「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing silicon ingot, a drain 11 mixed with solid particles containing semiconductor chips 12 generated by machining semiconductors is stored in a tank 10, a substance showing acidity is mixed into the tank 10 to separate metal ions 13 adhered to the surface of the semiconductor chips 12 from the semiconductor chips 12, and the drain 11 containing the metal ions 13 and the semiconductor chips 12 are solid-liquid-separated.例文帳に追加

本発明のシリコンインゴットの製造方法は、半導体を機械加工することにより発生する半導体屑１２を含む固体粒子が混入された排水１１をタンク１０に貯留し、タンク１０に酸性を示す物質を混入して、半導体屑１２の表面に付着した金属イオン１３を、半導体屑１２から分離させ、金属イオン１３を含む排水１１と半導体屑１２とを固液分離する。 - 特許庁

The data writing method for writing the data into a memory cell of the nonvolatile semiconductor storage device, and in this method, an external power source voltage to be used for an operation of a plurality of peripheral circuit sections is applied as a drain voltage when writing to the memory cell without being subjected to voltage conversion.例文帳に追加

本発明の一形態のデータ書き込み方法は、不揮発性半導体記憶装置のメモリセルにデータを書き込むためのデータ書き込み方法であり、複数の周辺回路部の動作に使用される外部電源電圧を、電圧変換すること無しに前記メモリセルへの書き込み時のドレイン電圧として印加する。 - 特許庁

To provide a method of recovering and recycling a waste superheated steam and its device for easily controlling a temperature of a continuous treatment housing in a circulation method of a waste superheated steam not by a fan, free from heat loss in accompany with latent heat of evaporation of condensed drain stored in the housing and exhausting, and effectively transferring heat to a work.例文帳に追加

ファンによらない廃過熱蒸気の循環方法で、連続処理庫内の温度コントロールが容易で、庫内に溜まる凝縮ドレンの蒸発線熱および排気に伴う熱損失がなく、ワークへの伝熱が効果的な、廃過熱蒸気の回収および再生利用方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for manufacturing electro-optical equipment, a semiconductor device, electro-optical equipment, and a projection display unit using it capable of preventing kink in a sub-threshold region by reducing substrate floating effects, and preventing the increase of impact ion at a drain edge.例文帳に追加

基板浮遊効果を抑制することにより、サブスレッショルド領域におけるキンクを解消し、かつ、ドレイン端でのインパクトイオンの増大を防止することのできる半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、およびそれを用いた投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

This invention relates to a method for forming an array substrate for a liquid crystal display device to be manufactured in less masking processes, and relates to a method for forming a low resistance metallic film on the data wiring and source electrodes for lowering the resistance especially when the data wiring, the source electrodes, drain electrodes, and pixel electrodes are formed of transparent electrodes.例文帳に追加

本発明は、少ないマスク工程で製作される液晶表示装置用アレー基板の形成方法に係り、特に、データ配線、ソース電極、ドレーン電極及び画素電極を透明電極で形成する場合、抵抗を低めるためにデータ配線及びソース電極に低抵抗金属膜を形成する方法に関する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for an electro-optical device that can reduce contact resistance between wiring and a source-drain region without the need of a new photomask, and to provide an electro-optical device, an electronic apparatus, and a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device.例文帳に追加

新たなフォトマスクを必要とすることなく配線とソース・ドレイン領域との接触抵抗を低減させることが可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置用基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof which suppresses the increase of the capacity interposed between its gate and its drain so as to prevent the degradation of its high-frequency characteristic, and has its reduced variations inside the surface of a wafer, and further, secures its high waterproof, and moreover, can be manufactured stably.例文帳に追加

ゲート−ドレイン間容量の増大を抑制して高周波特性の悪化を防ぎ、ウェハ面内でのバラツキが小さく、高い耐湿性を確保し、安定して製造することができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The manufacturing method of a subquatermicron gate FET comprises a process for simultaneously forming a source electrode 7a, a drain electrode 7b and an exposure criterion metal film on a semiconductor substrate 1 and a process for forming a gate electrode 10 on the substrate 1 with the exposure criterion metal film as the criterion.例文帳に追加

半導体基板１上にソース電極７ａとドレイン電極７ｂと露光基準金属とを同時に形成する工程と、露光基準金属を基準として半導体基板１上にゲート電極１０を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a writing method of a nonvolatile semiconductor storage device capable of eliminating a set up time by dropping a pocket P well of a memory cell to a negative potential without waiting a dropping period of a charge pump, in the operation in a drain stress mode.例文帳に追加

ドレインストレスモードの動作時において、チャージポンプの降下期間を待たずに、メモリセルのポケットＰウェルを負電位に降下させ、セットアップ時間をなくすることができる不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a ZnO semiconductor film is used and which is free from generation defects or faults, even when ZnO films doped with an n-type or p-type impurity are employed for the source and drain electrodes, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＺｎＯ半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にｎ型又はｐ型の不純物を添加したＺｎＯ膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

A method for driving a semiconductor device having the structure includes making the first transistor into a conductive state, setting a first source terminal or a first drain terminal to a fixed potential, and thereby stably writing in a potential in the capacitor element, when writing the potential in a memory cell.例文帳に追加

上記構成の半導体装置の駆動方法において、メモリセルに書き込みを行う場合、第１のトランジスタを導通させて第１のソース端子または第１のドレイン端子を固定電位とし、容量素子に安定した電位の書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a parasitic capacity between a source and a drain for an HEMT (a high electron mobility transistor) using GaN capable of achieving an amplifier enabling a high-frequency operation and a broad band and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

高周波動作や広帯域化が可能な増幅器の実現ができるＧａＮを使用した、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）のソース、ドレイン間寄生容量を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a defect or fault is not generated even if a ZnO semiconductor film is used and a ZnO film to which an n-type or p-type impurity is added is used for a source electrode and a drain electrode, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＺｎＯ半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にｎ型又はｐ型の不純物を添加したＺｎＯ膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a double gate MOS transistor and a double gate CMOS transistor which reduce the whole transistor area, and a manufacturing method, while securing the contact area of the electrode sections of a source region and a drain area.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の電極部の接触面積を確保しながらトランジスタ全体の面積を小さくするようにした二重ゲートＭＯＳトランジスタおよび二重ゲートＣＭＯＳトランジスタ、その製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。 - 特許庁

In this method for producing reverse stagger back-channel type TFT(thin-film transistor) 7, an island-like pattern to form a semiconductor film 26, low resistance semiconductor film 27, source electrode 23 and drain electrode 22 of the TFT 7 is formed at a time.例文帳に追加

逆スタガ・バックチャネル型のＴＦＴ７を形成する製造方法にあって、ＴＦＴ７の半導体膜２６、低抵抗半導体膜２７、ソース電極２３及びドレイン電極２２を形成するための島状のパターンを一括して形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MOSFET where a junction leakage margin is large by sufficiently securing distances between, the bottom surface of a silicide film and the connecting surface of source/drain areas and a semiconductor substrate in salicide structure, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド構造において、シリサイド膜の底面と、ソース／ドレイン領域と半導体基板の接合面との距離を十分に確保でき、ジャンクションリークマージンの大きな電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum cleaner for recovering miscellaneous waste materials of not only a waste water tank of a grease trap or the like but also a drain pipe of a hot water supply room and a service room, etc., and to provide a method for recovering the miscellaneous waste materials of a building by using the vacuum cleaner.例文帳に追加

グリーストラップ等の雑排水槽のみならず、給湯室，配膳室等の排水管の雑排物を回収するためのバキュームクリーナ及びバキュームクリーナを使用したビルの雑排物等の回収方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for (total rac)-α-tocopherol production, with which (total rac)-α-tocopherol being the most industrially important member having highest activity among a vitamin E group is produced without problems of corrosion, toxicity, contamination of drain, formation of undesirable by- product, etc.例文帳に追加

ビタミンＥ群の中でもっとも活性が高く工業的にもっとも重要な一員である（全−ｒａｃ）−α−トコフェロールを、腐食、毒性、排水の汚染、望ましくない副生物の生成等の問題なく製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device allowing removal of an outside sidewall without damaging a sidewall serving as a base, to thereby form a connection hole reaching source/drain in a self-aligned manner between gate electrodes with reduced space.例文帳に追加

下地となるサイドウォールにダメージを与えることなく外側のサイドウォールを除去可能で、これにより狭スペース化したゲート電極間に自己整合的にソース／ドレインに達する接続孔を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shell treatment method capable of easily and inexpensively performing the work of removing shellfish or the like stuck to a drain or the like and efficiently turning waste shells into resources as a cement raw material excellent in quality stability.例文帳に追加

排水路などに付着した貝類の除去作業を容易に低コストで行なうことができ、廃棄物である貝殻を品質安定性に優れたセメント原料として効率的に資源化することのできる貝殻処理方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of semiconductor device in which the impurity concentration is optimized in an extension region between a channel forming region and each source-drain region and the impurity concentration profile can be controlled with high accuracy.例文帳に追加

チャネル形成領域と各ソース／ドレイン領域との間に位置するエクステンション領域における不純物濃度の最適化を図り、且つ、不純物濃度プロファイルの高精度制御を達成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin transistor having a sufficiently high resistance change rate between a source electrode and a drain electrode, when the magnetization directions of a spin polarized carrier injection layer and a spin filter layer are parallel and anti-parallel, and its manufacturing method.例文帳に追加

スピン偏極キャリア注入層とスピンフィルタ層の磁化の向きが平行の場合と反平行の場合における、ソース・ドレイン電極間の抵抗変化率が十分に大きなスピントランジスタ、及びこのようなスピントランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composting method comprising piling a compost material such as livestock feces and sludge, aerating the piled compost material layer by suction from its bottom, recovering the sucked drain and ammonia to reduce the volatilization of malodors, and utilizing the recovered ammonia as a solid fertilizer.例文帳に追加

畜糞や汚泥などの堆肥材料を堆積し、その堆肥材料堆積層の底部から吸引して通気させ、吸引されたドレイン及びアンモニアを回収処理して悪臭の揮散を低減し、回収したアンモニアを固形肥料として利用する。 - 特許庁

By molding one hollow condensed water reception member formed with a gas layer inside a wall thickness by the molding method or cutting the molded hollow molding into two, two drain pan members are simultaneously molded.例文帳に追加

また，かかる成型法により肉厚内部に気体層が形成された一の中空状の凝縮水受部材を成型し，或いは，成型された中空状の中空成型体を二分割切断することにより二の上記凝縮水受部材を同時成型する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein all gate electrodes are alloyed (full silicide) and alloying reaction is suppressed in source and drain areas, and generation of joint leak is prevented, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート電極を全て合金化（フルシリサイド化）させる一方で、ソース・ドレイン領域においては合金化反応を抑制することができ、接合リークの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic thin-film transistor, in which an element with a large area is easily manufactured, a gate insulation layer is not damaged during forming a source electrode and a drain electrode, and flexibility of an organic insulation material is not deteriorated.例文帳に追加

大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a filter device and its washing method for removing a soil material which causes clogging in drain and saving a time and labor to dispose of and clean the removed soil material while preventing the formation of slime, mold or the like.例文帳に追加

排水中のつまりの原因となる汚れ物質を除去し、除去した汚れ物質を廃棄したり、清掃したりする手間を省くとともに、ヌメリやカビなどの発生を防止することのできるフィルター装置およびその洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element where the generation of an electric field between a drain impurity area and an impurity layer for threshold voltage control is prevented, leak current is reduced and the reliability of the semiconductor is improved, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン不純物領域としきい値電圧調節用不純物層との間の電界発生を防止して漏洩電流を減少させ、半導体素子の信頼性を改善できるようにした半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a filtration method to remove a nonremoved matter by using a filter made of a solid matter different from the nonremoved matter from drain mixed with the nonremoved matter of a semiconductor, metal, an inorganic matter, an organic matter, etc., discharged from a CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置から排出される半導体、金属、無機物または有機物等の非除去物が混入された排水から、非除去物とは異なる固形物から成るフィルタを用いて非除去物を除去する濾過方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an active matrix type liquid crystal display which has a high yield and can have a higher aperture rate by preventing a display defect due to a defect in contact between a drain electrode and a pixel electrode due to a crack of an indium-tin oxide alloy (ITO).例文帳に追加

インジウム−錫酸化物合金(ITO)クラックによるドレイン電極と画素電極のコンタクト不良による表示欠陥を防ぎ、歩留まりが高く、更に高開口率化の可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hydraulic machine and its operation method capable of removing and properly guiding a water film formed in a guide vane and containing the air to a casing-use drain valve mounted to a casing, and of stably shifting to the next operation without trouble.例文帳に追加

ガイドベーンに形成された空気を含む水膜を取り除いてケーシングに設けたケーシング用排水弁に良好に案内し、次の運転に支障なく安定した状態で移行させる水力機械およびその運転方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance MOS semiconductor device, exhibiting proper controllability in which a parasitic transistor, resulting from the shape of boundary between an STI and an element region is eliminated, reliability of source/drain is enhanced, and a countermeasures are taken against low resistance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＴＩと素子領域の境界の形状に関る寄生トランジスタをなくし、かつソース／ドレイン信頼性ある低抵抗化対策を有する制御性の良い高性能のＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an existing pipe regeneration method and a water collection apparatus which, when the inner surface of an existing pipe is covered with a lining material using pressurized steam, suitably discharge drain water generated in the lining material.例文帳に追加

本発明は、加圧水蒸気を用いて既設管の内面にライニング材を被覆する際に、ライニング材内に発生するドレン水を好適に排出することができる新規な既設管の更生方法及び集水装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The logic area and the memory cell area are commonly polished so that the gate electrodes of the logic transistor and the access transistor are exposed in the manufacturing method, which includes a process for polishing the laminated insulation film on the source and the drain of the access transistor.例文帳に追加

製造方法においては、ロジックトランジスタとアクセストランジスタのゲート電極が露出するようにロジック領域とメモリセル領域を共通に研磨し、併せてアクセストランジスタのソース、ドレイン上の積層絶縁膜をも研磨する工程を含む。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor using an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode or drain electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recovering the residual liquid of liquefied gas capable of completely unloading a liquefied gas storage tank and completely recovering the residual liquid for a short period at a low cost without using a temporary pulp, and newly forming a deep hole or mounting a valve for drain.例文帳に追加

仮設ポンプを必要とせず、かつ深い穴やドレーン用の弁を新設することなく、短期間に低コストで、液化ガス貯蔵タンクを完全に空にし、かつ残液を安全に回収することができる液化ガス残液回収方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for shunting fluid to treat hydrocephalous, and in particular for treating normal pressure hydrocephalous, or Alzheimer's, Idiopathic Intracranial Hypertension (IIH), or any other condition in which it is necessary to drain and/or cleanse CSF (cerebrospinal fluid).例文帳に追加

水頭症の治療、特に正常圧水頭症、アルツハイマー病、頭蓋内高血圧症(IIH)などＣＳＦ（髄液）を排出および／あるいは清浄化が必要な病状を治療するために髄液をシャントする方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of avoiding formation of a small surface of an Si film in manufacturing the device having source and drain regions at large height, converts an amorphous Si film into an epitaxial film and removing completely the formed polysilicon film.例文帳に追加

高所のソース／ドレイン領域をもつ半導体装置の製造において、Ｓｉの小面形成を避け得、かつ非晶質Ｓｉ膜を変換し形成されたポリＳｉ膜を完全に除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor and a method of manufacturing the same, whereby: an organic semiconductor layer can be formed simply and accurately without using a bank; and the level difference between the organic semiconductor layer and any one of its source and drain electrodes can be reduced.例文帳に追加

バンクを用いることなく、有機半導体層を簡単に高精度に形成でき、有機半導体層とソースおよびドレイン電極との段差を小さくすることのできる薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁