「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The third identification information stored in the RAM is compared with first identification information stored in an EEPROM (electrically erasable and programmable read-only memory).例文帳に追加

そして、ＲＡＭに記憶された第三の識別情報と、ＥＥＰＲＯＭに記憶された第一の識別情報とを比較する。 - 特許庁

After optimization processing of the first layer equalizer property is performed, equalizer setting information optimized by the optimization processing is stored in a memory 25.例文帳に追加

第１層のイコライザ特性最適化処理の後、前記最適化処理で最適化されたイコライザ設定情報をメモリ２５に記憶させる。 - 特許庁

On the opposite side of the address signal line region RA of the first word line driver region WD1, a memory cell array CA is arranged.例文帳に追加

また、第１のワード線ドライバ領域ＷＤ１のアドレス信号線領域ＲＡとは反対側にメモリセルアレイＣＡが配置されている。 - 特許庁

First well regions W1, W2 and second well regions V1, V2, which are extended in the column direction of a memory cell array, are formed alternately.例文帳に追加

メモリセルアレイの列方向に延びる第１のウエル領域Ｗ_1 、Ｗ__2 及び第２のウエル領域Ｖ_1 、Ｖ_2 が交互に設けられている。 - 特許庁

A CPU 14 is mounted on the first rigid substrate portion 13a, and a high speed memory 15 is mounted on the second rigid substrate portion 13b.例文帳に追加

第１リジット基板部１３ａにはＣＰＵ１４が実装され、第２リジット基板部１３ｂには高速メモリ１５が実装されている。 - 特許庁

The first log storage part 306 is achieved by a memory, and the second log storage part 312 is achieved by a nonvolatile storage device.例文帳に追加

ここで、第１のログ記憶部３０６はメモリにより実現され、第２のログ記憶部３１２は不揮発性の記憶装置により実現される。 - 特許庁

A first selecting section 201 selects a memory 202 for storing reception level information, and outputs the information to the selected memories 202a-202d.例文帳に追加

第１の選択部２０１は、受信レベル情報を格納するメモリ２０２を選択して選択したメモリ２０２ａ〜２０２ｄへ出力する。 - 特許庁

The image conversion processing unit 200 includes: a pixel data conversion section 210; a selector 20; a motion discrimination section 130; and a first frame memory 230.例文帳に追加

画像変換処理ユニット２００は、画素データ変換部２１０、セレクタ２２０、動き判定部１３０、及び、第１フレームメモリ２３０を有する。 - 特許庁

In an electronic control apparatus 40, a first constant "0X00" is written in a prescribed area of a memory 46 in the finished product inspection process.例文帳に追加

電子制御装置４０は、完成品検査工程においてメモリ４６の所定の領域に第１の定数“０Ｘ００”が書込まれる。 - 特許庁

Each of the memory cells is disposed at an intersection of the first wire and the second wire in which a rectifier and a variable resistive element are connected in series.例文帳に追加

メモリセルは、第１配線と第２配線との各交差部に配置され、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなる。 - 特許庁

A first contrast curve A1 for the still image is read out of an ROM (read only memory) and, at the same time, a second contrast curve A2 for the animation is read out.例文帳に追加

ＲＯＭから静止画用の第１のコントラストカーブＡ１を読み出すとともに、動画用の第２のコントラストカーブＡ２を読み出す。 - 特許庁

Accordingly, the second tunnel junction provides a separation (insulation) function for the memory cells after the first tunnel junction is skipped.例文帳に追加

したがって、第２のトンネル接合は、第１のトンネル接合を飛ばした後にメモリ・セルに対する分離（絶縁）機能を提供することとなる。 - 特許庁

A saving circuit 23b saves data used in the first area 31 in the memory 32a before the power supply is stopped.例文帳に追加

退避回路３２ｂは、第１の領域３１において使用されるデータを、電源の供給を停止する前に、メモリ３２ａに退避させる。 - 特許庁

The disclosed part is placed in a memory of the first processing means, and the private part is placed on a secured medium of the second processing means.例文帳に追加

公開部分は第１の処理手段のメモリ内に置き、秘密部分は第２の処理手段の安全化された媒体上に置く。 - 特許庁

When the latest AT mode is the first time one or the second of the two continuous modes, '50' being the number of the games is read from a change mode game number memory 46.例文帳に追加

今回のＡＴモードが１回目又は２連チャン目である場合には、チャンスモードゲーム数メモリ４６からゲーム数「５０」を読み出す。 - 特許庁

Therefore, in this case, the address of "the fifth bits of the first byte" is designated as an address A1 of the memory 3 in which the data D1 should be written.例文帳に追加

従って、この場合は、データＤ１を書き込むべきメモリ３のアドレスＡ１として、「第１バイトの第５ビット」というアドレスを指定する。 - 特許庁

A first event table 50 is referred during playing a game, importance 42 is set in the replay image stored in the memory part 2.例文帳に追加

そして、ゲーム実行中に第１イベントテーブル５０が参照されて、記憶部２に保存されたリプレイ画像に重要度４２が設定される。 - 特許庁

A current limiting circuit is connected to the first wiring and limits a current flowing in the memory cell during the forming operation to a prescribed limit value.例文帳に追加

電流制限回路は、第１配線に接続されフォーミング動作時にメモリセルに流れるセル電流を所定の制限値に制限する。 - 特許庁

The first processing outputs data obtained by adding an error correction code to written data with writing control information from the memory interface circuit.例文帳に追加

第１処理は書込みデータにエラー訂正コードを付加したデータをメモリインタフェース回路から書込み制御情報と共に出力する。 - 特許庁

A signal read out from a first frame memory 23 is supplied to a second multiplier 25, and multiplied with a coefficient K4.例文帳に追加

第１のフレームメモリー２３から読み出された信号は、第２の乗算器２５に供給され、係数Ｋ４との乗算が実行される。 - 特許庁

A first link ID and a second link ID for identifying each link are registered in association in memory means of the system management server.例文帳に追加

システム管理サーバは、それぞれのリンクを識別する第１リンクＩＤと第２リンクＩＤとを対応づけて記憶手段に登録している。 - 特許庁

Then the station N finds the relative relation 315 between the first position of the noninterference section and the transmitting position of its own base station, and stores the relation 315 in a memory section.例文帳に追加

この無干渉区間の最初の位置と、自基地局の送信位置との相対関係（３１５）を求めてメモリ部に記憶する。 - 特許庁

Then, the apparatus registers the sales of the commodity, which is determined as no specified sales pattern is declared, in a first memory region.例文帳に追加

そして、特定の販売形態が宣言されていないと判断された商品の売上を第１のメモリ領域に登録処理する。 - 特許庁

First, your boot loader will load the kernel image you have defined in the boot loader configuration into memory after which it tells the CPU to run the kernel.例文帳に追加

最初に、ブートローダが、ブートローダの設定で指定されたカーネルイメージをメモリにロードし、その後、カーネルを実行するようにCPUに命じます。 - Gentoo Linux

A memory device (10) includes a data layer (12) having a magnetization that can be oriented in first and second directions, and a synthetic ferrimagnet reference layer.例文帳に追加

メモリ素子(10)は、第１及び第２の方向に向けられ得る磁化を有するデータ層(12)と、合成フェリ磁性体基準層とを含む。 - 特許庁

The first storage device holds cache resident information in the second storage device that is the external storage device in a shared memory.例文帳に追加

第１ストレージ装置は、外部ストレージ装置である第２ストレージ装置におけるキャッシュ常駐化情報を共有メモリに保持しておく。 - 特許庁

An operation control circuit simultaneously refreshes the first and second memory cells in response to a refresh control signal in a low power consumption mode.例文帳に追加

動作制御回路は、低消費電力モード中に、リフレッシュ制御信号に応答して、第１および第２メモリセルを同時にリフレッシュする。 - 特許庁

At that time, increment of programming voltage is set to first voltage until threshold voltage of the all memory cells to be programmed reach the initial value.例文帳に追加

この際、プログラムする全てのメモリセルの閾値電圧が初期値に達するまで、プログラム電圧の増分は第１電圧に設定される。 - 特許庁

When performing push-in operation so as to extract a memory card 21, the first displacement member 32 is pushed down to turn on a microswitch 33.例文帳に追加

メモリーカード２１を抜き取るために押し込み操作を行うと、第１変位部材３２が押し倒されて、マイクロスイッチ３３がオンする。 - 特許庁

A block extraction part 102 extracts image data per macro block pair from a frame memory 101 and outputs the extracted image data to a first buffer 103.例文帳に追加

ブロック抽出部１０２はフレームメモリ１０１からマクロブロック・ペア単位で画像データを抽出し、第１のバッファ１０３へ出力する。 - 特許庁

The memory cell array is divided in the second direction B and has a plurality of sectors 0, 1, etc., having their lengths in the first direction A.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域は、第２の方向Ｂで分割され、第１の方向Ａを長手方向とする複数のセクタ０，１，…を有する。 - 特許庁

A wiring formed on an FPC18 includes a first wiring 28 and second wiring 29 both containing shape memory alloy that are laminated.例文帳に追加

ＦＰＣ１８に形成された配線は、形状記憶合金を含む第１の配線２８と、第２の配線２９が積層されている。 - 特許庁

An authentication part 241 compares a user's fingerprint acquired by an authentication information acquisition device 210 with comparing information stored in a first memory 220.例文帳に追加

認証部241は、認証情報取得装置210に取得されたユーザの指紋と、第１メモリ220に格納された比較情報とを比較する。 - 特許庁

Each one end of a plurality of wire-like driving bodies 3 formed from the shape memory alloy is connected to the first electrode 1.例文帳に追加

第１の電極１にはそれぞれ形状記憶合金からなるワイヤ状の複数の駆動体３の各一端が結合されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 131 which is the first layer to cover the memory cell 11 is constituted of a film containing a getter substance for mobile ions.例文帳に追加

メモリセル部１１上を覆う第１層目の層間絶縁膜１３１は、可動イオンのゲッター物質を含む膜で構成されている。 - 特許庁

A first interlayer insulation film 10 is formed on a flash memory cell formed in a storage element region on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上の記憶素子領域形成されたフラッシュメモリセル上に第１の層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

In the first step S1, a system controller in an AIT(Advanced Intelligent Tape) drive 10 reads the setmark value m of an MIC(Memory in Cassette) provided in a tape cassette.例文帳に追加

ＡＩＴドライブ１０内のシステムコントローラは、最初のステップＳ１において、テープカセットに設けられているＭＩＣのSetmark値ｍを読む。 - 特許庁

The addressing circuit (250) has a first set of address lines (116) and a second set of address lines (126) for addressing the crosspoint memory array (25).例文帳に追加

アドレス指定回路(250)は、クロスポイントメモリアレイ(25)をアドレス指定するための第１の組のアドレスライン(116)と第２の組のアドレスライン(126)を有する。 - 特許庁

A phase change memory element comprises a semiconductor substrate of first conduction type, and a plurality of wordlines arranged on the semiconductor substrate.例文帳に追加

相変移記憶素子は、第１導電型の半導体基板及び前記半導体基板上に配置された複数のワードラインを備える。 - 特許庁

A semiconductor non-volatile memory device includes a substrate S, a first electrode 2, a function film 10, and second electrodes 50.例文帳に追加

実施形態の半導体不揮発性記憶装置は、基体Ｓと、第１の電極２と、機能膜１０と、第２の電極５０と、を持つ。 - 特許庁

A data buffer of the memory controller receives first program data with a size smaller than a size of a page buffer from a system and it stores the received data.例文帳に追加

メモリコントローラのデータバッファは、ページバッファのサイズより小さい第１プログラムデータをシステムから受信し、受信したデータを保持する。 - 特許庁

A temporary storage memory 133 records a first and second shooting images and an object image creation part 121 creates an object image.例文帳に追加

一時記憶メモリ１３３は第１及び第２の撮影画像を記録し、オブジェクト画像生成部１２１はオブジェクト画像を生成する。 - 特許庁

The moving picture photographing apparatus first identifies whether or not overwritten image data are included in image data written on a memory card when shifting to a reproduction mode.例文帳に追加

再生モードに移行すると先ずメモリカードに書き込まれた画像データに上書き画像データが含まれているか否かを識別する。 - 特許庁

Then, a through-image of the object is displayed and simultaneously the generated image files are sequentially recorded in a memory card 12 from the first sheet.例文帳に追加

そして、被写体のスルー画像表示を行うと同時に生成した画像ファイルを１枚目から順にメモリ・カード１２に記録する。 - 特許庁

When a flaw is detected in the first inspection of the photomask 110, the location of the flaw is stored in a flaw data memory part 117.例文帳に追加

１回目のフォトマスク１１０の検査において欠陥が検出されると欠陥の位置が欠陥情報記憶部１１７に記憶される。 - 特許庁