを含むモールドを有機保護膜の表面に加圧することで、有機保護膜の表面に陽刻エンボシングパターンと接触孔とを形成し、その接触孔からドレイン電極を露出させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein there is no possibility of shortcircuiting between source and drain because impurities of a cap insulation layer are diffused and a gate electrode layer and a cap insulation can made be surely and stably at a specified thickness, and to provide its manufatcuring method.例文帳に追加

本発明の課題は、キャップ絶縁層の不純物が拡散してチャネル領域まで達し、ソース−ドレイン間をショートさせるおそれがなく、所定厚さのゲート電極層およびキャップ絶縁層が確実に安定して得られる半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device comprises a forming process of forming a separation permissible film for adjusting the quantity of impurity separated from a gate electrode on the surface of the gate electrode, at a temperature where the separation of the impurity from the source electrode and the drain electrode can be blocked.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ソース電極及びドレイン電極からの不純物の離脱を阻止可能な温度で、ゲート電極の表面に、当該ゲート電極から離脱する不純物の量を調整するための離脱許容膜を形成する形成工程を含む。 - 特許庁

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.例文帳に追加

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a thin-film transistor capable of preventing concentration of electric field at the drain end that can cause impact ionization, by improving the shape of the gate electrode, to provide a manufacturing method of the semiconductor device, and to provide an electrooptical device that uses the semiconductor device as an element substrate.例文帳に追加

ゲート電極の形状を改良して、インパクトイオン化の原因となるドレイン端での電界集中を防止可能な薄膜トランジスタを備えた半導体装置、この半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

Since at least one of a source electrode 4 or a drain electrode 5 and a dope silicon layer 6 are electrically connected with a conductive substrate 2, and the conductive substrate 2 is grounded when forming a silicon layer 7 by a plasma CVD method, it is difficult to accumulate electrons on the conductive substrate 2.例文帳に追加

シリコン層７をプラズマＣＶＤ法で形成する際に、ソース電極４またはドレイン電極５の少なくとも一方、およびドープシリコン層６と導電性基板２が電気的に接合され、かつ導電性基板２が接地されているので、導電性基板２に電子を蓄積しにくくできる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor, a thin film having a three-layer (first metal layer 38/ITO layer 40/second metal layer 42) structure is used simultaneously as a source electrode, a drain electrode and a pixel electrode to thereby omit the via forming step and the patterning for forming the pixel electrodes.例文帳に追加

薄膜トランジスターの製造方法において、３層（第１金属層３８/ＩＴＯ層４０/第２金属層４２）構造の薄膜を、ソース電極とドレイン電極、および画素電極として同時に使用することにより、ビアホール形成工程と、画素電極形成のためのパターンニングを省略する。 - 特許庁

To provide a new structure and a new construction method for preventing the lift of a manhole, which can surely prevent the lift of the manhole by making the manhole and a drain pipe maintain an integral relationship even on the occurrence of an earthquake, and which can be easily applied even to an existing manhole.例文帳に追加

地震の発生時にも、マンホールとドレーンパイプとが、一体的な関係を維持し、確実に該マンホールの浮上を防止することができるとともに、既設マンホールに対しても極めて簡単に実行可能な新規なマンホールの浮上防止構造及び工法を提供する。 - 特許庁

To provide a bag member capable of efficiently filtering soil with high water content deposited in rivers or lakes and marshes up to a level dispensing with drain treatment and suitably used for sealing water-containing soil, and a water-containing soil sealing method using the bag member.例文帳に追加

河川・湖沼などに堆積する高含水量の土壌を効率良く、かつ、排水処理が不要なレベルまでろ過することが可能な、含水土壌の封じ込めに好適に使用可能な袋体、およびこの袋体を用いた含水土壌の封じ込め方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor storage device for realizing a multilayer gate insulating film capable of surely separating electric charges to a source and a drain, and trapping the electric charges even when adopting a micro-processed gate although the multilayer gate insulating film employs alumina for realizing excellent performance as a mirror flash memory.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法に関し、ミラーフラッシュメモリとして優れた性能を実現させるアルミナを用いた多層ゲート絶縁膜でありながら、ゲートを微細化した場合でも、ソース側及びドレイン側に電荷を確実に分離してトラップすることが可能であるようにする。 - 特許庁

There is provided a method of calculating a mobility of an inversion layer formed in a transistor, wherein the mobility in the inversion layer is calculated depending on a change in a measured value of a drain current when a gate voltage of the transistor is changed.例文帳に追加

トランジスタに形成される反転層の移動度を計算する方法であって、反転層内における移動度を、トランジスタのゲート電圧を変化させたときにおけるドレイン電流の測定値の変化に応じて計算することを特徴とする移動度の計算方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same which can enhance an isolation breakdown strength between a source region and a drain region of a planar gate type MOSFET and a semiconductor substrate without increasing an on resistance Ron of a trench gate type VDMOSFET.例文帳に追加

トレンチゲート型ＶＤＭＯＳＦＥＴのオン抵抗Ｒonを増大させることなく、プレーナゲート型ＭＯＳＦＥＴのソース領域およびドレイン領域と半導体基板との間の分離耐圧を向上させることができる、半導体装置およびその製造方法を提供するこ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device which prevents the protrusion of a silicide film formed in a source/drain contact region toward a silicon substrate side, wherein a driving force is given by giving stress to a channel region, and avoids the occurrence of a junction leakage defect and a gate leakage defect, and a manufactured semiconductor.例文帳に追加

チャネル領域に応力を与えるため、ソース・ドレイン・コンタクト領域に形成されるシリサイド膜がシリコン基板側に突出することを防ぎ、接合リーク不良の発生やゲートリーク不良の発生を回避する半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置の提供。 - 特許庁

The FLOTOX-type EEPROM adopting the double-cell method includes a pair of floating gates 25a and 25b, a pair of tunnel windows 30a and 30b, a pair of sources 26a and 26b, a common control gate 31, a common select gate 32, and a common drain 27.例文帳に追加

Ｗセル方式のＦＬＯＴＯＸ型ＥＥＰＲＯＭとするため、対をなす２つのフローティングゲート２５ａ，２５ｂと、２つのトンネルウインドウ３０ａ，３０ｂと、２つのソース２６ａ，２６ｂと、共有のコントロールゲート３１と、共有のセレクトゲート３２とを設けるとともに、ドレイン２７も共有とした。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring water quality, which enable detection accuracy to be improved significantly, by eliminating phenomena of drop formation and their dropping occurring at an end opening section of a drain pipe for measurement, suppressing flow rate/pressure variations caused by the phenomena and making detection noise lowered.例文帳に追加

測定用の排液配管末端開放部で生じていた液滴形成、滴下の現象を無くし、それに起因して発生していた流量・圧力変動を抑えて、検出ノイズを小さく抑えて検出精度の大幅な向上が可能な水質測定方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide the washing method of a dry type electrostatic dust precipitator with which the amount of washing liquid used for washing the dry type electrostatic dust precipitator can be optimized, cost required for a washing process can be reduced, and the amount of drain and environmental load can be reduced.例文帳に追加

乾式電気集じん機の洗浄時に使用する洗浄液の量を適正化し、洗浄工程にかかるコストを安価にするとともに、排水量を減少させ環境負荷を低減させる乾式電気集じん機の洗浄方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for baking a polyarylene sulfide by-product salt, with which, solubility of the by-product salt consisting essentially of sodium chloride in water is increased, and when the by-product salt is dissolved in water and drained the drain has low SS content and COD.例文帳に追加

ポリアリーレンスルフィドを製造するに際し、塩化ナトリウムを主成分とする副生塩の水に対する溶解性を著しく向上させ、かつ、これを水に溶解して排水とする場合、ＳＳ分やＣＯＤの低い排水を与えるポリアリーレンスルフィド副生塩の焼成方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a gas burner unit to automatically discharge condensed drain accumulated at a gas burner ring during extinction of a burner, and to prevent the generation of a thermal stress at the gas burner ring and the occurrence of a thermal fatigue crack of a gas injection hole in the tip of a burner nozzle, and also to provide its operation method.例文帳に追加

バーナ消火中にガスバーナリングに堆積する凝縮ドレンを自動的に排出し、ガスバーナリングに熱応力が発生しないようにし、かつ、バーナノズルの先端のガス噴射孔の熱疲労割れの発生を防止することができるガスバーナユニットとその運用方法を提供すること。 - 特許庁

This apparatus for use in the method for extracting the water from the air is equipped at least with a moisture absorbing rotor, a recycling passage for circulating recycling air for recycling the moisture absorbing rotor, and a drain hole which is provided in the lower part of the recycling passage and used for extracting condensation liquid water from the recycling passage.例文帳に追加

本発明の、空気から水を取り出す方法に用いられる装置は、吸湿ロータと、吸湿ロータを再生するための再生用空気を循環させる再生用通路と、再生用通路の下部に設けられ、結露水を再生用通路から取り出すドレイン孔とを少なくとも具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display unit capable of preventing the end of a gate line, the end of a data line, and the surface of a drain electrode from being damaged and from having a reversed tapered structure during the period of the progress of an etching process for forming a contact hole and thereby improving electrical characteristics and the reliability of the liquid crystal display unit.例文帳に追加

接触孔形成のためのエッチング工程進行時に、ゲート線の端部、データ線の端部及びドレーン電極の表面が損傷及び逆テーパ構造となることを防止し、液晶表示装置の電気的特性及び信頼性を向上する製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor thin-film transistor and a manufacturing method for the organic semiconductor thin-film transistor in which pentacene crystal axis misalignment at the source electrode end and the drain electrode end, which is an essential problem of an organic semiconductor thin-film transistor of a bottom gate/bottom contact type, is eliminated and hole current can be increased.例文帳に追加

ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタの本質的な課題であるソース電極端、ドレーン電極端でのペンタセン結晶軸不整合を解消し、正孔電流を増加させることのできる有機半導体薄膜トランジスタおよびその製造方法を得る。 - 特許庁

By a method of manufacturing transistor elements, the gate electrode 320 made of metal is formed on a transparent glass substrate 310, a transparent gate insulating layer 330 is formed on the gate electrode, further a conductive layer comprising an ITO, namely the origin of the source and drain electrodes 350, 360, is formed, and the upper surface of the conductive layer is covered with a negative resist layer.例文帳に追加

透明ガラス基板３１０上に金属からなるゲート電極３２０を形成し、その上に、透明なゲート絶縁層３３０を形成し、更に、ソース・ドレイン電極３５０・３６０の元になるＩＴＯからなる導電層を形成し、その上面をネガ型レジスト層で覆う。 - 特許庁

To obtain an inexpensive covering material which is widely useful regardless of the kind of a medium, simply applied and transported, has a medium temperature being hardly affected by an outside air temperature, is readily adjusted to a proper temperature and in which a drain is reused without being discharged in a field and to provide a method therefor.例文帳に追加

本発明の課題は、培地の種類に関係なく広く使用が可能で、施工や運搬が簡便で、培地温度が外気温度に左右されにくく、かつ温度調整がし易く、廃液を圃場内に垂れ流さず再利用できる安価な培地被覆材及び方法を提案するものである。 - 特許庁

A photosensitive material solution of a conductive film is selectively discharged by a droplet-discharging method, is selectively exposed to laser light, and then is developed or etched, thereby allowing only the region exposed to laser light to be left and realizing source wiring and drain wiring having a more microscopic pattern than the pattern formed by discharging.例文帳に追加

液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。 - 特許庁

To provide a soft ground improving method by a high-speed consolidation settlement technique, which is simple and implemented at a low cost, and can drastically shorten a settlement converging time period while ensuring a drain function even if the soft ground flows sideways or undergoes sideways slip, to thereby achieve early provision of improved ground.例文帳に追加

簡単な方法で低コストであり、軟弱地盤の側方流動やすべりが生じる場合でもドレーン機能を維持しつつ沈下収束時間を大幅に短縮して早期の造成地盤の供用を得ることのできる高速圧密沈下型の軟弱地盤改良方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which has clear irradiation positions of laser beams, has a shape of gate electrode or drain electrode assuring the reliable repair and can suppress rolling-up of conductive metal or scattering of metal lump, and to provide a method of restoring defective pixel of the liquid crystal display device.例文帳に追加

本発明は、レーザー光の照射位置が明確で、確実にリペアすることが可能なゲート電極又はドレイン電極の形状を有し、導電性のメタル捲れやメタル塊の飛散を抑制できる液晶表示装置及びその欠陥画素修復方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Disclosed is a method where an alkaline aqueous solution containing magnesium ions or an aqueous alkaline suspension in which the particles of magnesium oxide and/or magnesium hydroxide are suspended is scattered around the opening part of a drain pipe with slime containing bacteria and excrement thereof adhering to the wall surface of the same.例文帳に追加

マグネシウムイオンを含有するアルカリ性水溶液もしくは酸化マグネシウム及び／又は水酸化マグネシウムの粒子が懸濁されている水性アルカリ性懸濁液を、管壁に細菌と細菌の排泄物とを含有するぬめりが付着している排水管の開口部の周囲に散布する方法。 - 特許庁

Then, a first insulating film 2 is deposited on the structure and, after an n+- source area 64 and an n+-drain area 66 are formed by implanting As and P ions into the structure and annealing the structure at 600-1,000°C, a second insulating layer 72 is deposited by the CVD method and the structure is metallized.例文帳に追加

構造体上に第１絶縁層６２を堆積し、Ａｓ、Ｐをイオン注入し６００〜１０００℃で焼鈍してｎ^＋ソース領域６４とｎ^＋ドレイン領域６６を形成した後、ＣＶＤ法で第２絶縁層７２を堆積し、前記構造体を金属化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a drain outlet filter equipped with a circular installation section and a shell-like wall having a rise section upward from the installation section and a closed upper surface capable of maintaining drainage capacity for a long period of time while maintaining high catching ability of foreign matter and a manufacturing device.例文帳に追加

環状の設置部と、該設置部から上方への立ち上がり部及び閉じた天面を有した殻状壁とを備え、高い異物の捕捉能力を保ちつつ、排水能力を長期間維持し得ることができる排水口用フィルタの製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin film transistor element for liquid crystal displays includes a step to form the gate electrode on the transparent insulating substrate, a step to form the gate insulating layer with the glass composite, a step to form the semiconductor layer, and a step to form the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置用薄膜トランジスター素子の製造方法は、透明絶縁基板上にゲート電極を形成する段階、ガラス組成物でゲート絶縁膜を形成する段階、半導体層を形成する段階及びソース電極とドレーン電極を形成する段階を含む。 - 特許庁