「etch-back」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To easily specify the end point of planarizing processing (etch-back processing).例文帳に追加

平坦化処理（エッチバック処理）の終点を容易に特定する。 - 特許庁

Then, the space provided with the etch back is filled with gate material.例文帳に追加

その後，エッチバックにて設けられたスペースにゲート材を充填する。 - 特許庁

The inter-layer insulating film is thinned by the etch-back of the polysilicon film 33.例文帳に追加

ポリシリコン膜３３のエッチバックにより層間絶縁膜が薄くなる。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVEMENT OF ALUMINUM METALLIZED STRUCTURE FOR TUNGSTEN ETCH BACK PROCESS例文帳に追加

タングステン・エッチ・バック処理のためのアルミニウム金属化組織の改良方法。 - 特許庁

Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5.例文帳に追加

ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。 - 特許庁

Accordingly, if an etch-back is done by wet-etching, a space formed of a projection is produced.例文帳に追加

そのため，ウェットエッチングによるエッチバックを行うと，突起形状をなすスペースが形成される。 - 特許庁

The side surface of the memory gate 115 in contact with the control gate 126 is formed by etch back.例文帳に追加

コントロールゲート１２６と接するメモリーゲート１１５の側面をエッチバックにより形成する。 - 特許庁

The flattening processing is performed by using resist etch-back, the application of spin-on glass and chemical mechanical grinding, etc.例文帳に追加

平坦化処理は、レジストエッチバック、スピンオンガラスの塗布、化学機械研磨などを用いて行う。 - 特許庁

BACK-CHANNEL-ETCH TYPE THIN-FILM TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHODS THEREOF例文帳に追加

バックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法 - 特許庁

Then, the etch back of a part of deposition insulating layer 23 is carried out, so as to secure the space of a gate electrode 22.例文帳に追加

その後，堆積絶縁層２３の一部をエッチバックし，ゲート電極２２のスペースを確保する。 - 特許庁

Next, first side walls 35 are formed on the side walls of the support holes by using an etch back method.例文帳に追加

次に、エッチバック法を用いて、支持体穴の側壁に第１サイドウォール３５を形成する。 - 特許庁

When plasma light emission of Sif produced by the etch-back processing of the transparent film 14 is detected, it is determined that the etch-back processing has reached the end point.例文帳に追加

透明膜１４がエッチバック処理された際に生成されるＳｉＦのプラズマ発光が検出されたら、エッチバック処理が終点に達したと判定する。 - 特許庁

In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.例文帳に追加

しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁

This is applicable to a BCETFT (back channel etch thin film transistor) device and an ESTFT (etch stop thin film transistor) device as well.例文帳に追加

これは、ＢＣＥＴＦＴ（バックチャンネルエッチ型薄膜トランジスタ）デバイスにもＥＳＴＦＴ（エッチストップ型薄膜トランジスタ）デバイスにも応用可能である。 - 特許庁

Film-formation is performed using a material of a sidewall lower electrode 7A, and etch-back is performed, and then a dielectric film 8 and an upper electrode 9 are formed.例文帳に追加

サイドウォール下部電極７Ａの材料を膜形成してエッチバックを行い、その後、誘電体膜８および上部電極９を形成する。 - 特許庁

A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks.例文帳に追加

トラック加工に用いたレジストマスク４の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程（ｄ）を導入する。 - 特許庁

In this case, material with high flowability is used for the first filling material 6 and material with high etch back resistance for the second pad material.例文帳に追加

このとき、第１の埋め込み材料６には流動性の高い材料、第２の埋め込み材料７にはエッチバック耐性の高い材料を用いる。 - 特許庁

To suppress a difference between etching amounts caused at simultaneous etch-back in regions with different pattern coating rates.例文帳に追加

パターン被覆率の異なる領域で同時にエッチバックを行った際に生じるエッチング量の差を抑制する。 - 特許庁

POLYCRYSTAL SILICON CONTACT PLUG FORMING METHOD BY USE OF ETCH-BACK AND MANUFACTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

エッチバックを用いた多結晶シリコンコンタクトプラグ形成方法およびこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

The polysilicon film 15 existing on the outside of the contact hole 4 is then removed by etch back (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、エッチバックにより、コンタクトホール４外に存在するポリシリコン膜１５が除去される（図２（ｂ））。 - 特許庁

On the main surface of the semiconductor substrate 1S which is exposed by the etch-back, a tunnel insulating film 15 is formed.例文帳に追加

エッチバックで露出した半導体基板１Ｓの主面上にトンネル絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

A thin damaged layer 37b on an upper face of a contact plug 37b is formed by means of accelerated ions in an etch-back process.例文帳に追加

コンタクトプラグの上部表面にエッチバック工程時加速化されたイオンにより損傷層が薄く形成される。 - 特許庁

The surface of the organic compound film 2 is exposed by polishing (etch back) through the use of CMP, RIE, etc., (c), and the organic compound film 2 is removed (d).例文帳に追加

ＣＭＰ、ＲＩＥ等により研磨（エッチバック）を行って有機化合物膜２の表面を露出させ（ｃ）、有機化合物膜２を除去する（ｄ）。 - 特許庁

In the first etch back, part of oxide layer corresponding to a first distance is removed and then, a gate conductive material is applied thereon.例文帳に追加

第１のエッチバックは、酸化物層の一部分を第１の距離だけ除去し、次いでその上にゲート導体材料が適用される。 - 特許庁

To provide a structure in which a first metal interconnection is not exposed in an etch-back process for an SOG film, in a process for manufacturing a multi-layer interconnection structure body.例文帳に追加

多層配線構造体の製造工程のＳＯＧ膜のエッチバック工程で、第１の金属配線を露出しない構造とする。 - 特許庁

Thus the second and the third color layers 46, 50 can be simultaneously planarized in one etch-back step.例文帳に追加

これにより、１回のエッチバック工程で第２及び第３の着色層４６，５０を同時に平坦化することができる。 - 特許庁

Thus the second and the third color layers 46 and 50 can be simultaneously planarized by one etch-back step.例文帳に追加

これにより、１回のエッチバック工程で第２及び第３の着色層４６，５０を同時に平坦化することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming element isolation forming element isolation on a semiconductor substrate without the need to provide an etch back process.例文帳に追加

エッチバック工程を設けなくても半導体基板に素子分離を形成することができる素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁

An STI (shallow trench isolation) film 7 is formed in the peripheral regions of a wafer 1 where a TiN/Ti film is exposed in a subsequent etch- back process.例文帳に追加

ウェハ１の周辺領域のうち、後の工程のエッチバック時において、露出するＴｉＮ／Ｔｉ膜領域にＳＴＩ膜７を形成する。 - 特許庁

By forming an oxidized film 13 on the entire surface and performing etch-back, a sidewall oxidized film 13 is formed on the sidewall of an oxidized film hard mask 12.例文帳に追加

全面に酸化膜１３を成膜し、エッチバックを行うことにより、酸化膜ハードマスク１２側壁に、サイドウォール酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an oxide film is filled on a bit line, and further to the oxide film, CMP or etch back is proceeded to the polishing terminating layer.例文帳に追加

続いてビット線の上に酸化膜を充填し、さらに酸化膜に対して研磨終止層までＣＭＰ或いはエッチバックを進行する。 - 特許庁

To accurately control the flatness of pattern surface formed by burying and stacking a metal on a fine recessed pattern and the height of the pattern by etch-back.例文帳に追加

微細な凹部パターンに金属が埋め込まれ堆積されたパターン表面の平坦化と、パターン高さを精度よくエッチバックにより制御する。 - 特許庁

Sequentially, the insulating film 20 is ground by employing an etch back method or a chemical mechanical polishing method until the resistor particle 100b is exposed.例文帳に追加

そして、エッチバック法や化学機械研磨法を用いて、抵抗体粒子１００ｂが露出するまで絶縁膜２０が研削される。 - 特許庁

The SOG film 13 is left behind in a large step region and narrow inter-wiring regions by etch back.例文帳に追加

エッチバックして段差の大きな領域や、配線間の狭い領域にＳＯＧ膜１３を残留させる。 - 特許庁

A pattern of spacer pedestals is created by deposition and etch back, or by a surface etch process to precisely reference surface information from a master surface to a carrier wafer 12 to a thin optically transmissive wafer 14.例文帳に追加

マスタ表面からキャリヤ・ウェーハ１２への表面情報を薄い光透過型ウェーハ１４に正確に引用するために、付着およびエッチ・バックによって、あるいは表面エッチ・プロセスによってスペーサ・ペデスタルのパターンが生成される。 - 特許庁

During a polysilicon etch back, a controlled amount of oxygen (O2) is added to the plasma generation feed gases to reduce pitting of the etched back polysilicon surface.例文帳に追加

ポリシリコンのエッチバック中に、制御された量の酸素（Ｏ_2）がプラズマ発生供給ガスに添加され、エッチバックされたポリシリコン表面のピットが減少する。 - 特許庁

Another method is the one of filling a small recess such as a narrow and deep trench and a small-diameter and deep hole with a copper CVD using a catalyst, and the one of forming a very thin film on an uppermost flat portion so that elimination is performed in preparation for a subsequent step by a dry or wet etch-back or high-temperature plasma etch-back step.例文帳に追加

ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 - 特許庁

A dry-etching gas composition is composed of carbon tetrachloride gas and nitrogen gas, so as to etch back polysilicon and a silicon oxide at the same time at the same rate.例文帳に追加

ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

A first insulation film is formed for forming a side wall on a gate electrode of a semiconductor element formed on a semiconductor substrate, and a side wall is formed by etch back.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子のゲート電極上に、サイドウォールを形成用の第１の絶縁膜を形成して、エッチバックによりサイドウォールを形成する。 - 特許庁

A polysilicon film 160 is formed and whole surface etch back is performed, thereby forming a side wall 142, and transfer electrode 140, 150 with 152.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜１６０を形成し、全面エッチバックを施すことにより、サイドウォール１４２、１５２付の転送電極１４０、１５０を形成する。 - 特許庁

Alternately, a patterned photoresist may be used to allow for an etching process to selectively etch back the thickness of a spacer which was deposited in a single deposition.例文帳に追加

または、単一の被着物（deposition）中に被着されたスペーサーの厚さをエッチングで選択的に削るためのエッチング処理が可能となるように、パターン成形がなされたフォトレジストを用いてもよい。 - 特許庁

The insulating film 3 on the semiconductor substrate 1 is subjected to planarize treatment by using CMP or etch back, and the semiconductor substrate 1 is exposed (Figure (c)).例文帳に追加

そして、半導体基板１上の絶縁膜３をＣＭＰ又はエッチバックにより平坦化処理を施して、半導体基板１を露出させる（図１（ｃ））。 - 特許庁

Subsequently, it is coated with silica 6 for planarization, subjected to etch back for removing the silica, planarized while leaving the silica between lines, thus forming a second insulation film 7.例文帳に追加

その後、平坦化の為にシリカ６を塗布して、エッチバックを行い余分なシリカを除去し、かつ配線間にシリカを残し平坦化を行い、第２の絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

ETCH BACK METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING INORGANIC POLARIZER BY USING THIS METHOD, ETCHING STOP CONTROL DEVICE FOR REALIZING THESE METHODS, AND INORGANIC POLARIZER TO BE MANUFACTURED例文帳に追加

エッチバック方法、それを用いた無機偏光子製造方法及びそれらの方法を実現するエッチング停止制御装置、並びに製造される無機偏光子 - 特許庁

Subsequently, a silicon oxide film 106a is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101 to apply whole surface etch back and form a side wall spacer 106.例文帳に追加

次に、半導体基板１０１の全面にシリコン酸化膜１０６ａを堆積し、全面エッチバックを施してサイドウォールスペーサ１０６を形成する。 - 特許庁