「focused ion-beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a testpiece cooling system of a focused ion beam apparatus, which has a simple structure and an excellent cooling effect.例文帳に追加

簡単な構造で、優れた冷却効果が得られる、集束イオンビーム装置の試片冷却システムを提供する。 - 特許庁

A plurality of probes are provided in a focused ion beam device and voltage is freely applied across the probes.例文帳に追加

収束イオンビーム装置内に複数のプローブを設け、プローブ間には自由に電圧を印加できる構成とする。 - 特許庁

Etching is performed on the prepared substrate through the use of focused ion beam to form a plate-like structure of a desired shape (a finger-like structure).例文帳に追加

集束イオンビームを用いて用意した基板にエッチングを行い、所望の形状の板状構造（フィンガー状構造）を形成する。 - 特許庁

A raw detector signal is generated by detecting secondary electrons generated in case that the focused ion beam is given to the forming body 1720.例文帳に追加

フォーカストイオンビームが構成体へ付与される場合に発生される二次電子を検知することによって生の検知器信号を発生する。 - 特許庁

To provide a wide aperture Wien E×B mass filter for use in a focused ion beam system.例文帳に追加

集束イオンビームシステムで使用するための大開口のウィーンＥ×Ｂ質量フィルタを提供する。 - 特許庁

SAMPLE CUTTING METHOD BY FOCUSED ION BEAM, CROSS SECTION MONITORING METHOD, SAMPLE FIXING STRUCTURE, AND FIXING METHOD例文帳に追加

集束イオンビームによる試料切断方法および断面観察方法ならびに試料の固定構造および固定方法 - 特許庁

LOCAL AREA TEMPERATURE MEASURING DEVICE FOR FOCUSED ION-BEAM DEVICE, AND TEMPERATURE MEASURING METHOD IN LOCAL AREA例文帳に追加

集束イオンビーム装置用の局所領域温度計測装置及び局所領域の温度計測方法 - 特許庁

The apparatus includes a means for measuring the adhesion of the particle on a substrate positioned inside a focused ion beam system.例文帳に追加

集束イオンビーム装置内で、基板上の粒子の付着力の計測手段を備えることを特徴とする。 - 特許庁

For milling a lamella to its final thickness of, for example, 30 nm, a focused ion beam 100 is scanned repeatedly along the lamella.例文帳に追加

薄片を最終的な厚さ-たとえば30nm-にまでミリングするため、集束イオンビーム100は前記薄片に沿って繰り返し走査される。 - 特許庁

A novel cutting edge is formed by evaporating a coating to the cutting blade edge of a cutting blade blank and processing with a focused ion beam.例文帳に追加

切刃ブランクの切刃端に被覆を蒸着し集束イオンビームで加工して新しい切刃端を形成する。 - 特許庁

To provide a focused ion-beam device capable of accurately setting a processing-position, without giving damages on a sample.例文帳に追加

試料へのダメージを最小化し高精度の加工位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

When thinning down samples with, e.g., a focused ion beam (FIB) apparatus, the sample often oxidizes owing to the exposure to air when taken from the FIB.例文帳に追加

たとえば集束イオンビーム(FIB)装置によって試料を薄くするとき、前記試料は、前記FIB装置から取り出されるとき、大気曝露によって酸化する。 - 特許庁

Next, the thinned region is cut out, by using a focused ion beam method and brought out by using a needle tip 18 of a manipulator device from the semiconductor wafer 14.例文帳に追加

次に、集束イオンビーム法を用いて薄片部を半導体ウエハ１４から切り出しマニピュレーター装置の針先１８を用いて取り出す。 - 特許庁

The groove 30, having a surface 30M perpendicular to a central axis O of the probe, is formed in a part near the tip of the probe 18' by means of the focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームにより、プローブ１８′の先端に近い部分に、プローブ中心軸Ｏに垂直な面３０Ｍを有する溝３０を作る。 - 特許庁

To provide a simple and high-accuracy drift correction mechanism in a cross-section processing and an TEM sample processing with the use of a focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム装置を使った断面加工やＴＥＭ試料加工における簡便且つ高精度なドリフト補正機構の実現する。 - 特許庁

(b) An opening 5 is formed in the sacrificial layer 4 and the gate electrode layer 3 by applying a focused ion beam thereto.例文帳に追加

（ｂ）集束イオンビームを照射して、犠牲層４とゲート電極層３とに開口部５を形成する。 - 特許庁

Then, the thin film of PLLA on the substrate is irradiated with focused ion beam by using an FIB apparatus (FIB processing: S3).例文帳に追加

次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。 - 特許庁

The thin-film processing and cross section exposing processing by the focused ion beam are automated and yields can be improved.例文帳に追加

本発明によれば、集束イオンビームによる薄膜加工や、断面出し加工を自動化し、歩留りを向上させることができる。 - 特許庁

To provide a working observation device capable of observing and analyzing the state of a cross section being worked by an FIB (focused ion beam) apparatus during processing.例文帳に追加

ＦＩＢ装置で加工している断面の状態を、加工中に観察、分析を行うことがができる加工観察装置を提供する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam processing method and the device by which a sectional structure can be easily observed even when each layer constituting a layered structure is extremely thin.例文帳に追加

積層構造を構成する各層が極めて薄いとき、その断面構造を観察することが困難になっている。 - 特許庁

To deposit a super-conductive film (a super-conductor) for obtaining super-conductive characteristic in a relatively easy manner by using a focused ion beam (FIB) apparatus.例文帳に追加

集束イオンビーム装置を用いて比較的容易に超伝導特性が得られる膜超電導膜（超電導体）の成膜を可能にする。 - 特許庁

This focused ion-beam device displays an enlarged image of an original image by enlarging it with a pixel-by-pixel interpolation, wherein the original image is generated by second particle signals sent from a detector.例文帳に追加

集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を画素補間により拡大し表示する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device converging an ion beam to a beam-spot position with no magnetic field without isotope separation on a sample even when a magnetic field exists on an optical axis of an ion beam and the magnetic field changes.例文帳に追加

イオン・ビーム光軸上に磁場が存在し、更に磁場が変動する場合でもイオン・ビームが試料上で同位体分離を生じることが無く、磁場が無い場合のビーム・スポット位置へ集束する集束イオン・ビーム装置を提供する。 - 特許庁

A Penning type inert element ion beam device fitted to the focused ion beam device is let to be provided with two motion states of an operation state of coming near a sample and irradiating an inert element beam on it and of a sheltering state of getting away from the sample and not irradiating the inert element ion beam on it.例文帳に追加

集束イオンビーム装置に取り付けられたペニング型不活性元素イオンビーム装置に、試料に近付いて不活性元素ビームを試料表面に照射する操作状態と、試料から離れて不活性元素イオンビームを試料に照射しない待避状態の二つの動作状態を持たせる。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device for fixing a sample on a sample holder by changing its direction without requiring a tilting mechanism by using a fine pincette and its rotation mechanism as a manipulator, when performing processing by the focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム装置による加工の際、マニピュレータとして微小ピンセットとその回転機構とを用いることで、傾斜機構を必要とせずに試料の向きを変えて試料ホルダへ固定可能な集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

In view of using the carbon nanotube 10 (CNT) as an electrode, a pair of electrodes are formed by irradiating, as a second step, the desired region of the placed carbon nanotube 10 with a focused ion beam 20 (FIB), and cutting the region irradiated with the focused ion beam 20.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１０（ＣＮＴ）を電極として利用するために、第２ステップとして載置されたカーボンナノチューブ１０の任意の部位に集束イオンビーム２０（ＦＩＢ）を照射し、集束イオンビーム２０を当てた部位を切断して電極対を作製する。 - 特許庁

In the focused ion beam system, a high dc voltage of a biasing power supply 930 connects to an oscillatory waveform from a plasma igniter 950 near a focused ion beam column and applies to a source biasing electrode 906 comprising a part of a plasma chamber 954.例文帳に追加

バイアス電源９３０からの高ｄｃ電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置９５０からの振動波形が結合（重畳）されて、プラズマ室９５４の一部を構成する源バイアス電極９０６に印加される。 - 特許庁

To provide a fine region analyzer using focused ion beams capable of simply and accurately reproducing the optimum positional relationship of a focused ion beam irradiation axis, an electronic beam irradiation axis, an axis of a secondary particle take-in port of the analyzer and a sample surface with each other when a sample is exchanged.例文帳に追加

試料交換を行った際に、集束イオンビーム照射軸と電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸および試料表面の最適な位置関係を、簡便に精度良く再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method of needle-like samples for atom probes and a focused ion beam apparatus capable of suppressing contamination of the vicinity of the vertex of the tip of a needle-like sample, when a focused ion beam is irradiated to process the needle-like sample and suppressing reductions in the mechanical strength of the needle-like sample.例文帳に追加

集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

Afterwards, the time-focused ion beam is space-focused by a triple-convergence TOFMS spectral part 7 in two directions (x, y-axis) directions) rectangular with the optical axis direction, and eventually space focusing in the x, y, z-axis direction is attained.例文帳に追加

その後、この時間収束されたイオンビームは３重収束のTOFMS分光部７で光軸方向と直交する２方向（ｘ,ｙ軸方向）の空間収束され、最終的にｘ,ｙ,ｚ軸方向の空間収束が達成される。 - 特許庁

This is the minute ion beam generating method in which the minute ion beam is formed because light is condensed of laser in a target gas to generate plasma, and ions in the generated plasma are extracted and focused.例文帳に追加

この出願の発明は、レーザーをターゲット気体中で集光させてプラズマを発生させ、発生したプラズマ中のイオンを引き出して集束させることにより微小イオンビームを形成することを特徴とする。 - 特許庁

A residual gallium layer 3 on the surface of the thin piece 6 cut by the focused ion beam apparatus is removed by sputtering a gas cluster ion beam 1 such as argon.例文帳に追加

アルゴンなどのガスクラスターイオンビーム1のスパッタで、集束イオンビーム装置で切り出した薄片6の表面の残留ガリウム層3の除去を行う。 - 特許庁

To use a compact and inexpensive Penning type inert element ion beam device as one for removing a remnant layer, a crushed layer formed on the surface of a sample by irradiation of focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム照射により試料表面に形成される残存層、破砕層を除去するために用いる不活性元素イオンビーム装置として、小型で安価なペニング型不活性元素イオンビーム装置を用いる。 - 特許庁

As a result of this setup, an ion beam is focused into an ion beam 1b as shown, and while the ions the continuously implanted much limited in doses per unit time, a wafer 7 is cooled down, and accumulated charge is discharged.例文帳に追加

これにより、イオンビームは１０ｂで示すように絞られ、単位時間当たりのドーズ量が大きく制限されつつ、イオン注入は継続して行われ、ウェハ７が冷却され、チャージ電荷が放電される。 - 特許庁

The expansion of the pushed- out ion beam is once time-focused on certain point (or a line) by a two-stage acceleration part 9, and a lag (aberration) of a flight time produced by the expansion of the ion beam is cancelled.例文帳に追加

押し出されたイオンビームは、その広がりが２段加速部９によりある点（または線）上で一旦時間収束されて、イオンビームの広がりによって生じる飛行時間のズレ（収差）が解消される。 - 特許庁

This invention relates to irradiation of ion beams inclined with respect to an optical axis of the optical system by controlling a diaphragm, tilt deflector, beam scanner, and objective lens in a focused ion beam optical system.例文帳に追加

本発明は、集束イオンビーム光学系における絞り，チルト偏向器，ビームスキャナー、及び対物レンズを制御し、該光学系の光軸に対して傾斜したイオンビームを照射することに関する。 - 特許庁

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁

An aperture of a focused ion beam device, which is irradiated by ions emitted from the ion source, is so constituted that a base of the aperture is made of tin and an indium lamina or a lamina of alloy consisting of indium and galium is disposed on an ion irradiating side of the aperture.例文帳に追加

放出イオンの照射を受けるアパーチャを、スズを基板としイオン照射を受ける側に、インジウム薄片またはインジウムとガリウムの合金からなる薄片を配設した構造とする。 - 特許庁

In a method for processing a solid surface to make it even by using a gas cluster ion beam, at least during part of a period of a gas cluster ion beam radiation process, a radiation angle made by the normal line of a solid surface and the gas cluster ion beam is made larger than 70°, and the gas cluster ion beam is focused using a lens mechanism without separating the monomer ion, thus radiating it.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 - 特許庁

An ion beam irradiation system and an electron beam irradiation system in a different axis direction are set in the same sample chamber, and the working depth is obtained from a difference when a working hole bottom part and a raw area are focused with this electron beam system.例文帳に追加

イオンビーム照射系と軸方向を異にした電子ビーム照射系を同一試料室内に設け、該電子ビーム照射系で加工穴底部と上部に焦点を合わせた時の差分から加工穴深さを求めることとした。 - 特許庁

An electron microscope has: an electron beam lens-barrel 1 in order to irradiate an electron beam 1a to a sample 11; a sample stage 3 to support the sample 11; a scattered electron detector 6 in order to detect backscattered electrons discharged from the sample 11; and a focused ion beam lens-barrel 2 in order to irradiate the sample 11 with a focused ion beam 2b.例文帳に追加

試料１１に電子ビーム１ａを照射するための電子ビーム鏡筒１と、試料１１を支持する試料台３と、試料１１から放出される後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器６と、試料１１に集束イオンビーム２ｂを照射するための集束イオンビーム鏡筒２とを有する電子顕微鏡を提供する。 - 特許庁

The fibrous carbon 5 is formed by implanting a catalytic metal ion 4 on the fixed position of the surface of a substrate 1 using the ion implantation method, the focused ion beam method or the single ion implantation method and using a catalytic metal as a catalyst.例文帳に追加

イオン注入法、集束イオンビーム法又はシングルイオン注入法のいずれかによって、触媒金属イオン４を基板１表面上の所定位置に注入し、触媒金属を触媒として繊維状カーボン５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Josephson junction element, which can form a Josephson junction by ion implanting to utilize the knockout effect, without using a special focused ion beam machine or a high-precision XY stage.例文帳に追加

特殊な集束イオンビーム装置や高精度のＸＹステージを用いなくても、イオン注入によりノックアウト効果を利用したジョセフソン接合部を形成できるジョセフソン接合素子製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide 2-lens and 3-lens optical system scanning type aberration corrected focused ion beam device and 2-lens and 3-lens optical projection type aberration corrected ion lithography device.例文帳に追加

本発明は２レンズ，３レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び２レンズ，３レンズ光学投影型収差補正集束イオン・リソグラフィー装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

Preferably, the manufacturing method further includes a process S103 for removing an ion layer injected into the silicon substrate in the slit portion formed in the etching mask material by the focused ion beam.例文帳に追加

好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。 - 特許庁