「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a treating method of dust collection drain from a metal resource recovery melting furnace capable of separating floating substances from dust collection drain from the metal resource recovery melting furnace to a preferable state, using only an organic flocculant reducing running cost, and economically treating.例文帳に追加

ランニングコストの低減が可能な有機系の凝集剤のみを使用して、金属溶解炉からの集塵排水中から浮遊物質を良好な状態にまで分離でき、しかも経済的に処理することが可能な金属資源回収溶解炉の集塵排水の処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element having a trench type capacitor of high-speed operation by reducing the resistance of a terminal area of a source-drain of a transistor and a capacitor electrode, while more simply connecting between a source-drain of a transistor and a capacitor electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

より簡便にトランジスタのソース・ドレイン部とキャパシタ電極との間を接続して構成するとともに、トランジスタのソース・ドレイン部とキャパシタ電極との接続部の抵抗値を低減して高速動作の可能なトレンチ型キャパシタを有する半導体記憶素子を得ること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is superior in high-frequency characteristics, wherein the alignment deviation between a conductive layer used as a gate electrode and a source/drain is not present, irregurality in source resistance and gate capacitance can be prevented, the gate resistance is reduced, and irregularity in the source-drain current is small.例文帳に追加

ゲート電極に用いられる導電層とソース／ドレイン領域との合わせずれがないため、ソース抵抗とゲート容量のバラツキを防ぐことができ、ゲート抵抗を小さし、ソース−ドレイン電流のバラツキが小さい高周波特性の優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for liquefying and saccharifying the starch-containing substance, a liquefying enzyme and a saccharifying enzyme are mixed in the starch-containing substance containing rice-washing drain and/or starch separated from the rice-washing drain to carry out the liquefying reaction and saccharifying reaction at the same time, so that the starch contained in the starch-containing substances makes monosaccharide.例文帳に追加

デンプン含有物の液化糖化方法は、洗米排水及び／又は洗米排水から分離したデンプンを含有するデンプン含有物に液化酵素及び糖化酵素を混和し、液化反応及び糖化反応を並行して行い、デンプン含有物中のデンプンを単糖にする。 - 特許庁

This invention relates to a method for manufacturing the nozzle blade 1 including the drain hole 3 for separating and removing water drops in steam blown on the nozzle blade 1 and the introduction groove 4 connecting to the drain hole 3 obliquely from an opening of a surface of the nozzle blade 1 and introducing water drops, along a longitudinal direction of the nozzle blade 1.例文帳に追加

ノズル翼１に吹き付けられる蒸気中の水滴分離除去用のドレン穴３と、このドレン穴３に対しノズル翼１表面の開口から斜めに連続して水滴を導入する導入溝４とを、ノズル翼１の長手方向に沿って有するノズル翼の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for treating bath water by which contaminated high temperature water pooled in a dead space formed in a device flow passage due to switching of operation modes is discharged, superior safety is ensured by suppressing propagation of legionella, and the degradation of drain pipes with high temperature drain is prevented.例文帳に追加

各運転モードの切り換えに伴って装置流路内発生するデッドスペースなどの部分の汚れた高温水を排出でき、レジオネラ属菌などの繁殖を効果的に抑制して安全性に優れ、高温排水で排水管を劣化させることがない浴槽水の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-resistance and inexpensive thermoelectric module which has the flexibility capable of being mounted on the outer surface of a drain pipe through a low contacting thermal resistance and are adapted to a power generation using a warm drain water as the heat source thereof, to provide a manufacturing method thereof, and to provide a power generating system having the plurality of modules.例文帳に追加

排水パイプ外面に低接触熱抵抗で装着できるフレキシブル性を有する、温排水を熱源とする発電に適した、低抵抗で低コストの熱電変換モジュールならびにその製造方法、および複数のモジュールを具備した発電システムを提供する。 - 特許庁

To provide a low-costed drain hose of simple structure having a smooth inner surface and durable against the water pressure in a high-pressure washing and, further, possible to be bent to cope with a positional displacement between a drain trap and a pipe rising from the floor, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

内面が平滑で、高圧洗浄の水圧に耐え得る構造であり、しかも、排水トラップと床立上り管の位置ズレに対応できるように曲げることができる構造が簡単で安価に提供することができる排水ホース及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing an array substrate comprises the steps of forming a barrier layer in the lower portion of a source and drain electrodes using material unetched by wet etching liquid for a metal material constituting the source and drain electrodes, and patterning the barrier by anisotropic dry etching, thereby obtaining the desired CDs of a channel portion.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極の下部に、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属物質の湿式エッチング液にエッチングされない物質を利用してバリア層を形成して、バリア層を異方性の乾式エッチングによってパターニングし、望むチャンネル部のＣＤを得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a MIS transistor in which the diffusion of ions into source/drain regions and other diffusion of ions into an extension are carried out as being separately controlled so as to obtain the optimal structures of them by protecting the extension against unnecessary diffusion of ions caused by the influence of a drive of the source/drain regions.例文帳に追加

ソース／ドレインのドライブの影響によるエクステンションの不要な拡散を防止することにより、ソース／ドレインの拡散とエクステンションの拡散とを独立して制御し、それぞれに対して最適な構造を得ることができるＭＩＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method and system for cleaning agricultural wastewater in a culvert is constituted by using a culvert hydrophobic material 4 based on rock wool, gravel, pumice, shells or the like and arranging a water treatment material especially a nitrate nitrogen denitrifying agent in the drain flow channel from a soil moisture collection region to a drain discharge port.例文帳に追加

ロックウール、砂利、軽石、貝殻等を主材とする暗渠疎水材４を用い、かつ土壌水分の捕集部位から排水吐出口までの排水の流路内に水処理材、特に硝酸性窒素脱窒剤を設置してなる暗渠農業排水の浄化方法及び浄化システム。 - 特許庁

The unnecessary water discharging method of water heaters is configured to pool unnecessary water generated through heat exchange (drain water 16) in a tank (drain tank 62) and suck out the unnecessary water from the tank to combine the unnecessary water with hot water in the hot water injection circuit at the time of hot water injection, and then flow the combined water into a bathtub 8.例文帳に追加

給湯器の不用水排出方法は、熱交換によって発生する不用水（ドレン水１６）をタンク（ドレンタンク６２）に溜めるとともに、注湯回路４０の注湯時、前記不用水を前記タンクから吸い出して前記注湯回路の湯に合流させ、浴槽８に流し込む構成である。 - 特許庁

In the method, the drain water of combustion equipment is treated in such a way that, after a basic aqueous solution is obtained by passing water through a dissolving tank filled up with a solid basic material, the aqueous solution is led out of the solution tank and mixed with the drain water.例文帳に追加

固形塩基性物質が充填された溶解槽に水を通過させて塩基性水溶液を得た後、前記溶解槽外に前記塩基性水溶液を導出し、導出された塩基性水溶液とドレン水とを混合してドレン水を処理することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a drain board-shaped floor mat crosspiece member fixing method and a drain board-shaped floor mat retaining a square regardless of any conditions in the use and providing a luxuriously massive feeling resulting from not sounding at steps on the mat in a combination with a metal mat operability.例文帳に追加

本発明は、どのような条件で使用されてもスノコ状床マットが方形を保ち、かつ、足踏みにより音のしない豪華な重厚感と、金属マットの機能性を兼ね備えたスノコ状床マット用桟部材固定方法、およびスノコ状床マットを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a MOS transistor which realizes full reduction in the resistance of a gate electrode, without the possibility of the occurrence of junction leakage of the source/drain region, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域のジャンクションリークの懸念なくゲート電極の十分な低抵抗化を実現するＭＯＳ型トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of lowering of the yield, when the distance between the pieces of source/drain wiring becomes short, because of the small manufacture margin, in a manufacturing method that reduces the the number of conventional manufacture processes.例文帳に追加

従来の製造工程数を削減した製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

In the vertical MOS transistor and its manufacturing method, when a gate voltage is applied to a gate electrode 9a, a channel is so formed along a trench 4 in a body region 3 that an electron current flows from a drain layer 1 to a source layer 7.例文帳に追加

ゲート電極9aにゲート電圧が印加されると、トレンチ4に沿ってボディ領域3にチャネルが形成され、ドレーン層1からソース層7に電子電流が流れる。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor capable of forming a low resistance source-drain structure applicable for a miniaturized TFT by a low temperature process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method also includes a step of then forming an interlayer insulating film 10 on a substrate, and a step of then forming a contact plug 11 connected to an n-type source/drain region 9 on the interlayer insulating film 10.例文帳に追加

次に、基板上に層間絶縁膜１０を形成した後、層間絶縁膜１０にｎ型ソース・ドレイン領域９と接続されるコンタクトプラグ１１を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the method involves providing a drain outlet or trap in a fish non-swimming range, when the fish-rearing ambience is a water tank or the like.例文帳に追加

さらに、魚類の飼育環境が水槽等である場合、魚類の非遊泳範囲に排水口又はトラップを設ける魚類の寄生虫感染の低減方法である。 - 特許庁

To provide a dual gate field-effect transistor (DGFET) structure, with a significantly reduced parasitic capacity in the source/drain region and its formation method.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域下の寄生容量を顕著に低減した二重ゲート型電界効果トランジスタ（ＤＧＦＥＴ）構造体およびそれを形成する方法を提供する。 - 特許庁

According to the method, hot electrons (BBHE) are induced by a band-to-band tunneling effect near the drain, and the hot electrons are injected into a charge accumulating layer, to conduct writing of bit data.例文帳に追加

ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロン（ＢＢＨＥ）を発生させ、このホットエレクトロンを電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-resistance impurity region (HRD or low-concentration impurity region), in a self-aligned manner in a source-drain region on a thin-film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗不純物領域（ＨＲＤまたは低濃度不純物領域）を自己整合的に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor capable of improving voltage and current characteristics between a source and a drain or the like, and to provide a light-emitting device, an electronic apparatus, and a method for forming the thin-film transistor.例文帳に追加

ソース−ドレイン間等の電圧−電流特性を改善することができる薄膜トランジスタ、発光装置、電子機器、及び、薄膜トランジスタの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dried product of a fermented medicinal herb containing a large amount of a medicinal ingredient, whereby transpiration and drain of the medicinal ingredient contained in the herb are prevented.例文帳に追加

薬草の有する薬効成分の蒸散・流出を抑制し、薬効成分を多量に含有する発酵薬草乾燥物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for increasing the density of impurities in a source/drain region and a gate electrode and suppressing a gate leak current, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域及びゲート電極を高不純物密度化し、且つゲートリーク電流を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a low-resistance fine electrode for reducing an electric field between the gate and the drain without causing an increase in capacitance, in a field effect transistor and its manufacturing method.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ及びその製造方法に関し、容量の増加を招かず、ゲート−ドレイン間に低抵抗な微細な電界緩和用電極を設ける。 - 特許庁

To provide a drain member for having sufficient strength and securing sufficient voids even when using a recycled article as a raw material, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

原材料として再生品を使用しても、十分な強度を有すると共に、十分な空隙を確保することができるドレーン部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for laying a drain pit which can be assembled simply and surely in the site of construction of a piping and is also free of the possibility of breakdown even in the use for a long time.例文帳に追加

配管の施工現場で簡単かつ確実に組み立てが行なえると共に、長期使用によっても破損する危険性がない排水桝の敷設方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which high-resistance impurity regions (HRD or low-concentration impurity regions) are formed in source/drain regions through self-alignment way with respect to a thin-film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗不純物領域（ＨＲＤまたは低濃度不純物領域）を自己整合的に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method of drain-extended transistor with the low possibility of high voltage breakdown, and to provide a transistor which does not need to have another step added to the present process.例文帳に追加

高電圧破壊の可能性が低いドレイン拡散トランジスタ、及び既存のプロセスに別のステップを付加する必要がないトランジスタの製造方法を実現すること。 - 特許庁

To provide a MIS field effect transistor including a shallow pn junction while a resistance of source/drain is kept lower and the driving force of the transistor is kept higher, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

ソース／ドレインの抵抗を低く、トランジスタの駆動力を高く保ちつつ浅いＰＮ接合を備えるＭＩＳ型電界効果トランジスタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a junction leakage current by a silicide layer formation without increasing any area of a source-drain region, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の面積を増大することなく、シリサイド層形成による接合リーク電流の低減が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of lowering of the yield, when the distance between pieces of source-drain wiring is shortened, because of small manufacture margin in a manufacturing method that reduces reducing the number of conventional manufacture processes.例文帳に追加

従来の製造工程数を削減した製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

Data is written according to a source side injection method using charged charge of capacitance elements (Cda, Cdb) connected to nodes (DLa, DLc) at a drain side of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのドレイン側ノード（ＤＬａ，ＤＬｃ）に接続される容量素子（Ｃｄａ，Ｃｄｂ）の充電電荷を用いてソースサイドインジェクション方式に従ってデータの書込を行なう。 - 特許庁

This method for retaining the useful ingredients like short-necked clam and quahaug comprises piercing skewers in order into either the inhalent siphon or drain of an arbitrary number of the useful ingredients like short-necked clam and quahaug followed by arranging in rows.例文帳に追加

任意数のアサリやハマグリのごとき有用具類の入水菅あるいは排水菅のいずれかにくしを順次に突き通して並べてなるものである。 - 特許庁

To provide a method and device for treating the drain water of combustion equipment by which neutralizing ability can be exhibited over a long period without causing a blocking state.例文帳に追加

本発明は、長期に渡って、閉塞状態を発生させることなく、中和能力を発揮することのできるドレン水の処理方法およびドレン水処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning a drain, capable of obtaining stable and high oil-water separation ability at low cost, regardless of treatment quantity and reducing the labor.例文帳に追加

処理量に係わらず安定した油水の高い分離性能を安いコストで得ることができる手間の掛からないドレン浄化方法とその装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device of which is capable of forming an extension region, a source region, and a drain region simultaneously.例文帳に追加

エクステンション領域と、ソース領域およびドレイン領域とを同時に形成することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing contamination due to the RIE treatment of the surface of a semiconductor substrate, and controlling the film thickness of an elevated source drain diffused layer.例文帳に追加

半導体基板表面のＲＩＥ処理による汚染を防止し、エレベーテッド・ソース、ドレイン拡散層の膜厚の制御が可能な半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that allows variance in the characteristics thereof due to a difference in size of a source-drain region to be suppressed, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の大きさの違いに起因する特性のばらつきを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

High-frequency characteristics not causing unnecessary parasitic capacity between a gate and a source and between the gate and a drain can be improved by forming a gate electrode by a lift-off method.例文帳に追加

さらに、リフトオフ法によるゲート電極形成によって、ゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間の、不要な寄生容量が存在せず、高周波特性の改善が可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory and a transistor in which the concentration gradient of dopant at a joint part is gentle in a source region while steep in a drain region.例文帳に追加

接合部におけるドーパントの濃度勾配が、ソース領域では緩やかでドレイン領域では急峻なトランジスタ及びフラッシュメモリの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To cut down the number of processes in a manufacturing method of a semiconductor device wherein after forming the source and the drain of MIS transistor its gate electrode is formed in a self-aligning way.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソース及びドレインを形成した後にセルフアラインでゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、工程数の削減を図る。 - 特許庁

In the fabrication method, a first device region selected from a group composed of a source region and a drain region of a field-effect transistor is formed on a semiconductor layer.例文帳に追加

作製方法において、電界効果トランジスタのソース領域及びドレイン領域から成るグループから選択された第１のデバイス領域が、半導体層上に形成される。 - 特許庁