「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field effect transistor which can surely prevent leakage current due to sneak current down to the gate electrode of the source and the drain regions at the edge of a field oxide film, without increasing the gate electrode area, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート電極面積を増大させることなく、フィールド酸化膜のエッジ部分でのソース及びドレイン領域のゲート電極下への回り込みによるリークを確実に防止することができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for preparing a transistor having a semiconductor containing source and drain regions and a channel formation regions, a gate insulated film in contact with the semiconductor, and a gate electrode in contact with the gate insulated film; the source and drain regions are formed by adding N or P type impurities in the semiconductor and then radiating an Nd: YAG laser beam onto the semiconductor having the impurities added therein.例文帳に追加

ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む半導体、該半導体に接したゲート絶縁膜並びに該ゲート絶縁膜に接したゲート電極を有するトランジスタの作製方法において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、半導体にＮ型もしくはＰ型の不純物を添加した後、前記不純物が添加された半導体にＮｄ：ＹＡＧレーザー光を照射して形成されることを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 特許庁

In a method for manufacturing the organic thin film transistor wherein at least three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer and an organic semiconductor layer are formed on a substrate and the source-drain current is controlled by applying a voltage to the gate electrode, an insulating layer-forming step includes vapor phase film deposition of a fluorine polymer.例文帳に追加

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタを作製する方法であって、該絶縁体層の形成工程がフッ素ポリマーの気相成膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造されてなる有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

An organic semiconductor layer 7 is formed by applying an organic semiconductor solution, produced by dissolving an organic semiconductor material in a solvent, by ink jet method so that an edge 71 of the organic semiconductor solution thus applied is located between a source electrode 5 and a drain electrode 6, and the center of an application region is located at a position shifted from the just intermediate position between the source electrode 5 and the drain electrode 6.例文帳に追加

有機半導体層７は、インクジェット法によって、有機半導体材料を溶媒に溶解した有機半導体溶液を塗布して形成され、塗布された有機半導体溶液の縁部７１が、ソース電極５とドレイン電極６間に配置されるように、ソース電極５とドレイン電極６間のちょうど中間位置よりずらした位置に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for producing a thin film transistor element sheet in which a plurality of thin film transistors each having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on a support are connected through a gate bus line and a source bus line, the drain electrode is connected with a pixel electrode and a step for forming the pixel electrode of a fluid electrode material is included.例文帳に追加

支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが、ゲートバスラインおよびソースバスラインを介して、複数個、連結された薄膜トランジスタ素子シートの製造方法において、該ドレイン電極に画素電極が連結され、且つ、該画素電極が流動性電極材料から形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ素子シートの製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing a MOSFET wherein influence of thermal process is little, control of a threshold value is easy when micronization is advanced, and a source/drain region and a gate are constituted of mutually inverse conductivity type semiconductor, and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

熱工程の影響を受け難く、微細化が進んでもしきい値の制御が容易に行なえる、ソース，ドレイン領域とゲートが互いに逆導電型の半導体で構成されるＭＯＳＦＥＴを含んだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a junction field-effect transistor and a manufacturing method thereof, that can achieve low on-resistance, high maximum drain current, lineality with high transmitting gain, and a shorter gate, without the need for two kinds of positive and negative power sources.例文帳に追加

正と負の２種類の電源を用いないでも、低いオン抵抗、高い最大ドレイン電流および伝達利得の高いリニアリティを得ることができ、しかも短ゲート長化を図ることができる接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method can be obtained by defining a state A in which it is controlled that the first switch is OFF and the second switch is ON and the condenser is allowed to be charged, thereby stabilizing a drain voltage of the HEMT around a HEMT gate threshold voltage.例文帳に追加

この方法は状態Ａを定義することによって達成され、第１のスイッチはＯＦＦに、第２のスイッチはＯＮになるように制御されコンデンサが帯電されることを可能にし、ＨＥＭＴゲート閾値電圧の周辺でＨＥＭＴのドレイン電圧を安定させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the characteristics, such as breakdown voltage, leakage current, etc., of a semiconductor device can be prevented from being deteriorated by the moisture entering into the device from a passivation film when a high voltage is applied between the source and drain of the device.例文帳に追加

パッシベーション膜から水分が侵入し、ソースとドレインの間に高電圧を印加したときに、水分による半導体デバイスの耐圧低下やリーク電流増加等のデバイス特性の劣化が生じるのを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.例文帳に追加

素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which improves crystallinity of an oxide semiconductor thin-film layer on a pair of source-drain electrodes, prevents a leakage current from increasing, current driving performance from decreasing, and current rate limiting from generating, and has excellent TFT characteristics, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

一対のソース・ドレイン電極上の酸化物半導体薄膜層の結晶性を良好にし、リーク電流の増大、電流駆動能力の低下、電流律速を抑制した、高いＴＦＴ特性を有する薄膜トランジスタ及びその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor that dispenses with the alignment among a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and can obtain both of a high on/off ratio and high-speed operation even if finishing dimensions deviate, and to provide a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極及びドレイン電極間の位置合わせの必要がなく、また仕上がり寸法にずれが生じても、高いオン／オフ比と高速動作の双方を得ることが可能となる電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel removal method of selenium and/or arsenic in a waste liquid capable of clearing a level of a new drain standard (0.1 ppm) by putting the use advantage of a solid adsorbent to practical use and enabling the selective adsorptive separation of selenium and/or arsenic with high efficiency.例文帳に追加

固体吸着剤を使用する利点を生かし、新しい排水基準（０．１ｐｐｍ）のレベルをクリアーできるほか、高効率で選択的なセレン及びヒ素の吸着分離を可能とする、廃液中のセレン及びヒ素の新規除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which allows bulky structures of a source and a drain to be formed in a MISFET with a gate electrode formed of a metallic material by a low-temperature process in the formation and can be manufactured efficiently, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

金属材料で形成されたゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴにおけるソース・ドレイン部のかさ上げ構造の形成において、その形成を低温プロセスで実現し、かつ効率よく製造できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shield machine which is equipped with a heating device for cutting an obstacle by heating and melting an obstacle such as a drain material existing in natural ground and which is excellent in the durability of the heating device; and to provide an excavation method using the shield machine.例文帳に追加

地山内に存在するドレーン材等の障害物を加熱して溶融させることにより、当該障害物を切断するための発熱装置を備え、この発熱装置の耐久性に優れたシールド機及びそのシールド機を用いた掘進工法を提供する。 - 特許庁

To provide an amplifier which responds to a limit of the response speed and a nonlinear characteristic of a device performing control of a drain voltage, and generates an envelope tracking signal in a form close to an envelope of an original transmission signal, to provide an amplifier control method, and to provide a transmitter.例文帳に追加

ドレイン電圧の制御を行うデバイスの応答速度の限界及び非線形特性に対応するとともに、元の送信信号のエンベロープに近い形でのエンベロープトラッキング信号を生成する増幅器、増幅器制御方法、及び送信機を提供する。 - 特許庁

To constitute a field effect transistor by using an organic semiconductor film and sequentially forming a source, a drain and a gate electrode, etc., on a substrate in simple processes, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device such as a TFT element by using them.例文帳に追加

簡単な工程で有機半導体膜を用い、ソース、ドレイン、ゲート電極等、基板上に順次形成することによって、電界効果型トランジスタを構成することにあり、これらを用いてＴＦＴ素子等半導体装置を製造する方法を得ることにある。 - 特許庁

To provide a water supply-drain hose and its manufacturing method for remarkably improving handleability at a work site such as being superior in bending performance, improving durability, being easy in detecting water leakage from the hose and being extremely easy in the replacement.例文帳に追加

屈曲性が良好で、耐久性が向上され、ホースからの水漏れが発見し易く、取替えもきわめて容易にできるという、作業現場での取り扱い易さを顕著に向上させた給排水用ホース及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device includes an adjusting layer forming step wherein the adjusting layer is formed inside the semiconductor layer while facing the layer at the lower part of the layer of the same conductive type as the body region out of at least the p+ layer and the n+ layer on the drain side.例文帳に追加

少なくともドレイン側ｐ＋層及びｎ＋層のうちの、ボディ領域の導電型と同一型の層の下方において当該層と対向して半導体層の内部に調整層を形成する調整層形成ステップを含む半導体装置製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a calcium carbonate porous body which is suitable for a neutralizer of drain in an energy-saved high-efficiency water heater or the like and has high neutralizing capability at low cost without using a large device such as a plasma sintering device.例文帳に追加

省エネ高効率給湯器におけるドレンの中和剤等に好適で中和能力の高い炭酸カルシウム多孔質体を、プラズマ焼結装置のような大掛かりな装置を用いることなく、安価に製造することができる製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

This solidification processing method comprises mixing and dispersing coconut shell fibers to a soft ground, thereby promoting the evaporation of the internal moisture of the soft ground to the atmosphere by the drain effect of the coconut shell fiber to solidify the soft ground.例文帳に追加

軟弱土にヤシ殻繊維を混合し分散させることにより、該軟弱土の内部水分の大気への蒸発を前記ヤシ殻繊維のドレーン効果により促進し、前記軟弱土を固化させることからなる軟弱土のヤシ殻繊維による固化処理方法。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an epitaxial layer is used to form an extension layer and a source drain layer and reliability is improved by preventing a joint leak between an alloy layer and a semiconductor substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エピタキシャル成長層によりエクステンション層およびソース・ドレイン層が形成された半導体装置において、合金層と半導体基板間に生じる接合リークを防止して、信頼性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor element 30 which includes a gate electrode 33, a gate insulating film 35, a semiconductor layer 37, a source and drain electrode 39 and a transparent electrode (pixel electrode) 43 on a transparent substrate 31, the gate electrode 33 is formed with printing by an electrophotographic method.例文帳に追加

透明基板３１上に、ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３５、半導体層３７、ソース・ドレイン電極３９及び透明電極（画素電極）４３を含む半導体素子３０において、ゲート電極３３を電子写真法による印刷で形成する。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of Bi-CMOS semiconductor device in which ion implantation conditions can be set independently for the emitter region of a vertical PNP bipolar transistor and the source-drain region of a PMOS transistor without requiring additional photoresist processes.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、フォトレジスト工程を追加することなく、縦型ＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とのイオン注入条件をそれぞれ独立に設定することができるようにする。 - 特許庁

In this test method of the semiconductor device, a drain is connected to a storage node in SRAM, and a functional test is performed for applying a potential lower than a GND potential to a back gate of an n-type MOS transistor of which the GND potential is connected to the source, and for reading out data.例文帳に追加

本発明の半導体装置のテスト方法では、ＳＲＡＭにおいて、記憶ノードにドレインが接続され、ソースにＧＮＤ電位が接続されるｎ型ＭＯＳトランジスタのバックゲートにＧＮＤ電位より低い電位を印加しデータを読出す機能テストを行なう。 - 特許庁

In the method for exterminating the unpleasant vermin, stable foams which are generated by a foaming machine 3 are supplied to the floor 9 of the kitchen and allowed to stay thereon, then washed away after the vermin perishes, and finally collected into a drain 10, so that the foams can be efficiently removed.例文帳に追加

また、本不快害虫駆除方法は、発泡機３により安定した泡を発生させて、厨房の床面９に供給、滞留させ、不快害虫の死滅の後、水で洗い流すことで排水溝１０に集まり、効率的に除去することができる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring flow rate of pump capable of easily and accurately calculating a delivery rate of a pump 10 in drain facilities where a pressure regulated water tank 14 is installed based on the difference of water level between the pressure regulated water tank 14 and a discharged water region 16.例文帳に追加

調圧水槽１４が設けられた排水設備のポンプ１０の吐出流量を、調圧水槽１４と排出水域１６の水位差から簡単にかつ正確に算出できるポンプ流量測定方法およびポンプ流量測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a toilet bowl flushing device and a method for using ejector ejecting water as replenishing water after starting flushing, by sucking and exhausting air from a drain flow passage, after a little while after starting supply of toilet bowl flush water to a toilet bowl of a closet.例文帳に追加

便器の便鉢へ便器洗浄水を供給開始してから暫くした後、排水流路から空気を吸引排出すると共に、エゼクタ排出水を洗浄開始後の補給水として利用するようにした便器洗浄装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a MOSFET with an asymmetrically recessed gate which can reduce abnormal leakage current caused by the overlap between gate electrodes and source/drain regions in the recessed gate structure of a semiconductor device such as a DRAM, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＤＲＡＭなどの半導体素子のリセスゲート構造においてゲートとソース／ドレーン領域との間のオーバーラップによる非正常的な漏洩電流を減らすことができる非対称リセスされたゲートを有するＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a chemical agent capable of being compounded with 80-90 wt.% of a solid acid being an effective component in order to prevent the formation of scale to a toilet drain pipe and not generating swelling, softening and collapse at a time of dissolution, and to provide a method for producing the chemical agent.例文帳に追加

トイレ排水管へのスケールの生成を防止する為に、有効成分である固体酸を８０〜９０重量％配合可能で、しかも溶解時に、膨潤、軟化、崩壊などが起こらない薬剤、及びその薬剤の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT LCD pixel unit, in addition to formation of a first insulating layer (gate insulating layer) and a passivation layer, a second insulating layer is adopted to cover a gate island and an opening part is formed such that a channel region, a source region and a drain region of the TFT are exposed on the gate island.例文帳に追加

第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。 - 特許庁

To provide a structure of semiconductor deice and its manufacturing method capable of suppressing defective contacting to a source/drain region of a memory cell transistor, without causing fluctuation in characteristics of a peripheral element, related to a logic semiconductor device mounted with a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを混載したロジック半導体装置に関し、周辺素子の特性変動等を生じることなく、メモリセルトランジスタのソース／ドレイン領域へのコンタクト不良を抑制する半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor device that has improved insulating characteristics and has a large on/off ratio of current flowing between source and drain electrodes, to provide a manufacturing method of the organic semiconductor device, and to provide a display element having the organic semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、絶縁特性が良好であると共に、ソース電極及びドレイン電極間を流れる電流のオン／オフ比が大きい有機半導体装置及びその製造方法並びに該有機半導体装置を有する表示素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film consisting of a high dielectric material and a gate electrode consisting of a metal can be formed on a semiconductor substrate without lengthening any distance from a source-drain diffused layer to the gate electrode.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層からゲート電極までの距離を長くすることなく、半導体基板上に高誘電体材料から成るゲート絶縁膜および金属から成るゲート電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the sheet resistance of a silicidated source/drain diffused layer and its dispersion, and further reducing a junction leakage current at performing silicidation using a nickel film or a nickel alloy film, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ニッケル膜又はニッケル合金膜を用いてシリサイド化を行う場合において、シリサイド化されたソース／ドレイン拡散層のシート抵抗及びそのばらつきを低減するとともに、接合リーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

To provide a burial construction method for a formwork member capable of easily and securely installing the formwork member such as a formwork for a drain groove or an angular member for forming a concrete joint at a specified level, and an anchor member used therein.例文帳に追加

排液溝用型枠やコンクリート目地を形成するためのアングル材等の型枠部材を、容易にかつ確実に所定のレベルに設置することのできる型枠部材の埋設施工方法およびそれに用いるアンカー部材を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide the operation method of a membrane separation apparatus capable of avoiding clogging of a separation membrane even when raw water quality varies, and maintaining stable recovering ratio by using a first separation membrane apparatus and a second separation membrane apparatus separating washing drain of the first separation membrane apparatus into solid and liquid.例文帳に追加

第一の分離膜装置とその洗浄排水を固液分離処理する第二の分離膜装置を用いて、原水水質変動があっても分離膜の閉塞を回避でき、かつ安定した回収率を維持できる膜分離装置の運転方法を提供する。 - 特許庁

By the method of manufacturing a display device including a thin-film transistor, where a gate electrode, a gate insulation film, a semiconductor film, and source/drain electrodes are stacked successively on a substrate including a display section, the gate insulation film is formed by allowing the surface to include hydrogen, and the semiconductor film is formed by a reactive thermal CVD method.例文帳に追加

表示部を備える基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極が順次積層されて構成される薄膜トランジスタを具備する表示装置の製造方法であって、 前記ゲート絶縁膜はその表面に水素を含ませて形成し、前記半導体膜は反応性熱ＣＶＤ法を用いて形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for a display device and a manufacturing method thereof for reducing the whole number of manufacturing processes in a liquid crystal display device by forming a protective insulating layer for protecting and insulating source wiring and drain wiring and also functioning as a black matrix or a photo-spacer, and to provide a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ソース配線やドレイン配線を保護し絶縁するとともに、ブラックマトリクスやフォトスペーサとしても機能する保護絶縁層を形成することにより、液晶表示装置におけるトータル的な製造工程数を削減することの可能な表示装置用基板及びその製造方法、並びに、液晶表示装置及びその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of more reliably forming a semiconductor material layer, an electrode, and a wiring pattern, especially the pattern of source and drain electrodes requiring precise patterning in a thin-film transistor, and to provide a method of forming a semiconductor channel having high mobility precisely with improved reproducibility together with the electrode pattern.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method to work in a dephosphorizing process performed in processing contaminated drain water and thereafter to perform desulfurization in a sludge incinerator furnace using effectively a converter slag which has otherwise been disposed of, and a method to manufacture a fusion solidified substance using effectively the incineration ash remaining in the furnace after applying the desulfurizing method.例文帳に追加

汚水を処理する際に行われる脱リン方法において用いられ、その後は廃棄処理されていた転炉スラグを有効に利用して、汚泥焼却炉内での脱硫に用いる方法を提供することを課題とし、さらに、本発明の脱硫方法を用いた後、汚泥焼却炉内に残存する焼却灰をも有効利用して熔融固化体を製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method has a first process for implanting impurities to at least a second portion and a third portion excepting a first portion of a crystalline semiconductor film 3 formed on a base 1, and a second process for forming a source and a drain in the second portion and the third portion, respectively.例文帳に追加

基体１上に形成された結晶性半導体膜３のうち第１の部分以外の少なくとも第２の部分及び第３の部分に不純物を注入する第１の工程と、第２の部分および第３の部分にそれぞれソース及びドレインを形成する第２の工程とを備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device; an inter-layer insulating film 9 is formed on the entire surface on a semiconductor substrate 1, the inter-layer insulating film 9 is selectively etched thereafter, and contact holes 10 and 11 are formed for respectively partially exposing a polysilicon resistance layer 4, a source region 7 and a drain region 8.例文帳に追加

半導体基板１上の全面に層間絶縁膜９を形成し、その後当該層間絶縁膜９を選択的にエッチングし、ポリシリコン抵抗層４，ソース領域７及びドレイン領域８をそれぞれ一部露出させるコンタクトホール１０，１１を形成する。 - 特許庁