「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method of the semiconductor storage, there is prepared a semiconductor substrate having on its surface plugs 1 connected respectively with source or drain electrodes and having a plug-portion interlayer film 2 made of SiO2.例文帳に追加

半導体基板表面にソース電極もしくはドレイン電極に接続されたプラグ１及びSiO_2からなるプラグ部層間絶縁膜２を有する基板を準備する。 - 特許庁

To provide a highly reliable display device which can suppress the generation of high electric field near the drain of a transistor used as a switching element and a driving method thereof.例文帳に追加

スイッチング素子として用いるトランジスタのドレイン近傍に高電界が発生するのを抑えることができる、信頼性の高い表示装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pipe piercing tool and a pipe piercing method that can pierce a drain pipe by removing clogging through easy operation with extremely simple and inexpensive constitution.例文帳に追加

極めて簡素かつ安価な構成で、簡単な操作により詰まりを除去して排水管の管通しを行うことのできる通管用具および通管方法を提供すること。 - 特許庁

To easily dispose off the foreign matter arrested by a catcher and suitably pass drain water in a conventional construction method in which a bathtub loading surface is formed of a skeleton floor.例文帳に追加

浴槽載置面が躯体床で形成される在来工法において、キャッチャが捕捉した異物を容易に廃棄可能にし、かつ排水を好適に通過させる。 - 特許庁

To provide a dual-gate field effect transistor (DGFET) structure which can noticeably reduce the parasitic capacitance under its source/drain region, and its manufacturing method.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域下の寄生容量を顕著に低減できる二重ゲート型電界効果トランジスタ（ＤＧＦＥＴ）構造体およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which reduces damage to an element due to a plasma process in an LDD (Lightly Doped Drain) forming process as much as possible.例文帳に追加

ＬＤＤ形成工程に於けるプラズマプロセスが原因となり生じる素子の損傷を極力低減した半導体装置の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-breakdown-voltage semiconductor device which can suppress application of a large electric field to a gate insulating film even for a high drain electric field, and also to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

高ドレイン電界に対してもゲート絶縁膜に大きな電界がかかることを抑制できる高耐圧半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a NAND flash memory element which can reduce the aspect ratio of the drain contact hole while reducing the resistance of a common source line.例文帳に追加

共通ソースラインの抵抗を減少させながら、ドレインコンタクトホールのアスペクト比を減少させることが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises: forming a trench in an insulation layer; adding an impurity to an oxide semiconductor film contacting a top edge corner of the trench; and forming a source region and a drain region.例文帳に追加

絶縁層にトレンチを形成し、トレンチの上端コーナー部と接する酸化物半導体膜に不純物を添加し、ソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide a construction method of a V-shaped drain gutter and construction blocks to facilitate the separation and demolition in the case of demolition in a trench on the ground surface excavated in a V-shape.例文帳に追加

Ｖ字状に掘削した土面の溝に、解体時の分離解体が容易にできるＶ字状排水溝の施工方法及び施工用ブロックを提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, the gate of an MOSFET is so formed as to bury it in a semiconductor substrate Si sub, and the source and drain of the MOSFET are so formed as to position them respectively on both the side surfaces of the electrode of its gate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲートを、半導体基板Ｓi subに埋め込むように形成し、そのゲート電極の両側面に位置するようにソース及びドレインを形成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that makes electrical conduction between source and drain electrodes smooth, a manufacturing method of the transistor, and a flat panel display device having the thin film transistor.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な，薄膜トランジスタ，その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of forming the source electrode and the drain electrode using a mixed acid aqueous solution containing phosphate, acetic acid, and nitric acid as an etchant.例文帳に追加

本発明の製造方法は、エッチング液として、りん酸、酢酸および硝酸を含む混酸水溶液を用いて、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which can expand a band of usable frequency, while keeping the voltage resistance between the gate and the drain, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート−ドレイン間の耐圧を維持しつつ、使用可能な周波数帯域を広めることが可能な電界効果型トランジスタとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The repair method of the present invention is to weld and short the second drain electrode with the adjacent pixel electrode with a partial overlap in a laser irradiation stage.例文帳に追加

本発明の補修方法は、レーザー照射工程により、第二ドレイン電極を相隣する画素領域の画素電極と一部の重畳箇所で溶接短絡させる。 - 特許庁

This method treats the drain containing the heavy metals (e.g. chromium (VI), lead, copper, zinc and tin) as water for kneading cement and adds an agent for fixing heavy metals during kneading.例文帳に追加

セメントの練り混ぜ水として、重金属（例えば、６価クロム、鉛、銅、亜鉛、スズ等）を含む排水を用い、かつ、練り混ぜ時に重金属固定用薬剤を添加する。 - 特許庁

To provide a gas turbine system and a humidification control method for a gas turbine that can maintain high heat efficiency by reducing a drain generation rate in a humidification pipe.例文帳に追加

本発明の課題は、加湿管でのドレン発生量を少なくして熱効率を高く維持できるガスタービンシステム及びガスタービンの加湿制御方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor having glue layers in portions corresponding to source/drain electrodes and a gate electrode in a gate insulating film, and to provide a manufacturing method of the transistor.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のうち、ソース・ドレイン電極及びゲート電極に対応する部分にグルー層を備えた有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of manufacturing processes by restraining re-diffusion of impurities from a source/drain region, and simplifying a process.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の再拡散を抑制し、かつ、プロセスを簡略化して製造工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which has high productivity and can efficiently activate the impurities in source and drain regions.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域における不純物の活性化を効率良く行うことができる、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of raising an opening ratio by reducing the area of a drain electrode applying an electric signal to a pixel electrode and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、画素電極に電気的信号を印加するドレイン電極の面積を減らして開口率を高めた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a lift-off method without requiring an etching process for patterning a source electrode and a drain electrode of the pixel part, and source wiring extending in the terminal part is employed.例文帳に追加

さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 - 特許庁

To provide a sludge treatment method in which a flocculant is added to sludge so as to form flock and drain water with a mesh bag body.例文帳に追加

本発明は、汚泥に凝集剤を添加してフロックを形成させてメッシュ袋体により水切りを行う汚泥処理方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To enable a source region, a drain region, and other impurity diffusion regions to be reduced in resistance by applying a quick means in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な手段を適用することで、ソース領域、ドレイン領域、その他不純物拡散領域の抵抗値を低減させようとする。 - 特許庁

To provide an organic transistor and a manufacturing method thereof capable of sufficiently improving the mobility of electric charges, irrespective of the shapes of a source electrode and drain electrode.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極の形状に関係なく、電荷の移動度を十分に向上できる有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic FET capable of sufficiently reducing a contact resistance between a source electrode or a drain electrode and an organic semiconductor layer, and to provide a manufacturing method for the organic FET.例文帳に追加

ソース電極又はドレイン電極と有機半導体層との間の接触抵抗が充分に低減された有機ＦＥＴ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for passivation of field-effect transistor which solves any problem in a conventional technique of passivation for the field-effect transistor including at least one source electrode, drain electrode and gate electrode.例文帳に追加

少なくとも１つのソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有する電界効果トランジスタの不動態化において、従来技術の問題点を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nozzle blade provided with a drain hole and an introduction groove of low cost and good performance without requiring a ceramic core by lost-wax precision casting.例文帳に追加

ロストワックス精密鋳造により、セラミック中子を必要とせずに、安くて性能の良いドレン穴及び導入溝を備えるノズル翼の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing the scale derived from a quinone derivative which is capable of easily, rapidly and automatically removing the scale deposited on a clean drain pump.例文帳に追加

クリーンドレンポンプに付着したスケールを簡便かつ短時間に、また自動的に除去することのできるキノン誘導体に由来するスケールの除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor element preventing the semiconductor layer interface of a gate region from deteriorating even if performing annealing treatment to source and drain electrodes.例文帳に追加

ソース電極やドレイン電極のアニール処理を行っても、ゲート領域の半導体層界面が劣化しないＧａＮ系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a drain system for an aircraft and a method for suppressing freezing generated by the low outside temperature when the aircraft flies at altitude of the low outside temperature.例文帳に追加

飛行機が低い外部温度の高度で飛行しているときに低い外部温度により生じる凍結を阻止するための飛行機用ドレンシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor for surely forming source/drain electrodes made of a metal single layer film with good adhesiveness on a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上に密着性良好な金属単層膜から成るソース／ドレイン電極を確実に形成し得る電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Afterwards, the manufacturing method of the semiconductor device that forms source/drain areas on the active areas with the sidewall spacer as a mask and the semiconductor device thereby are provided.例文帳に追加

その後、側壁スペーサをマスクとして前記活性領域にソース／ドレイン領域を形成する半導体装置の製造方法及びこれによる半導体装置が提供される。 - 特許庁

Since an amount of drain water produced by this washing method is small, it is condensed by evaporating water content in a condensing device and is reused as electrolytic liquid.例文帳に追加

この洗浄方法によって生じた排水は少量であるので、濃縮装置３２で水分を蒸発させることにより濃縮して電解液として再利用する。 - 特許庁

To provide a refrigerating air-conditioning device and a refrigerating air-conditioning method capable of preventing wasteful operation of a drain pump and surely performing necessary removal of drainage in a cooling operation.例文帳に追加

冷房運転時に、ドレンポンプの無駄運転を回避するとともに、必要なドレン水除去を確実に行う冷凍空調装置および冷凍空調方法を提供する。 - 特許庁

To surely lower the underwater level by allowing a drain pipe to communicate with a waterway in a landslide slope in an underwater drainage method in the landslide slope.例文帳に追加

地すべり斜面内における地下水の排水工法において、地すべり斜面内における水みちと排水管を連通させ、確実に地下水位を低下させる。 - 特許庁

To provide a CMOS device by a method for manufacturing a pseudo- SOI device which eliminates floating body effect while leaving advantages of SOI reducing source/drain capacity.例文帳に追加

ソース／ドレーン容量を減少させるＳＯＩの有利な点は残し、フローティング・ボディ効果を解消する擬似ＳＯＩデバイスの製造方法によりＣＭＯＳデバイスを提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing an organic thin film transistor having, on a substrate 1, a source electrode 7s, a gate electrode 3, a drain electrode 7d, an insulating film 5, and an organic semiconductor layer is provided.例文帳に追加

基板１上にソース電極７ｓとゲート電極３とドレイン電極７ｄと絶縁膜５と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a source and a drain of an embedded DRAM device having interchangeability with a method for forming a logical unit by forming the embedded DRAM device and the logical unit on a single chip.例文帳に追加

単一チップ上に埋め込まれたＤＲＡＭ装置および論理装置を形成し、論理装置を形成する方法と互換性がある埋め込まれたＤＲＡＭ装置のソースおよびドレインを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a source and a drain of an organic thin-film transistor by which a manufacturing cost can be reduced by dripping a liquid onto a specified area on a substrate by ink-jet method and drying the area.例文帳に追加

基板上の所定領域に液体をインクジェット法で滴下して乾燥することにより、有機薄膜トランジスタのソースおよびドレインを形成する方法として、製造コストが低減できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film transistor having a gate insulator layer which is not damaged in electric insulation even by UV exposure and has source/drain electrodes that can be patterned by a printing method utilizing variation in surface wettability.例文帳に追加

UV露光でも電気的絶縁性が損なわれず、表面濡れ性の変化を利用して印刷法でソース・ドレイン電極のパターニングが可能なゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is for forming an array of floating gate memory cells, provided with the source and drain regions formed in a substrate and with a conductive material block positioned on the source regions, and the array is formed by using this method.例文帳に追加

基体に形成されたソース及びドレイン領域と、そのソース領域上に配置された導電性材料ブロックとを備えたフローティングゲートメモリセルのアレーを形成する方法及びそれにより形成されたアレー。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

After a film defining the channel length is formed by an ink jet method, a source electrode and a drain electrode are formed at both ends of the film by an ink jet method.例文帳に追加

インクジェット法によりチャネル長を規定する皮膜を形成した後、前記皮膜の両端にインクジェット法によりソース電極、およびドレイン電極の形成を行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method.例文帳に追加

その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。 - 特許庁