「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁

To simultaneously realize denitrification and dephosphorization by a very simple maintenance operation by only adding an accelerating agent to an aeration tank or a settling tank and exchanging the accelerating agent after the duration period without adding any equipment and device to a drain treating device having a single aeration tank using a standard activated sludge method or this method as a basic principle, moreover, to remove a hardly decomposable organic substance in underground water.例文帳に追加

本発明は、標準活性汚泥法や本法を基本原理とする曝気槽単槽の排水処理設備に何ら設備や装置を追加することなく、曝気槽や沈殿槽に添加し効果の持続期間後に交換するだけという極めて簡単なメンテナンス作業で脱窒、脱リンが同時に実現し、さらには地下水中の難分解性有機物質を除去することを目的とする。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor device processes to form the gate insulating film 3a of a transistor to be inspected, the gate insulating film 3b of a switching transistor, gate electrodes 4a and 4b, two impurity regions 5b to be a source and a drain for the switching transistor, and a first interlayer insulating film 6.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法では、被検査トランジスタのゲート絶縁膜３ａ、及びスイッチング用トランジスタのゲート絶縁膜３ｂ、ゲート電極４ａ，４ｂ、前記スイッチング用トランジスタのソース及びドレインとなる２つの不純物領域５ｂ、第１の層間絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor device which is enhanced in withstand voltage and a method of manufacturing the same, in which a process through which an LDD(Lightly Doped Drain) side spacer is formed can be dispensed with, and high-melting metal material other than polysilicon can be used as a gate electrode material.例文帳に追加

耐圧性能の向上したＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供すること、ＬＤＤ（低濃度ドープドレイン）用サイドスペーサーを作成する工程を省略できる製造方法、及び、ゲート電極材料としてポリシリコン以外の高融点金属材料が使用可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes steps of heat-treating, forming a side wall oxide film 7 on a side wall of the gate electrode, forming a drain region in a semiconductor substrate below an end of the gate electrode at a second region side, and forming a source region in the semiconductor substrate below an end of the gate electrode at a first region side.例文帳に追加

その後、熱処理を施し、ゲート電極の側壁に側壁酸化膜７を形成し、ゲート電極の第２領域側の端部の下方に位置する半導体基板中にドレイン領域を形成し、ゲート電極の第１領域側の端部の下方に位置する半導体基板中にソース領域を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a step of etching part of the semiconductor layer from between the source electrode 9 and the drain electrode 12, a step of performing He plasma treatment on the partially etched semiconductor layer from between the electrodes 9 and 12, and a step of performing H_2 plasma treatment on the semiconductor layer after the He plasma treatment.例文帳に追加

そして、ソース電極９とドレイン電極１２との間から半導体層の一部をエッチングする工程と、ソース電極９とドレイン電極１２との間から一部をエッチングされた半導体層にＨｅプラズマ処理を施す工程と、Ｈｅプラズマ処理後に、半導体層にＨ_２プラズマ処理を施す工程とを備える。 - 特許庁

To realize a TFT capable of a high-speed operation by manufacturing a crystalline semiconductor film the positions and sizes of whose crystalline grains are controlled by a simple method, and by using the crystalline semiconductor film as the semiconductor layer of the TFT wherein its channel forming regions, its source region, and its drain region are included.例文帳に追加

簡便な方法で結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層に用いることにより、高速動作が可能なＴＦＴを実現する。 - 特許庁

Since the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage and for forming source and drain regions is formed by the low-temperature normal pressure CVD method at 400-500°C, the no molybdenum constituting the gate electrode 5 is oxidized or sublimated when forming the silicon oxide film 7, to prevent the damage or peeling of the gate electrode 5.例文帳に追加

このように、４００〜５００℃の低温の常圧ＣＶＤ法によって、ソース、ドレイン領域形成のためのイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を形成するので、シリコン酸化膜７の形成時にゲート電極５を構成するモリブデンが酸化または昇華せず、ゲート電極５の損傷や剥離を防止できる。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A method for fabricating a high-voltage transistor with an extended drain region comprises: forming an epitaxial layer on a substrate, both the epitaxial layer and the substrate being of a first conductivity type; then etching the epitaxial layer to form a pair of spaced-apart trenches that define first and second sidewall portions of the epitaxial layer.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供は、第一の導電型である基板上に第一の導電型であるエピタキシャル層を形成し、そして、エピタキシャル層をエッチングして、エピタキシャル層の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.例文帳に追加

食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a thin low resistance metallic film on the surface of a silicon layer in a source region and a drain region at the time of forming a field effect transistor in an MOS configuration, and increasing the operating efficiency of the transistor.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳ構造の電界効果型トランジスタを形成するに際し、ソース領域およびドレイン領域のシリコン層の表層部に薄い低抵抗金属膜を製造することができ、トランジスタの動作効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an organic transistor which has a high operating frequency and whose power consumption is low and a method of manufacturing the same by improving both carrier injection efficiency and extraction efficiency for an interface between a source electrode and a semiconductor, and an interface between a drain electrode and the semiconductor, and to provide a display device with small pixel variance using the same.例文帳に追加

ソース電極と半導体の界面及びドレイン電極と半導体界面に対してキャリアの注入効率及び抽出効率の向上を両立し、動作周波数が大きく且つ低消費電力な有機トランジスタとその製造方法、及びこれを用いた画素バラツキの小さい表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a work-execution method and a work-execution device for a road surface sign line having water permeability, and indicating superior drainability even when executed on drain pavement, by supplying a proper quantity of paint for executing the road surface sign line, by regulating the excessive outflow of the paint even on an inferior road surface and the draining pavement.例文帳に追加

悪路面や排水性舗装上においても塗料の過剰な流出を規制し、路面標示線の施工に適切な量の塗料が供給でき、かつ、透水性能を有し、排水舗装上に施工しても良好な排水性を示す路面標示線の施工方法および施工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration.例文帳に追加

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hydraulic system of a working machine and a hydraulic control method of the working machine, capable of heating up a control valve in advance to prevent any problem in operation of a spool, by flowing operating oil in the control valve by opening a drain oil path when the control valve is in the neutral position and the temperature of operating oil is predetermined temperature or below.例文帳に追加

制御バルブの中立時で且つ作動油の温度が所定温度以下である時にドレン油路を開いて制御バルブ内で作動油を流すことで、スプールの動作に支障がないよう事前に制御バルブのヒートアップができる作業機の油圧システム及び作業機の油圧制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for attaching inexpensive goo removing agent met with demand in this deflation age, and a tool for attaching goo removing agent used to it capable of being widely used at portions with goo such as a triangle sink strainer, a strainer, and a drain in a bath room, and being easily attached/detached.例文帳に追加

ヌメリ取り剤の三角コーナー、ストレーナ、浴場の排水口などヌメリの発生箇所に広汎に用いることができ、取り付け取り外しの作業が極めて簡単に行え、デフレ時代の要請に応え得る廉価性のあるヌメリ取り剤の取り付け方法及びこれに用いるヌメリ取り剤の取り付け具を提供する。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor thin-film transistor whose reliability is improved by alleviating steep incline of the peripheral portion of a first insulation film pattern on an oxide semiconductor pattern so that a source/drain electrode formed on a thin-film transistor has a uniform and good step coverage, and a method for forming the same.例文帳に追加

本発明は、その上に形成されるソース・ドレイン電極が均一で良好なステップカバレッジを有するように、酸化物半導体パターン上の第１絶縁膜パターンの周縁部の急傾斜を緩和して信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスター及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rainwater drain support system and a method which can reduce the number of variables input to an inflow forecast model of an inflow forecast section of the system, can make such forecasting at the inflow forecast section easier, and can forecast the quality of inflow rainwater.例文帳に追加

流入量予測部の流入量予測モデルへの入力変数の個数を減少させることができ、この流入量予測部における流入量の予測を容易なものとすることができ、かつ流入水の水質を予測することができる雨水排水支援システムおよび雨水排水支援方法を提供する。 - 特許庁

The fluidization-resisting construction method against ground liquefaction relates to the foundation footing 1 supported on a pile foundation 2 in the ground 3, and a drain 25 is formed between a liquefaction layer 27 forming a lower layer in the ground 3 and a non-liquefaction layer 28 forming an upper layer.例文帳に追加

地盤３中にあって杭基礎２に支持される基礎フーチング１に関する、地盤液状化による流動化対策の工法であって、前記地盤３のうち下層をなす液状化層２７と上層をなす非液状化層２８中との間にドレーン２５を設けることを特徴とする流動化対策工法。 - 特許庁

A method for preparing alkali cellulose comprises a contact step of bringing a pulp sheet having a pore volume of 1.0 ml/g or greater, or chips into which the pulp sheet has been converted, into contact with an alkali metal hydroxide solution to obtain an alkali cellulose reaction mixture, and a drain step of draining the alkali cellulose reaction mixture.例文帳に追加

細孔体積が１．０ｍｌ／ｇ以上のシート状パルプをシート状のまま又はチップ状とし、アルカリ金属水酸化物溶液と接触させてアルカリセルロース反応混合物を得る接触工程と、上記アルカリセルロース反応混合物を脱液する脱液工程とを含んでなるアルカリセルロースの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an execution method repairing the existing road surface A1 such as a concrete pavement surface or a tile pavement surface A, permeable panels 1 previously integrally provided with pedestals 3 having the permeable block 2 of the upper layer and the drain means of the lower layer or/and a storing space 4 are laid.例文帳に追加

コンクリート舗装面あるいはタイル舗装面Ａ等の既存の路面Ａ１を改修する施工方法において、路面Ａ１上に、上層の透水性ブロック２と下層の排水手段および／または貯留空間４を有する基台３とを予め一体的に設けた透水性パネル１を敷き並べること。 - 特許庁

The property is that in a method of driving control for a steam sterilizer performing sterilizing treatment by a process comprising an air evacuating process, a sterilizing process, and drying process, a drain that produced in a storage 2 placed in a sterilizing reservoir 1 after the sterilizing process is heated with steam and then vacuumized to be dried.例文帳に追加

空気排出工程，滅菌工程および乾燥工程の各工程により滅菌処理を行う蒸気滅菌器の運転制御方法において、前記滅菌工程の後、滅菌槽１内に収容した収納容器２内に生じたドレンを蒸気により加温した後、真空引きして乾燥させることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the number of increasing manufacturing processes and manufacturing cost, and capable of reducing the power consumption of the device and enhancing an yield of the device even if an SiGe epitaxial growth film is formed in a source-drain region of a P-type FET.例文帳に追加

本発明は、たとえＰ型ＦＥＴのソース・ドレイン領域にＳｉＧｅエピ成長膜を形成したとしても、製造工程の増加の抑制および製造コストの増加の抑制を図ることができ、デバイスの低消費電力化およびデバイスの歩留り向上を図ることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises: a step of forming a CMOS source, a drain region, and a well region sandwiched inbetween; a step of depositing a surface channel on the upper surface of the well region; a step of forming a high k dielectric on the surface channel; and a step of forming a gate electrode on the high k dielectric.例文帳に追加

この方法は、ＣＭＯＳソースおよびドレイン領域と、間に挟まれたウェル領域とを形成する工程と、ウェル領域の上の表面上に表面チャネルを堆積する工程と、表面チャネルの上に高ｋ誘電体を形成する工程と、高ｋ誘電体の上にゲート電極を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

To simply and inexpensively constitute a valve opening holding method capable of coping with drain required for continuously discharging water and a faucet for a cold district in a self-closing faucet capable of automatically recovering an operation part up to a closing valve position by a driving means after a valve element is opened by moving the operation part and water is discharged.例文帳に追加

本発明の目的は、操作部の移動により弁体を開口し吐水した後、駆動手段により自動的に閉弁位置まで復帰できる自閉水栓において、連続吐水や寒冷地用水栓などで要求される水抜きに対応可能な開弁保持方法を簡便で安価に構成することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field-effect semiconductor device which is capable of reducing parasitic resistance determined by distances between a gate electrode and a source electrode and between the gate electrode and a drain electrode, and is also capable of improving device characteristics and which has superior uniformity and reproducibility, and also to provide a field-effect semiconductor device manufactured by the same.例文帳に追加

ゲート電極−ソース電極及びゲート電極−ドレイン電極間隔による寄生抵抗を小さくすることができ、素子特性の向上を図ることができ、均一性及び再現性に優れた電界効果半導体素子の製造方法及び電界効果半導体素子を提供すること。 - 特許庁

The production method comprises the steps of forming an uneven pattern 3 and the grooves 5 on the four sides of the surface 2 of the ceramic building green plate 1 when the pressing is performed on a surface 2 of the ceramic building green plate 1 and forming a plurality of the drain grooves 6 formed on at least one side in parallel with the groove 5 on a trimming part 7.例文帳に追加

窯業系建築生板１の表面２にプレスする際に、窯業系建築生板１の表面２の四周に凹凸模様３と同時に溝部５を形成し、この溝部５に連設するように少なくとも一辺に複数個形成した排水溝６をトリミング部７に形成する製造方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device capable of keeping an interface between a gate insulation film and a thin-film conductor layer under good conditions free from the influence of formation of a source/drain electrode and thereby having a fine bottom-gate-bottom-contact type thin-film transistor structure with good characteristics.例文帳に追加

本発明は、ソース／ドレイン電極の形成に影響されることなくゲート絶縁膜と薄膜半導体層との界面を良好な状態に維持することが可能で、これにより微細でありながらも特性の良好なボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ構成の薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a source electrode 38 and a drain electrode 39 disposed between a semiconductor film 34 and an upper shielding film 42 in a tabular state of a long longitudinal shape in a direction perpendicular to a channel direction of a metal, and forming both ends so as to have an inverted tapered shape.例文帳に追加

半導体膜３４と上部遮光膜４２との間に配置されるソース電極３８及びドレイン電極３９を金属によりチャネル方向に直交する方向に長い長方形の平板状に形成すると共に、その両端部を逆テーパー形状を有するように形成している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor in which high concentration ion implantation to a drain region is performed while suppressing variability of processes, while a gate insulation film of high quality keeping high reliability and low leakage current of a transistor is provided, in an LDD structure thin film transistor provided with a thick gate insulation film.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜を有するＬＤＤ構造薄膜トランジスタにおいて、トランジスタの高信頼性と低リーク電流を保つ高品質のゲート絶縁膜を有しながら、ソース、ドレイン領域への高濃度イオン注入をプロセスばらつきを抑えながら行う、薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the buried channel-type transistor by using a P-type silicon carbide substrate comprises a process for forming a buried channel area and a source/drain area, a process for forming a gate insulating film, and a process for exposing the gate insulating film to the atmosphere of not less than 500°C, which includes steam.例文帳に追加

Ｐ型の炭化珪素基板を用いた埋め込みチャネル型トランジスタの製造方法において、埋めこみチャンネル領域、および、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、その後、ゲート絶縁膜を形成する工程と、その後に該ゲート絶縁膜を、水蒸気を含んだ５００℃以上の雰囲気に晒す工程とを含む。 - 特許庁

A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁

In the production method for the drain tube comprising the silicone rubber elastic body with the rib on the internal surface, a cylinder body comprising a raw silicone rubber is put over a mandrel with one or more grooves cut therein, and moreover, a force is applied evenly from the external surface thereof to press the raw silicone rubber onto the mandrel.例文帳に追加

内面にリブを設けたシリコーンゴム弾性体からなるドレーンチューブの製造方法において、１条以上の溝を穿設したマンドレル上にシリコーン生ゴムからなる円筒体を被せ、更に外面から均等に力を加えてシリコーン生ゴムを該マンドレルに圧着せしめることを特徴とするドレーンチューブの製造方法を提供した。 - 特許庁

In the liquefaction countermeasure construction method in a fill structure 1 for a railway/road, a shearing deformation restriction wall 2 is executed from the toe of slope of the fill structure toward the ground G, and drain pipe 5 or the like is provided so that the pipe slants from the toe of slope of the fill structure 1 to the ground G toward the substantially central part of the structure 1.例文帳に追加

鉄道・道路用の盛土構造物１における液状化対策工法は、盛土構造物１の法尻部から地盤Ｇ内に向けてせん断変形拘束壁２を施工し、盛土構造物１の法尻部から地盤Ｇ内に盛土構造物１の略中央に向けて傾斜するように排水管５，…を設ける。 - 特許庁

In the method of producing the concrete precast water division inlet to be used at the crossing section of an irrigation water channel or a drain water channel, the framework is provided with an attachment for the height adjustment and an attachment for the opening part of the water channel.例文帳に追加

潅漑用水路又は排水路の交差部に使用されるコンクリートプレキャスト分水桝の製造法において、型枠に高さ調整アタッチメントと水路用の開孔部のアタッチメントを設けて製造するプレキャスト水路交差工分水桝の製造法及びその製造法によって製造されたプレキャスト水路交差工分水桝に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing a high-voltage transistor having an extended drain region contains the formation of a first conductive epitaxial layer on a first conductive substrate, and the formation of a pair of spaced groove sections which form the first and second sidewall sections of the epitaxial layer, by etching the epitaxial layer.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供は、第一の導電型である基板上に第一の導電型であるエピタキシャル層を形成し、そして、エピタキシャル層をエッチングして、エピタキシャル層の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

To provide separators for a fuel cell and their manufacturing method wherein contact resistance effective for performance improvement of especially stationary fuel cell and the fuel cell for a mobile power supply is low, a gas leakage preventing function is also excellent, higher hydrophilicity is achieved, gas pressure on the drain side of formed water is made low, and formed water drainage also can be carried out excellently.例文帳に追加

特に定置用、モバイル電源用の燃料電池の性能向上に有効な、接触抵抗が低く、ガス漏れ防止性にも優れ、より高親水性化を図り、生成水排水側のガス圧力を低くし、生成水の排水をも良好に行うことができる燃料電池用セパレータとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment.例文帳に追加

基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor manufacturing method includes a process for so patterning a source electrode 3 and a drain electrode 4 on a substrate 2 by the optical use of a charging controlling agent absorbed in the substrate as to form them thereafter by a selective electroless plating; and includes a process for forming an organic semiconductor, a gate insulator, and a gate electrode.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上に、ソース電極３とドレイン電極４とを、基板に吸着させた帯電制御剤を光を使ってパターニングした後、選択的無電解メッキにより形成する工程と、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極とを形成する工程を含むものである。 - 特許庁

To provide a lateral MOSFET having a trench gate structure wherein thicknesses of an n-type source layer and drain layer deeply formed along the trench can sufficiently be ensured and larger channel widths can be obtained, and as a result, on-state resistance can be reduced, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明の課題は、トレンチゲート構造を備えた横型ＭＯＳＦＥＴにおいて、トレンチに沿って深く形成するｎ型ソース層およびドレイン層の厚さを十分確保できると共に、より大きなチャネル幅が得られ、その結果、オン抵抗を低減できる横型ＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a production method for efficiently producing ceramic building plates with uniform strength wherein a drain groove is formed a trench on the, side end of a ceramic building green plate at the time of making a pattern using a flat platen press to remove dew generated at the time of autoclave curing, and energy consumption on steam and electricity, etc., at the time of swinging, is reduced.例文帳に追加

平盤プレスで模様付けする際に、窯業系建築生板の側端部に排水溝を形成して、オートクレーブ養生時に発生する結露水を除去し、スイング時の蒸気、電力等のエネルギー消費を削減し、効率的かつ強度ムラのない窯業系建築板の製造方法を提供するものである。 - 特許庁