「focused ion-beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a nanoemitter in a focused ion beam device for readily manufacturing a nanoemitter which includes target extraction voltage.例文帳に追加

本発明は、目的とする引出電圧を持つナノエミッタを容易に作製することができる集束イオンビーム装置におけるナノエミッタ作製方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the film of the cosmetic has an outer film formed by covering the film with a resin embedding agent, and the cross-section forming part is sputter-coated by a focused ion beam.例文帳に追加

さらに、前記化粧料の膜は樹脂包埋剤で被覆して外膜を形成することが好ましく、断面形成部分に収束イオンビームによるスパッタコーティングすることが好ましい。 - 特許庁

To provide an FIB (focused ion beam) processing device capable of suitably adjusting contrast and brightness of an image acquired to determine a mark for position recognition even though unevenness exists on a processing area.例文帳に追加

加工エリアに凹凸が存在する場合においても、位置認識用マークの判定用に取得する画像のコントラスト又は明るさの調整を適切に行う。 - 特許庁

To provide a cross-sectional processing observation apparatus which can efficiently and continuously carry out execution of a cross-sectional processing and observation by a focused ion beam device that does not include SEM device.例文帳に追加

ＳＥＭ装置を有しない集束イオンビーム装置により断面加工観察を効率よく連続実施が可能な断面加工観察装置の提供。 - 特許庁

To reduce the damage on an insulating film at the periphery and lower part of a short-circuit defective part, when the short-circuit defective part in a wiring pattern is removed, using a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて配線パターンにおける短絡欠陥部を除去した場合における短絡欠陥部の周辺や下部の絶縁膜受けるダメージを低減する。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can quickly perform positioning and FIB processing of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとＦＩＢ加工を速やかに行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The sample holder for focused ion beam machining observation device has a sample stage of which surface for holding a minute sample piece is kept horizontal, and a holding part for fixing the stage in a direction.例文帳に追加

集束イオンビーム加工観察装置用試料ホールダに備え付ける試料台の微小試料片固定面が常に水平に保たれており、前記試料台を一定の方向に固定するための試料台固定部を備える。 - 特許庁

To provide an FIB(focused ion beam) device and an FIB machining method that can accurately cut and connect wiring by the FIB machining on the surface of a sample such as an LSI with a flattened surface.例文帳に追加

表面が平坦化されたＬＳＩなどのサンプルの表面に，ＦＩＢ加工により配線の切断や接続を精度よく行うことができるＦＩＢ装置及びＦＩＢ加工方法を提供する。 - 特許庁

More specifically, in the focused ion beam system, the adhesion of the fine particle can be measured by a contact needle, a means for immobilizing the fine particle and a measurement of an amount of variation in a leaf spring moving along with the contact needle.例文帳に追加

すなわち、本発明によれば、集束イオンビーム装置内で、接触針と微小粒子の固定手段及び接触針に連動した板バネの変化量の計測により微小粒子の付着力を測定することができる。 - 特許庁

To install a micromachining function of an FIB (focused-ion beam) system and a non-destructive and excellent image forming function of an SEM (scanning electron microscope) into a single apparatus suitable for mass production of high-precision nanodevices.例文帳に追加

ＦＩＢシステムのマイクロマシニング機能と、ＳＥＭの非破壊かつ優れた像形成機能とを、高精度なナノデバイスの大量生産に適した１台の装置に組み込む。 - 特許庁

An observation mark M_3 on the left side of a notched part 6b' and an observation mark M_4 on the right side of the notched part 6b' are formed by a focused ion beam I_B as shown in Figure (d).例文帳に追加

図４（ｄ）に示すように、切欠部６ｂ’の左側に観察用マークＭ_３、そして切欠部６ｂ’の右側に観察用マークＭ_４が集束イオンビームＩ_Ｂによって形成される。 - 特許庁

According to this analysis specimen 11 forming method, firstly, a crack preventive groove 22 is formed around the analysis area 21 with a crack 14 or foreign matter 15 existing therein by using a focused ion beam working device 23.例文帳に追加

分析試料１１の形成方法は、まず、クラック１４や異物１５のある分析領域２１の周囲に、収束イオンビーム加工装置２３によって亀裂防止溝２２を形成する。 - 特許庁

A Pt thin film 403 is formed on the principal plane of a cantilever 402, an FIB (Focused Ion Beam) 405 is radiated from the main surface side, grooves 601A and 601B are formed, and the Pt thin film 403 is divided.例文帳に追加

カンチレバー４０２の主面にＰｔ薄膜４０３を形成し、ＦＩＢ４０５を主面側から照射して、溝６０１Ａ、６０１Ｂを形成しＰｔ薄膜４０３を分割する。 - 特許庁

A body to be observed 105 is surrounded in at least its one part with a grounded conductor 103 formed into a groove shape having the depth larger than that of the body to be observed 105 and surrounding the body to be observed 105 using a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて、被観察体１０５の深さよりも深く、かつ被観察体１０５を囲うような溝状の接地された導電体１０３で被観察体１０５の外周の少なくとも一部を囲むようにした。 - 特許庁

When the surface of the mold material 2 being a composite material of the vapor-phase growth carbon fiber and the glassy carbon is worked with a focused ion beam, a working efficiency is fallen at the vapor-phase growth carbon fiber and then the worked face of the mold material 2 becomes uneven.例文帳に追加

ガラス状カーボンおよび気相成長炭素繊維の複合材の型材２の表面を集束イオンビーム加工した際に、気相成長炭素繊維の部分で加工効率が低下し、型材２の加工面が凹凸になる。 - 特許庁

The sample 1 is cut to a block shape in a chamber of a focused ion beam (FIB) device, the sample block (bulk) 4 is taken out of vacuum and is brought into contact with a glass probe 5 set at the tip of a manipulator to be supported.例文帳に追加

集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。 - 特許庁

A repairing method comprises impregnating gallium ion into required depth of a specified position on a glass substrate which corresponds to the unprocessed parts of the dug grooves in the Levenson mask by using focused ion beam equipment, immersing the substrate in which the gallium ion has been impregnated, into an alkali solution, and partially dissolving and removing the part in which the gallium ion was impregnated.例文帳に追加

本発明の欠陥修正は、集束イオンビーム装置を用いてレベンソンマスクの掘り込み溝の掘り残し欠陥に相当するガラス基板の特定位置と必要深さにガリウムイオンを照射注入し、該ガリウムイオンを注入した基板をアルカリ溶液に浸してガリウムイオンが注入された部分を局部的に溶解除去させる手法を採用した。 - 特許庁

To provide a focused ion beam forming device in which downsizing is realized by integrating an accelerator and a focusing lens system and the reduction ratio of the total device is maximized by making the accelerating tube of the accelerator as a part of the focusing lens system to form a nano beam.例文帳に追加

集束イオンビーム形成装置において、加速器と集束レンズ系を一体化とすることにより小型化を実現するとともに、加速器の加速管も集束レンズ系の一部とすることで装置全体の縮小率も最大化することで、ナノビームを形成する。 - 特許庁

To perform TEM observation and secondary particle image observation in an identical observing position by irradiating an observed surface formed by a focused ion beam with a charged particle beam to form an observed image and then thin-processing to make transparent while supporting the observed surface.例文帳に追加

集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。 - 特許庁

In the micro testpiece processing and observation device, a focused ion beam optical system and an electron optical system are equipped in an identical vacuum device, and a micro testpiece including the desired region of the testpiece is separated by a charged particle beam forming process, and a probe for sampling the micro testpiece separated is equipped.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

The device is equipped with a focused ion-beam optical system and an electro-optical system in the same vacuum device, as well as a probe for separating a minute sample including a desired area of the sample by a charged particle beam forming process, and for extracting the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

To provide a method, in which the thinning and working operation of a sample is executed by using a focused ion beam apparatus and to provide a method, in which the working operation can be performed in a short time irrespective of the sagging of its beam, in operation at a low acceleration voltage.例文帳に追加

本発明の課題は、集束イオンビーム装置を用いた試料の薄片化加工を実行する方法であって、低加速電圧下での作業においてそのビームダレにもかかわらず短時間で加工を行うことができる方法を提示することにある。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, as well as a probe 72 separating a minute sample including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In this manufacturing method for the micro space structure bio-nano tool, a beam irradiation position and an irradiation time are determined based on three-dimensional model data designed by using a computer and the front end of a glass capillary is cut by a focused ion beam.例文帳に追加

微小立体構造バイオナノツールの製造方法において、電子計算機を利用して設計した微小立体構造物の三次元モデルデータに基づき、ビームの照射位置、照射時間を決定し、集束イオンビームによりガラスキャピラリーの先端部の切断加工を行う。 - 特許庁

This device is provided with a focused ion beam optical system and an electronic optical system in the same vacuum device, and also provided with a probe for separating a minute sample including a desired area of a sample by a charged particle beam forming process, and for extracting the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

This apparatus is provided with a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and provided with a probe separating a minute sample including the desired area of the sample by charged particle beam molding processing and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

This device is provided with a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and a probe separating a trace sample including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and picking up the separated trace sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

The micro testpiece processing and observation device are equipped with a focused ion beam optical system and an electron optical system in an identical vacuum device, and separate a micro testpiece including the desired region of the testpiece by a charged particle beam forming process, and have a probe for sampling the micro testpiece separated.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

The ion beam machining system, where the focused ion beam 2 is radiated onto the semiconductor device 9 to be machined in its predetermined region, while preventing charge-up with the electron shower 19 supplied from an electron shower gun 20 comprises a controllable power supply 21 for applying a bias to the sample stage 10 and an ammeter 22 for detecting the sample current, without being affected by the electron shower 19.例文帳に追加

集束されたイオンビーム２を半導体装置９上に照射し、電子シャワー銃２０から供給される電子シャワー１９によりチャージアップを防止しつつ、所定の領域を加工するイオンビーム加工装置において、調整電源２１により試料ステージ１０にバイアス印加を行い、電子シャワー１９による影響を受けずに電流計２２で試料電流を検出する。 - 特許庁

The focused ion beam device detects the mark with a mark detecting view magnification lower than a view magnification when registering the mark, before processing the processed pattern, calculates a degree of displacement while comparing the position of the registered mark with the position of the detected mark, and detects the mark again after shifting an ion beam deflection region to restore the view magnification into that when registering the mark.例文帳に追加

加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。 - 特許庁

This sampling apparatus used in preparing samples for transmission electron microscope observation by a focused ion beam processing apparatus includes a probe which can rotate which its shaft being as an axis of rotation and a rotating means for rotating the probe.例文帳に追加

また、集束イオンビーム加工装置による透過電子顕微鏡観察用試料作製に用いるサンプリング装置は、プローブの軸を回転軸とする回転が可能なプローブと、その回転を行うための回転手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

To provide a sample stage for a focused ion beam processing device, using an easy method for inexpensively making a plane-observed semiconductor thin sample, and to provide a method using the same for making the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.例文帳に追加

簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。 - 特許庁

In the fine region analyzer using focused ion beams, a laser beam 9a is irradiated to a surface 3a of a sample 3 through a window plate 8 of the analyzer 5 arranged in the normal of the sample surface and through a secondary particle take-in port 5a of the analyzer 5.例文帳に追加

集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、試料表面法線方向に配置した分析装置５の窓板８を通り、かつ分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通ってレーザー光９ａを試料３の表面３ａに照射する。 - 特許庁

A normal conductor layer 12 and an insulator layer 13 are laminated between a first superconductor layer 11 and a second superconductor layer 14, and a region (a local conducting region 19) having no locally insulating property by an irradiation of a focused ion beam to a side of the insulator layer 13.例文帳に追加

第１超伝導体層１１と第２超伝導体層１４の間に常伝導体層１２及び絶縁体層１３を積層し、絶縁体層１３の側面に集束イオンビームを照射することにより局所的に絶縁性を持たない領域（局所伝導領域１９）を形成する。 - 特許庁

To extract a minute sample piece 3 of a semi-conductor wafer thin film processed by a focused ion beam 2, the distal end 9 of a supporting means provided on a transfer means 7 is brought into contact with the minute sample piece 3, and the sample connected to the end making use of the interatomicbonds caused by surface activation of the contact surface is extracted.例文帳に追加

集束イオンビーム２で薄膜加工した半導体ウェーハの微細試料片３を摘出するために、搬送手段７に設けられた保持手段先端部９を試料片３に接触させ、接触面の表面活性化による原子間結合を利用して両者を接合して、取り出す。 - 特許庁

To provide an observation method of an FIB-processed sample by an electron microscope, which enables the identification of a processed part of the sample that is processed into a thin film for a short time by FIB (focused ion beam) and enables the reduction of the time duration from setting of the processed sample to observation of the processed position.例文帳に追加

短時間にＦＩＢで薄膜状に加工された試料の加工部分を見出し、電子顕微鏡への加工済み試料のセットから加工位置の観察までの時間を短縮することができるＦＩＢによる加工試料の電子顕微鏡による観察方法を実現する。 - 特許庁

This method is constituted so as to laminate the observation sample 4 by using an existing FIB (focused ion beam) device, and to perform an extracting and sticking work of the laminated sample 4 by using an optical microscope having an existing micromanipulator equipped with an electrostatic pincette 10.例文帳に追加

この発明は、既存のＦＩＢ装置を用いて観察用試料４の薄片化加工を行い、静電ピンセット１０を装備した既存のマイクロマニピュレータ付きの光学顕微鏡を用いて、薄片化試料４の摘出と貼り付け作業を行うように構成される。 - 特許庁

Since the minute specimen prepared beforehand on a specimen by a focused ion beam device can be sampled quickly and installed on the carrier, an occupation time of an FIB device for processing one specimen is shortened, to thereby heighten specimen preparation efficiency.例文帳に追加

本発明によれば、事前に集束イオンビーム装置で試料上に作製された微小試料を迅速に採取し、キャリアに設置することができるため、１個の試料を加工するためのＦＩＢ装置の占有時間が短縮し、試料作製効率が高まる。 - 特許庁

A specimen is picked up from a processed substrate by the use of a focused ion beam in an in-line monitor, and the processed substrate which has been subjected to processing is cleaned to satisfy the cleanliness level required for the following substrate treatment and then returned to a semiconductors production line.例文帳に追加

インラインモニタにおいて被処理基板を集束イオンビーム加工して試験片をピックアップし、加工後の被処理基板を、次段の基板処理工程において要求される清浄度にクリーニングしてから半導体製造ラインに戻す。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can make accurate correction for rotation even if the rotation happens in an irradiation position of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料照射位置に回転が生じた場合でもこの回転の補正を正確に行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of producing a good cross section for observation having little streak and improving throughput, and a method of processing and observing a test piece which allows production of a good cross section of observation and provide a correct observation image.例文帳に追加

筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a photomask deficiency defect by which an FIB (focused ion beam) correction device can be used as a tool to correct a minute edge deficiency defect portion in a circuit pattern part, the deficiency defect region of the circuit pattern part is subjected to vapor deposition with high accuracy, and the photomask having excellent cleaning durability can be obtained.例文帳に追加

回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

Then, the sample is processed from a direction intersected with the cross section to be exposed to the surface by processing, by using the focused ion beam (S102), and it is determined whether the hole part appears on the surface being processed of the sample (S103); and when the hole part appears on the surface being processed, processing is stopped (S104).例文帳に追加

そして、集束イオンビームを用いて、加工によって表面に露出させる予定の上記断面と交わる方向から試料を加工し（Ｓ１０２）、試料の加工中の面に穴部が現れたかどうかを判定し（Ｓ１０３）、加工中の面に穴部が現れたときに加工を止める（Ｓ１０４）。 - 特許庁

As for a both-side inclined cutting tool in which both sides of the blank are tapered and coated with a hard material, each coating surface of the blank is mulled with the focused ion beam (FIB) and a novel sharp edge part with an atomically sharp both-side inclined blade edge is produced.例文帳に追加

ブランクの両面をテーパして硬質材で被覆した両面傾斜切削器具の場合、ブランクの各被覆面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で研削して原子的に鋭利な両面傾斜刃先を有する新しい鋭端部を生成する。 - 特許庁