「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flash memory element effective in suppression of generation of an interference phenomenon in a partial selective transistor region of a substrate of a Source Select Line SSL and Drain Select Line DSL, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ソース選択ライン(Source Select Line; SSL)とドレイン選択ライン(Drain Select Line; DSL)の形成領域である半導体基板の一部の選択トランジスタ領域にて干渉現象の発生の抑制に有効なフラッシュメモリ素子とこの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor in which a gate electrode and a source drain electrode are formed with high alignment precision and the source-drain electrode is patterned with high precision without performing a lift-off step.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン電極を高いアライメント精度で形成することができるとともに、リフトオフ工程を行うことなくソース・ドレイン電極を高い精度でパターニングすることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a water heating device surely preventing the occurrence of clogging of a drain pipe resulted from the generation of slime or the like due to bacteria increase when arranging the drain pipe in bathtub piping in a double pipe method.例文帳に追加

ドレン水排水管を二重管方式により浴槽配管内に配設する場合に、菌増殖によるぬめり等の発生に起因するドレン水排水管の詰まり発生を確実に防止し得る温水装置を提供する。 - 特許庁

According to this method, even when water drops are dropped from the refrigerant pipeline 15 onto one of the drain pan sections 40, the dropped water drops are spread to the whole of the drain pan 17 through the flow channels 41 whereby efficient dew receiving can be effected.例文帳に追加

これにより冷媒配管１５からの水滴が露受部４０の１つにのみ滴下しても、この滴下した水滴が流動チャネル４１を介して露受皿１７全体に広がるようにして効率的な露受けを可能にする。 - 特許庁

SANITARY FACILITY EQUIPMENT MODEL FOR CONFIRMATION PRO AND CON OF THE INSTALLATION, SANITARY FACILITY EQUIPMENT MODEL FOR CONFIRMATION OF DRAIN HOLE POSITION, AND CONFIRMATION PRO AND CON OF THE INSTALLATION OF SANITARY FACILITY EQUIPMENT BY USING THESE SANITARY FACILITY EQUIPMENT MODEL AND DRAIN HOLE POSITION CONFIRMATION METHOD例文帳に追加

設置可否確認用衛生設備機器モデル、排水口位置確認用衛生設備機器モデル、および、これらの衛生設備機器モデルを用いた衛生設備機器の設置可否確認方法ならびに排水口位置確認方法 - 特許庁

To prevent a silicide layer formed on a source/drain area from being brought into contact with an LDD layer in a method for manufacturing a MOSFET having LDD structure and a source/drain area on which a metallic silicide layer is formed in a self-aligned state.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有し、ソース／ドレイン領域に自己整合的に金属シリサイド層が形成されているＭＯＳＦＥＴの製造方法において、ソース／ドレイン領域上のシリサイド層がＬＤＤ層と接触しないようにする。 - 特許庁

To provide a soil improving method of excellent workability and economic efficiency while securing a positive drain function by completely dispensing with a sand mat, or using the sand mat of thin layer thickness without necessarily requiring sand of good quality even in the case of needing the sand mat in a vertical drain method.例文帳に追加

鉛直ドレーン工法において、サンドマットが全く不要となるか、あるいは必要な場合でも層厚が薄くて済み、必ずしも良質の砂を必要とせず、施工性および経済性に優れ、かつ確実な排水機能が得られる地盤改良工法を提供する。 - 特許庁

A drain material is driven into soft ground; a part above the drain material is covered with an airtight sheet; and the inside of the airtight sheet is decompressed for the action of negative pressure, so that a simulation analysis method for a vacuum consolidation method can be applied to the case of performance of soil improvement in a state in which atmospheric pressure serves as a surcharge.例文帳に追加

大気圧工法のシミュレーション解析方法は、軟弱地盤中にドレーン材を打設し、前記ドレーン材の上方を気密性シートで覆い、前記気密性シート内を減圧して、負圧を作用させることにより、大気圧を載荷重として地盤改良を行う場合に適用される。 - 特許庁

To provide a method for purifying drain water and a method for making a closed loop for a water circulation type compressor making supply of cooling water (lubricating water) from an outside unnecessary by making a close loop purifying all drain water discharged from the water circulation type compressor and returning the same to a compressor side via a reservoir tank.例文帳に追加

水循環式コンプレッサから排出される全てのドレーンを純水化してリザーバタンクを介してコンプレッサ側に戻出し閉ループ化して外部からの冷却水（潤滑水）の供給を不要とした水循環式コンプレッサにおけるドレーンの純水化及び閉ループ化方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of the drain pipe, the manufacturing method of the drain pipe is characterized by being composed of a first process of forming a perforated part in the longitudinal direction of a steel plate and a second process of molding the plate in a cylindrical shape by bending in the direction for crossing with the longitudinal direction.例文帳に追加

また、前記水抜管の製造方法であって、鋼製の平板の長手方向に有孔部を形成する第１工程と、前記平板を長手方向と交差する方向に折曲して筒状に成形する第２工程とからなることを特徴とする水抜管の製造方法。 - 特許庁

The operation method for the steam sterilizer having the sterilizing tank 1 and the drain sterilizing means 8 and arranging the circulating passage between a steam supply line 3 to the sterilizing tank 1 and the drain sterilizing means 8, introduces steam and drain in the drain sterilizing means 8 into the sterlizing tank 1 together with supply steam to the sterilizing tank 1 at sterilizing processing time.例文帳に追加

また、滅菌槽１とドレン用滅菌手段８とを備え、前記滅菌槽１への給蒸ライン３と前記ドレン用滅菌手段８との間に循環路を設けてなる蒸気滅菌器の運転方法であって、滅菌工程時、前記滅菌槽１への給蒸とともに前記ドレン用滅菌手段８内の蒸気やドレンを前記滅菌槽１内へ導入する蒸気滅菌器の運転方法である。 - 特許庁

To obtain a method and an apparatus for controlling an air conditioner which reduce the abnormal stop due to a misjudgment by a drain level detecting sensor.例文帳に追加

ドレン水位検出センサの誤判定による異常停止の発生を低減できる空気調和機の制御方法および制御装置を得る。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor where yield is high and high drain current is possible, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明の目的は、歩留りが高く、高ドレイン電流化が可能な電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To facilitate general judgement of drain capacity of whole water channel by eliminating difficulty of reading separate tables or charts in a conventional method.例文帳に追加

従来、別々の表もしくはグラフからの読み取りの難解さをなくして水路全体での総合的な流下能力判断を容易とする。 - 特許庁

To provide a simple method for rapid, inexpensive, and accurate analysis of water containing low-concentration dioxins of drain reference level and environmental reference level.例文帳に追加

排水基準レベル、環境基準レベルの低濃度ダイオキシン類含有水を簡易な方法で迅速かつ低コストに、しかも正確に分析する。 - 特許庁

To provide a pneumatic tire that can ensure ice performance and improve snow performance and drain performance, and a mounting method therefor.例文帳に追加

氷上性能を確保するとともに、雪上性能及び排水性能も向上することができる空気入りタイヤ及びその装着方法を得る。 - 特許庁

In this method, a drain generated in a development process is treated with at least a membrane treatment unit, the resulting treated water is recovered and reutilized in the developing process.例文帳に追加

現像工程で生じる排水を少なくとも膜処理装置で処理して得られる処理水を回収して現像工程で再利用する。 - 特許庁

To provide conductive connection structure for electrical connection to a source/drain area in a semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the structure.例文帳に追加

半導体基板の中のソース／ドレイン領域へ電気的に接続するための導電性接続構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an economical and effective water treatment agent for removing a boron and fluorine contained in a drain, as well as a water treatment method.例文帳に追加

排水中に含まれるホウ素、フッ素の除去を行うための経済的かつ効果的な水処理剤及び水処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having an elevated source/drain structure in which an occurrence of a junction leak current is reduced.例文帳に追加

接合リーク電流の発生が軽減されたエレベーテッド・ソース／ドレイン構造を有する半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of simultaneously performing both a decrease in resistance of source and drain areas and a decrease in gate leak current.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の低抵抗化とゲートリーク電流の低減とを両立することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a source electrode and a drain electrode are formed by the above method, thereby, a FET having a high frequency characteristic can be formed.例文帳に追加

また、上記方法によりソース電極、ドレイン電極を形成することで、高周波特性に優れたＦＥＴを形成することができる。 - 特許庁

To provide an organic thin film switching element which is capable of restraining a leakage current between a drain electrode and a source electrode and its manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン及びソース電極との間のリーク電流の発生を抑制した有機薄膜スイッチング素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a repair method of the existing drain piping capable of improving a drainage performance of a drainage horizontal main pipe without excavating the underground of a building.例文帳に追加

建物の地下を掘らずに排水横主管の排水性能をアップすることができる既設排水配管の改修方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal display panel which effectively improves drain-common leak, and to improve the quality and yield of a liquid crystal display panel.例文帳に追加

ドレインコモンリークを有効に改善して液晶ディスプレイの品質と歩留りを向上できる液晶ディスプレイパネルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a MOS field-effect transistor for forming a silicon-containing layer on a source/drain region easily.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域上にシリコン含有層を容易に形成することができるＭＯＳ電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a MOS transistor which has a channel of a three-dimensional structure and can prevent the reduction of source/drain contact region, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

三次元構造のチャンネルを備え、ソース／ドレインコンタクト面積の減少を防止できるモストランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plan of a drain/garbage simultaneous treatment facility, a method and a system for executing the plan.例文帳に追加

建設しようとする施設に合った排水・ゴミ同時処理施設のプランニングとプラン実行が図れる仲介方法及びシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a drain treating deice and treating method which can make the device compact, the maintenance easy and the running cost low.例文帳に追加

装置をコンパクト化でき、メンテナンスを容易とし且つランニングコストを低下できる排水処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the entirety of the surfaces of the source and the drain and the gate electrode of a MOSFET are simultaneously silicified.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレインの表面とゲート電極の全部を同時にシリサイド化する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a duct and resonator made of resins and a manufacturing method therefor capable of easily forming a water drain hole by eliminating the need for a slide core and post-processing.例文帳に追加

スライドコアや後加工を不要として、水抜き孔を容易に形成できる樹脂製ダクトおよびレゾネータとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic transistor and a manufacturing method of the organic transistor capable of easily forming a source electrode and a drain electrode with high positional accuracy.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極を位置精度良く、かつ簡便に形成できる有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a source / drain layer 11 composed of the polycrystalline semiconductor thin film containing impurities is formed by the similar heat CVD method.例文帳に追加

次に、同様の熱ＣＶＤ法によって不純物を含有する多結晶性の半導体薄膜からなるソース・ドレイン層１１を成膜する。 - 特許庁

To obtain a TFT array substrate excellent in a contact characteristic on the interface between source/drain electrodes, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ソース・ドレイン電極の界面においてコンタクト特性のよいＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the lowering of a drain withstand voltage or the operability of a MOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのドレイン耐圧の低下や、ＭＯＳトランジスタの駆動能力の低下を防止可能な半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a lining apparatus and a lining method which enable a drain pipe to be lined to coated with sufficient coating thickness from the upstream part of the pipe.例文帳に追加

ライニングする排水管の上流部から十分な塗膜厚に塗装することができるライニング装置及びライニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for forming a high-performance power GaAS MESFET with an improved yield while highly maintaining a gate/drain breakdown voltage.例文帳に追加

ゲート・ドレイン耐圧を高く維持しつつ、高性能なパワーＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを歩留まり良く形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a feedback capacity between a gate and a drain of a trench power MOSFET in a simple method without enlarging a gate insulating film thickness.例文帳に追加

ゲート絶縁膜厚を厚くすることなく簡便な方法でトレンチ型パワーＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間の帰還容量を低減する。 - 特許庁

To provide a method for precisely acquiring a body-source or body-drain capacitance of an SOI device which does not have a body contact and to provide evaluation TEG for realizing the method.例文帳に追加

ボディコンタクトを備えていないＳＯＩデバイスのボディ—ソース間若しくはボディ—ドレイン間の容量を正確に求める方法およびこれを実現するための評価用ＴＥＧを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a fine transistor wherein not only a vicinity region of a source-drain diffusion layer but also entire source-drain region are formed with a high concentration, and obtaining an ohmic characteristic of a contact to a gate electrode of a first layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層はソース・ドレインコンタクト付近に限らず、全体に渡って高濃度で形成されつつ、第１層目ゲート電極へのコンタクトのオーミック特性を得た微細なトランジスタを持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.例文帳に追加

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁

This method for preventing putrefaction of sprout vegetable seed comprises adding Indigenous bacteria derived from sprout vegetable seed, e.g. watering drain watered to sprout vegetable during normal growth, culture solution of the watering drain or culture solution of bacteria separated therefrom to water in which sprout vegetable seed is immersed.例文帳に追加

芽もの野菜種子の漬け込み水に対し、正常に成育中の芽もの野菜に散水した散水排水、同散水排水の培養液及びそれらから分離した菌の培養液など、芽もの野菜種子由来の常在菌を添加する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for forming a source/drain diffusion layer on a semiconductor substrate, a process for performing the hydrogenation treatment of a substrate surface including the source/drain diffusion layer, and a process for performing the dehydrogenation treatment of the substrate surface that has been subjected to hydrogenation treatment.例文帳に追加

半導体基板上にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層を含む基板表面を水素化処理する工程と、前記水素化処理された基板表面を脱水素処理する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of performing implantation to an extension by using a trailing offset sidewall 6a as a mask to form an extension region 7, forming a sidewall 9 for source/drain implantation on the offset sidewall 6a, and forming a source/drain region 10.例文帳に追加

裾引き状のオフセットサイドウォール６ａをマスクにエクステンション注入を行い、エクステンション領域７を形成し、オフセットサイドウォール６ａ上にソース・ドレイン注入用のサイドウォール９を形成し、ソース・ドレイン領域１０を形成する。 - 特許庁

To provide an indoor unit drain pan for an air conditioner, an indoor unit for the air conditioner, and its manufacturing method capable of reducing the number of heat insulating members provided on the drain pan, and reducing work manhours for installing the heat insulating members.例文帳に追加

ドレンパンが備える断熱部材の数を減少させるとともに断熱部材を設置するための作業工数を減少させることが可能な空気調和機の室内機用ドレンパン、空気調和機の室内機およびその製造方法を提供する。 - 特許庁