「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents capacity between a source/drain region and a substrate from decreasing and reduces a punch-through phenomenon.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域と基板との間の容量の低下を防止でき、パンチスルー現象を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, where the parasitic resistance of source and drain regions is reduced and the drop in the threshold is difficult to occur.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域の寄生抵抗を低減するとともに、しきい値低下の生じにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which comprises a full silicide gate of which short-circuit is prevented between a gate electrode and a source-drain diffusion layer.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン拡散層との間でのショートが防止されたフルシリサイドゲートを有する半導体装置およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of recovering a drain current more quickly that is excessively dropped during an off time, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

オフ時に過剰に落ち込んだドレイン電流をより早期に回復させることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces a capacitance related to a gate electrode and source/drain regions provided with stacked diffusion layers, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極と、積み上げ拡散層を有するソース、ドレイン領域とに纏わる容量を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a paper pattern capable of measuring a size without temporarily assembling an adjuster pipe to a drain socket and a method for carrying out a toilet stool using the paper pattern.例文帳に追加

アジャスタ管を排水ソケットに仮組みすることなく寸法出しすることができる型紙と、この型紙を用いた便器施工方法を提供する。 - 特許庁

An n-type impurity is doped into the source and drain region 3 by ion doping method through the interlayer dielectric 6 covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域３には、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６を介してイオンドーピング法によりｎ型不純物がドープされている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and its manufacturing method by which leak between diffusion layers forming source and drain areas associated with miniaturization can be prevented.例文帳に追加

微細化に伴うソース、ドレイン領域となる拡散層間のリークを防止することのできる半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element whose productivity can be ensured when a p-type source/drain is formed by using implantation of BF_2/B mixed ions.例文帳に追加

ＢＦ_２／Ｂ混合イオン注入を利用したｐ型ソース／ドレイン形成の際に、生産性を確保し得る半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which prevents a loss of a drain contact plug caused by an etching gas during a metal wiring overetching process.例文帳に追加

金属配線オーバーエッチング工程の際にエッチングガスによるドレインコンタクトプラグの損失を防止するための半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device which can be manufactured by a simple method and in which variation is eliminated in the source-drain breakdown voltage or the on resistance.例文帳に追加

簡便な方法で製造することが可能で、ソース−ドレイン間耐圧や、オン抵抗のバラツキのない高耐圧の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for simply and quantitatively evaluating the risk of infection through a medical equipment such as a catheter or a drain at a pre-clinical stage.例文帳に追加

カテーテル、ドレーン等の医療機器を介した感染の危険性を、前臨床段階で簡便かつ定量的に評価するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor which has high alignment accuracy between a gate electrode and source and drain electrodes and achieves a transparent device inexpensively.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン電極の合わせ精度がよく、安価に透明デバイスを実現できる電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating a drain containing heavy metals, which completes less costly and a simple and rapid treatment process for making the heavy metals harmless.例文帳に追加

低コストで簡易かつ迅速に重金属の無害化処理を完了することのできる重金属を含む排水の処理方法を提供する。 - 特許庁

To achieve both short channel effect suppression and mobility improvement by devising a film deposition method for a silicon-germanium film making up a source/drain.例文帳に追加

ソース・ドレインを構成するシリコンゲルマニウムの成膜方法を工夫することで、短チャネル効果の抑制と移動度の向上を両立させることを可能とする。 - 特許庁

In this method, positive load voltage is impressed to a gate having a high dielectric constant during maintaining a drain voltage at an equal value to the load voltage.例文帳に追加

本方法は、ドレイン電圧を前記負荷電圧に等しい値に維持する間中、高誘電率誘電体を有するゲートへ正の負荷電圧を印加する。 - 特許庁

A source region 22 and a drain region 23 are formed on the silicon film 200 by such a method that automatic positioning is performed for the gate electrode 21.例文帳に追加

ソース領域２２およびドレイン領域２３はゲート電極２１に自動位置合はせをするような方法でシリコン膜２００上に形成される。 - 特許庁

WATER TREATING METHOD FOR REMOVING IRON COMPONENT FROM WATER SUPPLY FOR STEAM GENERATOR, WATER SUPPLY FOR REACTOR, WATER SUPPLY FOR BOILER, OR HEATER DRAIN WATER IN ELECTRIC POWER PLANT例文帳に追加

発電プラントにおける蒸気発生器給水、原子炉給水、ボイラー給水又はヒータードレン水中の鉄成分を除去する水処理方法 - 特許庁

To provide a DTMOS semiconductor device for ensuring higher inverse voltage resistance between a drain and a source, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

より高いドレイン・ソース間逆方向耐圧を確保できるＤＴＭＯＳ型の半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in source/drain withstand voltage and AC stress resistance, which thus achieves desired current properties, as well as its manufacturing method.例文帳に追加

ソース・ドレイン耐圧およびＡＣストレス耐性の向上が図られ、所望の電流特性の得られる半導体装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ground structure and the improving method therefor capable of securely preventing deformation of a sandy ground layer and preventing liquefaction of the layer by improving a driving method while retaining advantages of the driving method of reinforcing members rather than the conventional drain method.例文帳に追加

従来のドレーン工法よりは補強材の打設工法による利点を踏襲しつつも、これを改良することによって、より確実に砂質土層の地盤変形を防止し、液状化現象を抑止することができる地盤構造および改良工法を提供する。 - 特許庁

To provide an inhibitor for sliminess and malodor in drain and sink surrounding suppressing sliminess and a malodor apt to be generated at a drain in a kitchen, a cookroom, etc., and a sink surrounding such as a strainer, a triangle corner strainer and a garbage box and a method for suppressing the sliminess and the malodor.例文帳に追加

キッチンや厨房などの排水口、ストレーナーや三角コーナー、生ごみ入れ等のシンク周りで発生しやすいヌメリや悪臭を抑制する排水口及びシンク周りのヌメリ・悪臭抑制剤、並びに、そのヌメリ・悪臭抑制方法を提供する。 - 特許庁

In the method for controlling the moisture content in the blasting into the blast furnace with which the blasting having the fixed moisture content into the blast furnace is performed; based on the exhausting quantity of drain from a drain pot arranged on the way of blowing piping, the blowing moisture content additional quantity into a blowing piping is corrected.例文帳に追加

高炉内への一定湿分を有する送風を行う高炉送風湿分制御方法において、送風配管途中に設けたドレンポットからのドレン排出量に基づいて、当該送風配管内への吹込み湿分添加量を補正する。 - 特許庁

COMPUTER PROGRAM, SYSTEM, AND METHOD FOR DETERMINING WHETHER DRAIN TIME IS EXTENDED SO AS TO COPY DATA BLOCK FROM FIRST STORAGE TO SECOND STORAGE (DETERMINATION ON WHETHER DRAIN TIME IS EXTENDED SO AS TO COPY DATA BLOCK FROM FIRST STORAGE TO SECOND STORAGE)例文帳に追加

第１のストレージから第２のストレージへとデータ・ブロックをコピーするためにドレイン時間を延長するか否かを決定するためのコンピュータ・プログラム、システム、および方法（第１のストレージから第２のストレージへとデータ・ブロックをコピーするためにドレイン時間を延長するか否かの決定） - 特許庁

Further, in the cement draining treatment method, the amount of citric acid necessary for adjusting the pH of the cement drain is calculated and the cement draining sheets 1 capable of supplying the necessary amount of citric acid are stacked and the cement drain is passed through these draining sheets 1 to be adjusted in its pH.例文帳に追加

また、本発明のセメント排水処理方法は、セメント排水をｐＨ調整するために必要なクエン酸量を求め、該クエン酸量を供給可能な枚数のセメント排水シート１を積層し、これにセメント排水を通水してｐＨ調整する。 - 特許庁

To provide a forming method of a semiconductor device that decreases the penetration of boron into a channel, and that forms a source/drain region with up to an embedded oxide layer completely doped, and simultaneously applies compressive stress to the channel in doping the source/drain region and a gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域とゲート電極へのドーピングにおける、チャネル中へのボロン浸透の低減と、埋め込み酸化物層まで完全にドープされたソース／ドレイン領域の形成と、併せてチャネルへの圧縮応力を印加する半導体装置の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device that hardly causes peeling of a drain electrode and a source electrode even when the drain electrode and source electrode using copper are exposed on a substrate when performing hydrogen termination processing of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This manufacturing method provides for a transistor 1 provided with a source electrode 20a, a drain electrode 20b, a gate electrode 50, an organic semiconductor layer 30 and a gate insulating film 40 for insulating the source electrode 20a and the drain electrode 20b from the gate electrode 50.例文帳に追加

ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ゲート電極５０と、有機半導体層３０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁膜４０とを備えるトランジスタ１の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for treating power plant heater drain wherein the fine iron oxide particles can stably be removed from the heater drain in the plant to effectively prevent the fine iron oxide particles from being carried to the steam generator and the boiler in the plant.例文帳に追加

発電所におけるヒータードレン水に含まれる鉄酸化物微粒子を安定的に除去し、発電所の蒸気発生器又はボイラーへの鉄酸化物微粒子の持ち込みを効果的に防止することができる発電所ヒータードレン水の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a malodor in a part unable to connect a drain pipe to an existing trap, so that the malodor flowing backward from the drain pipe of a part and an apparatus or an air conditioner unable to install a trap for preventing the malodor can be prevented.例文帳に追加

悪臭を防ぐ為のトラップを取り付け不可能な部位や器具、若しくは空調機の排水配管から逆流する悪臭を防止する為に、排水管を既存のトラップに接続不可能な部位等に関する悪臭防止の方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a semiconductor-material film which is formed on a substrate is worked into the channel part, the source part and the drain part of a TFT by imparting electrical conductivity to prescribed regions of the film and also is worked into an electrically conductive element including a pixel electrode which is connected to the drain part.例文帳に追加

基板上に形成された半導体材料膜を、その所定の領域に導電性を付与することによって、ＴＦＴのチャネル部、ソース部およびドレイン部に加工するとともに、ドレイン部に接続された画素電極を含む導電要素に加工する。 - 特許庁

To provide an equipment and a method of treating oily drain, which can correspond to kitchen drain containing various oils and fats properly and by which the decomposition efficiency of oils and fats can be maintained at a high value and the seed-bacteria purchase cost of oil-fat decomposition bacteria and a storage space can be reduced.例文帳に追加

多種多用な油脂を含有する厨房排水に好適に対応可能で、油脂分解効率が高く維持でき、油脂分解菌の種菌購入費用や保管スペースを低減することができる含油排水の処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a MOS transistor capable of achieving both source/drain position control and Schottky barrier height control from a protective film edge attached to a sidewall of a gate electrode/gate insulating film to a gate edge in an ultrathin SOIMOS transistor having a metal source/drain.例文帳に追加

メタルソース／ドレインを有する極薄SOIMOSトランジスタにおいて、ゲート電極／ゲート絶縁膜の側壁につけた保護膜エッジからゲートエッジまでソース／ドレインの位置の制御とショットキーバリアハイトの制御の両者が実現できるＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a grounding structure and a grounding method for a shield wire the drain line and the grounding line of which do not need to be welded at a connecting point to each other, a connection area of the drain line and the grounding line of which is slimmed down, and which has excellent shielding properties and favorable workability.例文帳に追加

シールド線のドレン線とアース線との接続を溶接を不要として、ドレン線とアース線との接続部分のスリム化を図ると共に、高いシールド性を備え、作業性もよいシールド線のアース処理構造およびアース処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of improving the reliability of the element by preventing source/drain selection transistors from being exposed when forming source/drain contacts and preventing a short circuit when subsequently forming plugs.例文帳に追加

ソース／ドレインコンタクトの形成に当たり、ソース／ドレイン選択トランジスタが露出することを防止して後続するプラグの形成時に短絡現象を防止することができ、素子の信頼性を向上させることが可能イなフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display device capable of reducing connection resistance between a source electrode made of Cr etc., and an external connection terminal for a drain line, and a pixel electrode made of metal oxide such as ITO and an external connection terminal for an upper-layer drain line, and its manufacturing method.例文帳に追加

液晶表示装置において、Ｃｒなどからなるソース電極およびドレインライン用外部接続端子とＩＴＯなどの金属酸化物からなる画素電極および上層ドレインライン用外部接続端子との間の接続抵抗値を低くする。 - 特許庁

This method for removing the scale derived from the quinone derivative consists in removing the scale in the clean drain pump deposited by the drain resulted from the condensation of the vapor generated from a black liquid by using middle pressure vapor of 5 to 15 kg/cm2 and 180 to 220°C.例文帳に追加

黒液から発生する蒸気を凝縮したドレンによって付着されたクリーンドレンポンプ中のスケールを、圧力５〜１５ｋｇ/ｃｍ^2、温度１８０〜２２０℃の中圧蒸気を用いて除去することを特徴とするキノン誘導体に由来するスケールの除去方法。 - 特許庁

To provide an easily constructible drainage floor structure which enables structural simplification and the abbreviation of a drain gutter member because lightweight cellular concrete floor panel constituting a drainage floor also serves as a drain gutter, and a construction method for the drainage floor structure.例文帳に追加

本発明は、排水床を構成する軽量気泡コンクリート床パネルが排水溝を兼ねるため構造が簡単で排水溝部材を省略出来、施工も容易な排水床構造及びその施工方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for measuring a drain flow rate of fluid using equipment even when a condition is nearly 0 differential pressure or no fluid is filled in a pipe and provide a flowmeter for the method.例文帳に追加

差圧がほとんど０の状態であっても、または、配管中が流体で満たされていなくても、流体利用機器のドレン流量を測定する方法およびそのための流量計を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, the method enhancing design flexibility for wiring, generating hardly a problem when forming a contact part connected to a gate electrode and a source/drain area, and being suitable for a refining process.例文帳に追加

配線の設計自由度が高く、ゲート電極及びソース／ドレイン領域に接続されるコンタクト部の形成に問題が生じ難く、微細化プロセスに適した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a semiconductor device wherein an enough offset length or LDD length can be surely ensured at a drain side of a TFT and a manufacturing method of a liquid crystal device.例文帳に追加

ＴＦＴのドレイン側に十分なオフセット長あるいはＬＤＤ長を確実に確保することができる半導体装置の製造方法、および液晶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING ASYMMETRIC P/N JUNCTION FOR FET DEVICE, AND METHOD OF FORMING FET DEVICE (ASYMMETRIC SOURCE/DRAIN JUNCTION FOR LOW-POWER SILICON-ON-INSULATOR DEVICE)例文帳に追加

半導体デバイス、ＦＥＴデバイスに非対称的なｐ／ｎ接合を形成する方法及びＦＥＴデバイスを形成する方法（低電力消費のシリコン・オン・インシュレータ・デバイスのための非対称的なソース／ドレイン接合） - 特許庁

To provide a construction method for preventing generation of a crack of a lining surface together with an effective drain structure in drainage of a reverse surface, as a waterproof work when constructing secondary lining concrete in an NATM construction method.例文帳に追加

ＮＡＴＭ工法における２次覆工コンクリート施工時の防水工として、裏面排水における効果的な排水構造と併せて覆工面の亀裂発生の防止工法を提供する。 - 特許庁

Tap water from an inflow path 33 is led into an introduction path 61 by opening change of an opening and closing selector valve 62, silver ions are mixed with the tap water in a silver ion mix tank 63 to form washing water, and the washing water is let flow in the drain pipe 17, which is inserted in a return pipe 30a in the double pipe method, through a drain connection pipe 16 by a drain pump 14.例文帳に追加

開閉切換弁６２の開切換により、入水路３３からの水道水を導入路６１に導入し、この水道水に銀イオン混入槽６３で銀イオンを混入させて洗浄水にし、この洗浄水を、排水ポンプ１４により排水接続管１６を通して戻り管３０ａ内に二重管方式で内挿されたドレン水排水管１７に流す。 - 特許庁