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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > focused ion-beamの意味・解説 > focused ion-beamに関連した英語例文

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focused ion-beamの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 277



例文

To materialize cross-section processing causing no rotational slippage in a lateral direction or a longitudinal direction so that patterns regularly arranged in an element are neatly exposed all together, when processing the cross section of a semiconductor wafer by using a focused ion beam.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、集束イオンビームを用いて半導体ウエハの断面を加工する際に、素子内に規則的に配列されたパターンが綺麗に揃って露出するように横方向にも縦方向にも回転ズレのない断面加工を実現させることにある。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device for actualizing smooth and automatic processing of a processed pattern by improving the detecting probability of a processed pattern detecting mark and the reproductivity of a processing position, and to provide a sample processing method and program using the same.例文帳に追加

加工パターン検出用のマークの検出確率と加工位置の再現性を向上させ、加工パターンの自動加工を円滑化することができる集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラムを提供する。 - 特許庁

A straight line drawn on the surface in the part to be observed for shape observation is formed by local CVD or etching using a focused ion beam, and the straight line drawing direction on the sample surface in the part to be observed for shape observation and the sample stage tilting direction cross each other at right angles.例文帳に追加

形状を観察したい個所の試料表面に引く直線は、局所CVD若しくは集束イオンビームを用いたエッチングによって施し、形状を観察したい個所の試料表面に引く直線の方向と試料ステージの傾斜方向は、直交するようにとる。 - 特許庁

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base.例文帳に追加

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。 - 特許庁

例文

To provide a thin sample preparing method which prevents an FIB (focused ion beam) processing from forming any hole and allowing any redeposition to originate in holes when forming a protection film in preparing a thin sample, in order to obtain a good image by using an electron microscope.例文帳に追加

FIB加工で薄片試料を作製する際に保護膜形成時に穴が形成されず穴からリデポすることを防ぎ、電子顕微鏡にて良好な像を取得することのできる薄片試料作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁


例文

The probes are brought into contact with the contact plug of a semiconductor device, a deposition gas is introduced into the device, the contact position of the probes is irradiated with a focused ion beam to bond the probes to the contact plug to form a current introducing terminal.例文帳に追加

プローブは半導体デバイスのコンタクトプラグに接触させ、デポジションガスを装置内に導入し、プローブの接触位置に収束イオンビームを照射することで、プローブをコンタクトプラグに接着し、電流導入端子とする。 - 特許庁

The method of fabricating the acicular sample for field ion microscopy includes a process for machining the desired part of the sample to be observed with a field ion microscope into an acicular shape by irradiating the sample with a focused charged-particle beam, a process for cutting the acicular sample away from a sample base, and a process for fixing the cut acicular sample to an electrode bar.例文帳に追加

電界イオン顕微鏡観察用針状試料の作製方法は、集束した荷電粒子ビームを照射することにより電界イオン顕微鏡で観察する所望の箇所を針状に加工する工程と、針状試料を試料基板から切り離し摘出する工程と、摘出した針状試料を電極棒に固定する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The sample processing and observing method includes: irradiating a sample 5 with a focused ion beam 3 to form an observed surface; irradiating the observed surface with an electron beam 4 to form an observed image; removing the surface opposite to the observed surface of the sample 5 to form a lamella 5t including the observed surface; and obtaining a transmission electron image of the lamella 5t.例文帳に追加

集束イオンビーム3を試料5に照射し観察面を形成し、電子ビーム4を観察面に照射し、観察像を形成し、試料5の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部5tを形成し、薄片部5tの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 - 特許庁

This apparatus is equipped with a focused ion beam optical system and electron optical system in the same evacuation device and a manipulator, to separate a trace sample, including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and to pick up the separated trace sample, and a manipulator control device for driving the manipulator, independently of a wafer sample board.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するマニピュレータと、該マニピュレータをウェーハ試料台と独立に駆動するマニピュレータ制御装置を備えた。 - 特許庁

例文

After forming the lower pole 1 and the upper pole 2, focused ion beam etching is applied to trim them from the sliding surface to back the depth zero line except their tips 1A, 2A made to fit the recording track in width, to manufacture this head.例文帳に追加

また、下部磁極1及び上部磁極2を形成した後に、下部磁極1及び上部磁極2のうち所定の記録トラック幅となる部分1A,2Aを除いた部分に対して、収束イオンビームエッチングによりヘッド摺動面から磁気ギャップのデプスゼロラインよりも奥まで後退するようにトリミング処理する工程を行って、上記薄膜磁気ヘッド10を製造する。 - 特許庁

例文

To solve such problems in a prove device for manipulating a focused ion beam machining device that a conventional needle shaped probe requires frequent changes causing an increasing cost problem with the wide use of the technology and also that with the demand of higher degree fine machining, a thin wire probe is demanded which has a long life and a shape depending on the purpose.例文帳に追加

集束イオンビーム加工装置用のマニピュレート用プローブ装置において、従来の針形状プローブでは交換頻度が高く、同技術が汎用化されるにつれコスト問題が増大し、また一方で、より高度な微細加工が要求されるようになり、寿命が長く、また目的に応じた形状の細線プローブが要求されている。 - 特許庁

To provide a method for preparation of thinned samples that can prevent, when thinned samples are prepared by micro-machining utilizing a focused ion beam for use in transmission electron microscopic observation of sections of a film made up of an aggregate of micro-particulates, micro-particulates exposed on micro-machined end faces from coming off and prevent exposure of thinned regions from being exposed to the atmosphere.例文帳に追加

集束イオンビームを利用する微細加工により、微細粒子の凝集体からなる膜の断面を、透過電子顕微鏡観察する目的の薄片化試料を作製する際、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止でき、また、薄片化された部位の大気暴露を防止可能な、薄片化試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

Between the place on a stage 30 in a working chamber 23 of the focused ion beam device and a holder 38 of a film-formation chamber 34 of a vacuum evaporation system 23, a target 31 for manufacturing a semiconductor element is moved with a transportation mechanism (a first transportation mechanism 48, an elevating table 64 and a second transportation mechanism 58) through the transportation mechanism chamber 47.例文帳に追加

集束イオンビーム装置の加工室23のステージ30上と真空蒸着装置23の成膜チャンバー34のホルダー38との間で、半導体素子製作用ターゲット31を、搬送機構室47を介して搬送機構(第1搬送機構48,昇降テーブル64及び第2搬送機構58)により移動させる様に成す。 - 特許庁

The correcting method for a photomask to correct a white defect in a photomask is characterized in that: a deposition film 11 is formed at a white defect portion C by a FIB-CVD (focused ion beam chemical vapor deposition) system; if the film protrudes a desired pattern, the protruding portion 2 is shaved off with a needle; and the needle is preferably a probe of a scanning probe microscope.例文帳に追加

フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク修正方法において、白欠陥部CにFIB−CVD方式でデポジション膜11を形成し、膜の形状が所望の形状よりはみ出た場合、はみ出た部分2を針で削りとり、好ましくは前記針は、走査プローブ顕微鏡の探針であることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程S101と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程S102と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程S104とを含む。 - 特許庁

This film deposition method includes a process in which, by FIB assist deposition in which a material having an Si-O-Si bond and an Si-H bond is fed to the surface of a structure, and further, a desired part in the surface fed with the above material is irradiated with a focused ion beam, a silicon oxide film is deposited.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、Si−O−Si結合及びSi−H結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するFIBアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sample holder for focused ion beam machining observation device capable of holding a minute sample piece on a stage kept horizontal without fail, when it is extracted from the sample of FIB machining and processed into the sample for TEM, and capable of holding the stage in a direction without fail.例文帳に追加

FIB加工で試料から、微小な試料片を摘出し、TEM用試料に加工する際に、摘出した前記微小試料片を水平に保たれた前記試料台に確実に固定することが可能であり、前記試料台を一定の方向に確実に固定することが可能な集束イオンビーム加工観察装置用試料ホールダを提供する。 - 特許庁

In the pore machining method of the diamond, an oxide film 2 is formed on the diamond base material 1, and a part of the diamond base material is exposed by forming the pore 5 by irradiating a focused ion beam 3 on the oxide film 2, and the etching by plasma is performed on the exposed diamond base material 1.例文帳に追加

ダイヤモンド基材1に酸化物被膜2を形成し、該酸化物被膜2に集束イオンビーム3の照射を行って孔5を形成して該ダイヤモンド基材1の一部を露出させ、露出させた該ダイヤモンド基材1にプラズマによるエッチングを行うことを特徴とする、ダイヤモンドの細孔加工方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Aと、該工程Aによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Bとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by an acid solution.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Aと、該工程Aによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Bとを有することを特徴とする。 - 特許庁

In a process in which a sample piece extracted from a film made up of an aggregate of micro-particulates is to be subjected to micro-machining of two sections of the piece by utilizing a focused ion beam to thin the film, a thin film made up of a uniform material is formed to cover micro-machined end faces after each section is micro-machined.例文帳に追加

微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。 - 特許庁

This sample holder provided with a cartridge supporting body 51 arranged at the tip and constructed for allowing attachment/detachment of the sample supporting cartridge 51 to it is constructed of a holder main body 50 attached removably to a mirror body in an electronic microscope or a processing chamber in a focused ion beam device by means of a holder driving mechanism 52 and the holder driving mechanism 52.例文帳に追加

試料ホルダーは、先端部に、試料支持用カートリッジ57が着脱可能に構成されたカートリッジ支持体51を有し、ホルダー駆動機構52によって、電子顕微鏡の鏡体及び集束イオンビーム装置の加工室に取り付けたり、該鏡体及び加工室から外したり出来るようになっているホルダー本体50と、ホルダー駆動機構52から成る。 - 特許庁

In this manufacturing method of a field emission electron gun provided with multiply divided emitter electrodes for emitting electron beams, by removing and processing a tip part 28 of the emitter electrode 21 by irradiating the tip part 28 with a focused ion beam I, a plurality of needle-like parts 30 independent of one another and extending in the emitting direction of the electron beams are formed at the tip part 28.例文帳に追加

電子ビームの出射のための複数分割エミッタ電極を備える電界放出型電子銃の製造方法であって、エミッタ電極(21)の先端部28に集束イオンビームIを照射して先端部28を除去加工することにより、先端部28に互いに独立しかつ電子ビームの出射方向に伸長する複数の針状部30を形成する。 - 特許庁

Prior to defect correction of the isolated pattern 4, a conductive coil spring 3 is formed at a tip of a conductive probe 1 by a focused ion beam-induced chemical vapor-grown metal film, and the probe is conducted with the isolated pattern 4 while reducing the contact pressure with a mask pattern by the coil spring 3 to prevent the charge-up.例文帳に追加

導電性プローブ1の先端に集束イオンビーム誘起化学気相成長金属膜で導電性のコイルバネ3を形成し、コイルバネ3によりマスクパターンとの接触圧を緩和して孤立したパターン4との導通を取り、チャージアップが起こらないようにしてから集束イオンビーム7で欠陥修正を行う。 - 特許庁

To hold an observation desired portion stably on a sample holder, when extracting surely the observation desired portion from a large sample substrate and performing finishing process for preparing a thin-film sample, in a method for preparing the thin-film sample for performing observation by a transmission electron microscope by using a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察をおこなうための薄膜試料を作製する方法において、大きな試料基板から観察所望部位を確実に抽出し、薄膜試料作製のための仕上げ加工を行なう際に、観察所望部位を試料ホルダに安定して保持することができるようにする。 - 特許庁

The microbending optical circuit 10 constituted of a rectangular waveguide, where a rectangular core layer 13 of a high refractive index is embedded in a clad layer 12 of a low-refractive index, is provided with a local air layer 15 formed by a focused ion beam method on the side end face 18 of a core layer bending part 14 bent at an arbitrary bending radius.例文帳に追加

低屈折率のクラッド層12内に高屈折率の矩形状のコア層13が埋め込まれた矩形導波路で構成される微小曲げ光回路10において、任意の曲げ半径で曲げられたコア層曲げ部14の側端面18に、フォーカスイオンビーム法により形成された局所的な空気層15を設けたものである。 - 特許庁

例文

A platinum layer is coated on surface of a paper or a printed matter and a carbon layer is coated on the platinum layer to form a protective and charge-preventive layer comprising the platinum layer and the carbon protective layer to smooth uneven microstructure present on the surface of the sample, and then, the ion beam is focused on the surface of the paper of the printed matter to obtain the section sample.例文帳に追加

紙や印刷物の表面に白金層をコーティングし、この白金層の上にカーボン層をコーティングし、サンプル表面に存在するミクロな凹凸面を平滑にする白金層及びカーボン保護層から成る帯電防止兼用の保護層を形成してから、紙や印刷物の表面にイオンビームを集束して切断し断面試料を得る。 - 特許庁

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