「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method of reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

To provide a method of forming an asymmetrical channel region and a drain extension region in the manufacture of a transistor selected from a group composed of NMOS transistors and PMOS transistors.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタからなる群より選択されるトランジスタの製造において、非対称チャネル領域およびドレイン延長部領域を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a drain pipe for a tunnel and a preceding drainage method capable of securing economical efficiency and rationality even in the natural ground merely requiring drainage and requiring no preceding work by a steel pipe.例文帳に追加

水抜きができればよく、鋼管による先受工を要しない地山においても、経済性、合理性を確保することができるトンネル用の水抜管及び先行水抜工法を提供する。 - 特許庁

To provide a driving method for a semiconductor memory device for storing data for a long time by using as a writing transistor, a transistor with smaller leakage current between a source and a drain in an off state.例文帳に追加

オフ状態のソース、ドレイン間のリーク電流の低いトランジスタを書き込みトランジスタに用いて、データを長期間にわたり保存する半導体メモリ装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is intended to restrict a short channel effect and mitigate an electric field in the vicinity of the drain region, and is intended to enhance the saturated current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

短チャネル効果の抑制及びドレイン領域近傍での電界緩和が図れ、且つ、飽和電流の向上が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor substrate having a thin film transistor whose deterioration in gate voltage-drain current characteristics (Vg-Id characteristics) in an off region is suppressed, and to provide a method of manufacturing the transistor substrate.例文帳に追加

オフ領域におけるゲート電圧−ドレイン電流特性（Ｖｇ−Ｉｄ特性）の劣化を抑制した薄膜トランジスタを備えたトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of stabilizing a slope which can easily perform the construction using a less amount of material, can easily drain water from the slope of a natural ground, and can dynamically reinforce the slope.例文帳に追加

少ない資材でもって容易に施工することができ、地山の斜面からの排水を容易にし、しかも斜面を力学的に補強することができる斜面安定化工法を提供する。 - 特許庁

To provide a siphon pull-in device and a siphon pull-in method, capable of smoothly guiding a rehabilitation pipe simply installed in a manhole from the manhole into an existing drain pipe.例文帳に追加

マンホール内に簡便に設置して更生管をマンホールから既設の排水管内に円滑に案内することができる管体引込み装置および管体引込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.例文帳に追加

Ａｌ配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the channel formation region can be thinned without adversely affecting a source region and a drain region through a simple process, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

簡単な工程でソース領域及びドレイン領域に悪影響を与えることなくチャネル形成領域の薄膜化が可能な半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, reducing a junction capacitance to be generated between a source or a drain and a substrate while restraining manufacturing cost, and also to provide a semiconductor device.例文帳に追加

製造コストを抑えつつ、ソース又はドレインと基板との間に生じる接合容量を低減できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic thin-film transistor by which a source electrode or a drain electrode can be patterned more easily and accurately and to provide an organic TFT at a low cost.例文帳に追加

より簡便にソース電極やドレイン電極の高精度のパターニングが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供し、それにより有機ＴＦＴを安価に提供する。 - 特許庁

To provide a cement draining sheet capable of easily treating cement drain at a low cost and constituted so as to prevent environmental pollution, and a cement draining treatment method.例文帳に追加

本発明は、セメント排水を低コストで、容易に処理して排水でき、環境を汚染することがないセメント排水シート及びセメント排水処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a memory cell design and a method for storing information including use of a transistor having a source, a drain, a channel, a gate oxide, a gate electrode and a modifiable gate stack layer.例文帳に追加

ソース、ドレイン、チャネル、ゲート酸化物、ゲート電極、および修正可能なゲートスタック層を備えたトランジスタの使用を含む、情報を記憶するためのメモリセル設計および方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active driving type organic EL display for easily connecting a lower electrode of an organic EL element and a drain region of a TFT, and its manufacturing method.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴのドレイン領域との間を容易に電気接続することができるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor layer, which is able to efficiently activate impurities injected to a source region and a drain region, without using complicated devices.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域に注入された不純物の活性化を、複雑な装置を用いることなく、効率良く行うことが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, as well as, its manufacturing method, which can suppress deterioration in the drain current characteristics caused by increasing the thickness of the gate insulating film near an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域近傍のゲート絶縁膜の膜厚が増すことによるドレイン電流特性の劣化を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor substrate of a higher ON/OFF ratio of a drain current of a thin film transistor substrate containing an InMZnO semiconductor film.例文帳に追加

ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ基板のドレイン電流のＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing epitaxial crystal in a source-drain region and suppressing occurrence of a junction leak due to metal silicide on the epitaxial crystal, and to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域にエピタキシャル結晶を含み、エピタキシャル結晶上の金属シリサイドに起因する接合リークの発生を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that has a large drain current and includes desired electric characteristics, by controlling a thickness of a semiconductor film into a suitable range.例文帳に追加

半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置の製造方法、を提供する。 - 特許庁

On an n-type low-resistance substrate which becomes an n+-type drain layer 31 and an n--type high-resistance layer 32 is formed by the epitaxial method and, at the same time, boron and phosphorus are selectively injected into the layer 32.例文帳に追加

ｎ^+ドレイン層３１となる低抵抗のｎ型サブストレート上に、エピタキシャル法によりｎ^-高抵抗層３２を形成すると同時に、選択的にボロンおよびリンを注入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an evaluation unit capable of evaluation dielectric characteristics between a gate and a drain on an apparatus for evaluating RF characteristics for a semiconductor on a wafer and its evaluation method.例文帳に追加

半導体オンウェハ用ＲＦ特性評価装置上でゲート・ドレイン間耐圧特性評価を実施することが出来る評価装置付半導体装置及びその評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic thin film transistor which has stably realized high mobility with smooth transfer of charges among a source electrode, a drain electrode, and a channel on the gate insulating layer.例文帳に追加

ソース電極、ドレイン電極と、ゲート絶縁層上のチャネルとの電荷移動をスムースにし、高い移動度を安定して実現した有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a landfill reinforcing method which can prevent the outflow of fine soil particles constituting landfill and which can prevent a function from being decreased by the clogging of a drain, and the landfill.例文帳に追加

盛土を構成する細粒な土粒子の流出を防止するとともに、ドレーンの目詰まりによる機能低下を防止できる盛土の補強工法および盛土を提供すること。 - 特許庁

To provide a spring water draining method of redox flow secondary battery improved so as to drain only spring water by differentiating spring water from electrolyte.例文帳に追加

湧水と電解液との区別を明確にし、湧水のみを排出することができるように改良されたレドックスフロー２次電池の湧水の排出方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide an etching method which offers a sufficient etching selection ratio of a silicon nitride film with regard to source/drain electrodes containing a high melting point metal material even when a large-sized glass board is processed.例文帳に追加

大型ガラス基板を処理する場合でも、高融点金属材料を含むソース・ドレイン電極に対して窒化ケイ素膜のエッチング選択比が十分に得られるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor for increasing a gain by reducing the capacitance between a gate and a drain, and to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート・ドレイン間の静電容量を低減することによって、ゲインを増大させた電界効果トランジスタ及び半導体装置並びに電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。 - 特許庁

To provide a CMOS structure and a method of achieving self-aligned raised source/drain for CMOS structures on SOI without relying on selective epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンの選択的エピタキシャル成長を利用せずに、ＳＯＩ上にＣＭＯＳ構造用の自己整合型隆起ソース／ドレインを実現させる、ＣＭＯＳ構造および方法を提供すること。 - 特許庁

The method further comprises the steps of filling a semiconductor material in both the windows, and forming an emitter to be superposed on a base and a MOSFET drain to be superposed on the channel formed in the window.例文帳に追加

次いで、両ウインドウに半導体材料を充填し、ベース上に重なるエミッタ、およびウインドウ内に形成されたチャネルの上に重なるＭＯＳＦＥＴドレインを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing such a semiconductor device that can satisfy reliability standard without change in drain current and threshold voltage accompanying with elapsed time, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

時間とともにドレイン電流およびしきい値電圧が変化することはなく、信頼性基準を十分に満たす半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of making the miniaturization of an MIS-structure transistor and the reduction of the leak of a drain output analog signal to the source compatible.例文帳に追加

ＭＩＳ構造のトランジスタの微細化と、ドレイン出力アナログ信号のソースへのリークの低減とを両立できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof whereby the off-capacitance can be reduced by reducing the gate-drain and gate-source fringe capacitances with reducing the on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗を低減しながらも、ゲート・ドレイン間及びゲート・ソース間のフリンジング容量を低減してオフ容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device such as a transistor having an LDD structure capable of stabilizing the injection depth of high concentration impurity to source/drain areas.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するトランジスタ等の半導体装置において、ソース、ドレイン領域への高濃度不純物の注入深さを安定させることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device wherein a space can be prevented from being unstably generated between a source and a drain of a channel and writing and deleting operations are stabilized, and its manufacturing method.例文帳に追加

チャネルとソースドレインとの間への不安定スペースの発生を防ぎ、書込と消去動作が安定した不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor, having a LDD(lightly doped drain) in which the manufacturing step is simple, and a manufacturing yield is high, and manufacturing cost is low.例文帳に追加

製造工程が簡単であり、歩留まりが高く、製造コストが低いＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method, substrates are carried by disposing guide rolls 7 and 8 with a space of ≥1 mm therebetween in a large number of liquid drain-off rolls disposed between liquid spray tanks of an etching machine or the like.例文帳に追加

エッチング機等の液体噴霧槽間に多段配置される液切りロールにおいて、１ｍｍ以上の隙間を設けたカ゛イト゛ロール７，８を配置して基板を搬送する方法。 - 特許庁

To provide a construction method and an execution structure enabling a vertical drain to be driven in the improving object ground even if soil bearing power of the whole area of the weak ground is not improved.例文帳に追加

軟弱地盤の全域の地耐力を向上させなくても、改良対象地盤に鉛直ドレーンを打設することを可能ならしめる工法及び施工構造を提供する。 - 特許庁

A drain amount is reduced and a concentration change time is reduced when compared to a conventional method wherein the existing developer in the tank 81 is drained entirely and thereafter developer of a new concentration is stored.例文帳に追加

タンク８１内の既存の現像液を全て排出してから新しい濃度の現像液を貯留していた従来に比べ，ドレイン量が低減され，濃度変更時間が短縮される。 - 特許庁

To provide a construction method for a groove section in a concrete floor surface capable of easily and surely carrying out work when a floor surface or the like of a veranda for a concrete building such as an apartment block or the like, a drain gutter or the like in the concrete floor surface are to be constructed.例文帳に追加

マンション等のコンクリート建築物のベランダの床面等、コンクリート床面の排水溝等の溝部を施工する場合に、施工が容易かつ確実にできるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having low electric resistances in a bit-line contact and of a connection part between the bit-line contact and a source-drain region, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ビット線コンタクト内の電気抵抗、およびビット線コンタクトとソース・ドレイン領域の接続部分の電気抵抗の小さい半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an MISFET having a highly reliable pocket structure in which gate depletion is suppressed while preventing the increase of junction capacity between a source-drain and a substrate.例文帳に追加

ソース・ドレイン／基板間の接合容量の増大を防止しつつ、ゲート空乏化を抑制した信頼性の高いポケット構造を有するＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of forming the extension region 21 after annealing for the sidewall oxidation of the layer 13 and high temperature RTA treating for activating a source/drain region 20.例文帳に追加

また、ポリシリコン層１３の側壁酸化のためのアニール処理、およびソース・ドレイン領域２０の活性化のための高温ＲＴＡ処理の後で、エクステンション領域２１の形成が行われる。 - 特許庁