「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of stabilizing a slope by a drainage body using a filler which can easily perform the construction with a less amount of material and can smoothly drain water from the slope of a natural ground.例文帳に追加

少ない資材でもって容易に施工することができ、地山の斜面からの排水を円滑にすることができる注入材を用いた排水体による斜面安定化工法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor element capable of securing excellent electrical junction between a source region and a drain region, and a channel layer, and preventing drop of on-current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first harm-removing facility means 16 treats floating substances by a physicochemical treatment method and part of treated water obtained herein is supplied to the drain tank 12, while the other is discharged into the sewer.例文帳に追加

第１除害施設手段１６は、浮遊物質を物理化学的処理法で処理するもので、ここで処理した処理水の一部は排水槽１２に供給され、その他は下水道に放流される。 - 特許庁

To provide constitution of a field effect transistor that makes electric contact between a semiconductor layer and a source-drain electrode excellent by enhancing effective mobility, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

実効的な移動度を高め、半導体層とソース・ドレイン電極との間の電気的な接触を良好にすることができる電界効果型トランジスタの構成とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface of at least a part of the source region 12 and the drain region 13 is formed lower than the other regions by removing a thick oxide film which is formed in the vicinity of the gate electrode 10 by using a LOCOS method.例文帳に追加

ソース領域１２とドレイン領域１３の少なくとも一部の表面は、ゲート電極１０近傍にLOCOS法を用いて形成した厚膜酸化膜の除去することで他よりも低く形成する。 - 特許庁

To provide a minute power semiconductor device, such as a low breakdown voltage power MOSFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor) or the like which enables low on-resistance while maintaining a breakdown voltage between drain and source as it is, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン−ソース間耐圧を維持したまま低オン抵抗化が可能となる低耐圧パワーＭＯＳＦＥＴのような微細なパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which can solve the problem of lowering of reliability of the device to be caused in a process of forming drain contacts, while simplifying the process.例文帳に追加

工程を単純化させるとともに、ドレインコンタクトを形成するための工程過程で発生する素子の信頼性の低下問題を解消することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, for manufacturing an LDD region, a pocket layer and a high concentration source/ drain(S/D) region with minimum number of manufacturing processes.例文帳に追加

ＬＤＤ領域、ポケット層及び高濃度ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）領域を、最小限の製造工程数で製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a shield machine equipped with a cutting device excellent in durability and capable of cutting an obstacle such as a drain material existing in a location scheduled to be excavated; and to provide an excavation method using the shield machine.例文帳に追加

掘削予定箇所に存在するドレーン材等の障害物を切断可能で、耐久性に優れた切断装置を備えたシールド機及びそのシールド機を用いた掘進工法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device without lowering a reliability caused by the uneven application of hole injection stress to a tunnel oxide film by a drain high voltage on a specific memory cell, and its driving method.例文帳に追加

ドレイン高電圧によるトンネル酸化膜へのホール注入ストレスが特定のメモリセルに偏って信頼性を低下させることのない不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display of a translucent type, which minimizes the degradation in production efficiency and has no concern for impairing the contact characteristics between pixel electrodes and drain electrodes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

生産効率の低下を最小限に押さえるとともに、画素電極とドレイン電極とのコンタクト性を損なう懸念のない半透過型の液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device with surface morphology of a source electrode and a drain electrode, and ductility improved to improve the withstand voltage, and with an increase in on resistance suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ソース電極およびドレイン電極の表面モフォロジーおよび延性を向上させて耐圧を向上させ、オン抵抗の増加を抑制した化合物半導体装置、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaporation inhibitor composition effectively preventing evaporation of sealed water of a water sealing part of a water sealing drain trap and a method for effectively preventing the same using the composition.例文帳に追加

水封型排水トラップの封水部の封水の蒸発を効果的に防止できる蒸発防止剤組成物、及びそれを用いて封水部の封水の蒸発を効果的に防止できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using a tungsten film for its gate, source, or drain electrode, which can reduce an nMOS-pMOS resistance difference.例文帳に追加

ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極にタングステン膜を用いた半導体装置において、ｎＭＯＳとｐＭＯＳ間での抵抗差を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor having excellent ohmic contact between a source electrode and a drain electrode, and an oxide semiconductor layer as a bottom gate type thin film transistor using an oxide semiconductor.例文帳に追加

酸化物半導体を用いたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極と酸化物半導体層のオーミックコンタクトが良好な薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active driving type organic EL display device in which the lower electrode of an organic EL element and the drain region of a TFT can be easily and electrically connected, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴのドレイン領域との間を容易に電気接続することができるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The bulky structures of the source and the drain in the MIS type field-effect transistor can be formed in which gate electrode are composed of metals by a film formation method at a low temperature of 500 to 600°C.例文帳に追加

５００℃〜６００℃の低温での膜形成方法によりゲート電極がメタルで構成されたＭＩＳ型電界効果トランジスタでの、ソース部及びドレイン部のかさ上げ構造を形成することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which resistance of a source region and a drain region of a thin film transistor is reduced and a short channel effect is suppressed and an S value is reduced, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域の低抵抗化、および短チャネル効果を抑制しＳ値を低減した半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this MOS semiconductor device, an insulator composed of an oxide film, nitride film, etc., formed by the CVD method is embedded in the overlapping section of a gate electrode and a source diffusion layer or a drain diffusion layer, so that no void is formed.例文帳に追加

ゲート電極とソース拡散もしくはドレイン拡散のオーバーラップ部分に空隙が生じない様にＣＶＤ法による酸化膜もしくは窒化膜等の絶縁物を埋め込んだことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a display device which has a thin film transistor having an LDD (Lightly Doped Drain) layer as a density impurity layer and is reduced in manufacture man-hours.例文帳に追加

濃度不純物層であるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）層を有する薄膜トランジスタを備え、製造工数の低減を図った表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which suppress contamination of a silicon layer of source/drain regions caused by the sidewall formation of the MOSFET and reduction of the thickness of the silicon layer even in an SOI layer.例文帳に追加

ＳＯＩ層においてもＭＯＳＦＥＴのサイドウォール形成に伴うＳ／Ｄ領域のＳｉ層の汚染、厚み減少を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can have a shallow source-drain region formed while preventing a conductor layer from reaching a deep part in a substrate, and is suitable for microfabrication; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電層が基板の内部深くにまで達することを回避して、浅いソース・ドレイン領域を形成することを可能とし、微細化に適した半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method having a plurality of kinds of drain currents in the case that a plurality of non-volatile memory transistors exist and charge is injected into a floating gate.例文帳に追加

複数の不揮発性メモリトランジスタを有し、電荷がフローティングゲートに注入されている場合におけるドレイン電流の種類が複数ある、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes a step of forming an element region 8, made of a source region 6 and a drain region 7 selectively diffusing arsenic (As) which is an n-type impurity at a high concentration on both sides of the gate electrode 5.例文帳に追加

また、ゲート電極５の両側には、Ｎ型不純物であるヒ素（Ａｓ）が高濃度に選択拡散されたソース領域６及びドレイン領域７からなる素子領域８が形成されている。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for recycling the drain water of a car washing machine capable developing good treatment capacity even at a low water temp. period in winter and enhancing a recycling ratio.例文帳に追加

冬期などの低水温期でも良好な処理性能が発揮され、リサイクル率の向上を図ることのできる洗車機排水のリサイクル装置及び洗車機排水のリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein conventional nonconformity can be eliminated, defects generated on the source drain region of a substrate can be restrained and performance is improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は上記のような不具合を解消でき、基板のソースやドレイン領域に生じる欠陥を抑制でき、性能の良好な半導体装置及び製造方法を提供することにある。 - 特許庁

With the forming method of the silicide layer, the nickel monosilicide layer containing iridium is formed on a source/drain diffusion layer or a gate electrode of a MISFET for example of a semiconductor apparatus.例文帳に追加

このシリサイド層の形成方法により、半導体素子の例えばＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン拡散層あるいはゲート電極上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成し上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device excellent in productivity capable of efficiently performing the activation of a dopant and the reduction of contact resistance in a source region and a drain region.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域における不純物の活性化及びコンタクト抵抗の低減を効率良く行うことができる、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then silicide films 107 are formed only on the source-drain region 106 and gate electrode 104 by the selective growth MOCVD method using an organic metallic material and an Si material, such as the disilane etc (Fig. b).例文帳に追加

有機金属原料とジシラン等のＳｉ原料を用いた選択成長ＭＯＣＶＤ法により、ソース・ドレイン領域１０６上とゲート電極１０４上のみにシリサイド膜１０７を形成する〔（ｂ）〕。 - 特許庁

A source/drain layer 24 made of a polycrystalline semiconductor thin film containing impurities is formed on a substrate 21 by a reactive thermal CVD method which utilizes reaction energy of a plurality of different gases.例文帳に追加

複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱ＣＶＤ法によって、不純物を含有する多結晶性の半導体薄膜からなるソース・ドレイン層２４を基板２１上に形成する。 - 特許庁

To provide an organic transistor and a method for manufacturing an organic transistor, which reduces the contact resistance of a source electrode or a drain electrode and an organic semiconductor layer, and prolongs the life of the organic semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極、又は、ドレイン電極と有機半導体層との接触抵抗を低減し、有機半導体層の寿命を延ばす有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor and its manufacturing method are provided including a nano wire aligned in the horizontal direction to a substrate from the side opposite to source/drain electrodes 41, 42 as a transistor channel layer 38.例文帳に追加

半導体チャネル層３８として、ソース／ドレイン電極４１、４２の対向する側面から基板に対して水平方向に整列されたナノワイヤーを含む薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the oxidation of a contact plug for coupling a ferroelectric capacitor directly with the source-drain region of a transistor surely at the time of oxygen annealing in a method for manufacturing a stacked ferroelectric memory.例文帳に追加

スタック型の強誘電体メモリの製造方法において、酸素アニール時に、強誘電体キャパシタとトランジスタのソースドレイン領域とを直結するコンタクトプラグが酸化することを、確実に防止する。 - 特許庁

After that, impurities are selectively injected in the polysilicon thin film 3 via the gate insulating film 4 by using an ion-doping method or the like, and a source/drain region 7 and an LDD region 8 are formed at the same time.例文帳に追加

その後、イオンドーピング法等によりゲート絶縁膜４を介して、ポリシリコン薄膜３に選択的に不純物を導入すると、ソース・ドレイン領域７とＬＤＤ領域８が同時に形成される。 - 特許庁

Since generation of the drain can be prevented by a simple method of only lowering a dew point of the combustion exhaust gas by mixing air in an exhaust passage 41, an increase in manufacturing cost can be restrained.例文帳に追加

しかも、ドレンの発生の防止は、排気通路４１に空気を混入して燃焼排気の露点を下げるという簡単な方法で行うことができるため、製造コストの上昇を抑制できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, reducing a reduction in drain current incidental to operating temperature rise in the semiconductor device having heterojunction of a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層のヘテロ接合を有する半導体装置において、動作温度の上昇に伴うドレイン電流の減少を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of TFT transistor which is suitable to an active matrix type organic electric field light emitting device, and has improved adhesive force between a protective film layer on the upper side of a source/drain electrode and a pixel electrode.例文帳に追加

アクティブマトリックス型有機電界発光素子に適す、ソース／ドレイン電極上部の保護膜層と画素電極との接着力が向上した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which, related to an MOS field effect transistor comprising a gate sidewall structure, a source/drain diffusion layer is formed very thin to suppress short- channel effect.例文帳に追加

ゲート側壁構造を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、ソース−ドレイン拡散層を極めて浅く形成しショートチャネル効果を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A barrier insulating material 36 is deposited through a CVD method and formed by etching, with which the lower electrode 26 is set separate from the source region 18 and the drain region 20 by a distance D of 50 to 300 nm.例文帳に追加

障壁絶縁材３６をＣＶＤ堆積した後エッチングにより成形し、下部電極２６とソース領域１８及びドレイン領域２０とが５０〜３００ｎｍの距離Ｄ離れるようにする。 - 特許庁

When the device is in a turn-on state, if a voltage is applied between the source and the drain, the concentration of an electric field in the edge of the n-type buffer layer 13 can be reduced than in the conventional method.例文帳に追加

したがって、素子がターンオフしている状態において、ソース・ドレイン間に電圧を印加した場合に、バッファ層１３のエッジ部での電界集中を従来に比べて一層防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device with a simple fabrication process, in which an ohmic contact is formed between a drain region of a vertical transistor and a buried bit line, and a method for fabricating the same.例文帳に追加

垂直型トランジスタのドレイン領域と埋め込みビットラインとの間に抵抗接点（ohmic contact）を形成しつつも、その製造工程が簡単な半導体メモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing deinked pulp from printed waste paper as a raw material, by which the microdivision of adhesive foreign matter can be prevented to lower the COD of drain water, and the deinked pulp small in residual ink content can be produced.例文帳に追加

印刷古紙を原料とする脱墨パルプの製造において、粘着異物の微細化を防ぎ、排水のＣＯＤを低下させ、かつ残留インキ量の少ない脱墨パルプを製造する。 - 特許庁

In a method for controlling threshold voltage of the organic semiconductor device having a gate electrode (12), a gate insulating film (14), a source electrode (16), a drain electrode (18), and an organic semiconductor film (20); an absorption object (24) which consists of silane compound is formed on the source electrode (16) and the drain electrode (18).例文帳に追加

本発明は、ゲート電極（１２）、ゲート絶縁膜（１４）、ソース電極（１６）、ドレイン電極（１８）、および有機半導体膜（２０）を備える有機半導体装置の閾値電圧を制御する方法であって、ソース電極（１６）およびドレイン電極（１８）上に、シラン化合物からなる吸着物（２４）を形成することを含む、閾値電圧の制御方法を提供するものである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic thin film transistor having a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate; the semiconductor layer is formed by applying a semiconductor solution obtained by mixing a self-organized monomolecular material and an organic semiconductor material to a space between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

基板の上にゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース電極とドレイン電極の間に、自己組織化単分子材料と有機半導体材料を混合した半導体溶液を塗布して半導体層を成膜することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The method for treating waste regenerating water to be discharged from the water softener arranged on the water supply route of the water feeder comprises a step of introducing the waste regenerating water to be discharged from the water softener into an existing drain of a building or a drainpipe communicated with the existing drain to treat the introduced waste generating water.例文帳に追加

給水器の配水ルート中に配置された軟水化装置における再生排水の処理方法であって、該処理方法は、前記軟水化装置から排出される再生排水を、建物既存の排水口、又は前記排水口に連通する排水管に導いて処理することを特徴とする軟水化装置における再生排水の処理方法。 - 特許庁