「focused ion-beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

FOCUSED ION BEAM PROCESSING METHOD, AND PREPARATION METHOD OF TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE SAMPLE USING IT例文帳に追加

集束イオンビーム加工方法およびそれを用いた透過型電子顕微鏡試料の作製方法 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of reducing contamination of a blanking electrode.例文帳に追加

ブランキング電極のコンタミを低減できる集束イオンビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

To precisely control etching depth when etching by a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームによりエッチングする際に精度良くエッチング深さを制御する。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING DEFECT IN PHOTOMASK USING FOCUSED ION BEAM MICROFABRICATION DEVICE例文帳に追加

集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの欠陥修正方法 - 特許庁

An incidence angle of the focused ion beam is favorable to angle of 70 to 110 degree to a perpendicular of the cone.例文帳に追加

集束イオンビームの入射角は、錐体の垂線に対して、70〜110度の角度が好ましい。 - 特許庁

SAMPLE STAGE FOR FOCUSED ION BEAM DEVICE AND METHOD FOR FORMING LAMINA SAMPLE例文帳に追加

集束イオンビーム装置用試料ステージ及び薄片試料の形成方法 - 特許庁

To determine easily a timing for stopping processing of a sample that uses a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いた試料の加工を止めるタイミングを容易に判定する。 - 特許庁

To work plural samples in a short period of time by using a focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム装置を用いて複数の試料を短時間で加工するようにする。 - 特許庁

The strength of the weak coupling can be controlled by the strength of the irradiation of the focused ion beam.例文帳に追加

弱結合の強さは照射する集束イオンビームの強度によって制御することができる。 - 特許庁

FOCUSED ION-BEAM DEVICE AND PROCESSING-POSITION SETTING METHOD THEREOF例文帳に追加

集束イオンビーム装置及び集束イオンビーム装置の加工位置設定方法 - 特許庁

PROCESSING METHOD OF NEEDLE-LIKE SAMPLE FOR ATOM PROBE, AND FOCUSED ION BEAM APPARATUS例文帳に追加

アトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置 - 特許庁

FOCUSED ION BEAM DEVICE FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE SAMPLE PROCESSING EQUIPPED WITH WRITING FUNCTION BY CODING RELEVANT INFORMATION例文帳に追加

関連情報をコード化して書き込む機能を備えたＴＥＭ試料加工用集束イオンビーム装置 - 特許庁

FOCUSED ION BEAM DEVICE, SAMPLE CROSS SECTION MANUFACTURING METHOD, AND FLAKE SAMPLE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

集束イオンビーム装置ならびにそれを用いた試料断面作製方法および薄片試料作製方法 - 特許庁

FOCUSED ION BEAM DEVICE, AND SAMPLE PROCESSING METHOD AND PROGRAM USING THE SAME例文帳に追加

集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラム - 特許庁

FOCUSED ION BEAM DEVICE, METHOD OF CONTROLLING IT, AND METHOD OF DETECTING CONTACT例文帳に追加

集束イオンビーム装置，集束イオンビーム装置の制御方法及び接触検出方法 - 特許庁

This device is provided with a focused ion beam device 21, a vacuum evaporation system 33 and a transportation mechanism chamber 47.例文帳に追加

集束イオンビーム装置２１と真空蒸着装置３３と搬送機構室４７を備えている。 - 特許庁

Then a FIB (Focused Ion Beam) processing is performed for the thin film layer of PLLA (processing step).例文帳に追加

その後、このＰＬＬＡ薄膜層に対してＦＩＢ加工を行う（加工工程）。 - 特許庁

This focused ion beam device has a heater 12 within a gas supply control valve 9.例文帳に追加

ガス供給コントロール用バルブ９の中に加熱用ヒータ１２を設ける。 - 特許庁

This focused ion beam device has a means for imperfectly blocking up a gas flow within a gas inlet pipe 7.例文帳に追加

ガス導入管７中にガスの流れを不完全に妨げる手段を設ける。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device making the best use of a lens optical system of an acceleration type object lens without sacrificing the life of the device.例文帳に追加

装置寿命を犠牲にせず、加速型対物レンズのレンズ光学系の利点を活かす。 - 特許庁

A focused ion beam(FIB) is given to a forming body of a semiconductor device to be treated 1710.例文帳に追加

本発明によれば、処理すべき半導体装置の構成体へフォーカストイオンビームを付与する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device which is capable of emitting a focused ion beam having a small beam diameter even if an acceleration voltage is reduced.例文帳に追加

加速電圧を小さくしてもビーム径の小さい集束イオンビームを照射可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of converging the beam diameter to a desired value using a gas ion source as an ion source and capable of responding to wide applications of same level as in the case using a Ga liquid metal ion source as the ion source.例文帳に追加

イオン源としてガスイオン源を用いていながら、ビーム径を所望値にまで絞ることができ、イオン源としてＧａ液体金属イオン源を用いた場合と同程度の幅広いアプリケーションに対応できる。 - 特許庁

While executing etching work by scanning and irradiating the vicinity of a sample cross section region with a focused ion beam 1, secondary ions 2 generated by the irradiation of the focused ion beam 1 are detected.例文帳に追加

試料断面領域近傍に集束イオンビーム１を走査照射してエッチング加工しながら、集束イオンビーム１を照射することにより発生する二次電子２を検出する。 - 特許庁

The focused ion beam device is provided with a plasma type gas ion source to generate ion beams and an ion optical system to concentrate ion beams generated from the plasma gas ion source on a test piece.例文帳に追加

イオンビームを発生させるプラズマ型ガスイオン源と、プラズマ型ガスイオン源から発生したイオンビームを試料上に集結させるイオン光学系を備えた集束イオンビーム装置である。 - 特許庁

A focused ion beam IB is irradiated on a penetrated hole part 16 to form a drawing hole on a drawing base plate 2a by an operation of an ion etching.例文帳に追加

集束したイオンビームＩＢを穿孔部１６に照射し、イオンエッチングの作用により絞り基体２ａに絞り孔を形成する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of performing ion irradiation by removing neutral particles.例文帳に追加

本発明は集束イオンビーム装置に関し、中性粒子を除去してイオン照射が可能なようにした集束イオンビーム装置に関する。 - 特許庁

2-LENS OPTICAL SYSTEM SCANNING TYPE ABERRATION CORRECTED FOCUSED ION BEAM DEVICE, 3-LENS OPTICAL SYSTEM SCANNING TYPE ABERRATION CORRECTED FOCUSED ION BEAM DEVICE, AND 2-LENS OPTICAL SYSTEM PROJECTION TYPE ABERRATION CORRECTED ION LITHOGRAPHY DEVICE AS WELL AS 3-LENS OPTICAL SYSTEM PROJECTION TYPE ABERRATION CORRECTED ION LITHOGRAPHY DEVICE例文帳に追加

２レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び３レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び２レンズ光学系投影型収差補正イオン・リソグラフィー装置並びに３レンズ光学系投影型収差補正イオン・リソグラフィー装置 - 特許庁

Moreover, a region where a beam is actually irradiated is displayed on the screen superposed with focused ion beam scan image.例文帳に追加

また、実際にビームが照射される領域を集束イオンビーム走査像と重畳して画面上に表示して加工する。 - 特許庁

When moving an observation position while watching an observation image, one sample stage 2 is moved in a direction corresponding to respective coordinate systems of a focused ion beam image-displaying section and an electron beam image-displaying section with respect to the moving direction of the sample stage 2 specified by the respective coordinate systems of the focused ion beam image-displaying section and the electron beam image-displaying section.例文帳に追加

観察像を見て観察位置を動かす際、集束イオンビームと電子ビームの像表示部のそれぞれの座標系で指定した試料ステージ２の移動方向に対して、一つの試料ステージ２をそれぞれの座標系に対応した方向に移動する。 - 特許庁

In the minute part analyzer using the focused ion beam, Ga whose ion kind is Ga is poured on a surface of a sample 4 by pre-radiating Ga focused ion beam 3 to make it a reference element for measuring a surface temperature of the sample 4, and the temperature of the minute part on the surface of the sample 4 during analysis is determined.例文帳に追加

集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、イオン種がGaのGa集束イオンビーム３の前照射によって試料４の表面に注入されたGaを、試料４の表面温度の測定のための参照元素とし、分析時の試料４の表面の微細部位の温度を決定する。 - 特許庁

To provide a charged particle source for a focused particle beam system such as a transmission electron microscope (TEM), scanning transmission electron microscope (STEM), scanning electron microscope (SEM), or focused ion beam (FIB) system.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムなどの集束粒子ビーム・システム用の荷電粒子源を提供すること。 - 特許庁

This photoemission electron microscope is equipped with an ion source or an electron beam source for marking by irradiating a focused ion beam or an electron beam to a part close to an observation portion on the sample surface.例文帳に追加

収束イオンビームまたは電子ビームを試料表面の観察部位の直近に照射してマーキングするためのイオン源または電子線源を備えたことを特徴とする光電子顕微鏡。 - 特許庁

In this focused ion beam device, an ion beam is deflected by a deflector 5 provided closer to the ionization source side than an electrostatic type objective lens and the sample, and the beam is made incident on the sample obliquely.例文帳に追加

集束イオンビーム装置において、静電型対物レンズ及び試料よりもイオン源側に設けられた偏向器５によりイオンビームを偏向させ、イオンビームを試料に傾斜させて入射させる。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device and an FIB (focused ion beam) device excellent in performance by reducing an influence on an ion beam by a noise component included in an electrostatic deflection power source.例文帳に追加

静電偏向電源に乗っているノイズ成分によるイオンビームへの影響を軽減して、性能のよい荷電粒子ビーム装置およびＦＩＢ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a constitution method as a composite charged particle beam device capable of preparing a TEM (Transmission Electron Microscope) sample efficiently by using a gas ion beam device, an FIB (Focused Ion Beam) and a SEM (Scanning Electron Microscope).例文帳に追加

気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。 - 特許庁

The preparation of cross-section specimens using focused ion beam milling is outlined in the present article. 例文帳に追加

集束イオンビーム・ミリングを使った断面試料の作製は、今回の論文でその概要が述べられる。 - 科学技術論文動詞集

In the focused ion beam system, gases such as iodine or xenon difluoride are used to assist the milling of metals and insulators. 例文帳に追加

集束イオンビーム装置では、ヨウ素または二弗化キセノンなどのガスが金属や絶縁体のミリングを(補助的に)促進するために使われる。 - 科学技術論文動詞集

The focused ion beam equipment has been widely accepted as a powerful tool in the observation of cross sections of semiconductor devices. 例文帳に追加

集束イオンビーム装置は、半導体デバイスの断面の観察における強力なツールとして広く受け入れられてきた。 - 科学技術論文動詞集

TEM SAMPLE WITH IDENTIFICATION FUNCTION, TEM SAMPLE-PROCESSING FOCUSED ION BEAM DEVICE AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE例文帳に追加

識別機能を備えたＴＥＭ試料及びＴＥＭ試料加工用集束イオンビーム装置並びに透過型電子顕微鏡 - 特許庁

COMMON SAMPLE HOLDER FOR SCANNING ELECTRON MICROSCOPE AND FOCUSED-ION BEAM DEVICE, AND SAMPLE-PREPARATION METHOD FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE例文帳に追加

走査型電子顕微鏡と集束イオンビーム装置との共用試料ホルダー及び透過型電子顕微鏡用の試料作製方法 - 特許庁

Prior to the removal of the next layer, focused ion beam sputtering with oxygen-containing gas smoothes the base of a trench.例文帳に追加

次の層を取り除く前に、酸素含有ガスと共に集束イオンビームスパッタリングを用いて、トレンチ底面を平滑にする。 - 特許庁

APPARATUS WITH COAXIAL BARREL OF FOCUSED-ION BEAM AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPE, AND METHOD FOR IMAGE FORMING AND PROCESSING例文帳に追加

集束イオンビームと走査型電子顕微鏡との同軸鏡筒を備えた装置並びに像形成及び処理方法 - 特許庁

FIB equipment cuts copper wiring 19 formed on a semiconductor substrate 18 by the processing of a focused ion beam.例文帳に追加

ＦＩＢ装置は、半導体基板１８に形成されている銅配線１９を集束イオンビームの加工により切断する。 - 特許庁

After forming respective yokes 1, 2 on the slider 3, grooves 4a-4c are formed by focused ion beam processing from the surface of the slider 3.例文帳に追加

スライダ３に各ヨーク１、２を形成した後に、スライダ３の面から集束イオンビーム加工することにより溝４ａ〜４ｃを形成する。 - 特許庁