「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

According to the method, a transparent transistor having a semiconductor channel region, and source and drain electrodes comprising the conductor region in one transparent oxide layer is realized.例文帳に追加

この方法により、同一透明酸化物層内に半導体からなるチャネル領域と，導体領域からなるソース電極およびドレイン電極を備えた透明トランジスタを実現することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin-film transistor 1 forms a source electrode 3, a drain electrode 4, and a semiconductor layer 9 by applying a single wall carbon nanotube (SWCNT) dispersion solution.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１の製造方法は、シングルウォールカーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）分散溶液を塗布して、ソース電極３とドレイン電極４と及び半導体層９とを形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor suppressing damage to an active layer in forming source and drain electrodes while a process for manufacturing the thin-film transistor can be simplified, and to provide a method for manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極形成時の活性層へのダメージを抑制するとともに、製造工程の簡略化を図ることが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly productive thin film transistor(TFT) having different light-doped drain structures(LDD) on the same substrate, and to provide the manufacturing method of the LDD structures.例文帳に追加

本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a periphery of a drain on a roof floor and a construction method thereof, which eliminates need of drilling a hole in a substrate and achieves excellent construction effect without damaging the substrate.例文帳に追加

下地の穴あけ加工を不要として、下地の損傷のない、良好な施工効果を実現することができる、屋上におけるドレン周辺部およびその施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a water passing method which is extremely excellent in site efficiency by reducing the projection of a drain to an outer side of a cut-off wall as much as possible in a soil cement column row type underground continuous wall.例文帳に追加

ソイルセメント柱列式地中連続壁において、止水壁の外部側にドレーンが突出するのを極力減らし、敷地効率の極めて良好な通水工法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory transistor capable of reducing damage that may be inflicted on a drain-side gate oxide film; a nonvolatile memory device; and a data erasing method of a nonvolatile memory transistor.例文帳に追加

ドレイン側のゲート酸化膜に与え得るダメージを軽減し得る不揮発性メモリトランジスタ、不揮発性メモリ装置および不揮発性メモリトランジスタのデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of the EEPROM-type memory cell, before forming a first spacer film 15, the low-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask a control gate 13 as to form a low-concentration drain region 14a.例文帳に追加

第１のスペーサ膜１５形成前に、コントロールゲート１３をマスクとしてｎ型不純物を低濃度にイオン注入することで、低濃度のドレイン領域１４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor and a method for manufacturing a liquid crystal display unit which can decrease steps of forming an LDD region which mitigates an electric field in the vicinity of a drain of an active layer of the thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層のドレイン近傍の電界を緩和するＬＤＤ領域を作成のための工程を減らすことのできる薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic semiconductor element in which an organic semiconductor layer can be formed uniformly by an ejection method only between a source electrode and a drain electrode of porous material.例文帳に追加

本発明は、多孔質体であるソース電極とドレイン電極との間のみに、吐出法によって均質な有機半導体層を形成すること可能な、有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

This method waits until all pending output is processed and then returns.Calling this method is often not necessary: destroying the object will automatically close the audio device and this will do an implicit drain.例文帳に追加

このメソッドは全ての出力中のプロセスが終了するまで待って、それから制御が戻ります。 このメソッドの呼び出しはそう必要ではありません:オブジェクトを削除すると自動的にオーディオデバイスを閉じて、暗黙のうちに吐き出します。 - Python

To provide a selector valve unit for achieving valve switching by using characteristics that fluid has for switching information regarding the switching of a channel, and to provide a draining method and a draining apparatus for facilitating drain discharge by using the circulation path of hot water heated by heat exchange for one portion of a drain circuit.例文帳に追加

流路の切替えに関し、流体が持つ特性を切替情報に用いて弁切替えを実現した切替弁ユニットを提供し、また、熱交換により加熱される温水の循環路をドレン回路の一部に用いることにより、ドレン排出を容易化したドレン排出方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

In this discharge method, drain water is discharged by opening an electromagnetic valve 80 after sending drain water produced from compressed air together with compressed air and reserving the same at once.例文帳に追加

また、圧縮空気を排出するエアー排出弁による場合、常時それなりの効果は有ったが、圧縮空気と共にほんの僅かではあるがドレンも排出することで周囲を汚していたし、常に一定の周期で微小時間の間圧縮空気の排出を行うということは、無駄な処理や排出を行っているとも言えた。 - 特許庁

In a method of programming a MOS transistor electric fuse formed in a semiconductor well, a gate electrode and a gate insulating film formed between the gate electrode and one of source and drain regions are substantially short-circuited by applying a first voltage to the gate electrode and a second voltage which is different from the first voltage to one of the source and drain regions.例文帳に追加

半導体ウェル中に形成されたＭＯＳトランジスタ型電気ヒューズのプログラム方法において、ゲート電極に第１の電圧を印加し、ソース・ドレイン領域の一方に第１の電圧と異なる第２の電圧をかけ、ゲート電極とソース・ドレイン領域の一方との間のゲート絶縁膜のみを実質的に短絡させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an overlay vernier can be formed without performing additional drain key open mask and drain key open etch processes by forming a step in a semiconductor substrate when the overlay vernier is formed and forming a hard mask having a stack layer formed thereon so that the shape of the step can be maintained.例文帳に追加

オーバーレイバーニア形成時に半導体基板に段差を形成し、段差の形態が維持され得るように上部に積層膜を形成してハードマスクを形成することで、ドレインキーオープンマスク工程とドレインキーオープンエッチ工程を別途設けるずとも、オーバーレイバーニアの形成が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method has a process for implanting a prescribed amount of phosphor onto a semiconductor substrate, performing heat treatment for diffusing phosphor, and forming a source-drain diffusion layer; and a process for implanting a prescribed amount of halogen element or smaller into the source-drain diffusion layer, and performing heat treatment for diffusing the halogen element in this order.例文帳に追加

半導体基板に所定量のリンを注入し次いでリンを拡散させる熱処理を行って、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層内に、所定量以下のハロゲン元素を注入し次いでハロゲン元素を拡散させる熱処理を行う工程とをこの順に有する。 - 特許庁

According to the piping method, when an instrument drain pipe and the other pipes including water/hot water feed pipes and a gas pipe are arranged, the instrument drain pipe is connected to a draining down pipe such that siphon power is applied to the same.例文帳に追加

器具排水管と、給水・給湯管やガス管等の他の配管類との敷設にあって、前記器具排水管がサイフォン力が付与されて排水立管に合流される器具排水管とし、他の排水管類との間で任意の順で敷設し、この器具排水管が他の配管類を跨ぐ構成とした配管敷設方法。 - 特許庁

To provide a method efficiently removing ammonia from ammonia-containing drain when treating ammonia-containing drain discharged from power plants or various industry plants, by suppressing clogging due to deposition of hardness components in an ammonia releasing column and allowing continuous operation of the releasing column over a long time.例文帳に追加

発電所や各種産業プラントから排出されるアンモニア含有排水を処理するに際し、アンモニア放散塔における硬度成分の析出による閉塞を抑制して、該放散塔の長期間の連続運転を可能とし、アンモニア含有排水から、アンモニアを効率よく除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, in which an impurity injection process where SD(source/drain) layers and an LDD(lightly-doped drain) layer formed can be simplified, when impurities are activated through laser annealing after impurities are injected, and a gate electrode can be prevented from being eliminated by irradiation with a laser beam.例文帳に追加

不純物注入後レーザーアニールによって不純物の活性化を行うに際し、ＳＤ層及びＬＤＤ層形成のための不純物注入工程を簡略化でき、レーザの照射によるゲート電極の消失を防止することができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

This liquefaction preventing method has a process for injecting a liquid including the foaming agent from injection holes bored to a sandy soil layer, a process for pumping up the underground water from drain holes bored to the sandy soil layer and guiding the flow of the underground water from the injection holes to the drain holes, and a process for injecting a reaction agent from the injection holes.例文帳に追加

砂質土層まで穿孔された注入孔から発泡剤を含んだ液体を注入する工程と、砂質土層まで穿孔された排水孔から地下水を汲み上げ地下水の流れを注入孔から排水孔に導く工程と、反応剤を注入孔から注入する工程とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the MMIC, an insulating film is deposited on a semiconductor substrate, and opening portions for a gate, a source, and a drain are formed in the insulating film, and thereafter, the formations of the FET electrode portions comprising a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode and the formation of the lower electrode of a capacitor element are performed at the same time.例文帳に追加

半導体基板上に絶縁膜を堆積し、絶縁膜にゲート、ソースおよびドレインのための開口部を形成した後、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のＦＥＴ電極部と容量素子の下部電極形成を同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin film transistor comprising a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a metal oxide source/drain electrode and an organic semiconductor layer, at least one surface of the metal oxide source/drain electrode is treated by using a self-assembled single layer film forming compound comprising a sulfonic acid group.例文帳に追加

基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース／ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、金属酸化物ソース／ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜形成化合物で処理する。 - 特許庁

According to the method, a synthetic resin foam body 8 containing intercommunicating porosities is set on an external surface of an external wall 6 enclosing the underground space 5 of the building 1, and drain channels 9 are formed in a lower portion of the underground space 5, whereby groundwater present around the underground space 5 is introduced via the porosities in the synthetic resin foam body 8 to the drain channels 9.例文帳に追加

建築物１における地下空間５を囲む外壁６の外面に、連続した空隙を有する合成樹脂発泡体８を設置し、前記地下空間５の下部に排水路９を形成し、前記地下空間５の周囲の地下水を前記合成樹脂発泡体８の空隙を通じて前記排水路９に導く。 - 特許庁

In this manufacturing method, a first resist pattern 7 having an aperture 7a for exposing source/drain regions 5, 6 to expose the upper surface of a gate electrode 2 is formed and a second resist pattern 8 having the second apertures 8d, 8e, 8c for defining source/drain electrodes 10, 11 and upper layer wiring 9 is laminated on a first resist pattern.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域５，６を表出する開口７ａを有しゲート電極２上面を表出する第一のレジストパターン７を形成し，その上にソース・ドレイン電極１０，１１及び上層配線９を画定する第二の開口８ｄ，ｅ，ｃを有する第二のレジストパターン８を積層する。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

For the hydraulic circuit and its method, a common drain for receiving return lubricating oil from a transmission and control valve return oil of an actuator and a hydraulic pump for sending the oil from the drain to the transmission and the respective actuator control valves are included, and a bubble separating apparatus is disposed immediately after the discharge side of the hydraulic pump.例文帳に追加

トランスミッションからの戻り潤滑油及びアクチュエータの制御バルブ戻り油を受ける共通のドレンと、ドレンから油をトランスミッション及び各アクチュエータ制御バルブに送る油圧ポンプとを含み、油圧ポンプの吐出側直後に気泡分離装置を配置したことを特徴とする油圧回路及びその方法。 - 特許庁

This manufacturing method of the organic thin-film transistor has an electrode-forming process of forming a source electrode 103 and a drain electrode 104; an organic semiconductor layer process of forming an organic semiconductor layer 105, connected to the source electrode 103 and the drain electrode 104; and an aging process of heating the organic semiconductor layer 105 and applying an AC voltage to a portion between the source electrode 103 and to the drain electrode 104.例文帳に追加

本発明に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４を形成する電極形成工程と、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４に接続される有機半導体層１０５を形成する有機半導体層工程と、有機半導体層１０５を加熱し、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４間に交流電圧を印加するエージング工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the nonvolatile memory cell comprises the steps of: forming a tunnel oxide film, a floating gate electrode, a dielectric film, and a control gate electrode; forming a source and drain region by processing a source/drain ion implantation; forming an oxide layer on the source and drain region by selectively processing oxidation; and forming a spacer on the both sides of the floating gate electrode and the control gate electrode.例文帳に追加

半導体基板上部にトンネル酸化膜、フローティングゲート電極、誘電体膜及びコントロールゲート電極を形成する段階と、ソース／ドレインイオン注入工程を行ってソース及びドレイン領域を形成する段階と、選択的酸化工程を行って前記ソース及びドレイン領域上に酸化層を形成する段階と、前記フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極の両側面にスペーサを形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a complete depletion type SOI-MOSFET which has an SOI layer thinned directly under a gate electrode and an SOI layer thickened in source and drain parts using an SIMOX method and at the same time and shows a high driving capability of the SOI-MOSFET in a self-aligned manner.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法を用いて、ゲート電極直下のＳＯＩ層は薄く、ソース・ドレイン部のＳＯＩ層は厚く形成するとともに、自己整合的に駆動能力の高い完全空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴの作製を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents punch-through of ion implantation for making amorphous layers prior to the formation of silicide films, and reduces sheet resistance in source/drain areas and a gate electrode in the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、シリサイド膜の形成に先立つ非晶質化のためのイオン注入の突き抜けを防止しつつ、ソース／ドレイン領域及びゲート電極のシート抵抗を低減しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate for an electro-optical device which processes an insulating layer in a short time by improving yield by preventing damage of a drain electrode due to laser beam irradiation, and to provide a manufacturing method of the electro-optical device.例文帳に追加

レーザ光照射によるドレイン電極の損傷を防止することにより歩留まりを向上し、絶縁層の加工を短時間で行う電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, after indoor drainage piping of the house 2 is constructed, since the pit is excavated again to connect the indoor drain pipe to the pit 10, an excavation after laying the pipe is omitted, the method can be simplified and, at the same time, the method can be applied to the narrow space.例文帳に追加

次いで、該住宅２の屋内排水配管ができると、この排水ますを再掘して屋内排水管と排水ます１０とを接続するので、管布設の掘削が省け、工法を簡略にすると共に、狭小地に適用可能となった。 - 特許庁

The method is for forming an array of floating gate memory cells, each provided with a trench formed in the surface of a semiconductor substrate and with the source and drain regions separated from each other with a channel region formed in between, and the array is formed by using this method.例文帳に追加

半導体基体の表面に形成されたトレンチと、チャンネル領域が間に形成された離間されたソース及びドレイン領域とを各々備えたフローティングゲートメモリセルのアレーを形成する方法、及びそれにより形成されたアレー。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming a gate recess 16A by applying a wet etching method in condition that at least either electrode of the source electrode 11a and the drain electrode 12 is connected conductively to a channel region 13.例文帳に追加

ソース電極１１及びドレイン電極１２の少なくとも何れか一方の電極をチャネル層１３と導電接続した状態でウエット・エッチング法を適用してゲート・リセス１６Ａを形成する工程が含まれていることが基本になっている。 - 特許庁

To provide a method for predicting the time maximum value and time minimum value of pressure in a drain pipe, a predicting device used for carrying out the method, and a recording medium recording a computer program for allowing a computer to function as the predicting device.例文帳に追加

排水管内圧力の時間最大値及び時間最小値を予測する予測方法、その実施に使用する予測装置、及びコンピュータを予測装置として機能させるためのコンピュータプログラムが記録されている記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide an exhaust gas washing treatment system constituted so as to efficiently wash an exhaust gas by reducing a drain quantity to the utmost, in performing washing treatment using an exhaust gas washing device, and an exhaust gas washing treatment method.例文帳に追加

排ガス洗浄装置で洗浄処理するに当たり、排水量をできるだけ少なくして、効率的に排ガスを洗浄する排ガス洗浄処理システムと洗浄処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lining method capable of securing a flow path of water through an existing pipe path upon lining the inner surface of the existing pipe path, such as a cross-drain, with a lining material.例文帳に追加

伏びなどの既設管路の内面に内張り材を貼り付けて内張りするに際し、当該既設管路を通じての水の流通を確保しつつ内張りする方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method, a first positive bias between the drain and the source, a second positive bias between the source and the substrate, and a third positive bias between the gate and the source are applied, and the source charge trapped by the trap material near the source is read.例文帳に追加

本方法は、第１正ドレイン−ソースバイアス、第２正ソース−基板バイアス、第３正ゲート−ソースバイアスを印加し、ソース側近くのトラップ材料にトラップされたソース側チャージを読み取る。 - 特許庁

To provide a water quality control method based on heater drain iron concentration capable of controlling the iron concentration of an extremely low concentration at a boiler inlet even in the analysis sensitivity of the conventional iron concentration measuring device.例文帳に追加

現状の鉄濃度測定装置の分析感度においてもボイラ入口における極低濃度の鉄濃度を管理することができる加熱器ドレイン鉄濃度による水質管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of making a defective pixel to be a normal pixel by correcting easily the leakage defect between a drain electrode and an auxiliary capacitance electrode and a source wiring and its defect correcting method.例文帳に追加

補助容量電極及びソース配線とドレイン電極とのリーク欠陥を容易に修正して正常絵素化を図り得る液晶表示装置及びその欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a MOSFET in which a source region and a drain region, each having an LDD region in a region just underneath the gate electrode edge, are formed even though no side-wall is formed.例文帳に追加

サイドウォールを形成せずとも、ゲート電極端直下の領域にＬＤＤ領域を持つソース領域及びドレイン領域が形成できるＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

Before a metal layer 41 is made to withdraw with a resist withdrawal method, portions of an active layer 6 that become a source region 12 and a drain region 13 are doped with an impurity using the resist 42 and the metal layer 41 as a mask.例文帳に追加

レジスト後退法で金属層41を後退させる前に、レジスト42および金属層41をマスクとして活性層６のソース領域12およびドレイン領域13となる部分に不純物をドーピングする。 - 特許庁

To provide a drain method and the front end member used therefor capable of surely draining in the ground, reducing a construction period at a low cost with a simple constitution.例文帳に追加

地盤内の排水を確実に行えて、しかも工期短縮ができコスト低減をも図ることのできるドレーン工法、及びこれに使用する先端部材を、簡単な構成によって提供すること。 - 特許庁