「ferroelectric performance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this way, ferroelectric memory cells exhibiting degraded performance is identified.例文帳に追加

このように、劣化した性能を示す強誘電体メモリセルを識別することが可能である。 - 特許庁

To provide a perovskite type oxide having suppressed cation deficiency, and excellent ferroelectric performance (piezoelectric performance) and having a novel composition.例文帳に追加

カチオン欠陥が抑制され、強誘電性能（圧電性能）に優れた新規な組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a ferroelectric capacitor and its manufacturing method in which a simple structure and the manufacturing method suppress the occurrence of defects of a ferroelectric film, and to reduce a leak current of the ferroelectric capacitor for improving the performance of a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

強誘電体キャパシタをもつ半導体装置及びその製造方法に関し、簡単な構造及び製造方法に依って、強誘電体膜に於ける欠陥の発生を抑止し、強誘電体キャパシタのリーク電流を低減させ、不揮発性半導体記憶装置の性能を向上しようとする。 - 特許庁

To provide a safe and simple remover composition having excellent performance to remove photoresist residue after dry etching of a ferroelectric thin film in a step for manufacturing a ferroelectric memory and having no corrosive action on ferroelectric materials, other wiring materials, insulating films, etc.例文帳に追加

強誘電体メモリ−の製造工程において、強誘電体薄膜のドライエッチング後のフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、かつ強誘電体材料や他の配線材料、絶縁膜等への、腐食性がなく、安全で簡便な剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor which improves fatigue characteristics and is suitable for a high capacity nonvolatile memory cell, a method of efficiently manufacturing the same, and a high-performance semiconductor device having the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

疲労特性が改善し、大容量の不揮発性メモリとして好適な強誘電体キャパシタ及びその効率的な製造方法、並びに、該強誘電体キャパシタを有する高性能な半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a small ferroelectric thin film element which has a superior performance and is easy to process cheaply, a sensor using the same and a method of manufacturing the ferroelectric thin film element.例文帳に追加

小型で優れた性能を有し、かつ、安価で加工が容易な強誘電体薄膜素子およびそれを用いたセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve performance of a ferroelectric memory and improve a manufacturing yield at the same time by realizing a ferroelectric thin film capacitor reduced in the variety of characteristics among memory cells.例文帳に追加

メモリセル間で特性ばらつきの少ない強誘電体薄膜キャパシタを実現して、強誘電体メモリを高性能化すると同時に、製造歩留りを向上させること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric device promoting improvement of crystallinity and performance of a ferroelectric film, to reduce cost, and to simplify a manufacturing process.例文帳に追加

強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに低コスト化を図れ、しかも、製造工程の簡略化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric device promoting improvement of crystallinity and performance of a ferroelectric film, to simplify a manufacturing process, and to reduce cost by increasing the production yield.例文帳に追加

強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに製造工程の簡略化を図れ、且つ、製造歩留まりの向上による低コスト化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abnormality detection circuit which prevents usage of a deteriorated ferroelectric memory by allowing the performance deterioration of a ferroelectric memory, which is caused by application of thermal stress, to be detected whether or not power is supplied.例文帳に追加

電源の供給時及び非供給時に関係なく、熱ストレスの印加による強誘電体メモリの性能劣化を検知可能にして、劣化した強誘電体メモリの使用を防止できる異常検出回路を提供する。 - 特許庁

To provide methods for manufacturing a ferroelectric film and a ferroelectric element, which enable formation of high performance ferroelectric element on any substrate and thus facilitate integration of a ferroelectric element and a semiconductor element; to provide a surface acoustic element using a ferroelectric film or a ferroelectric element manufactured by these methods; and to provide a frequency filter, an oscillator, an electronic circuit, and electronic equipment using the surface acoustic element.例文帳に追加

任意の基板上に高性能な強誘電体素子を形成することができ、これにより強誘電体素子と半導体素子との集積化を容易にした強誘電体膜の製造方法および強誘電体素子の製造方法を提供し、さらにこれら製造方法から得られる強誘電体膜あるいは強誘電体素子を用いた表面弾性波素子、およびこの表面弾性波素子を用いた周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To obtain stable performance by inhibiting the generation of hillock as a bismuth layer-like perovskite structure ferroelectric thin film element.例文帳に追加

ビスマス層状ペロブスカイト構造強誘電体薄膜素子としてヒロックの発生が抑制されて安定した性能が得られることを目的とする。 - 特許庁

To perform a test reflecting imprint affecting data holding performance in a semiconductor memory having a ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリを有する半導体記憶装置において、データ保持性能に影響するインプリントを反映した検査を行う。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory capable of suppressing effect of an adjacent bit line and improving its readout performance.例文帳に追加

隣接ビット線からの影響を抑制し読み出し性能を向上させることができる強誘電体メモリを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a ferroelectric memory which can easily materialize a memory performance as designed.例文帳に追加

設計通りのメモリ性能を容易に実現できる強誘電体メモリを備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The high performance of an arithmetic module is realized by an arithmetic circuit on the basis of a function path gate employing the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

演算モジュールの高性能化は、強誘電体キャパシタを用いた機能パスゲートに基づく演算回路により実現する。 - 特許庁

To provide a technology capable of attaining a high performance ferroelectric capacitor exhibiting good dielectric characteristics while suppressing a leak current.例文帳に追加

誘電体特性が良くリーク電流も少ない高性能な強誘電体キャパシタを得ることが可能となるを提供すること。 - 特許庁

To provide a high performance lead-free ferroelectric memory element which can be mounted directly on an Si substrate.例文帳に追加

高性能でＰｂを含有せず、しかもＳｉ基板上への直接的な実装を可能にした、強誘電体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

Since B^+ atom is a main factor for demonstrating ferroelectric or high dielectric performance, deterioration of the electric property of the ferroelectric film is eliminated in the heat treatment in a reduction atmosphere and the capacity insulating film having the excellent ferroelectric property or high dielectric property can be obtained.例文帳に追加

この水素結合ネットワーク内において、B^+原子が強誘電性あるいは高誘電性を発現させる主要因であるため、還元雰囲気中での熱処理においても強誘電体膜の電気的特性の劣化がなくなり、優れた強誘電体特性および高誘電体特性を有する容量絶縁膜を得ることができる。 - 特許庁

To realize an ink jet head having high reliability by improving breakdown voltage characteristics and a displacing performance by rigidly providing affinity of the electrode and a ferroelectric film in the ink jet head having an actuator using a ferroelectric element.例文帳に追加

強誘電体素子を用いたアクチュエータを備えたインクジェットヘッドにおいて、電極と強誘電体膜の親和性を強固にすることにより、耐電圧特性や変位性能を改善し、高信頼性のインクジェットヘッドを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that prevents the deterioration of the hydrogen diffusion blocking performance of a hydrogen barrier film covering a capacitor caused by an influence of an uneven shape by a plurality of ferroelectric capacitors, and the variation of a polarization characteristic of the ferroelectric capacitor, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor memory device, having high manufacturing yields by realizing a high-performance ferroelectric capacitor, having a high remanence value and little film fatigue.例文帳に追加

高い残留分極値や小さい膜疲労を有する高性能な強誘電体キャパシタを実現し、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

According to this method, the ferroelectric capacitor having a predetermined capacitor performance can be formed with a good yield whereby the mass production of the FeRAM is permitted stably.例文帳に追加

これにより、所定のキャパシタ性能を有する強誘電体キャパシタを歩留まり良く形成することができ、ＦｅＲＡＭが安定的に量産可能になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of more surely preventing performance deterioration of ferroelectric capacitor due to infiltration of moisture or hydrogen and also of avoiding increase in the number of manufacturing procedures, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

水分又は水素の侵入による強誘電体キャパシタの性能劣化をより確実に防止できるとともに、製造工程数の増加を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which performance degradation in a ferroelectric capacitor due to ingress of moisture or hydrogen is prevented without fail, and increase of the number of manufacturing processes can be avoided; and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

水分又は水素の侵入による強誘電体キャパシタの性能劣化をより確実に防止できるとともに、製造工程数の増加を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device with high performance by suppressing occurrence of cracks in the case of crystallizing a ferroelectric film so as to prevent a leakage current of a capacitive element from being increased and the polarization characteristic from being deteriorated.例文帳に追加

強誘電体膜を結晶化する際のクラックの発生を抑え、容量素子にリーク電流の増加及び分極特性の劣化が発生することを防止して、高性能の半導体記憶装置を実現できるようにする。 - 特許庁

An IC (100) is equipped with a compact nonvolatile "ID" memory (110), such as a ferroelectric random access memory (FeRAM), which stores information on the manufacturing, testing, and performance of an IC.例文帳に追加

ＩＣの製造、試験及び性能に関する情報を記憶するＦｅＲＡＭ等の小型の不揮発性「ＩＤ」メモリ（１１０）を備えた集積回路（１００）。 - 特許庁

To provide a ferroelectric liquid crystal element in which a liquid crystal aligning property in an effective region is prevented from deteriorating due to static electricity or deviation of a spontaneous polarization, and in which optical performance is not degraded.例文帳に追加

強誘電性液晶素子において、静電気や自発分極の偏りにより、有効部での液晶の配向性が劣化するのを防ぎ、光学性能を劣化させない強誘電性液晶素子を提供する。 - 特許庁

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。 - 特許庁

Energy is supplied optically and thermally to a microelectromechanical system(MEMS), such as a micromachine, provided with an energy conversion element (transducer) body, using piezoelectric, ferroelectric high-performance material (piezoelectric element and photovoltaic element).例文帳に追加

圧電性、強誘電性の機能性材料（圧電素子及び光起電力素子）を用いたエネルギー変換素子（トランスデューサー）体を具備するマイクロマシン等の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に光及び熱によりエネルギーを供給する。 - 特許庁

To obtain an epitaxial composite structure at least having a crystal structure in which the thin film of a simple perovskite type crystal is epitaxially grown on a fluorite-type crystal so as to form (011) orientation, and useful as a crystalline material for forming an element having a high performance and reliability, and capable of being highly integrated, and further to provide a ferroelectric element and a superconductor element by utilizing the structure.例文帳に追加

少なくともホタル石型結晶上に単純ペロブスカイト型結晶の薄膜が（０１１）配向にエピタキシャル成長している結晶構造を有し、高性能で信頼性が高く、その上高集積化が可能な素子を作製するための結晶材料として有用なエピタキシャル複合構造体並びにこのものを利用した強誘電体素子及び超伝導体素子を提供すること - 特許庁