「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a structure in which a first transistor and a second transistor are formed on the same semiconductor substrate so as to share the drain region and the source region with each other, which can efficiently form embedded insulation films directly below the source region and the drain region of each transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタと第２のトランジスタが、ぞれぞれのドレイン領域とソース領域を共有して同一の半導体基板上に形成される構成の半導体装置の製造において、それぞれのトランジスタのソース領域およびドレイン領域の直下に埋め込み絶縁膜を効率的に形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

In the driving method for a transistor which has a drain, a source, and a gate, a 1st source voltage is applied to the drain, a 2nd source voltage is applied to the source and a 3rd source voltage which swings at a fixed period in order to lower a threshold voltage having risen owing to deterioration of the transistor below a threshold voltage at which the transistor malfunctions is applied to the gate.例文帳に追加

ドレーン、ソース及びゲートを有するトランジスターの駆動方法において、第１電源電圧をドレーンに印加し、第２電源電圧をソースに印加し、該当トランジスターの劣化により上昇したしきい値電圧をトランジスターが誤動作するしきい値電圧以下にするために一定周期にスイングする第３電源電圧をゲートに印加する。 - 特許庁

In this circulation method of condensed water in a fuel cell system, moisture included in an anode off-gas discharged from a fuel cell is condensed to be stored in an anode drain tank as condensed water and circulated in the system; and when the conductivity of the condensed water stored in the anode drain tank is high, the condensed water is discharged, without making it circulate.例文帳に追加

燃料電池から排出されたアノードオフガスに含まれている水分を凝縮させアノードドレンタンクに凝縮水として貯留し系内を循環させる燃料電池システムにおける凝縮水の循環方法であって、アノードドレンタンクに貯留された凝縮水の電導度が高い場合には、系内を循環させずに排出する。 - 特許庁

To provide a drain water detecting method for a freezing-refrigerating showcase improving measuring accuracy by measuring a distance based only on data in a range where a distance can be accurately measured (a reflex time until reflected and returned) when detecting a full level state of drain water by an ultrasonic sensor, while, as to data in a range where the distance cannot be accurately measured, clarifying the cause.例文帳に追加

超音波センサでドレン水の満水を検知する場合に、正確に距離測定できる範囲のデータ（反射して戻るまでの反射時間）のみをもとにして距離測定することで測定精度を向上でき、一方で、正確な距離測定のできない範囲のデータについてはその原因を判明できる冷凍冷蔵ショーケースのドレン水検知方法を得る。 - 特許庁

In a method and apparatus for improving the water quality of a water source, the water recovered in a well 6 through the drain material 4 arranged to the bottom part of a water source is sprinkled over the water surface of the water source and the water in the well 6 is reversely fed to the bottom part of the water source by a pump 8 through the strip like drain 4 to be ejected.例文帳に追加

本発明の水源の水質改善方法及び装置においては、水源底部に配設したドレーン材を介して、井戸内に回収した水をポンプで上記水源の水面上に散布すると共に、上記井戸内の水を上記ポンプによって上記帯状ドレーンを介して水源底部に逆送し、噴出せしめる。 - 特許庁

To provide a method for forming a silica film which prevents excessive diffusion of source and drain layers and has a high crack limit, in place of a chemical vapor deposition method which has been so far used when it is desired to provide a flattened film or an insulating film on a wiring layer having a high heat resistance.例文帳に追加

これまで高耐熱性配線層上に、平坦化膜又は絶縁膜を設ける際に用いられていた化学蒸着法に代わる、ソース層及びドレイン層の過度の拡散を生じない、かつクラック限界の高いシリカ被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

This method makes use of the fact that when using a doping method which does not depend on a geometric shape such as a vapor doping or a plasma doping, a uniform doping of the whole sidewall is obtained by exposing the source and the drain sidewall during manufacturing.例文帳に追加

この方法は、気相ドーピングもしくはプラズマ・ドーピングのような特に幾何学的形状に依存しないドーピング方法を使用するとき、製造中にソースおよびドレイン側壁を露出することで側壁全体の均一なドーピングが可能となることを利用する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device which has the lower input resistance of a gate in comparison with a silicon carbide semiconductor device in which a gate layer is formed with an ion implantation method, and also has a JFET having higher voltage resistance between the gate and a drain, and to provide a manufacturing method of the same silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

イオン注入法によりゲート層が形成された炭化珪素半導体装置と比較して、ゲートの入力抵抗が低く、かつ、ゲート、ドレイン間の耐圧が高いＪＦＥＴを備える炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for predicting the standard deviation of pressure in a drain pipe, a standard deviation predicting device used for carrying out the method, and a recording medium recording a computer program for allowing a computer to function as the standard deviation predicting device.例文帳に追加

排水管内圧力の標準偏差を予測する標準偏差予測方法、その実施に使用する標準偏差予測装置、及びコンピュータを標準偏差予測装置として機能させるためのコンピュータプログラムが記録されている記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturable when a method for patterning a semiconductor layer by a difference in level of a barrier plate pattern is applied to manufacturing of a bottom-gate/top-contact type organic TFT where a source electrode and a drain electrode are formed by using a printing method.例文帳に追加

隔壁パターンの段差によって半導体層をパターニングする方法を、印刷法を用いてソース電極およびドレイン電極を形成するボトムゲート・トップコンタクト型の有機ＴＦＴの作製に適用して作製可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method which can form a semiconductor device by epitaxial growth without segregating an impurity; and to provide a semiconductor device manufacturing method which can shallowly keep the depth of diffusion of the impurity on surface of the semiconductor substrate by elevating source/drain in an application of the film forming method.例文帳に追加

不純物の偏析なく半導体層をエピタキシャル成長によって形成することが可能な成膜方法および、この成膜方法を適用して積み上げソース・ドレインすることにより半導体基板の表面側における不純物の拡散深さを浅く保つことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treating method and a treatment apparatus of perfruoride decomposition gas with little drain, for efficiently removing high concentration HF gas by using a Ca salt, recovering CaF_2 of a high purity.例文帳に追加

高濃度ＨＦガスを処理するのにＣａ塩を使用し、効率よく除去するとともに、高純度のＣａＦ_2 を回収し、排水量の少ない過弗化物分解排ガスの処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a data writing method capable of executing data writing where a sufficient large threshold voltage difference between the charge storage time and the charge nonstorage time of a floating gate even when a resistance between a source and a drain is 20 kΩ or more.例文帳に追加

ソース・ドレイン間抵抗が２０ｋΩ以上の場合でも、フローティングゲートの電荷蓄積時／非蓄積時の閾値電圧差が十分に大きいデータ書き込みを行うことができる、データ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To drain rainwater from a new bottom frame arranged close to and on a rail protruding from an existing bottom frame in a sash to be remodeled securely as much as possible by simple work at site by a cover construction method.例文帳に追加

カバー工法による改装サッシにおける既設下枠の突出レール上に近接配置した新設下枠からの雨水排出を可及的に簡易な現場作業によって確実になし得るようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing deinked pulp from printed waste paper as a raw material, by which the finization of adhesive foreign matter can be prevented to lower the COD of drain water, and the deinked pulp small in residual ink content can be produced.例文帳に追加

印刷古紙を原料とする脱墨パルプの製造において、粘着異物の微細化を防ぎ、排水のＣＯＤを低下させ、かつ残留インキ量の少ない脱墨パルプを製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide a cleaning agent composition capable of cleaning slimy mattes attached on a drain outlet of a bathroom or dirt caused by pollutants such as scales or hairs, with high efficiency in a safe manner, and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加

浴室の排水口などのぬめり、湯垢および毛髪などの汚染物質による汚れを高効率で、容易かつ安全に洗浄することができる洗浄剤組成物および洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device, which is applicable to a hollow cylindrical semiconductor pillar, and provides a source drain diffusion layer having high position control in high concentration at low manufacturing costs, and also to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

中空円筒型の半導体ピラーに適用でき、高濃度で位置制御性の高いソースドレイン拡散層を低製造コストで実現する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which makes it possible to form a good silicide/silicon interface, to form a low resistance source, drain region, and a contact, and to form an abrupt impurity distribution.例文帳に追加

良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not need a oxynitride film as an etching stopper in the upper part of a source/drain contact, and can ensure short margin with a gate electrode in the case of etching of an interlayer insulating film.例文帳に追加

ソース・ドレインコンタクトの上部にエッチングストッパとしての窒化膜を必要とせず、かつ層間絶縁膜のエッチング時にゲート電極とのショートマージンを確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a drain recovery system in a closed method, which enables injection of a medical agent, in particular permitting injection of a medical agent, while preventing the possibility of a corrosion of an economizer when the economizer is installed.例文帳に追加

薬剤の注入が可能なクローズド方式のドレン回収システム、特に、エコノマイザを設置したような場合に、その腐食の虞のない薬剤の注入が可能なクローズド方式のドレン回収システムを提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of manufacturing the liquid crystal display device, including a gate wiring having the laminated structure of the same material and source-drain wirings at lower cost, and to provide a manufacturing method for the liquid crystal display device.例文帳に追加

同一の材料の積層構造を有するゲート配線及びソース・ドレイン配線を備えた液晶表示装置をより低コストで製造可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents impurity ions of a source-drain region from being diffused abnormally and partially toward a channel region by suppressing diffusion of impurities in a gate electrode through a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極中の不純物がゲート絶縁膜を突き抜けてチャネル領域に拡散するのを抑制し、ソース・ドレイン領域の不純物イオンが部分的にチャネル領域方向に異常拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an NAND flash element, which reduces a plug forming process by overall etching and secures a process margin by reduction in thickness of an etching layer at the time of drain contact formation.例文帳に追加

全面エッチングによるプラグ形成工程を減らすことができ、ドレインコンタクト形成時にエッチング層の厚さ減少による工程マージンを確保することが可能なＮＡＮＤフラッシュ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent a punch through due to contact implantation and/or source drain implantation, and includes a vertical transistor having superior transistor characteristics, and to a provided method of forming the semiconductor device.例文帳に追加

コンタクト注入および／またはソースドレイン注入を行うことに起因するパンチスルーを防止でき、優れたトランジスタ特性を有する縦型トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an organic thin-film transistor is used to form at least one selected from a source electrode and a drain electrode by thermal fusion of a layer made substantially of metallic fine particle group of 50nm in average particle size.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極から選ばれる少なくとも１つを、平均粒径５０ｎｍ以下の金属微粒子群から実質的になる層を熱融着して形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide an excellent toilet installing method which permits an easy installation without requiring alignment in the field for positional difference between drain holes when replacing an old toilet with a new one, thereby making the work easier and giving an excellent finish when the work is completed.例文帳に追加

新旧便器を交換する際でも両者の排水口の位置違いに伴う現場合わせなどをする必要がなく施工が容易で、しかも施工後の仕上がりにも優れたトイレの施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT array, which is capable of stably setting a contact resistance value between a pixel electrode and a drain electrode through a contact hole to ≤10E4Ω, and a liquid crystal display device.例文帳に追加

層間絶縁膜のコンタクトホールを介した画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に１０Ｅ４Ω以下にすることができるＴＦＴアレイの製造方法および液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method, mask pillars 40 are formed by exposing and developing resist films at positions corresponding to contact hole forming areas on a source region 16 and a drain region 18 of a polycrystalline silicon film 14 and a gate electrode 34.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１４のソース領域１６、ドレイン領域１８およびゲート電極３４の上の、コンタクトホール形成領域に対応した位置のレジスト膜を露光、現像してマスクピラー４０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for large current that is free of a kink phenomenon even when a drain voltage is increased while having low ON resistance, high mobility, and improved pinch-off characteristics, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

オン抵抗を低く、移動度を高く、かつピンチオフ特性を良好にした上で、ドレイン電圧を増大させてもキンク現象が生じない、大電流用の、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rectangular shield machine equipped with a cutting device capable of efficiently cutting an obstacle even when the obstacle such as a drain material exists in a location scheduled to be excavated; and to provide an excavation method using the rectangular shield machine.例文帳に追加

掘削予定箇所にドレーン材等の障害物が存在してもその障害物を効率良く切断できる切断装置を備えた矩形シールド機及びその矩形シールド機を用いた掘進工法を提供する。 - 特許庁

A method is for manufacturing a bottom gate type thin-film transistor 1, in which a gate electrode 11, a gate insulating layer 12, a semiconductor active layer 13, a source electrode 14, and a drain electrode 15 are successively formed on an insulating substrate 10.例文帳に追加

絶縁基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。 - 特許庁

The method further includes a process of doping a channel region 124 disposed under the bottom surface of each of the concave portions 118, a process of depositing an electrode material 126 on each of the concave portions 118, and a process of forming source/drain regions.例文帳に追加

さらに、凹部１１８底面下に配されたチャンネル領域１２４をドープする工程と、凹部１１８にゲート電極材料１２６を堆積する工程とソース／ドレイン領域を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a source-drain region in which a semiconductor layer that generates sufficient distortion in a channel region is buried, without reducing short channel characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

短チャネル特性を低下させることなく、チャネル領域に十分な歪みを生じさせることのできる半導体層が埋め込まれたソース・ドレイン領域を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device, increasing the voltage endurance between source and drain regions in an ON state without increasing the ON resistance of a lateral double-diffusion MOS transistor.例文帳に追加

横型二重拡散ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を上昇させることなく、オン状態でのソース-ドレイン領域間の耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, the method involves providing a drain outlet or trap at a site where the illuminance is set three times or higher than in the fish non-swimming range.例文帳に追加

さらに魚類の飼育環境が水槽等である場合、魚類の非遊泳範囲内に設けられた照度が３倍以上にされた場所に排水口又はトラップを設ける魚類の寄生虫感染の低減方法である。 - 特許庁

To provide a disposer operating method, which prevents the stagnation of shredded garbage in the drain pipe line of a disposer with an inexpensive equipment even in the case where washing water supply is stopped immediately after shutdown of the disposer.例文帳に追加

安価な設備で、ディスポーザーの運転停止直後に洗浄水の給水を停止しても、ディスポーザー排水管路における粉砕された生ゴミが滞留することがないディスポーザーの運転方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple and economical treatment method for mud and muddy water generated in underground excavation and propulsion construction or underground continuous wall construction, in particular, allowing discharge of treated water to drain ditches or rivers with no problem.例文帳に追加

地中掘削推進工事や地中連続壁構築工事で発生する泥土泥水処理方法に関し、特に処理水を問題なく排水溝や河川等へ放流でき、簡便経済的な方法を提供する。 - 特許庁

To provide an execution method of a pile attached with a drain layer requiring no special attachment at execution work, capable of using general purpose machine as an execution machine, and capable of reducing an execution cost.例文帳に追加

施工にあたり特殊アタッチメントを必要とすることなく、施工機械として汎用のものを使用することができ、施工コストの低減を図ることができるドレーン層を付設する杭の施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device which stably operates by adding a manufacture process for simply reforming a shape of a source electrode and that of a drain electrode in the semiconductor device and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

半導体素子及びその製造方法に関し、ソース電極及びドレイン電極の形状に簡単な改変を加える製造工程を付加することで、安定に動作し、信頼性が高い半導体素子を得ようとする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for suppressing a decrease in the film of a semiconductor layer in the manufacture of a MOS transistor and forming the semiconductor device having low-resistance source and drain regions.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ製造における半導体層の膜減りを抑制し、低抵抗なソース領域およびドレイン領域を有する半導体装置を形成するための半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure and an operation method which allow controlling a formation position of a conduction path besides limiting the conduction path by the reduction of a partial distance between a first electrode (source electrode) and a second electrode (drain electrode).例文帳に追加

第一電極（ソース電極）・第二電極（ドレイン電極）間の部分的な距離の短縮によって伝導パスを限定化する以外に、伝導パスの形成箇所を制御し得る構造及び動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of operating an immersion type membrane separator capable of keeping the stable operation of the immersion type membrane separator as a whole while substantially keeping the quantity of treated water, drain quantity and recovery of the immersion type membrane separator at a constant value.例文帳に追加

浸漬型膜分離装置の処理水量、排水量、回収率を実質的に一定に保ちながら、装置全体の安定運転を維持することが可能な浸漬型の膜分離装置の運転方法を提供する。 - 特許庁