「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for preventing the corrosion of the inside of a boiler can and suppressing the corrosion of drain piping caused by carbonic acid.例文帳に追加

ボイラ缶内の腐食を防止するとともに、ドレン配管の炭酸腐食を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fixing device that can easily fix a drain body in a deck plate backing-heat insulation roofing method.例文帳に追加

デッキプレート下地断熱屋根工法にあって、ドレイン本体を簡単に固定し得る固定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of source/drain regions matching with characteristics of each PMOS region and NMOS region.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域およびＮＭＯＳ領域それぞれの特性に合うソース／ドレイン領域の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for controlling amount of injected condensed- water processing agent which is effective for preventing corrosion of a drain piping.例文帳に追加

ドレン配管の防食に効果的な復水処理剤の注入量に制御できる方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR AUTO-MATCHING THIN-FILM TRANSISTOR FOR FORMING DRAIN AND SOURCE IN SINGLE PHOTOLITHOGRAPHY STEP例文帳に追加

単一のフォトリソグラフィ・ステップでドレインとソースを画定するための自動整合薄膜トランジスタを製造する方法 - 特許庁

RECESSED-GATE THIN FILM TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED LIGHTLY DOPED DRAIN, AND FORMING METHOD THEREOF例文帳に追加

自己整合型の低不純物濃度ドレインを備えたリセスゲート薄膜トランジスタ、および当該トランジスタの形成方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device where depth of a silicide layer in source/drain regions is limited, and to provide the manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のシリサイド層の深さを制限した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a carrying method for preventing any crease of a thin substrate occurring at a liquid drain-off roll section of an etching machine or the like.例文帳に追加

エッチング機等で液切りロール部にて発生する、薄手基板の折れ防止を目的とした搬送方法 - 特許庁

To provide a method for fabricating semiconductor device capable of restraining channeling which is tend to occur while forming a source-drain.例文帳に追加

ソース・ドレイン形成時に生じやすいチャネリングを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An N-type drift region 13 is formed on an N^+-type drain region 12 using an epitaxial growth method.例文帳に追加

Ｎ^＋型のドレイン領域１２上にＮ型のドリフト領域１３をエピタキシャル成長法により形成する。 - 特許庁

DRAIN SIDE DITCH HAVING CONSISTENT PRODUCT EXPOSED CROWN WIDTH AND FITTING LID REGARDLESS OF CHANNEL WIDTH AND CONSTRUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

水路巾に関係無く製品露出天端巾及び嵌設蓋を同一とした排水側溝とその構築方法 - 特許庁

To provide a tire testing device and method capable of quantitatively evaluating drain performance of a tire.例文帳に追加

タイヤの排水性能を定量的に評価できるタイヤ試験装置およびタイヤ試験方法を提供すること。 - 特許庁

This discloses a thin-film transistor, equipped with a sub gate and a Schottky source/drain, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明はサブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた薄膜トランジスタ並びにその製造方法を開示する。 - 特許庁

To provide a method and system for especially cleaning wastewater containing nitrate nitrogen in a culvert drain system.例文帳に追加

暗渠排水システムにおいて、特に排水中の硝酸性窒素を浄化する方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

A strained silicon layer 35 is formed only on the drain region of a distorted silicon layer 23 by epitaxial growth method.例文帳に追加

歪シリコン層２３のドレイン領域上だけにエピタキシャル成長法を使用して歪シリコン層３５を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING EXTREMELY SHALLOW SOURCE/DRAIN EXPANSION PART BY DOPING GATE AND SEMICONDUCTOR RESULTING THEREFROM例文帳に追加

ゲ—トにド—ピングを施し、非常に浅いソ—ス／ドレイン拡張部を作成する方法および結果として得られる半導体 - 特許庁

To provide a method which can efficiently remove slime from a drain pipe with the slime adhering thereto.例文帳に追加

ぬめりが付着している排水管から、ぬめりを効率よく除去することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of renovating a vertical drain pipe preventing the seal breakage or the like of a trap even if toilet bowl drain or the like flows in at a stroke by forming a resin layer with a uniform thickness on the inner surface of whole piping easily in a short time even if the vertical drain pipe is long.例文帳に追加

排水立て管が長い場合でも容易・短時間に全配管の内面に均一の厚さで樹脂層を形成でき、大便器排水等が一気に流入してもトラップ破封等を防止できる排水立て管の更正方法を提供する。 - 特許庁

The method is for regenerating the branched drain pipe equipped with branch pipes 11a, 11b, etc., connected to a vertical main drain pipe 10 and the plugged tees joint 17 exclusively for the drain pipe having the operational plug from the outside for cleaning the branch pipes 11a, 11b, etc.例文帳に追加

排水竪主管１０に接続された枝管１１ａ，１１ｂ・・・と、この枝管１１ａ，１１ｂ・・・を清掃するため外部から操作可能なプラグを有する排水管専用プラグ止めチーズ継手１７とを備えた排水枝管を更生する方法である。 - 特許庁

To provide the drain-pipe piping structure of a building, which satisfies the standard of 'The quality assurance promotion method of The building' and in which not only a drain pipe is inspected and cleaned but also partial repair and the exchange of the whole drain pipe are enabled without damaging a residence.例文帳に追加

住宅の品質確保促進法」の基準を満足し、住宅を傷めることなく、排水管の点検や清掃は勿論のこと、部分的な補修や排水管全体の交換が可能な建物の排水管配管構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a surface material of a washing place floor for bathroom being manufacturable by a simple method and having a hydrophilic drain channel and a projecting part having surface characteristic being different from that of the drain channel and to provide the washing place floor and a manufacturing method for the surface material.例文帳に追加

簡易的な方法で製造でき、親水性の排水溝と、排水溝とは異なる表面特性の凸部と、を有する浴室用洗い場床の表面材、浴室用洗い場床、及び、表面材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an MOSFET which has an LDD structure and also has a metal silicide layer formed in a source/drain region by self-matching, and in which method the silicide layer on the source/drain region is not in contact with an LDD layer.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有し、ソース／ドレイン領域に自己整合的に金属シリサイド層が形成されているＭＯＳＦＥＴの製造方法において、ソース／ドレイン領域上のシリサイド層がＬＤＤ層と接触しないようにする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the thin-film organic transistor 1, since a photosensitive resin layer 8 is formed by a photolithographic method, and the source electrode 3 and the drain electrode 4 are formed by a non-electrolytic plating method; the source electrode 3 and the drain electrode 4 are easily formed with high positional accuracy.例文帳に追加

薄膜有機トランジスタ１の製造方法では、フォトリソグラフィ法で感光性樹脂層８を形成し、無電解メッキ法でソース電極３及びドレイン電極４を形成するので、ソース電極３及びドレイン電極４を簡便かつ位置精度良く形成できる。 - 特許庁

The imaging apparatus comprises a CCD (charge-coupled device) 1 comprising an overflow drain electrode, a micro computer 5, a D/A converter 6, and an OFD (overflow drain) voltage control circuit 7 for controlling a voltage applied to the overflow drain electrode depending on whether reading from the CCD1 is an addition reading method or a non-addition reading method.例文帳に追加

オーバーフロードレイン電極を有するＣＣＤ（固定撮像素子）１と、ＣＣＤ１からの読み出し方式が加算読み出し方式かあるいは非加算読み出し方式かに応じて、オーバーフロードレイン電極に印加する電圧を制御するマイクロコンピュータ５、Ｄ／Ａ変換器６、ＯＦＤ（オーバーフロードレイン）電圧制御回路７と、を備える。 - 特許庁

In the method of processing a drain containing cyanide by adding a chlorine source to the drain containing metal cyanide complexes under alkaline condition to oxidize the cyanide complexes and coexisting cyanide ions in the drain, the chlorine source is added while the waste water is heated to ≥40°C and the add amount of the chlorine source is controlled based on the measured value of ORP of the drain.例文帳に追加

金属のシアン錯体を含む排水に、アルカリ性下で塩素源を添加して、排水中のシアン錯体及び共存するシアンイオンを酸化処理するシアン含有排水の処理方法において、排水を４０℃以上の温度に加温して塩素源を添加すると共に、塩素源の添加量を排水のＯＲＰの測定値に基いて制御する。 - 特許庁

According to the method for removing the turbidity causing particles from turbid water, the turbid water such as red mud water is collected to a ditch 2 at the drain water side and then sent to a well 5 from a catch basin 2a through a drain passage 4.例文帳に追加

本発明の濁水から濁子元因粒子を除去する方法は、赤水などの濁水を排水側溝２に集め、集水枡２ａから排水路４を介して井戸５へ流入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spring water drain pipe water cutoff construction method preventing a construction period from being prolonged and also preventing spring water from obstructing construction even if an existing spring water drain pipe is exposed when the construction is performed in a natural ground with much spring water.例文帳に追加

湧き水の多い地山で工事する際、既設の湧水排水管が露出しても工期が長期化せず、湧水が工事の妨げにならない湧水排水管の止水工法を提供する。 - 特許庁

To provide a drain material for pavement easily imparting a drain function in a longitudinal direction along a side edge structure of drainable pavement with simple constitution and by a simple construction method.例文帳に追加

簡易な構成及び施工方法によって、排水性舗装の側縁構造物に沿った縦断方向への排水機能を容易に付与することのできる舗装用排水ドレーン材を提供する。 - 特許庁

To provide an indoor unit for air-conditioning and a manufacturing method of a drain pan capable of surely preventing water leakage at a joining part of a hole of a base material and a window member of the drain pan.例文帳に追加

ドレンパンの基材の孔と窓部材との接合部分における漏水を確実に防止することのできる空調用室内ユニット、ドレンパンの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress increase of parasitic capacity, occurring between the contact plugs of a source and a drain and a gate electrode, while reducing the area of source and drain regions, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の面積を縮小しつつ、ソース・ドレインのコンタクトプラグと、ゲート電極との間に生じる寄生容量の増大を抑制し得る半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SGT capable of obtaining a structure for reducing resistances of a source and a drain, a structure for reducing a parasitic capacitance, a desired gate length, desired configurations of the source and drain, and a desired diameter of a columnar semiconductor.例文帳に追加

ソース、ドレインの低抵抗化及び寄生容量の低減化のための構造、所望のゲート長、ソース、ドレイン形状、柱状半導体の直径が得られるSGTの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which does not implant SiGe in a source/drain region of an nMOSFET, but implants SiGe reproducibly in only a source/drain region of a pMOSFET.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にはＳｉＧｅを埋め込まず、ｐＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にのみＳｉＧｅを再現性よく埋め込むことが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Whereby the heating of the drain pan 4b can be easily controlled with high accuracy in comparison with a conventional method for heating the flocculated water in the drain pan by the refrigerant of high temperature discharged from a compressor.例文帳に追加

これにより、圧縮機から吐出した高温の冷媒にてドレンパン内の凝縮水を加熱する従来の発明に比べて、ドレンパン４ｂの加熱制御を容易、かつ、精度良く制御することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor simulation apparatus and a semiconductor simulation method capable of calculating, with high accuracy, a gate-drain capacitance when source-drain voltage of a MOS transistor is not 0 V.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間電圧が０Ｖでない場合のゲート・ドレイン間容量を高精度に算出することができる半導体シミュレーション装置および半導体シミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abnormality detection device and an abnormality detection method for a drain trap enabling the detection of an abnormality before the drain trap causes a complete failure and early correspondence to it by a simple device configuration.例文帳に追加

簡易な装置構成により、ドレントラップが完全に故障する前に異常を検出し、早期に対応することができるドレントラップの異常検出装置及び異常検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating a condensate generated from a cooler without necessity of a large-scale work for mounting the drain tube of the condensate and further without necessity of maintenance control of a drain tube.例文帳に追加

結露水の排出管を取付けるための大がかりな工事を必要とせず、更に排水管の維持管理を必要としない冷房装置から発生する結露水の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an operation method for an air conditioner, hardly causing the propagation of bacteria in a drain pan of an air conditioner.例文帳に追加

空気調和機のドレンパンを、細菌が繁殖し難くすることができる空気調和機の運転方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field-effect transistor which does not need selective etching after siliciding a source-drain region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域のシリサイド化後に選択的エッチングを不要とする電界効果トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a contact plug of a semiconductor element in which a source/drain contact plug, such as a NAND flash memory is formed.例文帳に追加

ナンドフラッシュメモリ等のソース/ドレインコンタクトプラグを形成する半導体素子のコンタクトプラグ製造方法を提供する。 - 特許庁

The method may not bring about characteristic deterioration for a long term by bringing about a damage between a drain and a source in the latter.例文帳に追加

ドレイン−ソース間破壊を後者で発生させることにより長期的に特性劣化が生じないようにする。 - 特許庁

In this method, a doped cap layer of Ga_xIn_1-xAs 16 is disposed under a source electrode 12 and a drain electrode 14 so as to provide a cap layer opening 38.例文帳に追加

ソース電極12とドレイン電極14の下にGa_xIn_1-xAsのドープキャップ層16を配置し、キャップ層開口部38を提供する。 - 特許庁

To provide an LDD(lightly doped drain) MOS transistor for preventing the switching speed of a MOS transistor from decreasing, and a method for manufacturing the LDD MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの切換速度を減少させないＬＤＤＭＯＳトランジスタ及びその製造方法に関する。 - 特許庁

The work can be performed in a simple method without generating a large quantity of washing drain water, and the safety of workers or ambient environments can be also ensured.例文帳に追加

単純な方法で大量の洗浄排水もなく作業者や周辺環境の安全を確保できる。 - 特許庁

To provide a vertical channel memory which comprises a substrate, a channel, a multilayer structure, a gate, a source and a drain, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

基板、チャネル、多層構造、ゲート、ソーおよびドレインを含む縦型チャネルメモリーと、その製造方法を提供する。 - 特許庁