「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The fourth mask defines a first conductive layer 620 on a flattened layer.例文帳に追加

第４マスクは、平坦化層上に第１導電層６２０を定義する。 - 特許庁

Marks 1 to 4 in Fig. 1 indicate the first layer to the fourth layer, respectively.例文帳に追加

図１において符号１〜４はそれぞれ第１層〜第４層を示す。 - 特許庁

Further, an adhesive layer may be laminated as a fourth layer 4.例文帳に追加

また更に接着剤層が第四層４として積層された構成でも良い。 - 特許庁

The second layer 13 and the fourth layer 15 are composed of a principal component SiO_2.例文帳に追加

第２層１３及び第４層１５は、主成分がＳｉＯ_2である。 - 特許庁

The third layer is the hardest, being harder than the fourth layer by at least 10 D in the Shore hardness scale.例文帳に追加

第3層はもっとも硬く、第4層よりも少なくとも10ショアD硬い。 - 特許庁

The glazed layer 12 comprises a second function layer 13, a third function layer 14, and a fourth function layer 15.例文帳に追加

また、釉薬層１２は、第２機能層１３と、第３機能層１４と、第４機能層１５とからなる。 - 特許庁

The fourth layer is grown selectively under conditions in which the fourth layer is grown on a region removed in the first layer.例文帳に追加

第１の層の除去された領域上に成長する条件で、第４の層を選択的に成長させる。 - 特許庁

The sum of the shortest distance from the third diffusion layer to the fifth diffusion layer and the shorter one of the shortest distance from the fifth diffusion layer to the fourth diffusion layer and that from the lower end part of the first diffusion layer to the fourth diffusion layer, is shorter than the shortest distance from the third diffusion layer to the fourth diffusion layer.例文帳に追加

第３拡散層から第５拡散層までの最短距離と、第５拡散層から第４拡散層までの最短距離及び第１拡散層の下端部から第４拡散層までの最短距離のいずれか短い方の距離との和は、第３拡散層から第４拡散層までの最短距離よりも小さい。 - 特許庁

A fourth insulting layer is disposed over the third insulating layer, and additional vertical conductive vias and a fourth level metal runner are formed therein.例文帳に追加

第３の絶縁層に第４の絶縁層を配置し、追加の垂直導電性バイアおよび第４のレベルの金属ランナをその中に形成する。 - 特許庁

Similarly, the gaps of the conductor 16 in the third layer and fourth layer of the coil are eliminated by moving a third pushing jaw 24 and a fourth pushing jaw 26, respectively.例文帳に追加

同様に第３、第４押圧あご２４，２６を移動させて、コイルの３層目、４層目の各々の導線１６間の隙間を詰める。 - 特許庁

The fourth electrode layer 48 mainly comprises Sn or an Sn alloy.例文帳に追加

第４の電極層４８はＳｎ又はＳｎ合金を主成分として含む。 - 特許庁

The third metallic layer 230 includes a third and a fourth spiral lines.例文帳に追加

第三の金属層２３０は、第三および第四の螺旋線を含む。 - 特許庁

A ground pattern 52 is formed on the fourth conductor layer of the multilayer wiring portion 11.例文帳に追加

多層配線部１１の第４導体層に接地パターン５２を形成する。 - 特許庁

The fourth CD yarn weaves each MD yarn in the first layer.例文帳に追加

第４ＣＤヤーンは、第１層の各ＭＤヤーンを織成する。 - 特許庁

In the fourth wiring layer, shunt wirings SL3-SL6 are formed.例文帳に追加

第４配線層内には、シャント配線ＳＬ３〜ＳＬ６が形成されている。 - 特許庁

The second insulating layer includes a fourth opening 16a for exposing the pad portion.例文帳に追加

第二絶縁層がパッド部を露呈させる第四開口部１６ａを有する。 - 特許庁

The fourth terminal communicates with a third plane-like metal layer 124-1.例文帳に追加

第４端子は第３平面状金属層１２４−１に連絡している。 - 特許庁

The fourth terminal communicates with the third planar metal layer 130-3.例文帳に追加

第４端子は第３平面状金属層１３０−３に連絡している。 - 特許庁

The fourth optical compensation layer has a refractive index distribution of nx>nz>ny.例文帳に追加

第４の光学補償層は、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの屈折率分布を有する。 - 特許庁

The tire comprises a belt layer 7 comprising first through fourth belt plies 71-74.例文帳に追加

第１〜第４のベルトプライ７１〜７４からなるベルト層７を具える。 - 特許庁

A P-type fourth semiconductor layer 15 is formed on an inner surface of the fourth recess part 53a so as to generate a fifth recess part 54a being smaller than the fourth recess part 53a; and has a fourth impurity concentration lower than the third impurity concentration.例文帳に追加

Ｐ型第４半導体層１５は、第４凹部５３ａの内面にそれより小さい第５凹部５４ａを生じるように形成され、第３不純物濃度より低い第４不純物濃度を有する。 - 特許庁

A layer (second catalytic layer) being a catalyst of electroless plating is formed on the metallic oxide film (fourth stage).例文帳に追加

金属酸化膜上に、無電解めっきの触媒となる層（第２触媒層）を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

Then, a wiring layer 27A having a small film thickness is disposed on an upper surface of the fourth insulating layer 26.例文帳に追加

そして、第４の絶縁層２６上面には膜厚の薄い配線層２７Ａが配置される。 - 特許庁

The second and third magnetic layers control the magnetic exchange coupling of the first magnetic layer and the fourth magnetic layer.例文帳に追加

第２、第３の磁性層は、第１の磁性層と第４の磁性層との磁気交換結合を制御する。 - 特許庁

A fourth conductor layer 21 is provided on the third conductor layer 30.例文帳に追加

第３導電体層３０の上に、第４導電体層２１が設けられている。 - 特許庁

Further more, a third dielectrics layer 4c of resin is laminated on the fourth conductor layer 3d.例文帳に追加

更に、第４導体層３ｄ上には樹脂製の第３誘電体層４ｃが積層されている。 - 特許庁

The coating layer 3 is a four-layered structure consisting of a first layer 3a, a second layer 3b, a third layer 3c and a fourth layer 3d.例文帳に追加

コーティング層３を、第１層３ａ，第２層３ｂ，第３層３ｃ，第４層３ｄの４層構造とする。 - 特許庁

The peak value of the impurity concentration in the third portion 15n of the fourth layer 15 is high than that in the fourth portion 15p of the fourth layer 15.例文帳に追加

第４の層１５の第３の部分１５ｎの不純物濃度のピーク値は、第４の層１５の第４の部分１５ｐの不純物濃度のピーク値よりも高い。 - 特許庁

The fourth layer 15 includes a third portion 15n located on the first portion 2 and a fourth portion 15p located on the second portion 16.例文帳に追加

第４の層１５は、第１の部分２の上に位置する第３の部分１５ｎと、第２の部分１６の上に位置する第４の部分１５ｐとを含む。 - 特許庁

The first semiconductor layer 3, the second semiconductor layer 4, the third semiconductor layer 5, and the fourth semiconductor layer 6 contain a nitride semiconductor.例文帳に追加

第１半導体層３、第２半導体層４、第３半導体層５及び第４半導体層６は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.例文帳に追加

埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。 - 特許庁

The second electrodes 45 are arranged on the first organic light-emitting layer, the second organic light-emitting layer, the third organic light-emitting layer and the fourth organic light-emitting layer.例文帳に追加

第２の電極４５は、第１の有機発光層、第２の有機発光層、第３の有機発光層及び第４の有機発光層の上に配置される。 - 特許庁

A breaker layer 30 made of four breakers from a first layer 31 to a fourth layer 34 sequentially from an inner layer side is arranged on a crown part 18.例文帳に追加

クラウン部１８に、内層側から順に第１層３１から第４層３４までの４枚のブレーカから成るブレーカ層３０が配置される。 - 特許庁

At arrangement of a via which reaches a fourth wiring layer 14 from a real terminal 21 of a first wiring layer 11, the number of layers N of a wiring layer comprising a wiring track in the direction orthogonal to that of the fourth wiring layer 14 is acquired between the first and fourth wiring layers 11 and 14.例文帳に追加

配線設計方法では、第１配線層１１の実端子２１から第４配線層１４に達するビアを配置するにあたって、第１及び第４配線層１１、１４間で、第４配線層１４における配線トラックと直交する方向の配線トラックを有する配線層の層数Ｎを求める。 - 特許庁

A fourth semiconductor layer of the second conductivity type is provided on the third semiconductor layer, and a fifth semiconductor layer of the first conductivity type is selectively provided on a surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

前記第３半導体層の上には、前記第２導電型の第４半導体層が設けられ、前記第４半導体層の表面に前記第１導電型の第５半導体層が選択的に設けられる。 - 特許庁

Ends 78a, 88a of the first layer conductor and the second layer conductor apart by a third pitch are jointed, and the ends 88b, 78b of the third layer conductor and the fourth layer conductor separated by a fourth pitch are jointed.例文帳に追加

第３ピッチ離れた第１層導体及び第２層導体の先端同士７８ａ、８８ａが接合され、第４ピッチ離れた第３層導体及び第４層導体の先端同士８８ｂ、７８ｂが接合されている。 - 特許庁

The first to fourth word line conductor layers 31a-31d are provided with: first to fourth bottoms 311a-311d extending in parallel with the substrate Ba; and first to fourth sides 312a-312d extending upward to the substrate Ba along the projected layer 50 at the ends of the first to fourth bottoms.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄは、基板Ｂａに対して平行に延びる第１〜第４底部３１１ａ〜３１１ｄと、それらの端部にて突出層５０に沿って基板Ｂａに対して上方に延びる第１〜第４側部３１２ａ〜３１２ｄとを備える。 - 特許庁

The direction through which a fourth metal wiring layer positioned on a semiconductor layer extends is so provided as to be orthogonal to the direction of third wiring layers ML30 and 37 positioned on the fourth wiring layer.例文帳に追加

半導体層の上に位置する、第４メタル配線層が延びる方向と、第４配線層の上に位置する第３配線層ＭＬ３０，３７が延びる方向とが直交するように設けられている。 - 特許庁

The acoustic material 100 comprises a first layer sound absorbing blank 101 to fourth layer sound absorbing blank 104 and a film 105 which is affixed to the front surface of the fourth layer sound absorbing blank 104 and has air permeability.例文帳に追加

吸音材１００は、第１層吸音素材１０１〜第４層吸音素材１０４と、第４層吸音素材１０４の表面に貼着された通気性を有するフィルム１０５とで構成される。 - 特許庁

The first layer to the fourth layer sound absorbing blanks 101 to 104 are respectively dot-to-dot adhered at prescribed intervals and the film 105 is similarly dot-to-dot adhered to the fourth layer sound absorbing blank 104.例文帳に追加

第１層〜第４層吸音素材１０１〜１０４のそれぞれは、所定間隔で点接着され、フィルム１０５は第４層吸音素材１０４に同様に点接着されている。 - 特許庁

The connection wire 3 on the first layer is connected to the fourth layer by the though hole 5, connected to the ball grid 7 by the connection wire 3 on the fourth layer, and mounted on the device substrate via the ball grid 7.例文帳に追加

第１層における接続用配線３はスルーホール５により第４層と接続され、第４層において接続用配線３によってボールグリッド７と接続され、ボールグリッド７を介して装置基板に実装される。 - 特許庁

The fourth layer 6d is formed from a uniaxial stretched film made of polyethylene.例文帳に追加

第４層６ｄは、ポリエチレンからなる一軸延伸フィルムによって構成する。 - 特許庁

The liquid crystal molecules included in a cholesteric liquid crystal layer 20 are partially fixed in a fourth process S4.例文帳に追加

第４工程Ｓ４では、コレステリック液晶層２０に含まれる液晶分子を一部固定化する。 - 特許庁

In a fourth embodiment, a single P-layer with changed composition and dopant concentration is formed.例文帳に追加

第４実施形態では、組成およびドーパントの濃度を変化させた単一のＰ型層が形成される。 - 特許庁

Each of the capacitors 26, 28 comprises second and fourth electrodes and a dielectric layer.例文帳に追加

キャパシタ２６，２８は、それぞれ第２および第４の電極と誘電体層とによって構成されている。 - 特許庁