「focused ion-beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for igniting plasma in a focused ion beam system in which the inductively coupled plasma ion source is biased to a high dc voltage.例文帳に追加

誘導結合プラズマイオン源が高ｄｃ電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means and a method for cooling a plasma chamber and a means and a method for preventing abnormal discharge between the plasma chamber and a grounding potential in an inductive coupled plasma ion source to be used for a focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム装置に用いられる誘導結合型プラズマイオン源において、プラズマ室を冷却する手段と方法、並びにプラズマ室と接地電位の間の異常放電を防止する手段と方法を提供する。 - 特許庁

The common sample holder for a scanning electron microscope device and a focused ion beam device is set mountable on a scanning electron microscope device with an electron beam backscatter pattern measurement function and on a focused-ion beam device with a microsampling function, and enables a crystal orientation analysis and microsampling, without having to remount a sample.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡装置と集束イオンビーム装置との共用試料ホルダーは、電子線後方散乱パターン計測機能を有した走査型電子顕微鏡装置と、マイクロサンプリング機能を装備した集束イオンビーム装置とに装着可能で、試料の載せ替え作業をせずに結晶方位解析とマイクロサンプリング加工が可能であることを特徴とする。 - 特許庁

The extracted residue is removed by physical removal by an AFM probe, electron beam gas assist etching, or focused ion beam gas assist etching to make the mold reusable.例文帳に追加

抽出された残渣をAFM探針による物理的な除去または電子ビームガスアシストエッチングまたは集束イオンビームガスアシストエッチングで除去してモールドを再利用可能にする。 - 特許庁

To enable a scanning capacitance microscope dopant profile measurement or an electron beam holography dopant profile measurement for a cross section of a thin piece cut from a desired region in a semiconductor device by a focused ion beam apparatus.例文帳に追加

半導体デバイスの所望領域から集束イオンビーム装置で切り出した薄片の断面の、走査キャパシタンス顕微鏡ドーパントプロファイル測定もしくは電子線ホログラフィードーパントプロファイル測定を可能にする。 - 特許庁

To form a narrower slit than a conventional one by a focused ion beam process (FIB) and to suppress change of quality at a beam irradiation part, without using a mask pattern or the like.例文帳に追加

マスクパターン等を用いることなく、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で従来よりも幅が狭い間隙を形成するとともに、ビーム照射部位の改質を抑制する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam apparatus and a focused ion beam apparatus, capable of lowering a charged particle accelerating voltage, while suppressing a decrease in precision and efficiency of processing due to charged particle beams.例文帳に追加

荷電粒子ビームによる加工精度、及び加工効率の低下を抑制しつつ、荷電粒子の加速電圧を下げることができる荷電粒子線装置及び集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

The thickness and radius of the coil spring 3 formed by a focused ion beam-induced chemical vapor growth method is controlled by controlling the raw material gas pressure or beam current to be supplied, or scanning direction and speed to have an appropriate spring constant.例文帳に追加

適切なバネ定数になるように、供給する原料ガス圧やビーム電流や走査方向・速度を制御して集束イオンビーム誘起化学気相成長で作製するコイルバネ3の太さ及び半径を制御する。 - 特許庁

In this method, a detection part is processed and formed on a thermal link having a membrane structure, and then the membrane is processed directly without a mask by using a focused ion beam, an electron beam, a laser or the like.例文帳に追加

メンブレン構造を持つ熱リンクの上に、検出部を加工、形成した後、集束イオンビーム、電子線、レーザーなどを用いて、メンブレンをマスクなしで直接加工する。 - 特許庁

To allow a sample stage to operate with good operability without any erroneous operations in a composite charged-particle processing and observation apparatus having a focused ion beam lens tube and an electron beam lens tube that are arranged orthogonal to each other.例文帳に追加

それぞれ直交に配置された集束イオンビーム鏡筒と電子ビーム鏡筒を有する複合荷電粒子加工観察装置において、試料ステージを、誤操作なく操作性の良い動作をさせる。 - 特許庁

A beam such as a focused ion beam is used to form a groove around the sample by slitting two or more times so as to overlap, and subsequently, the lower side of the sample, is cut to separate the sample.例文帳に追加

集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。 - 特許庁

When the measured electrical resistance value reaches a reference value after alternately repeating the ion beam machining step and electrical resistance measuring step, a controller 20 discriminates that the wiring 4 of the sample 3 has been disconnected and terminates the focused ion beam machining, by continuously causing the ion beam 2 to be deflected to a Faraday cup 8 side by controlling the ion optical device 1.例文帳に追加

イオンビーム加工工程と電気抵抗測定工程とを交互に繰り返し、測定した電気抵抗値が基準値に到達したら試料が断線したと判断し、制御装置２０がイオン光学装置１を制御して、イオンビーム２をファラデーカップ８側に偏向させ続け集束イオンビーム加工を終了する。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes using the focused ion beam comprises a step to prepare a substrate 10, a step where ions 12 in the focused ion beam cave into the surface of the substrate 10 and a step to grow carbon nanotubes 14 on the scanned substrate 10.例文帳に追加

基板１０を準備する工程と、集束イオンビームを利用して、集束イオンビームに含まれたイオン１２が基板１０の表面に陥没される工程と、スキャンされた基板１０上に炭素ナノチューブ１４を成長させる工程と、を含む集束イオンビームを利用した炭素ナノチューブの製造方法である。 - 特許庁

To provide focused ion beam system provided with a charge neutralizer, which can quickly and exactly attain neutralization operation to forms of broader-area charging and local charge intermingled in a sample, in the focused ion beam system provided with the charge neutralizer, which has the function of neutralizing charging.例文帳に追加

本発明の目的課題は、帯電を中和させる機能を有するチャージニュートライザを備えた集束イオンビーム装置において、試料中に混在する広域帯電と局部帯電の形態に対して迅速的確に中和動作が達成できるチャージニュートライザを備えた集束イオンビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

In the focused ion beam machining device, the probe is provided which has a long life and can be shape processed in accordance with the purpose of an extracted sample in the focused ion beam machining device by forming the tip of the probe device 9 for manipulating a sample 7 into a multi-step thin wire probe 11, and the method of manufacturing the probe is provided.例文帳に追加

集束イオンビーム加工装置において、試料７をマニピュレート操作するためのプローブ装置９の先端を多段の細線プローブ１１とすることで、長寿命化、並びに集束イオンビーム加工装置内での抽出試料目的に合わせた形状加工ができるプローブと製造方法を提供する。 - 特許庁

The method has a cross section exposing process for exposing a cross section of a sample by irradiating the sample Wa, formed by laminating the organic insulating film and another insulating film, with a focused ion beam 20A; and a cross section treating process for treating so that each film on the cross section can be discriminated by irradiating with the focused ion beam, while supplying water or steam to the cross section.例文帳に追加

有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 - 特許庁

To arrange an electron microscope and a sample so that the distance therebetween is optimum, in a device which prepares a thin sample by focused ion beam for use in observation by a transmission electron microscope (TEM) and removes a damaged layer on the sample surface using a gaseous ion beam at a low acceleration voltage.例文帳に追加

集束イオンビームでＴＥＭ観察用の薄片化試料を作製し、低加速電圧の気体イオンビームで試料表面のダメージ層を除去する装置において、電子顕微鏡と試料とを最適な距離に配置すること。 - 特許庁

Yield of a secondary Ga ion emitted from the sample 4 is measured by pre-radiating the fixed amount of Ga focused ion beam 3 to the sample 4 at every appropriate surface temperature of the sample 4 in advance to obtain a relation of the yield of the secondary Ga ion with the surface temperature of the sample 4.例文帳に追加

予め適当な試料４の表面温度毎にGa集束イオンビーム３を一定量試料４に前照射することにより試料４から放出された２次Gaイオンの収量を測定して、試料４の表面温度に対する２次Gaイオンの収量の関係を得る。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system 31 and an electron beam optical system 41 in an identical vacuum device, and a probe 72 that separates a minute sample containing a desired area of the wafer 21 by a charged particle beam type molding process and takes out the separated minute sample.例文帳に追加

同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 - 特許庁

When too high transmittance is obtained in the correction of a white defect by depositing an electron beam CVD film 6 of tetramethoxysilane in a halftone phase shift mask, a focused ion beam CVD film or an electron beam CVD film using a carbon-based source gas having low transmittance is further deposited to control the transmittance.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクのテトラメトキシシランの電子ビームCVD膜６の白欠陥修正で透過率が高すぎる場合には透過率の低い炭素系の原料ガスを用いた集束イオンビームCVD膜または電子ビームCVD膜を積層して透過率を調整する。 - 特許庁

To improve decrease in transmittance of a photomask due to gallium injection by removing the gallium injected into a glass substrate for correcting a photomask defect by a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームによるフォトマスク欠陥修正でガラス基板に注入されたガリウムを除去してガリウム注入によるフォトマスクの透過率低下を改善する。 - 特許庁

By scanning the substrate using the focused ion beam carbon nanotubes 14 can be grown selectively on the fine part of the substrate 10 and diversified patterns can also be easily realized.例文帳に追加

集束イオンビームを利用して基板をスキャンすることによって、ナノレベルで基板１０の微細部位に選択的に炭素ナノチューブ１４を成長させることが可能なだけでなく、多様なパターンを容易に具現できる。 - 特許庁

To apply thin film processing by the other pre-processing method on a sample processed by a focused ion beam processing method or the like, and to observe and analyze it as it is by an electron microscope.例文帳に追加

本発明の目的は、集束イオンビーム加工法などにより加工した試料をさらに他の前処理法で薄膜加工し、そのまま電子顕微鏡により観察および分析することにある。 - 特許庁

An electrode of the 4PAFM probe is constituted by manufacturing three slits on a chip of a cantilever using a focused ion beam system (FIB).例文帳に追加

４ＰＡＦＭのプローブの電極は、集束イオンビームシステム（ＦＩＢ）を用いたカンチレバーのチップ上に、３つのスリットを作製することにより構成されている。 - 特許庁

To solve the problems caused by charge-up at the correction of the defects of an isolated pattern, in a photomask that uses a focused ion beam microfabrication device.例文帳に追加

集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。 - 特許庁

The substrate is a silicon wafer on which an integrated circuit is manufactured thereon, and the substrate further includes a trench cut by a focused ion beam, in order to expose a partial section of the integrated circuit.例文帳に追加

この基板は、その上に集積回路が製造されたシリコン・ウェーハとし、この基板はさらに、集積回路の一部分の断面を露出させるために集束イオン・ビームによって切削されたトレンチを含む。 - 特許庁

The sample production device achieves sample production suitable for observation by a scanning electron microscope, by forming a micro irregularity every structure by focused ion beam assistant etching using assist gas for increasing the spatter yield difference for every material.例文帳に追加

材料毎のスパッタイールド差を大きくするアシストガスを利用した集束イオンビームアシストエッチングにより、構造毎の微小凹凸を形成することで、走査電子顕微鏡観察に適した試料作製を実現する。 - 特許庁

To provide a sample preparation method for a microsampling operation using a focused ion beam, which prevents substances sputtered by and which prevents sample processing from adhering to a sample surface.例文帳に追加

集束イオンビームを用いたマイクロサンプリングにおいて、試料加工の妨げとなる、スパッタリングされた物質の試料表面への付着を防止する試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

The wiring patterns of the semiconductor integrated circuit are corrected by a focused ion beam unit and regulated so as to obtain the input clock signals CLKI of the same phase from the circuits 36-o and 36-n.例文帳に追加

この半導体集積回路の配線パターンを、集束イオンビーム装置で修正し、各タイミング調整回路３６−０〜３６−ｎから同一位相の内部入力クロック信号ＣＬＫＩが得られるように調整する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of performing processing that allows an original image to be reproduced even if a processed range image including a plurality of pixels is deformed.例文帳に追加

ピクセルを複数含む加工領域画像を変形しても、もとの画像を再現した加工を行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

To analyze impurity identification using a focused ion beam, element analysis, composition, crystallinity, and surface boundary state in a minute region of nano-meter order.例文帳に追加

集束イオンビームを利用した不純物同定、元素分析、組成、結晶性、表面界面状態をナノメートルオーダーの微小領域で分析可能とする。 - 特許庁

Five round holes 50a-50e are formed, by using a focused ion beam(FIB) working device in an electrode opening 40, formed on the upper face of an upper multilayer reflecting film 22 worked like a post.例文帳に追加

ポスト状に加工した上部多層反射膜２２の上面に形成された電極開口部４０内に集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工装置を用いて、５つの丸い孔５０ａ〜５０ｅを形成する。 - 特許庁

A glass probe, whose tip has a curved face, is mounted on a driving mechanism 19, and the manipulator consisting of the probe and the driving mechanism 19 is mounted on a processing chamber 15 for focused ion beam.例文帳に追加

先端が曲面状のガラス製プローブを駆動機構１９に取り付け、プローブと駆動機構１９から成るマニピュレータを集束イオンビームの加工室１５に取り付ける。 - 特許庁

After that, the blank 5 is sharpened by the focused ion beam (FIB) process, and a sharp edge (cutting blade edge) 9 with an atomically sharp edge cutting blade is produced.例文帳に追加

その後、ブランク５を集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工により尖鋭にして原子的に鋭利な切刃端を持つ新しいシャープエッジ（切刃端）９を生成する。 - 特許庁

When electrically conducting a stage 12 and etching a fixed sample 2 by the focused ion beam, etching current is measured by a microammeter 13 arranged between ground and the stage 12.例文帳に追加

ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。 - 特許庁

After an aerial wiring 7 of a metal deposited film is by focused ion beam (FIB) CVD formed between isolated patterns and electrically conducted to eliminate the influences due to charge-up, a defect 3 is corrected.例文帳に追加

孤立したパターン間に集束イオンビームCVD金属デポジション膜空中配線7を形成して導通させチャージアップの影響を無くしてから欠陥3を修正する。 - 特許庁

A recess part 9 is formed by a focused ion beam working to decide the lengths of both layers 6 and 8 to be set in the track width direction on a surface opposite to a magnetic recording medium.例文帳に追加

また、磁気記録媒体対向面における第一の磁極層６及び第二の磁極層８のトラック幅方向の長さを決める凹部９が、集束イオンビーム加工により形成されている。 - 特許庁

To prevent longitudinal stripes appearing in a section sample cut by a focused electron ion beam which seems attributable to the uneven microstructure on the surface of the sample.例文帳に追加

サンプル表面上のミクロな凹凸形状に起因すると考えられる、集束電子イオンビームにより切断したサンプル断面試料中に見られる縦すじの発生を防止する。 - 特許庁

Both ends of the optical waveguide 10 are removed by a focused ion beam(FIB), and incidence and emission end faces 16A and 16B are formed on an optical crystal substrate 12D in which the optical waveguide 10 is formed.例文帳に追加

光導波路１０が形成された光学結晶基板１２Ｄに、収束イオンビーム（ＦＩＢ）により光導波路１０の両端部を除去して入出射端面１６Ａ、１６Ｂを形成する。 - 特許庁

The method comprises at least a process for selectively irradiating the surface of a single crystalline substrate 1 with a first charged particle as FIB by a focused ion beam (FIB) device 3, and a process for injecting a second charged particle.例文帳に追加

集積イオンビーム（ＦＩＢ）装置３で単結晶基板１の表面に第１の荷電粒子をＦＩＢとして選択的に照射する工程と、第２の荷電粒子を注入する工程とから少なくともなる。 - 特許庁

To provide a focused ion beam apparatus capable of prolonging a service life of an aperture, preventing contaminants from increasing even when a column valve is closed, and being restarted in short time.例文帳に追加

アパーチャの寿命を長くでき、カラムバルブを閉じた際にも、コンタミの増加を防止し、また、再起動も短時間で行える集束イオンビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

After a thin film layer 14 having a predetermined shape is deposited on the ceramic layer 12 by using a focused ion beam system, the ceramic layer 12 is patterned by etching using the thin film layer 14 as a mask.例文帳に追加

このセラミック層１２上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層１４を堆積した後、この薄膜層１４をマスクとして、エッチングによりセラミック層１２をパターニングする。 - 特許庁

To prevent the lowering of read output even when a magnetic pole layer is trimmed from the side of a face opposite to a magnetic recording medium by means of a focused ion beam working.例文帳に追加

磁気記録媒体対向面側から集束イオンビーム加工を用いて磁極層のトリミング加工をする場合でも、読み出し出力が低下しないようにする。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device that allows machining and efficient observation of a specimen while securing machining accuracy even in machining of a large cross-section of an electronic component or the like, and a specimen machining method.例文帳に追加

電子部品などの大断面加工においても、加工精度を確保しつつ効率良く観察し、加工することが可能な集束イオンビーム装置、及び、試料の加工方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, grooves 6 are formed on both sides of a center part of the protrusion 2 for sample part formation by drilling by irradiation of a focused ion beam, and a sample part 7 is formed by the protrusion 2 for sample part formation remained between both grooves 6.例文帳に追加

次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。 - 特許庁