「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method of manufacturing the semiconductor device including the thin-film transistor, where a semiconductor layer including a channel formation layer and a semiconductor layer including source and drain regions are made of oxide semiconductor layers each, purity of the oxide semiconductor layers is improved, and heat treatment (heat treatment for dehydration or dehydrogenation) for reducing moisture, namely an impurity, is performed.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。 - 特許庁

To provide a ground surface water discharge structure which enables an excellent drainage effect to be obtained by simple construction work without use of a culvert drain pipe by using an inexpensive recycle material, that is, granulated waste melting furnace slag of a waste melting furnace as a drainage material, and which can make a construction period shorter than that of conventional construction, and to provide a method for constructing the ground surface water discharge structure.例文帳に追加

安価なリサイクル材である廃棄物溶融炉の廃棄物溶融炉水砕スラグを排水材として使用して暗渠排水管を使用することなく簡単な工事で高い排水効果が得られるとともに、従来の施工に比べて工事期間が短縮できる地面水排水構造及びその施工方法を提供する。 - 特許庁

In this etching method, since fluorine-based gas plasma is generated on a processing workpiece 10 to form, in advance, a fluorine compound thin film on a copper thin film (e.g., a source electrode 21 and a drain electrode 22) exposed in an electrode groove 18, the copper thin film can be prevented from corrosion in etching a silicon layer 17 with halogen gas plasma.例文帳に追加

本発明では処理対象物１０上でフッ素系ガスのプラズマを発生させ、電極溝１８内に露出する銅薄膜（例えばソース電極２１、ドレイン電極２２）にフッ素化合物薄膜を予め形成しておくので、ハロゲンガスのプラズマでシリコン層１７をエッチングする際に、銅薄膜がハロゲンガスのプラズマで腐食されない。 - 特許庁

The programming method for a nonvolatile memory device includes: a stage in which a channel of a memory cell selected by programmed data is floated; and a stage in which the word lines of the selected and non-selected memory cells are driven so as to cause gate-induced drain leakage between the selected memory cell and the non-selected memory cell.例文帳に追加

本発明は、プログラムされるデータによって選択されたメモリセルのチャンネルをフローティングさせる段階と、前記選択されたメモリセルと非選択されたメモリセルの間にゲート有機ドレーン漏れが発生するように前記選択された及び非選択されたメモリセルのワードラインを駆動する段階とを具備する不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a synthetic resin structure and a method for reinforcing or reutilizing an existing concrete U-groove using the structure, capable of easily reinforcing and reutilizing a concrete U-shaped drain channel, that is the concrete U-groove, whose strength is lowered by reaching the end of a service life or the like, at a low cost.例文帳に追加

耐用年数を迎えるなどして強度低下を生じたコンクリート製のＵ字型の用排水路、すなわちコンクリート製Ｕ字溝を容易に且つコスト安価に補強し再活用することができる、合成樹脂製の構造体並びに該構造体を用いた既設コンクリート製Ｕ字溝を補強又は再活用する方法を提供すること。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The higher performance of the logic circuits and their higher integration are achieved by forming cobalt-siliciding films 11 on the source/drain regions 7a and 7b for the transistors in logic-circuit regions in regions not coated with the USGs and the upper sections of the gate electrodes 4 by depositing cobalt on the whole surface of a wafer by a sputtering method and conducting a thermal treatment such as a lump annealing.例文帳に追加

コバルトをスパッタ法によりウエハ全面に成膜してランプアニール等の熱処理を行うことにより、ＵＳＧに覆われていない領域のロジック回路領域のトランジスタのソース／ドレイン領域７ａ、７ｂとゲート電極４上にコバルトシリサイド膜１１を形成することにより、ロジック回路の高性能化及び高集積化が可能となる。 - 特許庁

To provide an easy manufacturing method of a thin film transistor having excellent transistor properties without causing the deterioration and degradation of a source electrode and a drain electrode, and to provide a thin film transistor manufactured by the same, and a thin film transistor circuit, an electronic device, and an electronic apparatus equipped with the thin film transistors, respectively.例文帳に追加

ソース電極およびドレイン電極の変質・劣化を起こさず、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタを簡易な方法で製造することができる薄膜トランジスタの製造方法、また、かかる薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for controlling a drain sterilizer capable of predicting chemical loads, chemical consumption and a sterilizer startup time at a real time from rainfall information collected from measuring points fitted in a treatment district and measuring points fitted in the treatment district and an adjacent treatment district.例文帳に追加

処理地域に設けられた測定点又は該処理地域及び隣接する処理地域に設けられた測定点より収集された降雨情報から、薬剤添加量、薬剤消費量及び消毒装置運転開始時刻をリアルタイムにて予測することができる排水消毒装置の制御方法及び制御装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method includes a stage of bringing into contact and heating a transferred body 11 which has a projection C1 on a substrate 1 and a transfer body 50 where at least the organic semiconductor layer 4 is formed, and transferring the organic semiconductor layer 4 only onto the projection C1 formed of one of an insulating layer, a gate insulating film 3, a source electrode 4, and a drain electrode 6.例文帳に追加

基板１上に凸部Ｃ１を有する被転写体１１と、少なくとも有機半導体層４が形成されている転写体５０とを密着加熱して、その凸部Ｃ１上のみに有機半導体層４を転写する工程を含み、凸部Ｃ１を、絶縁層、ゲート絶縁膜３、ソース電極４及びドレイン電極６のいずれかで形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing the high-voltage transistor with the extended drain region comprises the formation of a first-conductivity type epitaxial layer 101 on a first-conductivity type substrate 10 and the etching of the epitaxial layer 101 to form a pair of spaced-apart trenches that define the first and second sidewall portions of the epitaxial layer 101.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板１０上に第一の導電型であるエピタキシャル層１０１を形成し、そして、エピタキシャル層１０１をエッチングして、エピタキシャル層１０１の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a grouting chemical composition that can combine the securement of compatibility of the two components of an aqueous silicate solution and a polyisocyanate containing no polyether having a hydroxy group, and the suppression of drain pollution, and is excellent in foaming curability, physical properties such as strength, safety, workability and economical efficiency, and to provide a water cut-off method by stabilization/strengthening using the composition.例文帳に追加

ケイ酸塩水溶液および水酸基含有ポリエーテルを含まないポリイソシアネートの２成分の相溶性確保と排水汚染の抑制とを両立させ、かつ発泡硬化性、強度等の物性、安全性、作業性および経済性に優れた注入薬液組成物およびそれを用いた安定強化止水工法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the device comprises simultaneously wet etching an overcoat 10 and a color filter 9, subsequently reflowing the overcoat 10 to form gentle inclination covering the side face of a contact hole and forming the shape of the contact hole that is connecting a pixel electrode and a drain electrode, as smoothly varying normally tapered so as to prevent the pixel electrode from being disconnected between levels.例文帳に追加

オーバーコート１０及びカラーフィルター９に対し、同時にウエットエッチングを行った後、オーバーコート１０をリフローさせ、コンタクトホール側面を覆って緩やかな傾斜を形成するようにし、画素電極とドレイン電極とを接続するコンタクトホールの形状を滑らかに変化した順テーパとすることで、画素電極に段切れが生じないようにする。 - 特許庁

In addition, gate electrodes 20 are formed near the peripheries of the nanotubes 100, by using the conventional semiconductor device manufacturing method and, at the same time, thin nonconductor films 30 are formed on the gate electrodes 20 so as to bury the holes 10' and source electrodes 40 and drain electrodes 50 are respectively formed on and under the nanotubes 100.例文帳に追加

また、従来の半導体装置の製造方法を用いて炭素ナノチュ−ブ１００の周囲近傍にゲート電極２０を形成すると共に孔１０’を埋め込むようにゲート電極２０の上に不導体薄膜３０を成膜し、炭素ナノチュ−ブ１００の上部と下部とに各々ソース電極４０とドレイン電極５０とを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device comprises the steps of adhering a silicon wafer 10 to a supporting substrate 8 through an oxide film 20, forming a drain layer 11 by grinding the wafer 10, forming a buffer layer 12 and a high resistance layer 13 on the layer 11 by an epitaxial growth, and forming a MOS gate structure on the surface of the layer 13.例文帳に追加

シリコンウェハ１０を支持基板８と酸化膜２０を介して接着する工程と、上記シリコンウェハ１０を研削してドレイン層１１を形成する工程と、ドレイン層１１の上にバッファ層１２及び高抵抗層１３をエピタキシャル成長で形成する工程と、高抵抗層１３の表面にＭＯＳゲート構造を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

In addition, by providing a method of manufacturing a flat panel display through the steps of patterning a gate electrode, a source/drain electrode and a pixel electrode by using the etching liquid composition, the step can be further simplified, thus making it possible to reduce a production cost and improve productivity.例文帳に追加

また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 - 特許庁

One line of region of edge parts facing each other within first and second electrode patterns corresponding to a source electrode and a drain electrode is formed by temporally continuously landing, by an inkjet method, droplets of ink on a predetermined substrate at a small interval not larger than the diameter of dot formed by the landing.例文帳に追加

所定の基板上において、インクジェット法によってインクの液滴を、着弾によって形成されるドットの径以下の短い間隔で時間的に連続して着弾させることで、ソース電極およびドレイン電極に対応する第１および第２電極パターンのうちの少なくとも相互に対向するエッジ部の１ラインの領域を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device provided with a source/drain made of an epitaxial growth layer on a semiconductor substrate near a gate electrode, the gate electrode 3a is formed on the semiconductor substrate 1 made of silicon via a gate insulating film 2a, and a TEOS sidewall 5 is formed on the gate insulating film 2a and a side wall of the gate electrode 3a.例文帳に追加

ゲート電極脇の半導体基板上にエピタキシャル成長層からなるソース・ドレインを備えた半導体装置の製造方法であって、シリコンからなる半導体基板１上にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａを形成し、ゲート絶縁膜２ａおよびゲート電極３ａの側壁にＴＥＯＳサイドウォール５を形成する。 - 特許庁

To provide a treatment method of waste preventing that selenium is contained in drain discharged in the treatment process of waste such as soot and dust containing selenium and water soluble chlorine component and preventing that selenium is incorporated into chlorides when chlorine component contained in the waste is recovered as the chlorides.例文帳に追加

セレン及び水溶性の塩素分を含む煤塵等の廃棄物の処理過程で排出される排水中にセレンが含まれることを回避することができるとともに、廃棄物に含まれる塩素分を塩化物として回収する際に塩化物中にセレンが混入することを防止することのできる廃棄物の処理方法を提供する。 - 特許庁

To build in field effect transistors which are different in properties, especially, threshold voltage, and have high reliability on the same wafer without adopting such troublesome means as to repeat a complicated recess formation process or change the material of a source electrode and a drain electrode, concerning a method of manufacturing a field effect semiconductor device.例文帳に追加

電界効果半導体装置の製造方法に関し、煩雑なリセス形成工程を繰り返したり、或いは、ソース電極及びドレイン電極の材料を変えたりする面倒な手段を採ることなく、同一ウエハ上で特性、特に、閾値電圧を異にし、しかも、信頼性が高い電界効果トランジスタを容易に作り込むことができるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which is suitable for improvement in the information storing characteristic of a semiconductor device such as DRAM and SRAM or the like through reduction of a junction leak current resulting from a defect, by processing vacant hole defect remaining in the source-drain diffusing layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層に残留する空孔欠陥に対する処理を行うことにより、欠陥起因の接合リーク電流を低減する半導体装置の製造方法を提供し、これによってＤＲＡＭやＳＲＡＭ等の半導体記憶装置の情報保持特性を向上させるために好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing an NAND flash memory element includes a step for providing a semiconductor substrate where a drain select transistor DSL, a source select transistor SSL, and memory cell transistors connected in series between them are formed; and a step for forming an oxide film in the surface of the semiconductor substrate at both sides of the gate of the source select transistor.例文帳に追加

ドレイン選択トランジスタＤＳＬ、ソース選択トランジスタＳＳＬおよびこれらの間に直列に連結されたメモリセルトランジスタが形成された半導体基板を提供する段階と、前記ソース選択トランジスタのゲート両側の半導体基板の表面内に酸化膜を形成する段階とを含む、ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The atmospheric substitution method for the chamber device 3 for substituting an ambient atmosphere of inactive gas generated in a chamber 11 with atmospheric air opens a drain flow channel 102 of the chamber 11 and at the same time blocks a gas supply flow channel 138 and forcibly supplies the atmospheric air into the chamber 11 to replace the inert gas in the chamber 11 with outside air.例文帳に追加

チャンバルーム１１内に構成した不活性ガスの雰囲気と外気とを置換するチャンバ装置３の大気置換方法であって、チャンバルーム１１の排気流路１０２を開放すると共に不活性ガスのガス供給流路１３８を閉塞し、チャンバルーム１１内に外気を強制送気して、チャンバルーム１１内の不活性ガスと外気とを置換するものである。 - 特許庁

In a transistor comprising a gate electrode 11, a gate insulating film 2, a source electrode 17, a drain electrode 16 and the organic semiconductor layer 3 formed on a substrate, the sealing layer 4 is included on the semiconductor layer, and a printing method is used for its formation to form a stripe shape, by which a pattern is simply formed, and high alignment accuracy is obtained together with the high yield.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１、ゲート絶縁膜２、ソース電極１７、ドレイン電極１６および有機半導体層３を含んでなるトランジスタにおいて、半導体層上に封止層４を有し、その形成に印刷法を用い、ストライプ状にすることで、簡易にパターンを形成でき、歩留まりよく、高いアライメント精度が得られる。 - 特許庁

The manufacturing method comprises (a) a step for preparing an insulating substrate, (b) a step for forming a thin film transistor structure and a transparent electrode structure on the insulating substrate, and connecting the transparent electrode structure with the source/drain ends of the thin film transistor structure, and (c) a step for forming a thin film structure containing a plurality of conductive particles on the transparent electrode structure.例文帳に追加

前記製造方法は、（ａ）絶縁基板を用意するステップと、（ｂ）前記絶縁基板上に薄膜トランジスタ構造および透明電極構造を形成し、該透明電極構造を該薄膜トランジスタ構造のソース／ドレイン端に接続するステップと、（ｃ）前記透明電極構造上に、複数の導電粒子を含む薄膜構造を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method for detecting water leaking from the joint portion between a bathtub and a reheating adaptor for the bathtub by which water leakage can be easily visibly recognized since the water flowing out to a wash place when water leaks is colored because a water soluble pigment is applied to a drain pan and/or a water draining hose and the effect can be maintained for a long period of time.例文帳に追加

浴槽と浴槽用追焚アダプターとの接合部から漏れた水を検知する方法に関するもので、ドレンパン及び／又は排水ホ−スに水溶性の色素が施されているので、漏水時に洗い場に流れ出る水に色が付着しているため目視しやすくなり、しかも長期間に渡りその効果が持続可能となったものである。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor having a channel region connected to at least a source region and a drain region and a gate electrode opposite to the channel region through a gate insulation film on a substrate, the process of forming the gate insulation film is to form a silicon oxide by the plasma chemical vapor deposition method with the substrate 205 fixed by a retaining member 206 above plasma generating electrodes 203.例文帳に追加

基板上に少なくともソース領域およびドレイン領域に接続するチャネル領域と、該チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜の形成工程は、前記基板２０５をプラズマ発生させるための電極２０３上に押さえ部材２０６により固定した状態で、プラズマ化学気相堆積法によりシリコン酸化物を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin film transistor comprises a process of forming a silicon film by applying a dopant and a liquid material containing a silane compound or silane of higher order above a substrate, and a phototreatment process of forming a source and a drain region which consist of a doped film wherein the dopant is activated by conducting a phototreatment of part of the silicon film.例文帳に追加

本発明は、基板の上方に、ドーパントおよび、シラン化合物又は高次シランを含む液体材料を供与してシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜の一部を光処理することにより、ドーパントが活性化されたドープ膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成する光処理工程と、を備える薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the stages of: providing a substrate having semiconductor layer which includes low concentration doping region adjacent to each both sides of channel region, and each source/drain regions adjacent to the low concentration region; and, after forming gate insulating film and conductive film on the substrate in order, forming a gate electrode by patterning the above-mentioned conductive film.例文帳に追加

チャンネル領域両側に各々隣接した低濃度ドーピング領域及び低濃度ドーピング領域に各々隣接したソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階及び基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The organic electroluminescent element and its manufacturing method are provided, wherein a TFT for forming a driving element of each pixel of the organic electroluminescent element is structured by an amorphous TFT and a laminating order of the organic electroluminescent diode is maintained as same as that of conventional one while a second electrode of an organic electroluminescent diode is connected to a drain electrode of a driving TFT.例文帳に追加

有機電界発光素子各画素の駆動素子を形成する薄膜トランジスタを非晶質薄膜トランジスタで構成して、駆動薄膜トランジスタのドレイン電極に有機電界発光ダイオードの第２電極が接続されるようにしながら、有機電界発光ダイオードの積層順序を既存と同一に維持する有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The recycling method of the titanium compounds as the collector comprises the following processes: the waste containing the titanium compounds is subjected to pretreatments of an alkali treatment, an acid treatment, and a chelating agent addition treatment and/or a flocculant addition treatment, and the obtained titanium-containing compound is used to collect fluorine, and fluorine-containing compounds from drain containing fluorine, and the fluorine-containing compounds at a low concentration.例文帳に追加

チタン化合物を含む廃棄物に、アルカリ処理、酸処理、キレート化剤添加処理及び／又は凝集剤添加処理の前処理を施し、次に得られたチタン含有化合物を低濃度のフッ素及びフッ素含有化合物を含む排液中からフッ素及びフッ素含有化合物を捕集するのに使用することを特徴とするチタン化合物の捕集剤としての再生利用方法。 - 特許庁

To provide a method for treating nitrogen components in a waste in a gasification reforming process, with which in a waste treatment system that a waste is gasified, reformed, cleaned and purified to give a purified synthesis gas, ammonia for exhaust gas denitration of the purified synthesis gas (fuel gas) can be self-sufficient in the same system and qualities of a mixed salt produced from a washing drain can be improved.例文帳に追加

廃棄物をガス化改質し、洗浄、精製して精製合成ガスを得る廃棄物処理系において精製合成ガス（燃料ガス）の燃焼排ガス脱硝用アンモニアを同系内で自給自足することができ、また、洗浄廃液から製造される混合塩の品質を向上できる、ガス化改質方式における廃棄物中の窒素分の処理方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the ignition and combustion properties of fuel, and the atomization of fuel from decreasing by reducing the amount of drain preserved an atomization air line before igniting a burner/ignition torch when a boiler is to be started in the boiler for power generation wherein fuel is atomized by supplying atomization air to the burner/ignition torch, and its operation method.例文帳に追加

バーナ／点火トーチに、アトマイズ空気を供給して燃料の霧化を行うようにした発電用のボイラ及びその運転方法において、ボイラ起動時に、アトマイズ空気ラインにおけるドレンの保有量をバーナ／点火トーチの点火前に低減し、燃料の着火・燃焼性、並びに燃料の霧化性が低下するのを防止する様にしたものを提供することを課題とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, which forms source and drain regions 7 using a dummy gate electrode 40 and thereafter, the electrode 40 is removed to form a gate electrode, and after the electrode 40 is removed, an ion implantation for forming regions 52 of a pocket structure is performed so that an angle implantation 521 using a step implantation is performed in a groove, where the electrode 40 existed.例文帳に追加

ダミーゲート電極４０を用いてソースドレイン領域７を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極４０を除去した後に、ポケット構造領域５２を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入５２１によって行う。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a MISFET comprises the steps of: covering a surface of a semiconductor substrate with an oxygen-absorbing film after forming a gate stack of a MISFET and a peripheral structure; performing annealing in that state to activate an impurity in a source-drain region; and subsequently removing the oxygen-absorbing film.例文帳に追加

本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 - 特許庁

The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第１及び第２サイドゲート積層物を備えることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a silicon layer containing an amorphous silicon on a substrate 10, doping a dopant to form a source/drain region, performing heat treatment under H_2O atmosphere and a constant temperature to crystallize the amorphous silicon, simultaneously activating the dopant to form a semiconductor layer 24, and preventing the substrate 10 from damaging by heat, by reducing the heat treatment processes.例文帳に追加

基板１０上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース／ドレイン領域を形成し、Ｈ_２Ｏ雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層２４を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板１０の損傷を防止することができる。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of forming the film thickness of a metal silicide film formed in a source drain region to be thick without suffering from an increase of a junction leakage current even in the semiconductor device having a fully silicided gate electrode (full silicide gate electrode), and capable of forming the full silicide gate electrode and the metal silicide film in a one time silicide formation process.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method contains a step in which the impurities are selectively introduced at a first concentration, into a region for nonvolatile memory cells 20R and a region for the electrostatic discharge damage countermeasure transistors 10R in the semiconductor substrate 1, and thereby the tunnel diffusion layer 24 is formed; and at the same time, a source region 11 and a drain region 12 of the electrostatic discharge damage action transistor are formed.例文帳に追加

この製造方法は、半導体基板１において不揮発性メモリセル用領域２０Ｒおよび静電破壊対策トランジスタ用領域１０Ｒに第１濃度で不純物を選択的に導入することによって、トンネル拡散層２４を形成し、同時に静電破壊対策トランジスタのソース領域１１およびドレイン領域１２を形成する工程を含む。 - 特許庁