「dynamic RAM」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SELF-REFRESH CONTROL DEVICE FOR DYNAMIC RAM例文帳に追加

ダイナミックＲＡＭのセルフリフレッシュ制御装置 - 特許庁

METHOD FOR HOLDING DATA FOR DYNAMIC RAM AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

ダイナミック型ＲＡＭのデータ保持方法と半導体集積回路装置 - 特許庁

DDR SDRAM (double data rate SDRAM) is synchronous dynamic RAM that can theoretically improve memory clock speed to at least 200 MHz. 例文帳に追加

DDR SDRAM（倍データレートSDRAM）は同期式動的RAMであり、メモリのクロック速度を理論的には少なくとも200 MHzまで改良できる。 - コンピューター用語辞典

To improve the reliability by enhancing the product yield of a dynamic tape RAM, etc., provided with a lot of banks and by achieving a memory module of the dynamic type RAM, etc., which cannot be accessed to.例文帳に追加

多数のバンクを備えるダイナミック型ＲＡＭ等の製品歩留りを高め、アクセス不能なダイナミック型ＲＡＭ等のメモリモジュールを実現し、信頼性を高める。 - 特許庁

The buffer 21 (22) writes the signal S1 (S2) in a DRAM(Dynamic RAM) 23 (24).例文帳に追加

ＤＲＡＭ２３および２４にはバッファ２１および２２からの信号Ｓ１およびＳ２が書き込まれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory such as, e.g. a dynamic RAM whose performance can be pulled out sufficiently.例文帳に追加

性能を十分に引き出すことが可能な例えばダイナミックＲＡＭの如き半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To increase the speed of data reading of a DRAM (dynamic RAM) without increasing the power consumption and chip area.例文帳に追加

消費電力の増大、チップ面積の増加を伴うことなく、ＤＲＡＭのデータ読み出しを高速化する。 - 特許庁

The contour enhanced signal (d) becomes a dynamic γ corrected signal (e) according to the dynamic γ correction RAM table 423 and output.例文帳に追加

輪郭強調済み信号ｄはダイナミックγ補正ＲＡＭテーブル４２３に従ってダイナミックγ補正された映像信号ｅとなり出力される。 - 特許庁

To provide a dynamic type RAM which can evaluate an information holding characteristic of a memory cell with simple constitution.例文帳に追加

簡単な構成でメモリセルの情報保持特性の評価を可能としたダイナミック型ＲＡＭを提供する。 - 特許庁

Cell information is referred, and whether the image data read from the DVD-RAM are image data belonging to the static image section or image data belonging to the dynamic image section is decided.例文帳に追加

CELL情報を参照することにより、DVD-RAMから読み出されたピクチャデータが静止画区間に属するピクチャデータであるか動画区間に属するピクチャデータであるかを判定する。 - 特許庁

To optimize gate classifications and oxide-film thickness of MOSFETs constituting each section of a dynamic type RAM or the like in response to the applications of the MOSFETs, and to increase the operating speed of the dynamic RAM containing the MOSFETs and lower the dissipation power of the MOSFETs.例文帳に追加

ダイナミック型ＲＡＭ等の各部を構成するＭＯＳＦＥＴのゲート種別及び酸化膜厚をその用途に応じて最適化し、ＭＯＳＦＥＴを含むダイナミック型ＲＡＭ等の高速化及び低消費電力化を図る。 - 特許庁

A dynamic buffer to be constituted in a RAM 2 consists of one or more buffers and the dynamic buffer stores time-series data to be recorded on the HDD 17 temporarily.例文帳に追加

ＲＡＭ１２内に構成されるダイナミックバッファは、０または１つ以上のバッファから構成され、ＨＤＤ１７に記録する時系列のデータを一時的に記憶する。 - 特許庁

On the basis of features of a video scene detected by a scene feature detection section 421, a γ correction curve is calculated and stored in a dynamic γ correction RAM table 423 and an inverse gradient RAM table 414.例文帳に追加

シーン特徴検出部４２１で検出された映像シーンの特徴を元にγ補正カーブが計算され、ダイナミックγ補正ＲＡＭテーブル４２３と逆勾配ＲＡＭテーブル４１４に記憶される。 - 特許庁

To increase operation speed, to reduce a manufacturing cost, and to reduce power consumption of a dynamic type RAM and the like in which a sub-threshold current reducing system is adopted.例文帳に追加

サブスレッショルド電流低減方式を採るダイナミック型ＲＡＭ等の高速化，低コスト化ならびに低消費電力化を図る。 - 特許庁

To effectively reduce an interference noise generated between adjacent bit lines in one cross (open bit line type) dynamic RAM.例文帳に追加

１交点方式（オープンビット線型）のダイナミック型ＲＡＭにおいて、隣接するビット線間に生じる干渉ノイズを有効に減少させる。 - 特許庁

To provide a double-action mechanical press which is easy in obtaining the dynamic balance, simple in structure, and capable of achieving the machining with high accuracy by maintaining the parallelism of each ram.例文帳に追加

ダイナミックバランスがとり易く構造簡単で各ラムの平行度維持により高精度加工可能な複動機械式プレスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device provided with a dynamic type RAM realizing securement of operation margin and high speed in a low voltage state.例文帳に追加

低電圧での動作マージンの確保と高速化を実現したダイナミック型ｒａｍを備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dynamic RAM (DRAM) device having a vertical transistor and an internal connection strap (ICS) connecting the vertical transistor to a capacitor.例文帳に追加

縦型トランジスタ及びそのトランジスタをキャパシタに接続する内部接続ストラップ（ＩＣＳ）を有するダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a memory control device, a memory control system, a recording device and a memory control method, allowing improvement of latency when accessing a dynamic RAM.例文帳に追加

ダイナミックＲＡＭにアクセスする際のレイテンシーを改善することができるメモリー制御装置、メモリー制御システム、記録装置及びメモリー制御方法を提供する。 - 特許庁

A display part 17 displays a dynamic image of the protein comprising the interpolated continuous three dimensional structure data stored in the RAM 13.例文帳に追加

そして、表示部１７は、ＲＡＭ１３に記憶されている補間されて連続的な立体構造データとなったタンパク質を動画表示する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

To secure a latch margin at the time of converting input data which are fetched by the control of a data strobe signal into a clock signal control in a DDR(double data rate)-SDRAM(synchronous dynamic RAM).例文帳に追加

ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭにおいて、データストローブ信号の制御で取り込んだ入力データをクロック信号制御に変換する際のラッチマージンを確保する。 - 特許庁

The discrete three dimensional structure data stored in the storing part 14 is converted into continuous data capable of providing a dynamic image display and it is stored in a RAM 13 (step S13).例文帳に追加

ここで、記憶部１４に記憶されている離散的な立体構造データを動画表示が可能なような連続的なデータにして、ＲＡＭ１３に記憶する（ステップＳ１３）。 - 特許庁

To reduce a leak current of a cell transistor when high data are written into a memory cell, as to a dynamic RAM adopting a bit line VSS precharge system.例文帳に追加

ビット線ＶＳＳプリチャージ方式を採用するダイナミックＲＡＭであって、メモリセルにハイデータが書き込まれている場合におけるセルトランジスタのリーク電流を低減化する。 - 特許庁

A dynamic type RAM, etc., provided with a lot of banks BNK0- BNKn containing redundant elements for defect relief is provided with a bank- enable register BR in which each of the banks detects more defective elements than the number of redundant elements to be installed and stores the unrelievable and unaccessible state and product-ships the dynamic RAM, etc., as mostly good memories.例文帳に追加

欠陥救済用の冗長素子を含む多数のバンクＢＮＫ０〜ＢＮＫｎを備えるダイナミック型ＲＡＭ等に、各バンクが冗長素子の設置数より多い欠陥素子を検出し、救済不能でアクセス不能状態を記憶するバンクイネーブルレジスタＢＲを設け、該ダイナミック型ＲＡＭ等を、モーストリ・グッド・メモリとして製品出荷する。 - 特許庁

To provide a memory having a contact plug of ruthenium material, and its fabricating method, for improving the contact arrangement between a storage node and a device zone in the dynamic RAM (DRAM) and the ferroelectric RAM (FRAM (trade mark)) of a memory device, for example.例文帳に追加

メモリーデバイスの例えばダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）と強誘電性ＲＡＭ（ＦＲＡＭ（登録商標））における、記憶ノードとデバイスゾーンとの間の接点構成を改良するための、ルテニウム材からなるコンタクトプラグを有するメモリー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After a buffer 25 (26) temporarily stores a signal S3 (S4) read from the DRAM(Dynamic RAM) 23 (24), a line interpolation circuit 30 applies line interpolation to the signals S3, S4.例文帳に追加

ＤＲＡＭ２３および２４から読み出された信号Ｓ３およびＳ４はバッファ２５および２６に一時的に格納された後、ライン補間回路３０によってライン補間処理が施される。 - 特許庁

In a DDRSDRAM(double data rate synchronous dynamic RAM), a mode register 17 which is activated when a signal ϕMA is activated outputs a mode signal MD1-3 according to an address signal ext.A0-j.例文帳に追加

ＤＤＲＳＤＲＡＭにおいて、モードレジスタ１７は、信号φＭＡの活性化時活性化され、アドレス信号ｅｘｔ．Ａ０−ｊに従ってモード信号ＭＤ１−３を出力する。 - 特許庁

To enhance reliability by enhancing power supply margin, particularly stabilizing the rising operation at the time of slow power-up of a dynamic type RAM or the like providing a reference voltage generation circuit including a band gap reference circuit.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路を含む基準電圧発生回路を備えるダイナミック型ＲＡＭ等の電源マージンを高め、特にスローパワーアップ時の立ち上がり動作を安定化して、その信頼性を高める。 - 特許庁

RAM has a fist storage area 91 being a dynamic loading area and the program codes stored for each of the blocks in the flash memory group are exclusively loaded in a first storage area 91.例文帳に追加

そしてＲＡＭは動的ロードエリアである第１の格納領域９１を有しており、第１の格納領域９１にはフラッシュメモリ群にブロック毎に格納されていたプログラムコードが排他的にロードされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure that can limit the increase in the total number of wiring lines even if a functional circuit such as a dynamic RAM (DRAM), etc., and a logic circuit are provided on the same semiconductor substrate..例文帳に追加

ＤＲＡＭ等の機能回路とロジック回路とを同一半導体基板上に混載する場合であれ、その総配線数の増加を抑制可能な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize high-speed operation under the low temperature environment by lowering power consumption during active and standby modes particularly in the high-temperature environment of a dynamic type RAM or the like including a substrate voltage generating circuit.例文帳に追加

基板電圧発生回路を備えるダイナミック型ＲＡＭ等の特に高温環境下におけるアクティブ時及びスタンバイ時の低消費電力化を図り、その特に低温環境下における動作の高速化を図る。 - 特許庁

The terminal device 100 comprises a network connection 101, an acoustic signal processor 102, a ring tone generator 103, a switch control unit 104, a switch 105, a dynamic speaker 106, a receiver 110 for an incoming call, a microphone 111 for an outgoing call, a CPU 112, a ROM 113, and a RAM 114.例文帳に追加

端末装置１００は、網接続部１０１と、音響信号処理部１０２と、呼び出し音発生器１０３と、スイッチ制御部１０４と、スイッチ１０５と、ダイナミックスピーカ１０６と、受話用レシーバ１１０と、送話用マイク１１１と、ＣＰＵ１１２と、ＲＯＭ１１３と、ＲＡＭ１１４とを備える。 - 特許庁

An unlock detecting circuit in a SDRAM(synchronous dynamic RAM)1000 detects whether synchronism of an internal clock signal int.CLK and an external clock signal ext.CLK generated based on an external clock signal ext.CLK inside of the SDRAM 1000 is in a lock state or not.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭ１０００中のアンロック検出回路３０００は、ＳＤＲＡＭ１０００内部で、外部クロック信号ｅｘｔ．ＣＬＫに基づいて生成される内部クロック信号ｉｎｔ．ＣＬＫと外部クロック信号ｅｘｔ．ＣＬＫの同期がロック状態にあるか否かの検出を行なう。 - 特許庁

In a dynamic type RAM or the like which requires a substrate voltage, the substrate voltages RPPB, VCLB and potential of VSSB to be supplied to the substrates of MOSFETP1 to P3 and N1 to N3 are set large and deep in its absolute value under the high temperature environment and are also set small and shallow in its absolute value under the low temperature environment.例文帳に追加

基板電圧を必要とするダイナミック型ＲＡＭ等において、ＭＯＳＦＥＴＰ１〜Ｐ３ならびにＮ１〜Ｎ３の基板部に供給される基板電圧ＶＰＰＢ，ＶＣＬＢならびにＶＳＳＢの電位を、高温環境下ではその絶対値を大きくして深くし、低温環境下ではその絶対値を小さくして浅くする。 - 特許庁