「etch-back」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

This arrangement sufficiently prevents etch-back and excessive protrusion of the glass cloth from the wall surface of the via hole and achieves highly reliable via, particularly, in a small via hole having a top diameter of ≤75 μm.例文帳に追加

かかる構成の採用により、エッチバック現象及びビアホール壁面からのガラスクロスの過大な突出を共に十分に抑制でき、信頼性の高いビアを形成することができ、特に、トップ径７５μｍ以下というような小径のビアホールに対しても高信頼性のビアを形成することができる。 - 特許庁

After a gate electrode or a dummy gate electrode 11 for forming the gate electrode is patterned, an insulation film 29 is deposited, and after the upper part of the gate electrode or the dummy electrode is exposed by an etch-back, a first sidewall 22 is provided there, and successively, gate sidewalls 20, 21 are provided by performing an etching-back.例文帳に追加

ゲート電極またはゲート電極を形成するためのダミーゲート電極１１をパターニング後、絶縁膜２０を堆積し、エッチバックによりゲート電極またはダミーゲート電極の上部を露出させたのち、ここに第一の側壁２２を設け、続いてエッチバックを行うことにより、ゲートサイドウォール２０、２１を設ける。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁

In this cylindrical storage node formation method for the semiconductor device, the loss difference of the cylindrical storage node 26 between the center and edge of the cell area generated by the etch-back process for the separation of the storage node 26 is minimized and fixed electric capacitance is maintained over the entire area of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体装置のシリンダ型ストレージノード形成方法は、ストレージノード２６分離のためのエッチバック工程によって生成するセル領域の中心及びエッジ間のシリンダ型ストレージノード２６の損失差異を最小化して、半導体ウェーハの全体領域上で一定な電気的キャパシタンスを維持する。 - 特許庁

To deposit a film substantially on the same level from an imaging section to a peripheral circuit by reducing stepped portions on a boundary of the imaging section and the peripheral circuit, even if a wiring layer in the peripheral circuit of a solid-state imaging device is multilayered, and to prevent a dielectric breakdown without exposing a wiring pattern during the etch-back of an upper layer film to improve sensitivity characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子の周辺回路部における配線層が多層化した場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくすことで、上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜し、また、上層膜のエッチバック時に配線パターンを露出せずに絶縁破壊を防止し、感度特性を良好にすること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the discrete track medium, a projecting magnetic pattern is formed on a substrate, a non-magnetic body is film-deposited so as to fill a recessed part between the magnetic patterns and an operation for etch-back of the non-magnetic body is repeated twice or more by rotating the substrate in its surface by an angle smaller than one rotation.例文帳に追加

基板上に凸状の磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部を充填するように非磁性体を成膜し、前記非磁性体をエッチバックする操作を、前記基板を面内で１回転未満の角度だけ回転させて２回以上繰り返すことを含むディスクリートトラック媒体の製造方法。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

There is provided the manufacturing method of the magnetic recording medium in which the convex magnetic patterns are formed on a substrate, a film of non-magnetic body is formed on a concave portion between the magnetic patterns or thereon, and etch back is performed using an etching gas including an oxygen while a surface of non-magnetic body is modified.例文帳に追加

基板上に凸状をなす磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部および前記磁性パターン上に非磁性体を成膜し、酸素を含有するエッチングガスを用いて、前記非磁性体の表面を改質しながらエッチバックを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a storage node formation method for a semiconductor device capable of uniformly maintaining capacitor capacitance and improving the reliability of an element by minimizing the loss difference of a conductive film at the center part and peripheral part of a cell area generated by an etch- back process at the time of separation of a storage node 26.例文帳に追加

ストレージノード２６の分離時にエッチバック工程によって発生するセル領域の中央部と周辺部の導電膜が損失差異を最小化させることによって、キャパシタ容量を均一に維持でき、素子の信頼性を向上させることができる半導体装置のストレージノード形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board for an electronic component package and a manufacturing method thereof capable of strengthening the adhesiveness of wire bonding without erosion caused in the conductor of the printed circuit board for the electronic component package, when the lead wirings used for electrolytic plating are removed by an etch back process.例文帳に追加

電解めっきの際に使用するリード配線をエッチバック工程により除去する際に、電子部品パッケージ用のプリント配線板の導体部が浸食されることがなく、ワイヤーボンディングの密着性を強固なものとすることができる電子部品パッケージ用プリント配線板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A silicon based conductive material film 6a is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 10, the portion of the conductive material film 6a above the insulating film 3 is removed and planarized by CMP or etch back using the insulating film 3 as a stopper, and then a mask pattern 7 of resist is formed on the conductive material film 6a and the insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１０全面にシリコン系の導電性材料膜６ａを形成し、絶縁膜３をストッパとしたＣＭＰやエッチバックによって、導電性材料膜６ａの絶縁膜３よりも上の部分を除去して平坦化した後、導電性材料膜６ａ及び絶縁膜３上にレジストのマスクパターン７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by means of steps of patterning the conductor layer 3, depositing a coating material 4 gently along the pattern change of the conductor layer 3, and transferring the profile of the coating material 4 by an etch-back step to make the corner parts of the conductor layer 3 into a round shape or an approximately straight-line shape.例文帳に追加

また、導電体層３をパターニングする工程と、導電体層３の形状変化に緩やかに追従しながら形状変化する被覆材４を被覆形成する工程と、被覆材４の形状をエッチバックにより導電体層３に転写して、導電体層３のコーナー部をラウンド形状又は略直線形状とする工程とを有して、上記半導体装置を製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing the image sensor includes steps of: forming an insulating film on a substrate of a logic circuit region and a pixel region; forming a photoresist pattern having a thickness which changes smaller from the logic circuit region toward the pixel region in boundary portions 330 of the pixel region 310 and the logic circuit region 320; and carrying out etch-back of the insulating film.例文帳に追加

イメージセンサの製造方法は、ロジック回路領域とピクセル領域との基板上に絶縁膜を形成するステップと、ピクセル領域３１０とロジック回路領域３２０との境界部分３３０において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、小さな厚さを有するフォトレジストパターンを形成するステップと、前記絶縁膜をエッチバックするステップとを含む。 - 特許庁

An insulating film sidewall 11a is formed by carrying out etch-back treatment on the sidewall insulating film before the sidewall insulating films 11b, 11c are patterned, and the dimension W of the insulating sidewall 11a in a direction crossing the side face of a gate electrode 9 is equal to thicknesses T of the sidewall insulating films 11b, 11c.例文帳に追加

絶縁膜サイドウォール１１ａはサイドウォール用絶縁膜１１ｂ，１１ｃがパターニングされる前のサイドウォール用絶縁膜に対してエッチバック処理が施されて形成されたものであってゲート電極９側面に直交する方向の寸法Ｗがサイドウォール用絶縁膜１１ｂ，１１ｃの厚みＴと同じである。 - 特許庁

Ion implantation is carried out surrounding gate electrodes 305 to 307 of transistors formed in a pixel 2 to form n^+ regions 426 and 427 functioning as a source region and a drain region, thereafter a first insulating film 35 and a second insulating film 36 functioning as a block film are formed, and a sidewall of a gate electrode having the first insulating film 35 and the second insulating film 36 partly is formed by etch-back.例文帳に追加

画素２に形成されたトランジスタのゲート電極３０５〜３０７の周辺にイオン注入を行うことでソース領域及びドレイン領域として機能するｎ^＋領域４２６、４２７を形成し、その後に、ブロック膜として機能する第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６を成膜し、エッチバックによって第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６をその一部としたゲート電極のサイドウォールを形成する。 - 特許庁